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Beschreibung

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Privatkunde

IPDQ60R022S7AXTMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R022S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R022S7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 229 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.09 EUR
10+	18.58 EUR
25+	18.08 EUR
50+	17.06 EUR
100+	16.06 EUR
250+	15.57 EUR
500+	14.58 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R022S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V

auf Bestellung 328 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	27.18 EUR
10+	18.99 EUR
50+	15.54 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R024CM8XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 651 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.58 EUR
10+	13.32 EUR
100+	11.13 EUR
500+	9.9 EUR
750+	8.82 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R025CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60R025CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.021 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

auf Bestellung 728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	22.44 EUR
50+	19.39 EUR
100+	17.22 EUR
250+	15.91 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R025CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5626 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R025CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 752 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.7 EUR
10+	19.08 EUR
100+	16.28 EUR
500+	15.23 EUR
750+	14.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R025CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60R025CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.021 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

auf Bestellung 728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	34.39 EUR
9+	28.12 EUR
10+	22.44 EUR
50+	19.39 EUR
100+	17.22 EUR
250+	15.91 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R025CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5626 pF @ 400 V

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.54 EUR
10+	18.59 EUR
100+	14.1 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R035CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60R035CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.028 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 367W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	25.76 EUR
12+	20.63 EUR
14+	15.98 EUR
50+	14.65 EUR
100+	13.33 EUR
250+	13.07 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R035CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

750+	10.94 EUR

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R035CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60R035CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.028 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 367W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	25.76 EUR
12+	20.63 EUR
14+	15.98 EUR
50+	14.65 EUR
100+	13.33 EUR
250+	13.07 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R035CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.68 EUR
10+	19.46 EUR
25+	17.66 EUR
100+	16.21 EUR
250+	15.24 EUR
500+	14.16 EUR
750+	12.86 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R035CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	18.08 EUR
10+	14.04 EUR
25+	13.04 EUR
100+	11.94 EUR
250+	11.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R037CM8XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 65 A, 0.037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 742 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	16.11 EUR
21+	11.21 EUR
100+	8.91 EUR
500+	8.09 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R037CM8XTMA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 738 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.83 EUR
10+	11.83 EUR
25+	10.75 EUR
100+	9.87 EUR
250+	9.29 EUR
500+	8.71 EUR
750+	7.81 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R037CM8XTMA1

INFINEON

auf Bestellung 742 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	16.11 EUR
21+	11.21 EUR
100+	8.91 EUR
500+	8.09 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R040S7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	17.36 EUR
10+	11.88 EUR
100+	8.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R040S7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 625 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.15 EUR
10+	8.6 EUR
100+	7.63 EUR
750+	7.6 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V

auf Bestellung 718 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.03 EUR
10+	10.04 EUR
25+	9.31 EUR
100+	8.48 EUR
250+	8.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R045CFD7

Infineon Technologies

HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R045CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 297W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	16.24 EUR
18+	13.21 EUR
21+	10.44 EUR
50+	9.96 EUR
100+	8.84 EUR
250+	8.68 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.65 EUR
20+	8.68 EUR
25+	6.82 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.9 EUR
10+	12.92 EUR
100+	10.64 EUR
500+	9.48 EUR
750+	8.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.65 EUR
20+	8.87 EUR
25+	7.08 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.39 EUR
10+	11.1 EUR
25+	10.28 EUR
100+	9.38 EUR
250+	8.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60R045CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 297W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	16.24 EUR
18+	13.21 EUR
21+	10.44 EUR
50+	9.96 EUR
100+	8.84 EUR
250+	8.68 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

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IPDQ60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R

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IPDQ60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	8.83 EUR
100+	8.26 EUR

Mindestbestellmenge: 73 Stücke

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IPDQ60R045CFD7XTMA1

Infineon Technologies

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

750+	7.66 EUR

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

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IPDQ60R055CFD7XTMA1

Infineon Technologies

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IPDQ60R055CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.09 EUR
10+	9.76 EUR
100+	7.91 EUR
500+	6.12 EUR
750+	5.95 EUR
2250+	5.87 EUR

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IPDQ60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V

auf Bestellung 285 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.68 EUR
10+	6.59 EUR
25+	6.08 EUR
100+	5.51 EUR
250+	5.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPDQ60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 739 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.07 EUR
10+	6.37 EUR
100+	5.51 EUR
500+	5.15 EUR

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IPDQ60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

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IPDQ60R070CM8XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 715 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.95 EUR
10+	6.62 EUR
100+	4.71 EUR
500+	3.94 EUR

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IPDQ60R075CFD7XTMA1

Infineon Technologies

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.28 EUR
10+	7.84 EUR
25+	7.22 EUR
100+	6.56 EUR
250+	6.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPDQ60R075CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 91 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.69 EUR
10+	8.16 EUR
25+	7.54 EUR
100+	6.85 EUR
250+	6.51 EUR
500+	6.47 EUR
750+	6.06 EUR

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IPDQ60R075CFD7XTMA1

Infineon Technologies

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

750+	5.27 EUR

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

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IPDQ60T010S7AXTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	70.52 EUR
5+	52.96 EUR
10+	41.75 EUR
50+	39.31 EUR
100+	36.58 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPDQ60T010S7AXTMA1

Infineon Technologies

Power Device MOSFET

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Mindestbestellmenge: 750 Stücke

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IPDQ60T010S7AXTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor

auf Bestellung 682 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	43.85 EUR
10+	35.6 EUR
25+	35.56 EUR
100+	31.14 EUR
250+	29.49 EUR
500+	29.46 EUR
750+	28.41 EUR

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IPDQ60T010S7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs CoolMOS S7T with embedded temperature sensor

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	42.33 EUR
10+	34.22 EUR
100+	29.93 EUR
250+	28.36 EUR
500+	27.94 EUR
750+	26.81 EUR

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IPDQ60T017S7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 750 Stücke

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IPDQ60T017S7AXTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	40.16 EUR
8+	32.83 EUR
10+	26.19 EUR
50+	22.51 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IPDQ60T017S7AXTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

auf Bestellung 745 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.16 EUR
10+	19.87 EUR
25+	19.27 EUR
100+	18.96 EUR
750+	15.46 EUR

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IPDQ60T017S7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)

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IPDQ60T017S7AXTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	26.19 EUR
50+	22.51 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPDQ60T017S7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 129-133 Tag (e)

1+	31.04 EUR
10+	27.36 EUR
25+	26.6 EUR
50+	25.13 EUR
100+	23.65 EUR
250+	22.91 EUR
500+	21.44 EUR

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IPDQ60T017S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.88mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60T017S7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	21.44 EUR
50+	20.09 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60T017S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.88mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	27.29 EUR
10+	21.5 EUR
25+	20.06 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60T017S7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	32.83 EUR
9+	26.87 EUR
10+	21.44 EUR
50+	20.09 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60T022S7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	27.04 EUR
10+	18.96 EUR
50+	15.71 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60T022S7AXTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	23.72 EUR
12+	19.98 EUR
13+	16.55 EUR
50+	16.23 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60T022S7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60T022S7AXTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.6 EUR
10+	15.46 EUR
500+	15.16 EUR
750+	14.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60T022S7AXTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	23.72 EUR
12+	19.98 EUR
13+	16.55 EUR
50+	16.23 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60T022S7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 604 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.16 EUR
10+	15.12 EUR
500+	14.83 EUR
750+	14.3 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60T022S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.6 EUR
10+	18.61 EUR
50+	15.36 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60T022S7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60T040S7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.48 EUR
10+	11.97 EUR
25+	11.09 EUR
100+	10.13 EUR
250+	9.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPDQ60T040S7AXTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ60T040S7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

750+	8.31 EUR

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

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IPDQ65R008CM8XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 222 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	41.36 EUR
10+	33.84 EUR
100+	29.9 EUR

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IPDQ65R017CFD7AXTMA1

Infineon Technologies

MOSFET

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 150-154 Tag (e)

1+	38.31 EUR
10+	34.06 EUR
25+	31.77 EUR
50+	30.76 EUR
100+	29.79 EUR
250+	27.8 EUR
500+	25.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R017CFD7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

750+	22.34 EUR

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R017CFD7AXTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ65R017CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	29.54 EUR
50+	27.1 EUR
100+	25.6 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R017CFD7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 776 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	35 EUR
10+	27.86 EUR
25+	26.07 EUR
100+	24.36 EUR

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IPDQ65R017CFD7AXTMA1

INFINEON

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	41.91 EUR
7+	35.46 EUR
10+	29.54 EUR
50+	27.1 EUR
100+	25.6 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R017CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R017CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 552 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	34.81 EUR
10+	25.68 EUR
100+	22.71 EUR
500+	20.75 EUR
750+	17.41 EUR

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IPDQ65R017CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 136A 22-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R017CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V

auf Bestellung 627 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	33.07 EUR
10+	26.29 EUR
25+	24.59 EUR
100+	22.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R018CM8XTMA1

Infineon Technologies

Description: IPDQ65R018CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 400 V

auf Bestellung 548 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.44 EUR
10+	17.79 EUR
100+	14.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R018CM8XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 663 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.74 EUR
10+	18.02 EUR
100+	14.8 EUR
500+	13.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R018CM8XTMA1

Infineon Technologies

Description: IPDQ65R018CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R029CFD7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.94 EUR
10+	17.21 EUR
25+	16.03 EUR
100+	14.72 EUR
250+	14.6 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R029CFD7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R029CFD7AXTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs Y

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 150-154 Tag (e)

1+	21.05 EUR
10+	18.93 EUR
25+	18.28 EUR
50+	17.59 EUR
100+	16.18 EUR
250+	15.54 EUR
500+	13.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R029CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 759 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.43 EUR
10+	16.15 EUR
100+	14.2 EUR
500+	12.4 EUR
750+	11.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R029CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V

auf Bestellung 734 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.49 EUR
10+	16.83 EUR
25+	15.66 EUR
100+	14.39 EUR
250+	14.26 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R029CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 85A 22-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R029CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R040CFD7

Infineon Technologies

HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R040CFD7AXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 64A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R040CFD7AXTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ65R040CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.04 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.67 EUR
15+	15.97 EUR
17+	12.61 EUR
50+	12.16 EUR
100+	11.94 EUR
250+	11.67 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R040CFD7AXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 64A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R040CFD7AXTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ65R040CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.04 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.67 EUR
15+	15.97 EUR
17+	12.61 EUR
50+	12.16 EUR
100+	11.94 EUR
250+	11.67 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R040CFD7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	18.28 EUR
10+	14.24 EUR
25+	13.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R040CFD7AXTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

auf Bestellung 955 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.82 EUR
10+	15.77 EUR
100+	13.15 EUR
500+	11.73 EUR
750+	10.97 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R040CFD7AXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 64A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPDQ65R040CFD7AXTMA1

Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 750 Stücke

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IPDQ65R040CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V

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IPDQ65R040CFD7XTMA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPDQ65R040CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.034 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm

auf Bestellung 735 Stücke:

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15+	17.4 EUR
17+	14.07 EUR
20+	11.03 EUR
50+	10.71 EUR
100+	9.53 EUR
250+	9.34 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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IPDQ65R040CFD7XTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.034 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm

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