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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
A5G07H800W19NR3NXP SemiconductorsRF Power GaN Transistor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G07H800W19NR3NXP USA Inc.Description: A5G07H800W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 717MHz ~ 850MHz
Power - Output: 112W
Gain: 18.3dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G07H800W19NR3NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+250.18 EUR
10+234.33 EUR
25+226.79 EUR
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A5G08H800W19NR3NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+250.20 EUR
10+234.33 EUR
25+226.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G08H800W19NR3NXP USA Inc.Description: A5G08H800W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 865MHz ~ 960MHz
Power - Output: 112W
Gain: 18.2dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G18H610W19NR3NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 192-196 Tag (e)
1+222.41 EUR
10+205.88 EUR
25+198.39 EUR
50+193.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G18H610W19NR3NXP USA Inc.Description: A5G18H610W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Power - Output: 85W
Gain: 16.6dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 300 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G19H605W19NR3NXP USA Inc.Description: A5G19H605W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.93GHz ~ 1.995GHz
Power - Output: 85W
Gain: 15.1dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 300 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G21H605W19NR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz
Power - Output: 85W
Gain: 15.1dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 300 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G21H605W19NR3NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+234.31 EUR
10+216.90 EUR
25+209.02 EUR
50+203.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G23H065NT4NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.4GHz
Power - Output: 8.8W
Gain: 15.5dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 30 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G23H065NT4NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 2300-2400 MHz, 8.8 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G23H110NT4NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.4GHz
Power - Output: 13.8W
Gain: 17.9dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 60 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G23H110NT4NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 2300-2400 MHz, 13.8 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G26H110N-2496NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 48V 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 15W
Gain: 17.7dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 50 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G26H110N-2496NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G26H110N 2496-2690 MHz Reference Circuit
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G26H110N-2496NXP SemiconductorsAir Fast RF Power GaN Transistor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G26H110NT4NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 2496-2690 MHz, 15 W Avg., 48 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G26H110NT4NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 15W
Gain: 17.7dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 50 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G26H605W19NR3NXP USA Inc.Description: A5G26H605W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 85W
Gain: 14.2dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 300 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G26H605W19NR3NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+245.98 EUR
10+227.71 EUR
25+219.44 EUR
50+213.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G26H606W19NR3NXP USA Inc.Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G26S004NT6NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg., 48 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G26S004NT6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G26S008NT6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 27dBm
Gain: 18.4dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 17 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G26S008NT6NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2300-2690 MHz, 27 dBm Avg., 48 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35H055NT4NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3400-3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35H055NT4NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35H110N-3400NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G35H110N 3400-3600 MHz Reference Circuit
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 133-137 Tag (e)
1+758.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35H110N-3400NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 48V 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 3.7GHz
Power - Output: 15.1W
Gain: 15.3dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 70 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35H110NT4NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35H110NT4NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35H120NT2NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3800 MHz, 18 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35H120NT2NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 3.7GHz
Power - Output: 18W
Gain: 14.1dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 10-DFN (7x10)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 70 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35S004N-3400NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 48V 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 4.3GHz
Power - Output: 24.5dBm
Gain: 16.9dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 12 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35S004N-3400NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G35S004N 3400-4300 MHz Reference Circuit
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+179.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35S004NT6NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-4300 MHz, 24.5 dBm Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35S004NT6NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 4.3GHz
Power - Output: 24.5dBm
Gain: 16.9dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 12 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35S008N-3400NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 48V 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 3.8GHz
Power - Output: 27dBm
Gain: 18.6dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 24 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35S008N-3400NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G35S008N 3400-3600 MHz Reference Circuit
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 141-145 Tag (e)
1+179.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35S008NT6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G35S008NT6NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G37H110NT4NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3600-3800 MHz, 13.5 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G37H110NT4NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G38H045N-3700NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G38H045N 3700-3980 MHz Reference Circuit
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+579.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G38H045NT4NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3400-4000 MHz, 5.4 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G38H045NT4NXP SemiconductorsAir Fast RF Power GAN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5G38H055NT4NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3700-3980 MHz, 7.6 W Avg., 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5GASOT153
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5GF4Y01
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
A5GS-2401PIAllied Components InternationalDescription: 5G POE+
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 160µH
Size / Dimension: 0.728" L x 0.492" W (18.50mm x 12.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 5G Base-T, Power over Ethernet (PoE)
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1CT:1CT
Height - Seated (Max): 0.270" (6.85mm)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.20 EUR
5+12.76 EUR
10+11.88 EUR
15+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH