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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
APT65GP60JDF2
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT65GP60JDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 130A 431W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA
Power - Max: 431 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT65GP60JDQ2Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 65 A SOT-227
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APT65GP60JDQ2MICROSEMISOT-227/Discrete Semiconductor Products APT65GP60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT65GP60L2DF2
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT65GP60L2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 198A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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APT65GP60L2DQ2GMICROSEMITO264-MAX/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI APT65GP60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT65GP60L2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 198A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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APT65GP60L2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 198A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 833 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 198 A
Part Status: Active
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 605µJ (on), 895µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
IGBT Type: PT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
Input Type: Standard
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.28 EUR
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APT65GP60L2DQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 65 A TO-264 MAX
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT65GP60L2DQ2GQMicrochip TechnologyIGBTs FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 MAX, RoHS
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.28 EUR
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APT66F60B2Microchip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT66F60B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT66F60B2MicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT66F60B2MicrosemiTrans MOSFET N-CH Si 600V 70A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+34.33 EUR
10+29.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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APT66F60LMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 600 V 66 A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
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APT66F60LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 70A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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APT66M60B2MICROSEMIT-MAX/N-CHANNEL POWER MOSFET - MOS8 APT66M60
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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APT66M60B2Microchip TechnologyMOSFET MOSFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
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APT66M60B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT66M60B2Microchip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247 T-MAX
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT66M60LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 70A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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APT66M60LMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS8 600 V 66 A TO-264
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APT6784MOTOROLA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT68GA60BMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT68GA60BMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 121A 520W TO-247
Power - Max: 520 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 202 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 121 A
Part Status: Active
Gate Charge: 298 nC
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/133ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Type: Standard
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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APT68GA60B
Produktcode: 133965
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APT68GA60B2D40Microchip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 T-MAX
Produkt ist nicht verfügbar
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APT68GA60B2D40MICROSEMITO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI APT68GA60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT68GA60B2D40Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 121A 520W TO-247
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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APT68GA60LD40Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 68 A TO-264
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.54 EUR
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APT68GA60LD40Microchip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT68GA60LD40Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 121A 520W TO-264
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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APT6M100KMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 [K]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
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APT6M100KMicrosemiTO-220AB Транзистори
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APT6M100KMicrochip TechnologyMOSFETs Power MOSFET - MOS8
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APT70GR120B2Microchip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/278ns
Switching Energy: 3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 544 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 961 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT70GR120B2Microchip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
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APT70GR120JMicrochip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227
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APT70GR120JMicrosemi Power Products GroupDescription: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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APT70GR120JMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT70GR120JD60Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 112 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26 nF @ 25 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.83 EUR
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APT70GR120JD60Microchip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
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APT70GR120JD60MICROSEMIISOTOP/Ultra Fast NPT - IGBT APT70GR120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT70GR120L
Produktcode: 130770
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT70GR120LMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 160A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/278ns
Switching Energy: 3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 544 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 961 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT70GR120LMicrochip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT70GR65BMicrosemiIGBT 650V 134A 595W TO-247 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT70GR65BMicrochip TechnologyDescription: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Power - Max: 595 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Part Status: Active
Gate Charge: 305 nC
Test Condition: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.51mJ (on), 1.46mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT70GR65BMicrochip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 650 V 70 A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT70GR65B2DU40MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT70GR65B2SCD30Microsemi CorporationDescription: IGBT NPT 650V 134A TMAX
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns
Test Condition: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 595 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT70GR65B2SCD30Microchip / MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT70SM70BMicrosemiMOSFET Power MOSFET - SiC
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT70SM70BMicrosemi
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT70SM70SMicrosemiMOSFET Power MOSFET - SiC
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75DF170HJMicrochip TechnologyRectifiers DOR CC0067
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75DF170HJMicrochip TechnologyDescription: BRIDGE RECT 1P 1.7KV 75A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75DL120HJMicrochip TechnologyBridge Rectifiers PM-DIODE-FRED-D-SOT227
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75DL120HJMicrochip TechnologyDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 75A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75DL60HJMicrosemi CorporationDescription: BRIDGE RECT 1P 600V 75A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75DQ100BGMicrochip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 75A 250ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75DQ100BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75DQ100BGMicrosemiRectifiers Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75DQ120BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE STD 1200V 75A TO247 [B]
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 325 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.59 EUR
100+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75DQ120BGMICROSEMITO-247/75 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE APT75DQ120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75DQ120BGMicrochip / MicrosemiRectifiers FG, FRED, 1200V, TO-247, RoHS
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT75DQ120BGMicrosemiAPT75DQ120BG TO-247/75 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE Діоди та діодні збірки
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APT75DQ120BGMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 1200 V 75 A TO-247
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APT75DQ120BGVAOMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 1200 V 75 A TO-247
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APT75DQ120DMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 1200 V 75 A DIE
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APT75DQ120DMicrochip TechnologyDescription: FRED DQ 1200 V 75 A DIE
Packaging: Bulk
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APT75DQ120SGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 75A D3PAK
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APT75DQ120SGMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 1200 V 75 A TO-268
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APT75DQ60B
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APT75DQ60BGMICROSEMITO247/FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - DQ APT75DQ60
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APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDiode Switching 600V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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APT75DQ60BGMicrochip / MicrosemiRectifiers FG, FRED, 600V, TO-247, RoHS
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APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDiode Switching 600V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDiode Switching 600V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE STD 600V 75A TO247 [B]
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDiode Switching 600V 75A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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APT75DQ60BG
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APT75DQ60DMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 600 V 75 A DIE
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APT75DQ60S
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APT75DQ60SGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 75A D3PAK
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 75 A
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D3Pak
Current - Average Rectified (Io): 75A
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APT75DQ60SGMicrochip TechnologyRectifiers FG, FRED, 600V, 75A, D3, TO-268, RoHS
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APT75F50B2Microchip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-247 T-MAX
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APT75F50B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
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APT75F50LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 75A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
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APT75F50LMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS8 500 V 75 A TO-264
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APT75GN120B2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT 1200V 200A 833W TMAX
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APT75GN120B2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 75 A TO-247 MAX
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APT75GN120B2GMICROSEMITMAX/200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT75GN120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT75GN120JMicrosemi CorporationDescription: IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
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APT75GN120JMICROSEMIAPT75GN120J APT75GN120
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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APT75GN120JDQ3Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 124A 379mW 4-Pin SOT-227 Tube
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT75GN120JDQ3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 379 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 124 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.8 nF @ 25 V
auf Bestellung 116 Stücke:
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1+66.47 EUR
100+53.95 EUR
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APT75GN120JDQ3MICROSEMIISOTOP/IGBT APT75GN120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT75GN120JDQ3Microchip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227
auf Bestellung 29 Stücke:
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