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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM6K516NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K516NU,LFToshibaMOSFETs MOS TRANSISTOR
auf Bestellung 5321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.54 EUR
100+0.38 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K517NU,LF
Produktcode: 179908
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K517NU,LFToshibaMOSFETs UDFN6B N CHAN 30V
auf Bestellung 3843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.12 EUR
10+0.73 EUR
100+0.51 EUR
500+0.35 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K517NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
auf Bestellung 3456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K517NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 6-Pin UDFN-B EP T/R
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+0.82 EUR
252+0.68 EUR
255+0.64 EUR
257+0.61 EUR
472+0.32 EUR
477+0.3 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K517NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K518NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
30+0.71 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K518NU,LFToshibaMOSFETs 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm a. 1.8V
auf Bestellung 5669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
10+0.43 EUR
100+0.3 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K518NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K781G,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K781G,LFToshibaMOSFETs WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
auf Bestellung 51800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.7 EUR
100+0.48 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K781G,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
auf Bestellung 12569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K804R,LFToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H)
auf Bestellung 9208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K809R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K809R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, RDS(a.4.5V)=0.051?, ID=6.0A
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.77 EUR
100+0.52 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K809R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
auf Bestellung 5412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
27+0.77 EUR
100+0.51 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K809R,LXHFToshibaMOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
auf Bestellung 37637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K809R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K809R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K809R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K809R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K809R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K809R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K810R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 5720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
28+0.76 EUR
100+0.51 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K810R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K810R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=100V, VGSS=+/-20V, RDS(a.4.5V)=0.092ohm, ID=3.5A
auf Bestellung 2881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.81 EUR
100+0.54 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K810R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
16+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K810R,LXHFToshibaMOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
auf Bestellung 4724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K810R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K810R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K810R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K810R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K810R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K818R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 30V, +/-20V, 15A ,0.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K818R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 30V, +/-20V, 15A ,0.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K818R,LFToshibaMOSFETs
auf Bestellung 11972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+1.13 EUR
100+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K819R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.46 EUR
9000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K819R,LFToshibaMOSFETs
auf Bestellung 10941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+1.07 EUR
100+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K819R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 11892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K819R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K819R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K819R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K819R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K819R,LXHFToshibaMOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
auf Bestellung 7784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+1.77 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K819R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K819R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K819R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K819R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K819R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6K819R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.0258 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K824R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
37+0.57 EUR
100+0.39 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K824R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K824R,LFToshibaMOSFETs
auf Bestellung 11875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.73 EUR
100+0.4 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L05FUTOSHIBA
auf Bestellung 15263 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L05FU(TE85L)TOSHIBASOT363-K4
auf Bestellung 6870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L05FU(TE85L) SOT363-TOSHIBA
auf Bestellung 6870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L05FU(TE85L)SOT363-K4
auf Bestellung 6870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L05FUTE85LSOT363-K4TOSHIBA
auf Bestellung 6615 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L09FU
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L09FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
30000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L09FUTE85LFToshibaMOSFETs N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V
auf Bestellung 817706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.45 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L09FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 53604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L10TU
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L11TU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L11TU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L11TU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L12TUTOSHIBA
auf Bestellung 8700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L12TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V, 218pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
25+0.87 EUR
100+0.6 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L12TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V, 218pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L12TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-0.5A VDSS=-30V
auf Bestellung 17627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.74 EUR
100+0.44 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L12TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L12TU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 0.145 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.26ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L12TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L12TU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 0.145 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.26ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L13TU
auf Bestellung 867000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L14FE(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L14FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 720 mA, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 720mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L14FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 720mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V, 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
auf Bestellung 26440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
40+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L14FE(TE85L,F)ToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
auf Bestellung 247587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.21 EUR
4000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L14FE(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L14FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 720 mA, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 720mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L14FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 720mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V, 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.18 EUR
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L14FETE85L
auf Bestellung 3878 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L16FE
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L16FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
auf Bestellung 3829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L16FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L16FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
auf Bestellung 3829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L16FETE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L16FETE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L35FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.13 EUR
12000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L35FE,LMToshibaMOSFET Small Signal MOSFET
auf Bestellung 6152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+0.67 EUR
100+0.38 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L35FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
auf Bestellung 27310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
40+0.52 EUR
100+0.26 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L35FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L35FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 180 mA, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L35FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L35FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 180 mA, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L35FUToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L35FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
33+0.64 EUR
100+0.39 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L35FU(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
auf Bestellung 35261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.79 EUR
10+0.76 EUR
100+0.56 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L35FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.18A/0.1A 6-Pin US T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L35FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L35FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.18A/0.1A 6-Pin US T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L36FE
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L36FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L36FE,LMToshibaMOSFET Small-signal MOSFET 2-in-1
auf Bestellung 81779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.5 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
4000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L36FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L36FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L36FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L36FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
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Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L36FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.31ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L36FETE85L
auf Bestellung 9768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L36FETE85L,F
auf Bestellung 9768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6L36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V, 1.2nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V, 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V, 43pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 330mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
39+0.54 EUR
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500+0.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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