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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
DIW-01ZAMELCategory: Building Automation
Description: Dimmer; Smart Home; flush mount; 230VAC; IP20; SUPLA; -10÷55°C
Type of automation module: dimmer
IP rating: IP20
Control: wireless
Manufacturer series: SUPLA
Mounting: flush mount
Trade name: Smart Home
Operating temperature: -10...55°C
Supply voltage: 230V AC
Interface: WiFi
Software: available on AppStore; available on Google Play; Supla
Application: intelligent house
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+72.94 EUR
5+68.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW-01ZAMELCategory: Building Automation
Description: Dimmer; Smart Home; flush mount; 230VAC; IP20; SUPLA; -10÷55°C
Type of automation module: dimmer
IP rating: IP20
Control: wireless
Manufacturer series: SUPLA
Mounting: flush mount
Trade name: Smart Home
Operating temperature: -10...55°C
Supply voltage: 230V AC
Interface: WiFi
Software: available on AppStore; available on Google Play; Supla
Application: intelligent house
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+72.94 EUR
5+68.78 EUR
10+64.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW012N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1479 pF @ 34 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW012N65Diotec SemiconductorMOSFETs TO-247-3L, N, 650V, 12A, 0.19?, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW012N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.5A; Idm: 60A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Pulsed drain current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65Diotec SemiconductorMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.33 EUR
14+5.13 EUR
30+3.88 EUR
120+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.33 EUR
14+5.13 EUR
30+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, TO-247-3L, N, 650V, 18A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 380 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.2 EUR
30+5.22 EUR
120+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65DIOTECDescription: DIOTEC - DIW018N65 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030F135Diotec SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/95ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 350 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.36 EUR
30+5.32 EUR
120+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030F135DIOTECDescription: DIOTEC - DIW030F135 - IGBT, 60 A, 2.3 V, 350 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030F135Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, Fast, 1350V, 30A, TO-247
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.46 EUR
10+13.64 EUR
120+8.18 EUR
510+8.1 EUR
1020+7.85 EUR
2520+6.92 EUR
5010+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030F135DIOTEC SEMICONDUCTORDIW030F135-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.56 EUR
21+3.47 EUR
22+3.29 EUR
120+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030M060DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 227ns
Turn-on time: 124ns
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.05 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030M060DIOTECDescription: DIOTEC - DIW030M060 - IGBT, 60 A, 1.75 V, 150 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030M060Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 600V, 30A, 90A, 0
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.62 EUR
10+5.95 EUR
120+3.57 EUR
510+2.83 EUR
1020+2.73 EUR
2520+2.5 EUR
5010+2.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030M060DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 227ns
Turn-on time: 124ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.05 EUR
25+2.86 EUR
30+2.39 EUR
120+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030N65KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 160A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW038N65KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 160A; 192W; TO247-3
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 192W
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 160A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW038N65KDiotec Semiconductor TO-247-3L, N, 650V, 38A, 65m?, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW038N65KDiotec SemiconductorDescription: DIW038N65K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4884 pF @ 350 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040F135Diotec SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/95ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 510 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.45 EUR
30+7.87 EUR
120+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040F135DIOTECDescription: DIOTEC - DIW040F135 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 510 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040F135DIOTEC SEMICONDUCTORDIW040F135-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
30+6.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040M120DIOTECDescription: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040M120Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.06 EUR
10+18.02 EUR
120+10.81 EUR
510+10.7 EUR
1020+10.37 EUR
2520+9.17 EUR
5010+8.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040M120DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 337ns
Turn-on time: 69ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.24 EUR
12+6.25 EUR
30+4.88 EUR
120+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040M120DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 337ns
Turn-on time: 69ns
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.24 EUR
12+6.25 EUR
30+4.88 EUR
120+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW050F065Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A, 0
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.08 EUR
10+7.09 EUR
120+4.26 EUR
510+3.36 EUR
1020+3.26 EUR
2520+2.97 EUR
5010+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW050F065Diotec SemiconductorDescription: IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 350 W
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.97 EUR
30+3.52 EUR
120+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW050F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.62 EUR
20+3.69 EUR
25+2.9 EUR
30+2.76 EUR
120+1.93 EUR
450+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW050F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.62 EUR
20+3.69 EUR
25+2.9 EUR
30+2.76 EUR
120+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW052N60KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36.7A; Idm: 208A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36.7A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW052N60KDiotec Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC015Diotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175°C
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+154.33 EUR
10+120.67 EUR
120+72.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC015DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+32.35 EUR
10+28.86 EUR
30+27.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC015DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.35 EUR
10+28.86 EUR
30+27.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.7 EUR
5+17.43 EUR
10+16.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.7 EUR
5+17.43 EUR
10+16.52 EUR
30+14.29 EUR
120+12.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC080Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 36A, 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 600 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.85 EUR
30+17.41 EUR
120+13.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW075M065Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 75A, 300A, 0
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.73 EUR
10+15.42 EUR
120+9.24 EUR
510+9.15 EUR
1020+8.85 EUR
2520+7.83 EUR
5010+7.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW075M065DIOTECDescription: DIOTEC - DIW075M065 - IGBT, 90 A, 1.45 V, 330 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW085N06Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 65V 85A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3704 pF @ 34 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW085N06Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TO-247-3L, 65V, 85A, 150C, N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW085N06DIOTEC SEMICONDUCTORDIW085N06-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.9 EUR
22+3.28 EUR
24+3.1 EUR
600+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW100 7321575Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 100PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW100 7321575Belden Inc.Description: CAT3 100PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 1575.0' (480.0m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 200 (100 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.760" (19.30mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW100 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 100PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW100 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 100PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW12 7321000Belden Inc.Description: CAT3 12PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 1000.0' (304.8m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 24 (12 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.270" (6.86mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW12 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 12PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW12 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 12PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDiotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.64 EUR
30+79.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+65.61 EUR
10+60.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+65.61 EUR
10+60.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+341.72 EUR
10+267.17 EUR
120+160.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC023-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC023-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC023-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+84.74 EUR
10+82.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC023-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 45nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+84.74 EUR
10+82.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC023-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 130A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+136.65 EUR
30+108.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC028Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+129.73 EUR
10+101.43 EUR
120+60.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 373nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+38.01 EUR
10+34.23 EUR
30+31.72 EUR
120+30.2 EUR
240+27.18 EUR
450+25.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 373nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+38.01 EUR
10+34.23 EUR
30+31.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC059-AQDiotec SemiconductorMOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+125.49 EUR
10+98.1 EUR
100+58.84 EUR
500+58.26 EUR
1000+56.44 EUR
2500+49.9 EUR
5000+46.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC059-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 121nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.37 EUR
10+24.21 EUR
30+23.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC059-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.86 EUR
30+36.37 EUR
120+34.1 EUR
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DIW120SIC059-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 121nC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+26.37 EUR
10+24.21 EUR
30+23.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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DIW120SIC059-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC059-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DIW170SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORDIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
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4+18.88 EUR
5+17.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DIW170SIC070Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 70A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 1200 V
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.33 EUR
30+15.67 EUR
120+13.61 EUR
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DIW170SIC070Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.82 EUR
10+40.8 EUR
120+21 EUR
510+20.84 EUR
1020+20.36 EUR
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DIW170SIC750DIOTEC SEMICONDUCTORDIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.89 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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DIW170SIC750Diotec SemiconductorDescription: DIW170SIC750
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 1000 V
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DIW2 732U2500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables 24AWG 2PR UNSHLD 2500ft BOX GRAY
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DIW2 732U2500Belden Inc.Description: CAT3 2PR U/UTP CMR BOX
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 2500' (762.0m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 4 (2 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.125" (3.18mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
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DIW200 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 200PR U/UTP CMR CUT
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DIW200 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 200PR U/UTP CMR CUT
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DIW25 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
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DIW25 7321000Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Part Status: Obsolete
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DIW25 732500Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
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DIW25 732500Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
auf Bestellung 27500 Stücke:
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DIW25 7325000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
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DIW25 7325000Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
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DIW25 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR CUT
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DIW3 732U1500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 3PR U/UTP CMR BOX
auf Bestellung 3 Stücke:
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DIW3 732U1500Belden Inc.Description: CAT3 3PR U/UTP CMR BOX
Features: Rip Cord
Packaging: Box
Length: 1500.0' (457.2m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 6 (3 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.133" (3.38mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW300 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 300PR U/UTP CMR CUT
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DIW4 732B1000Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR ECOIL
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DIW4 732B1000Belden Inc.Description: CAT3 4PR U/UTP CMR ECOIL
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DIW4 732U1000Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
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DIW4 732U1000Belden Inc.Description: CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
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DIW4 732U1500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
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DIW50 7321000Belden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR REEL SMI80
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DIW50 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
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DIW50 7322500Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
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DIW50 7322500Belden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
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DIW50 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR CUT
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DIW50 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR CUT
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DIW6 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 6PR U/UTP CMR REEL
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DIW6 7321000Belden Inc.Description: CAT3 6PR U/UTP CMR REEL
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