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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
GD30-31488-000KnowlesSpeakers & Transducers RECEIVER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30-31488-000KnowlesDescription: SPEAKER 281OHM TOP PORT 100DB
Efficiency - Type: Sound Pressure Level (SPL)
Efficiency - dBA: 100.00
Frequency Range: 100 Hz ~ 6.7 kHz
Power - Max: 10 mW
Impedance: 281 Ohms
Height - Seated (Max): 0.240" (6.10mm)
Port Location: Top
Termination: Solder Pads
Technology: Magnetic
Type: Receiver, Balanced Armature
Shape: Rectangular
Size / Dimension: 0.240" L x 0.126" W (6.10mm x 3.20mm)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+131.01 EUR
10+106.86 EUR
25+98.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30-31527-000KnowlesSpeakers & Transducers Balanced Armature Speaker
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30-31527-000KnowlesDescription: SPEAKR 144.4OHM 10MW TOP 100DB
Technology: Magnetic
Type: Receiver, Balanced Armature
Shape: Rectangular
Size / Dimension: 0.240" L x 0.126" W (6.10mm x 3.20mm)
Packaging: Tray
Efficiency - Type: Sound Pressure Level (SPL)
Efficiency - dBA: 100.00
Frequency Range: 100 Hz ~ 6.7 kHz
Power - Rated: 10 mW
Power - Max: 50 mW
Impedance: 144.4 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.240" (6.10mm)
Port Location: Top
Termination: Solder Pads
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+97.87 EUR
10+90.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30-31593-000KnowlesSpeakers & Transducers Balanced Armature Speaker
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30-31593-000KnowlesDescription: SPEAKER 223OHM 10MW TOP PT 100DB
Technology: Magnetic
Type: Receiver, Balanced Armature
Shape: Rectangular
Size / Dimension: 0.240" L x 0.126" W (6.10mm x 3.20mm)
Packaging: Tray
Frequency Range: 100 Hz ~ 6.7 kHz
Power - Rated: 10 mW
Power - Max: 50 mW
Impedance: 223 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.240" (6.10mm)
Port Location: Top
Termination: Solder Pads
Efficiency - Type: Sound Pressure Level (SPL)
Efficiency - dBA: 100.00
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+116.55 EUR
10+95.21 EUR
25+87.93 EUR
40+85.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30-31879-000KnowlesDescription: RECEIVER
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30-31879-000KnowlesSpeakers & Transducers RECEIVER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30-32663-000KnowlesSpeakers & Transducers RECEIVER
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30-32663-000KnowlesDescription: RECEIVER
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFU120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 395 A, 3 V, 1.984 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3
Dauer-Kollektorstrom: 395
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3
Verlustleistung Pd: 1.984
Verlustleistung: 1.984
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 395
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+278.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX170C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 493
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.829
Verlustleistung: 1.829
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 493
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX170C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX170C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 493
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.829
Verlustleistung: 1.829
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 493
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+348.02 EUR
5+318.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX65C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 343
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 819
Verlustleistung: 819
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 343
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+195.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX65C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX65C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX65C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 819W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 819W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 343A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 343A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+242.22 EUR
5+212.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX65C8SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C8 48mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX65C8SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX65C8SN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 819W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 819W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 343A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 343A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+193.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 600 A, 2 V, 2.941 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 2.941kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.941kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+254.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFY120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 480 A, 2 V, 1.613 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 1.613
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 480
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+347.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HTY120C7SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 483 A, 1.7 V, 1.612 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.612kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.612kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 483A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 483A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+596.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HTY120C7SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7
Case: C7
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300NU-212DENRYODescription: DIASINE DC-AC Sine Wave Power In
Features: Frequency Control
Packaging: Retail Package
Voltage - Output: 200VAC, 220VAC, 230VAC, 240VAC
Voltage - Input: 10.5 ~ 19.5VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 9.21" L x 5.77" W x 1.73" H (234.0mm x 146.5mm x 44.0mm)
Connector - AC Output: Universal
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: International
Remote Capability: Yes
Power - Output Continuous: 300 VA
Power - Output Surge: 420 VA
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+649.62 EUR
10+541.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300NU-224DENRYODescription: DIASINE DC-AC Sine Wave Power In
Features: Frequency Control
Packaging: Retail Package
Voltage - Output: 200VAC, 220VAC, 230VAC, 240VAC
Voltage - Input: 21 ~ 39VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 9.21" L x 5.77" W x 1.73" H (234.0mm x 146.5mm x 44.0mm)
Connector - AC Output: Universal
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: International
Remote Capability: Yes
Power - Output Continuous: 300 VA
Power - Output Surge: 420 VA
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+575.5 EUR
10+479.59 EUR
100+415.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300NU-248DENRYODescription: DIASINE DC-AC Sine Wave Power In
Features: Frequency Control
Packaging: Retail Package
Voltage - Output: 200VAC, 220VAC, 230VAC, 240VAC
Voltage - Input: 42 ~ 78VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 9.21" L x 5.77" W x 1.73" H (234.0mm x 146.5mm x 44.0mm)
Connector - AC Output: Universal
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: International
Remote Capability: Yes
Power - Output Continuous: 300 VA
Power - Output Surge: 420 VA
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+649.62 EUR
10+541.34 EUR
100+469.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300SInterlightDescription: Replacement for Lg GD300S Replac
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300SGY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: single transistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300SGY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 600 A, 1.7 V, 2.941 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2.941kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.941kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+149.79 EUR
5+131.76 EUR
10+115.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD3030DEaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P BREAKER WITH RING LUG TERMINALS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD3030DA3Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 30A W/RING LUG TERM&AUX SW 1A1B RH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD3030VFF01Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 30A 50 DEG C W/FUNGUS&FREEZE C/W
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GD3035CEaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 35A Breaker With Steel Collars
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GD3040S1Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 40A W/ST 120VAC LH
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GD3050CEaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 50A Breaker With Steel Collars
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GD3050CA3Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 50A CB W/STL COLLARS&1A-1B AUX SW
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GD3060DA3Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 60A W/RING LUG TERM&AUX SW 1A1B RH
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GD3060KEaton Electrical GD MOLDED CASE SWITCH 60A SINGLE PACK
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GD3060KCEaton Electrical GD MCCB SW 3P 60A W/ STEEL TERM LINE &
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GD3060KDEaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 60 A Molded Case SW w/ Ring Lugs
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GD30BC2501ALRGigaDeviceBattery Management GD30 Charger IC Industrial (-40C to +85C) PMIC
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30DR8306KUGigaDeviceGate Drivers GD30 Motor Driver IC Industrial (-40C to +105C) PMIC
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 Mindestbestellmenge: 2940 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06AGENESICDescription: GENESIC - GD30MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 48 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 48A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.15 EUR
22+10.65 EUR
24+9.26 EUR
50+7.95 EUR
100+7.44 EUR
250+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.25 EUR
10+9.1 EUR
25+8.7 EUR
100+8.09 EUR
250+7.74 EUR
500+7.47 EUR
1000+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06AGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 7912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.14 EUR
10+9.01 EUR
25+8.59 EUR
100+8.02 EUR
250+7.64 EUR
500+7.38 EUR
1000+7.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06HGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.71 EUR
12+7.45 EUR
30+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.69 EUR
10+9.56 EUR
25+9.14 EUR
100+8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06HGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 3285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.64 EUR
10+9.01 EUR
30+8.43 EUR
120+8.1 EUR
270+7.85 EUR
510+7.58 EUR
2520+7.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06HGENESICDescription: GENESIC - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06JGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.34 EUR
18+13.53 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06JGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.72 EUR
25+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06JGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.45 EUR
10+12.04 EUR
25+11.53 EUR
100+10.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06JGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.91 EUR
10+12.46 EUR
25+11.94 EUR
100+11.14 EUR
250+10.66 EUR
500+10.33 EUR
1000+10.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 55A
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.2 EUR
10+16.35 EUR
25+15.67 EUR
100+14.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12HGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.67 EUR
10+15.33 EUR
30+14.36 EUR
120+13.76 EUR
270+13.57 EUR
510+13.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12JGeneSiC SemiconductorDescription: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.35 EUR
10+21.02 EUR
25+20.15 EUR
100+18.92 EUR
250+18.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12J-TRGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.1 EUR
10+17.18 EUR
25+16.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS12J-TRGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+14.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30PJX65F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD30PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 46 A, 1.45 V, 123 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 123W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 46A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+87.35 EUR
5+76.28 EUR
10+65.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30PJX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 30A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30PJX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD30PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 55 A, 1.45 V, 163 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 55A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+72.79 EUR
5+64.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30WS8805EUGigaDevicePower Management Specialised - PMIC GD30 Charger IC Consumer(-20C to +85C) PMIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD3100Omron Automation and SafetyPower Management IC Development Tools FRDMGD31ECNEVM
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+939.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD3100KBP8Eaton Electrical GD MOLDED CASE SWITCH 100A BULK PACK (8)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD3100KS1Eaton ElectricalCircuit Breakers GD MCS 3P 100A W/ 120V SHUNT TRIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD3100KS1Bussmann / Eaton GD MCS 3P 100A W/ 120V SHUNT TRIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD3100S1Bussmann / Eaton GD 3P 100A W/ 120V SHUNT TRIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD3100S1Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 100A W/ 120V SHUNT TRIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD3100S4Bussmann / Eaton GD 3P 100A W/ 24V DC SHUNT TRIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD3100S4Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 100A W/ 24V DC SHUNT TRIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD31244BGA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD312444INTELBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD31244SL786IntelDescription: IC BRIDGE SATA PCI-X 256-LPBGA
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD32-E407Olimex LTDDescription: GD32F407ZG EVAL BRD
Utilized IC / Part: GD32F407ZG
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Contents: Board(s), Accessories
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD32-E407Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD32-H103Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM Header board for STM32F103RBT6 CORTEX-M3 microcontroller
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD32-H103Olimex LTDDescription: GD32F103RB EVAL BRD
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Utilized IC / Part: GD32F103RB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD32-H405Olimex LTDDescription: GD32F405RG EVAL BRD
Utilized IC / Part: GD32F405RG
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD32-H405Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM Header board with STM32F405RG ARM CORTEX M4 1024KB Flash 168 MHz 192KB SRAM
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.41 EUR
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GD32-H407Olimex LTDDescription: GD32F407ZG EVAL BRD
Utilized IC / Part: GD32F407ZG
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD32-H407Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM Development board for STM32F407ZGT6 CORTEX-M4 microcontroller
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD32-P103Olimex LTDDescription: GD32F103RB EVAL BRD
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Utilized IC / Part: GD32F103RB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD32-P103Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM Header board for STM32F103RBT6 CORTEX M3 ARM microcontroller
Produkt ist nicht verfügbar
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GD32-P405Olimex LTDDescription: GD32F405RG EVAL BRD
Utilized IC / Part: GD32F405RG
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD32-P405Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM Header board for STM32F405RGT6 ARM Cortex M4 1024KB FLASH 168 Mhz 192kB SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD32-P407Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM Development board for STM32F407ZGT6 CORTEX-M4 microcontroller
Produkt ist nicht verfügbar
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GD32-P407Olimex LTDDescription: GD32F407ZG EVAL BRD
Utilized IC / Part: GD32F407ZG
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Contents: Board(s), LCD
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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GD32103B-EVALGigaDeviceDevelopment Boards & Kits - ARM
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GD32103C-STARTGigaDeviceDevelopment Boards & Kits - ARM Eval
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GD32103E-EVALGigadevice SemiconductorGD32103E-EVAL
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+352 EUR
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GD32103E-EVALGigaDeviceDevelopment Boards & Kits - ARM
Produkt ist nicht verfügbar
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GD32107C EvalGigaDeviceDevelopment Boards & Kits - ARM Eval
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD32107C-EVALGigaDeviceNOR Flash
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