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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DIW-01ZAMELCategory: Building Automation
Description: Dimmer; Smart Home; flush mount; 230VAC; IP20; SUPLA; -10÷55°C
Type of automation module: dimmer
Trade name: Smart Home
Supply voltage: 230V AC
Operating temperature: -10...55°C
Application: intelligent house
Interface: WiFi
Kind of module: wireless
Mounting: flush mount
Manufacturer series: SUPLA
Software: available on AppStore; available on Google Play; Supla
IP rating: IP20
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+77.29 EUR
5+72.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW003N150DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 30A; 50W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 50W
Case: TO3P
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW012N65Diotec SemiconductorMOSFETs TO-247-3L, N, 650V, 12A, 0.19?, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW012N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.5A; Idm: 60A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 45nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW012N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1479 pF @ 34 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.53 EUR
14+6.1 EUR
30+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 380 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.63 EUR
30+6.6 EUR
120+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65Diotec SemiconductorMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW018N65 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.5 EUR
28+8.54 EUR
100+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030F135Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, Fast, 1350V, 30A, TO-247
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.78 EUR
10+16.23 EUR
120+9.73 EUR
510+9.64 EUR
1020+9.34 EUR
2520+8.23 EUR
5010+7.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030F135DIOTECDescription: DIOTEC - DIW030F135 - IGBT, 60 A, 2.3 V, 350 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.82 EUR
30+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030F135Diotec SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247
Power - Max: 350 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Test Condition: 600V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 3mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/95ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.14 EUR
30+6.33 EUR
120+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030M060DIOTECDescription: DIOTEC - DIW030M060 - IGBT, 60 A, 1.75 V, 150 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.93 EUR
66+3.52 EUR
100+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030M060Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 600V, 30A, 90A, 0
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.83 EUR
10+3.75 EUR
120+3.03 EUR
5010+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW038N65KDiotec Semiconductor TO-247-3L, N, 650V, 38A, 65m?, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW038N65KDiotec SemiconductorDescription: DIW038N65K
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4884 pF @ 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040F120Diotec Semiconductor TO-247-3L, N-Fast, 1200 V, 40 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040F135Diotec SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/95ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 510 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.01 EUR
30+9.37 EUR
120+7.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040F135DIOTECDescription: DIOTEC - DIW040F135 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 510 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.49 EUR
16+14.51 EUR
19+11.8 EUR
50+11.2 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040M120DIOTECDescription: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.27 EUR
22+10.75 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040M120DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 337ns
Power dissipation: 330W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Turn-on time: 69ns
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.54 EUR
10+8.64 EUR
12+7.16 EUR
30+5.87 EUR
60+5.27 EUR
120+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040M120Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.89 EUR
10+8.04 EUR
120+6.75 EUR
510+5.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040S120Diotec Semiconductor TO-247-3L, N-reSonant, 1200 V, 40 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW050F065Diotec SemiconductorDescription: IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 350 W
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.1 EUR
30+4.19 EUR
120+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW050F065Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A, 0
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.81 EUR
10+8.44 EUR
120+5.07 EUR
510+4 EUR
1020+3.88 EUR
2520+3.53 EUR
5010+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW052N60KDiotec Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC015Diotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.46 EUR
10+39.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC015DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 16mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Gate charge: 236nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+34.44 EUR
5+31.69 EUR
30+29.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC049Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.37 EUR
10+16.62 EUR
120+14.33 EUR
510+13.78 EUR
1020+13.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...18V
Kind of package: tube
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Gate charge: 128nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+22.09 EUR
5+19.04 EUR
10+17.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC080Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.8 EUR
10+10.39 EUR
120+8.82 EUR
510+7.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC080Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 36A, 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 600 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.76 EUR
30+20.72 EUR
120+15.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW075M065Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 75A, 300A, 0
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.48 EUR
10+18.35 EUR
120+11 EUR
510+10.89 EUR
1020+10.53 EUR
2520+9.32 EUR
5010+8.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW075M065DIOTECDescription: DIOTEC - DIW075M065 - IGBT, 90 A, 1.45 V, 330 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.32 EUR
26+9.16 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW085N06DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 60A; Idm: 340A; 240W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 9.1mΩ
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 240W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.14 EUR
19+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW085N06Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TO-247-3L, 65V, 85A, 150C, N
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW085N06Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 65V 85A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3704 pF @ 34 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW100 7321575Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 100PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW100 7321575Belden Inc.Description: CAT3 100PR U/UTP CMR REEL
Jacket Color: Olive
Conductor Material: Copper, Bare
Ratings: UL Style CMR
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Usage: Network
Jacket (Insulation) Diameter: 0.760" (19.30mm)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Number of Conductors: 200 (100 Pair)
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Conductor Strand: Solid
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Wire Gauge: 24 AWG
Length: 1575.0' (480.0m)
Features: Rip Cord
Packaging: Spool
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW100 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 100PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW100 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 100PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW12 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 12PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW12 7321000Belden Inc.Description: CAT3 12PR U/UTP CMR REEL
Jacket Color: Olive
Conductor Material: Copper, Bare
Ratings: UL Style CMR
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Usage: Network
Jacket (Insulation) Diameter: 0.270" (6.86mm)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Number of Conductors: 24 (12 Pair)
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Conductor Strand: Solid
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Wire Gauge: 24 AWG
Length: 1000.0' (304.8m)
Features: Rip Cord
Packaging: Spool
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW12 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 12PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
On-state resistance: 28mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Gate charge: 269nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 85A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+75.59 EUR
5+70.69 EUR
30+66.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+151.42 EUR
5+131.97 EUR
10+112.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+105.2 EUR
10+85.82 EUR
120+85.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQDiotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+100.72 EUR
30+94.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC023-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC023-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+156.21 EUR
5+139.37 EUR
10+123.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC023-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 130A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+162.61 EUR
30+128.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC028Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+154.38 EUR
10+120.7 EUR
120+72.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC059-AQDiotec SemiconductorMOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+149.33 EUR
10+116.74 EUR
100+70.02 EUR
500+69.33 EUR
1000+67.16 EUR
2500+59.38 EUR
5000+55.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC059-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.19 EUR
30+43.28 EUR
120+40.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC059-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC059-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.54 EUR
10+43.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC049Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.38 EUR
10+32.32 EUR
120+28.99 EUR
510+24.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
On-state resistance: 81mΩ
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Gate charge: 179nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 47A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+27.79 EUR
5+24.88 EUR
10+22.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC070DiotecSIC MOSFET, TO-247-3L, N, 70A, 1 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC070Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175DegC
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.2 EUR
10+25.7 EUR
120+22.93 EUR
510+16.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC070Diotec SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1700V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 1200 V
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.23 EUR
30+18.71 EUR
120+16.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC750DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 6A; 62W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.75Ω
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC750Diotec SemiconductorDescription: DIW170SIC750
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW2 732U2500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables 24AWG 2PR UNSHLD 2500ft BOX GRAY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW2 732U2500Belden Inc.Description: CAT3 2PR U/UTP CMR BOX
Features: Rip Cord
Packaging: Spool
Jacket Color: Olive
Conductor Material: Copper, Bare
Ratings: UL Style CMR
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Usage: Network
Jacket (Insulation) Diameter: 0.125" (3.18mm)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Number of Conductors: 4 (2 Pair)
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Conductor Strand: Solid
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Wire Gauge: 24 AWG
Length: 2500' (762.0m)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW200 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 200PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW200 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 200PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW25 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW25 7321000Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
Part Status: Obsolete
Packaging: Spool
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW25 732500Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW25 732500Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW25 7325000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW25 7325000Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW25 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW3 732U1500Belden Inc.Description: CAT3 3PR U/UTP CMR BOX
Features: Rip Cord
Packaging: Box
Length: 1500.0' (457.2m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 6 (3 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.133" (3.38mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW3 732U1500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 3PR U/UTP CMR BOX
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW300 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 300PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW4 732B1000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 4PR U/UTP CMR ECOIL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW4 732B1000Belden Inc.Description: CAT3 4PR U/UTP CMR ECOIL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW4 732U1000Belden Inc.Description: CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW4 732U1000Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW50 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW50 7321000Belden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR REEL SMI80
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW50 7322500Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW50 7322500Belden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW50 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW50 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR CUT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW6 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 6PR U/UTP CMR REEL
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DIW6 7321000Belden Inc.Description: CAT3 6PR U/UTP CMR REEL
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