Produkte > IAU
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IAUCN04S7N009ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 129W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm | auf Bestellung 1101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N009ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 14506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N009ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 14895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N009ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 129W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm | auf Bestellung 1101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N009ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N010GATMA1 | Infineon Technologies | Description: IAUCN04S7N010GATMA1 Packaging: Tray Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 123W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-THSOG-4-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N010GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications | auf Bestellung 3518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N012ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 16710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N012ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N012ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N012ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 9053 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N012ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N015ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1530 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1530µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N015ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 22574 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N015ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N015ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1530 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1530µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N015ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N015GATMA1 | Infineon Technologies | Description: IAUCN04S7N015GATMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N015GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N015GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 165 A, 0.00153 ohm, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00153ohm | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N015GATMA1 | Infineon Technologies | Description: IAUCN04S7N015GATMA1 | auf Bestellung 4987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N015GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility | auf Bestellung 1736 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N019DATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N019DATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 7472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N019DATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 96W usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N019DATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 3263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N019DATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 96W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N019GATMA1 | Infineon Technologies | Description: IAUCN04S7N019GATMA1 | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N019GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility | auf Bestellung 1743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N019GATMA1 | Infineon Technologies | Description: IAUCN04S7N019GATMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N020ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 75W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm | auf Bestellung 4906 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N020ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N020ATMA1 | Infineon Technologies | Automotive MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N020ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N020ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N020ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 75W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm | auf Bestellung 4906 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N024DATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N024DATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 72W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N024DATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 72W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N024DATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 72W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Qualification: AEC-Q101 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N024DATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 72W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N024DATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N024HATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.46mOhm @ 50A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2226pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 75W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4612 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N024HATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N024HATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.46mOhm @ 50A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2226pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 75W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N027GATMA1 | Infineon Technologies | Description: IAUCN04S7N027GATMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N027GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility | auf Bestellung 1743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N027GATMA1 | Infineon Technologies | Description: IAUCN04S7N027GATMA1 | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N030ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 2266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N030ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 100°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N030ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 100°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N037GATMA1 | Infineon Technologies | Description: IAUCN04S7N037GATMA1 | auf Bestellung 4960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N037GATMA1 | Infineon Technologies | Description: IAUCN04S7N037GATMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N037GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility | auf Bestellung 1743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N040DATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 51W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N040DATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N040DATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 51W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N040DATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Verlustleistung, n-Kanal: 51W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N040DATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 51W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N040DAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 51W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 7555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N040DAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N040DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 51W usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 7555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N040HATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 52W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.01mOhm @ 45A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N040HATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N040HATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N040HATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 82 A, 4010 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 82A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4010µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 52W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N040HATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 52W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.01mOhm @ 45A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N047GATMA1 | Infineon Technologies | Description: IAUCN04S7N047GATMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N047GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility | auf Bestellung 1673 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N047GATMA1 | Infineon Technologies | Description: IAUCN04S7N047GATMA1 | auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N054HATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.41mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N054HATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.41mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N054HATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | auf Bestellung 6153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N056DATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm tariffCode: 85412900 Verlustleistung, n-Kanal: 41W productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N056DATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N056DATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N056DATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N056DATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN04S7N056DAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7N056DAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm tariffCode: 85412900 Verlustleistung, n-Kanal: 41W productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN08S5L160TATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5 | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN08S7L013ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 131µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9554 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN08S7L013ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 131µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9554 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN08S7L013ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | auf Bestellung 14035 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN08S7L013ATMA1 | Infineon | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN08S7L018ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN08S7L024ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( | auf Bestellung 4845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN08S7L024ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN08S7L024ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | auf Bestellung 4403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN08S7L033ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | auf Bestellung 3709 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN08S7L110ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IAUCN08S7L110ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN08S7L110ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | auf Bestellung 1446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN08S7L110ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IAUCN08S7L110ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN08S7N013ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN08S7N013ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 219W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN08S7N013ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN08S7N013ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 11509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IAUCN08S7N013ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 219W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN08S7N016TATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 114µA Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7394 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN08S7N016TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUCN08S7N016TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1630 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: LHSOIC Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN08S7N016TATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN08S7N016TATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 114µA Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7394 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IAUCN08S7N019ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |