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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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| A2T-011A-SW37 | Omron Automation and Safety | Description: ANN ARBOR TECH A2T PCW/WINXP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T-011A-SW37-CD08-FD09 | Omron Automation and Safety | Description: ANN ARBOR TECH A2T PCW/WINXP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T-011A-SW37-CD08-FD09 | Omron Automation and Safety | Panel PCs Ann Arbor Tech A2T PCw/WINXP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T-10T-E8XP-K4NN | Omron Automation and Safety | HMI Displays & Panel PCs IPC A2T 10.4 w/ 0 MHz CPU | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T07D160W04SR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin NI-780S T/R | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| A2T07D160W04SR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin NI-780S T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T07D160W04SR3 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 70V 803MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 803MHz Configuration: Dual Power - Output: 30W Gain: 21.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Voltage - Rated: 70 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 450 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T07D160W04SR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 710-960 MHz, 160 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T07D160W04SR3128 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 450 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 70 V Supplier Device Package: NI-780S-4 Technology: LDMOS (Dual) Gain: 21.5dB Power - Output: 30W Configuration: 2 N-Channel Frequency: 716MHz ~ 960MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780S-4 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T07H310-24SR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 47 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T07H310-24SR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4LS2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 880MHz Configuration: Dual Power - Output: 47W Gain: 18.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Voltage - Rated: 70 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 700 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T08VD020NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 48V 24QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-PowerQFN Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 728MHz ~ 960MHz Power - Output: 18W Gain: 19.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 24-PQFN-EP (8x8) Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 40 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T08VD020NT1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T08VD021NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET PQFN8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T08VD021NT1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T09D400-23NR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 716-960 MHz, 93 W AVG., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T09D400-23NR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-1230-4L2S Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 716MHz ~ 960MHz Power - Output: 400W Gain: 17.8dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L2S Voltage - Rated: 70 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.2 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T09VD250N | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors Airfast, RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 80 W Avg., 48 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T09VD250NR1 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T09VD250NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 48V TO270-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-6 Variant, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Frequency: 920MHz Configuration: Dual Power - Output: 65W Gain: 22.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270WB-6A Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 1 A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T09VD250NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast, RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 80 W Avg., 48 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T09VD300NR1 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T09VD300NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 48V TO270-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-6 Variant, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Frequency: 920MHz Configuration: Dual Power - Output: 79W Gain: 21.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270WB-6A Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 1.2 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T09VD300NR1 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast, RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 80 W Avg., 48 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T1 | Astrodyne TDI | Power Line Filters FILTER 1.0 AMP | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T10TE8XPK4NN | Omron Automation and Safety | Description: IPC A2T 10.4 W/800 MHZ CPU | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T14H450-23NR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 31V OM1230-42 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-1230-4L2S Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.452GHz ~ 1.511GHz Gain: 18.8dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L2S Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 31 V Current - Test: 1 A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T14H450-23NR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1427-1517 MHz, 93 W Avg., 31 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T16 F | --- | ЕМI А2Т16F FILТЕR Фільтр ЕМЗ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T16 F | Astrodyne TDI | Power Line Filters FILTER 16AMP | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| A2T16A H | Astrodyne TDI | Description: PREMIUM PERF SEVERE ENVIRONMENT | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18H100-25SR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4S4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.81GHz Configuration: Dual Power - Output: 18W Gain: 18.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4S4 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 230 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18H100-25SR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 15 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18H160-24SR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Frequency: 1.81GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780S-4L2L Packaging: Bulk Current - Test: 400 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S-4L2L Technology: LDMOS Gain: 17.9dB Power - Output: 28W Configuration: Dual | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| A2T18H160-24SR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 400 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S-4L2L Technology: LDMOS Gain: 17.9dB Power - Output: 28W Configuration: Dual Frequency: 1.81GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780S-4L2L Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18H160-24SR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 28 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18H410-24SR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Current - Test: 800 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Technology: LDMOS Gain: 17.4dB Power - Output: 71W Configuration: Dual Frequency: 1.81GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230-4LS2L Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18H410-24SR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 71 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18H450W19SR6 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 89 W Avg., 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18H450W19SR6 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: IC TRANS RF LDMOS | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18H455W23NR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 31.5V OM1230-42 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-1230-4L2S Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz Power - Output: 56dBm Gain: 14.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L2S Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 31.5 V Current - Test: 1.08 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18H455W23NR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 31.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S160W31GSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S160W31GSR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 1 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780GS-2L2LA Technology: LDMOS Gain: 19.9dB Power - Output: 32W Frequency: 1.88GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780GS-2L2LA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S160W31SR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: IC TRANS RF LDMOS | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S160W31SR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S162W31GSR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 1 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780GS-2L2LA Technology: LDMOS Gain: 20.1dB Power - Output: 32W Frequency: 1.84GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780GS-2L2LA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S162W31GSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 32 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S162W31SR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 32 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S162W31SR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: IC TRANS RF LDMOS | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S165-12SR3 | NXP USA Inc. | Description: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S165-12SR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 48 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S166W12SR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 38 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S166W12SR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-2S2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.805GHz ~ 1.995GHz Power - Output: 38W Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-2S2L Part Status: Active Voltage - Rated: 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S260-12SR3 | NXP USA Inc. | Description: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S260-12SR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S260W12NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L Current - Test: 1.5 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: OM-880X-2L2L Technology: LDMOS Gain: 18.7dB Power - Output: 280W Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz Mounting Type: Chassis Mount Current Rating (Amps): 10µA Package / Case: OM-880X-2L2L Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S260W12NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S261W12NR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S261W12NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-880X-2L2L Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz Power - Output: 280W Gain: 18.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-880X-2L2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.5 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S262W12NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-880X-2L2L Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz Power - Output: 231W Gain: 19.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-880X-2L2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.6 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T18S262W12NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDM OS Transistor 1805- | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T2 LG | Astrodyne TDI | Power Line Filters FILTER 2.5AMP | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T20H160W04NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM780-4 Current Rating (Amps): 10µA Frequency: 1.88GHz ~ 2.025GHz Configuration: Dual Power - Output: 200W Gain: 17dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM780-4 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 400 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T20H160W04NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 28 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T20H160W04NR3528 | NXP USA Inc. | Description: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 3460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| A2T20H330W24NR6 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 71 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T20H330W24NR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-1230-4L2L Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.88GHz ~ 2.025GHz Power - Output: 229W Gain: 15.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 700 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T20H330W24SR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 58 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T20H330W24SR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Current - Test: 700 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Technology: LDMOS Gain: 16.5dB Power - Output: 58W Configuration: Dual Frequency: 1.88GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230-4LS2L Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21H100-25SR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS Packaging: Tape & Reel (TR) Configuration: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21H100-25SR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 18 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21H140-24SR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21H140-24SR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-4 Current - Test: 350 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: OM780-4 Technology: LDMOS Gain: 17.4dB Power - Output: 169W Configuration: Dual Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz Current Rating (Amps): 10µA Package / Case: OM780-4 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21H141W24SR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 36 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21H360-23NR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-1230-4L2L Current Rating (Amps): 10µA Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz Configuration: Dual Power - Output: 373W Gain: 16.8dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 500 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21H360-23NR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 63 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21H360-24SR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS Packaging: Bulk | auf Bestellung 3685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| A2T21H360-24SR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21H410-24S | NXP Semiconductors | Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 28 W Avg, 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21H410-24SR6 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 28 W Avg, 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21H410-24SR6 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: IC TRANS RF LDMOS | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21H450W19S | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 89 W Avg., 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21H450W19SR6 | NXP Semiconductors | Description: RF MOSFET LDMOS 30V NI1230 Packaging: Bulk Package / Case: NI-1230S-4S4S Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz Power - Output: 89W Gain: 15.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S-4S4S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 30 V Current - Test: 800 mA | auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| A2T21H450W19SR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 89 W Avg., 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21S160-12SR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: IC TRANS RF LDMOS | auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21S160-12SR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 48 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21S161W12SR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-2S2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz Power - Output: 38W Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-2S2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21S161W12SR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 38 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21S260-12SR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 65 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21S260-12SR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-2S2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 65W Gain: 18.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-2S2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.2 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21S260W12NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-880X-2L2L Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz Power - Output: 218W Gain: 17.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-880X-2L2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.6 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T21S260W12NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors SSL MATRIX CONTROLLER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T2380 | na | na | auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T23H160-24SR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.3GHz Configuration: Dual Power - Output: 28W Gain: 17.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 350 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T23H160-24SR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 28 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T23H200W23SR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V ACP1230S-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: ACP-1230S-4L2S Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.3GHz ~ 2.4GHz Power - Output: 51W Gain: 15.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: ACP-1230S-4L2S Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 500 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T23H200W23SR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 51 W Avg., 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T23H300-24SR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Current - Test: 750 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Technology: LDMOS Gain: 14.9dB Power - Output: 66W Configuration: Dual Frequency: 2.3GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230-4LS2L Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| A2T23H300-24SR6 | NXP Semiconductors | RF POWER LDMOS TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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