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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
DIW-01ZAMELCategory: Building Automation
Description: Dimmer; flush mount; 230VAC; IP20; SUPLA; -10÷55°C; Interface: WiFi
Type of module: dimmer
Supply voltage: 230V AC
IP rating: IP20
Manufacturer series: SUPLA
Interface: WiFi
Control: wireless
Software: available on AppStore; available on Google Play; Supla
Mounting: flush mount
Operating temperature: -10...55°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+59.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW-01ZAMELCategory: Building Automation
Description: Dimmer; flush mount; 230VAC; IP20; SUPLA; -10÷55°C; Interface: WiFi
Type of module: dimmer
Supply voltage: 230V AC
IP rating: IP20
Manufacturer series: SUPLA
Interface: WiFi
Control: wireless
Software: available on AppStore; available on Google Play; Supla
Mounting: flush mount
Operating temperature: -10...55°C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+59.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW012N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.5A; Idm: 60A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW012N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.5A; Idm: 60A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Pulsed drain current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW012N65Diotec Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW012N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 650V 12A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1479 pF @ 34 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, TO-247-3L, N, 650V, 18A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 380 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.03 EUR
30+5.12 EUR
120+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.84 EUR
23+3.19 EUR
24+3 EUR
450+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.84 EUR
23+3.19 EUR
24+3 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030F135Diotec SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/95ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 350 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.76 EUR
30+4.39 EUR
120+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030F135DIOTEC SEMICONDUCTORDIW030F135-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.22 EUR
16+4.46 EUR
450+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030F135DIOTECDescription: DIOTEC - DIW030F135 - IGBT, 60 A, 2.3 V, 350 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030F135Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, Fast, 1350V, 30A, TO-247
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.46 EUR
10+13.64 EUR
120+8.18 EUR
510+8.1 EUR
1020+7.85 EUR
2520+6.92 EUR
5010+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030M060DIOTECDescription: DIOTEC - DIW030M060 - IGBT, 60 A, 1.75 V, 150 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030M060Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 600V, 30A, 90A, 0
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.62 EUR
10+5.95 EUR
120+3.57 EUR
510+2.83 EUR
1020+2.73 EUR
2520+2.5 EUR
5010+2.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030M060DIOTEC SEMICONDUCTORDIW030M060-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
30+2.39 EUR
450+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030N65KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 160A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030N65KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 160A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040F135DIOTECDescription: DIOTEC - DIW040F135 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 510 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040F135DIOTEC SEMICONDUCTORDIW040F135-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.77 EUR
12+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040M120Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.06 EUR
10+18.02 EUR
120+10.81 EUR
510+10.7 EUR
1020+10.37 EUR
2520+9.17 EUR
5010+8.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040M120DIOTECDescription: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040M120DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 330nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.71 EUR
12+6.03 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
450+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040M120DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 330nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.71 EUR
12+6.03 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
450+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW050F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 245ns
Turn-on time: 168ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.88 EUR
35+2.06 EUR
37+1.96 EUR
450+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW050F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 245ns
Turn-on time: 168ns
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.88 EUR
35+2.06 EUR
37+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW050F065Diotec SemiconductorDescription: IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 350 W
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.97 EUR
30+3.52 EUR
120+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW050F065Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A, 0
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 292-296 Tag (e)
1+10.82 EUR
10+8.47 EUR
120+5.07 EUR
510+5.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC015DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.13 EUR
10+28.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC015Diotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175°C
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+154.33 EUR
10+120.67 EUR
120+72.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC015DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.13 EUR
10+28.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.19 EUR
7+10.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+20.19 EUR
7+10.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC080DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.24 EUR
12+6.01 EUR
30+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC080DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.24 EUR
12+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW075M065DIOTECDescription: DIOTEC - DIW075M065 - IGBT, 90 A, 1.45 V, 330 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW075M065DIOTEC SEMICONDUCTORDIW075M065-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.03 EUR
18+4.03 EUR
19+3.8 EUR
450+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW075M065Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 75A, 300A, 0
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.73 EUR
10+15.42 EUR
120+9.24 EUR
510+9.15 EUR
1020+8.85 EUR
2520+7.83 EUR
5010+7.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW085N06DIOTEC SEMICONDUCTORDIW085N06-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.9 EUR
22+3.28 EUR
24+3.1 EUR
600+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW085N06Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 65V 85A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3704 pF @ 34 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW085N06Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TO-247-3L, 65V, 85A, 150C, N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW100 7321575Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 100PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW100 7321575Belden Inc.Description: CAT3 100PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 1575.0' (480.0m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 200 (100 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.760" (19.30mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW100 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 100PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
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DIW100 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 100PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW12 7321000Belden Inc.Description: CAT3 12PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 1000.0' (304.8m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 24 (12 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.270" (6.86mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW12 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 12PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW12 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 12PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDiotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.64 EUR
30+79.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+63.16 EUR
30+61.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+341.72 EUR
10+267.17 EUR
120+160.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+63.16 EUR
30+61.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC023-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC023-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC023-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+85.69 EUR
10+85.57 EUR
30+82.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC023-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.69 EUR
10+85.57 EUR
30+82.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC023-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 130A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+136.65 EUR
30+108.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORDIW120SIC028-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC059-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.86 EUR
30+36.37 EUR
120+34.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC059-AQDiotec SemiconductorMOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+125.49 EUR
10+98.1 EUR
100+58.84 EUR
500+58.26 EUR
1000+56.44 EUR
2500+49.9 EUR
5000+46.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC059-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDIW120SIC059-AQ THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+39.75 EUR
3+24.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC059-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC059-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 179nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.83 EUR
5+17.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 179nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.83 EUR
5+17.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC070DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 45A; Idm: 140A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.2 EUR
6+12.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC070DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 45A; Idm: 140A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.2 EUR
6+12.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC750DIOTEC SEMICONDUCTORDIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW2 732U2500Belden Inc.Description: CAT3 2PR U/UTP CMR BOX
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 2500' (762.0m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 4 (2 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.125" (3.18mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW2 732U2500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables 24AWG 2PR UNSHLD 2500ft BOX GRAY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW200 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 200PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW200 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 200PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW25 7321000Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW25 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW25 732500Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW25 732500Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW25 7325000Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
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DIW25 7325000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
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DIW25 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR CUT
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DIW3 732U1500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 3PR U/UTP CMR BOX
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DIW3 732U1500Belden Inc.Description: CAT3 3PR U/UTP CMR BOX
Features: Rip Cord
Packaging: Box
Length: 1500.0' (457.2m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 6 (3 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.133" (3.38mm)
Usage: Network
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
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DIW300 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 300PR U/UTP CMR CUT
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DIW4 732B1000Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR ECOIL
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DIW4 732B1000Belden Inc.Description: CAT3 4PR U/UTP CMR ECOIL
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DIW4 732U1000Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
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DIW4 732U1000Belden Inc.Description: CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
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DIW4 732U1500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
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DIW50 7321000Belden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR REEL SMI80
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DIW50 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
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DIW50 7322500Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
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DIW50 7322500Belden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
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DIW50 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR CUT
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DIW50 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR CUT
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DIW6 7321000Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 6PR U/UTP CMR REEL
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DIW6 7321000Belden Inc.Description: CAT3 6PR U/UTP CMR REEL
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