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IKD-0512

04+ DJ

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0103101

Apem Components

Switch DIP OFF ON SPST 1 Raised Slide 0.025A 24VDC Gull Wing SMD Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0103101

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

auf Bestellung 642 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.10 EUR
10+	2.76 EUR
25+	2.62 EUR
50+	2.50 EUR
100+	2.38 EUR
260+	2.27 EUR
520+	2.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0104000

DIP Switches/SIP Switches

Produkt ist nicht verfügbar

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IKD0203000

Apem Components

Low Profile Dual in Line Switche Two Way

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0203101

Category: Dip-Switches
Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2
Operating temperature: -20...85°C
Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm
Leads: for PCB
Poles number: 2
Type of switch: DIP-SWITCH
DC contacts rating @R: 25mA / 24V DC
Switching method: ON-OFF
Number of positions: 2

auf Bestellung 318 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	2.10 EUR
43+	1.69 EUR
45+	1.60 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0203101

Category: Dip-Switches
Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2
Operating temperature: -20...85°C
Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm
Leads: for PCB
Poles number: 2
Type of switch: DIP-SWITCH
DC contacts rating @R: 25mA / 24V DC
Switching method: ON-OFF
Number of positions: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 318 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

35+	2.10 EUR
43+	1.69 EUR
45+	1.60 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0203101

Description: DIP SWITCH IKD 24VDC
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.157" (4.00mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Contact Material: Phosphor Bronze
Number of Positions: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0203101

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.89 EUR
10+	4.61 EUR
25+	4.19 EUR
76+	3.63 EUR
228+	3.29 EUR
532+	3.04 EUR
1064+	2.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0204101

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RF

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 90µJ
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RFAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 7356 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.50 EUR
12+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 7076 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A

auf Bestellung 2551 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.34 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.63 EUR
5000+	0.60 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Gate-emitter voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD03N60RFBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0400000

Description: APEM - IKD0400000 - DIP-/SIP-Schalter, 4 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Durchsteckmontage
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP gekapselt
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Vertieft
Produktpalette: IKD Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 496 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0403000

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0403000

Description: APEM - IKD0403000 - DIP-/SIP-Schalter, 4 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Oberflächenmontage
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP gekapselt
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Vertieft
Produktpalette: IKD Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0403101

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.73 EUR
10+	4.45 EUR
25+	4.07 EUR
84+	3.52 EUR
252+	3.17 EUR
504+	2.94 EUR
1008+	2.73 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60R

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60R

Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60R6EDV1

Infineon Technologies

Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RA

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Trench Stop RC

auf Bestellung 2329 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 1681 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

390+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 390

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 2449 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

auf Bestellung 6470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.14 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR
2500+	0.65 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Gate-emitter voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 4985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.11 EUR
14+	1.34 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RBTMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

SP004542900

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W

auf Bestellung 9476 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.99 EUR
15+	1.24 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 36.6W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

auf Bestellung 9972 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.19 EUR
10+	1.05 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.59 EUR
2500+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.52 EUR
5000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4678 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RF

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 110µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RFAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2432 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RFATMA1

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 2318 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.43 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.80 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

auf Bestellung 2317 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.76 EUR
10+	1.43 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.76 EUR
2500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD04N60RFBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0503000

IKD0503000-IDE-0 Dip-Switches

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0603000

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH

auf Bestellung 1004 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.31 EUR
10+	3.87 EUR
25+	3.68 EUR
50+	3.50 EUR
100+	3.33 EUR
250+	3.19 EUR
500+	2.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60R

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 330µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RA

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

auf Bestellung 1507 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.20 EUR
10+	2.90 EUR
25+	2.73 EUR
100+	2.32 EUR
250+	2.18 EUR
500+	1.90 EUR
1000+	1.78 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2428 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

251+	0.59 EUR
255+	0.56 EUR
259+	0.53 EUR
263+	0.50 EUR
267+	0.48 EUR
272+	0.45 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 251

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

Description: IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 807 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

398+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 398

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

auf Bestellung 1463 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.36 EUR
12+	1.48 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

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IKD06N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
Turn-on time: 19ns
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 833 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

37+	1.94 EUR
59+	1.23 EUR
93+	0.77 EUR
98+	0.73 EUR
500+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 37

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IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2021 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

796+	0.70 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 796

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IKD06N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
Turn-on time: 19ns
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A

auf Bestellung 833 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	1.94 EUR
59+	1.23 EUR
93+	0.77 EUR
98+	0.73 EUR
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IKD06N60RATMA1
Produktcode: 182592

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IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A

auf Bestellung 2120 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.33 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.72 EUR
2500+	0.67 EUR
5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD06N60RBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IKD06N60RC2ATMA1

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IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W

auf Bestellung 4447 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.24 EUR
13+	1.42 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

auf Bestellung 3994 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.22 EUR
10+	1.44 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.72 EUR
2500+	0.65 EUR
5000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.60 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

SP005349953

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IKD06N60RF

Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; IKD06N60RF TIKD06n60rf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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IKD06N60RF

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop

auf Bestellung 836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.04 EUR
10+	1.67 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.90 EUR
2500+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IKD06N60RFA

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IKD06N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD06N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/105ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

auf Bestellung 2390 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.73 EUR
11+	1.73 EUR
100+	1.16 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 2116 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.87 EUR
10+	1.35 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.87 EUR
2500+	0.82 EUR
5000+	0.80 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

192+	0.77 EUR
195+	0.73 EUR
198+	0.70 EUR
201+	0.66 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 192

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

211+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 211

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2327 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IKD06N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IKD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors

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IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

198+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 198

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2302 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

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IKD06N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W

auf Bestellung 7758 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.40 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.90 EUR
1000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.53 EUR
6000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IKD06N65ET6

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IKD06N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 31W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 9A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 5609 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.50 EUR
10+	1.80 EUR
100+	1.61 EUR
250+	1.55 EUR
1000+	1.50 EUR
3000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0800000

Apem Components

IKD0800000

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0800000

DIP Switches/SIP Switches

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0803000

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH

auf Bestellung 1271 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.45 EUR
10+	4.19 EUR
22+	3.82 EUR
110+	3.31 EUR
264+	2.99 EUR
506+	2.76 EUR
1012+	2.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0803101

DIP Switches/SIP Switches SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.03 EUR
10+	4.52 EUR
22+	4.26 EUR
44+	4.08 EUR
110+	3.85 EUR
264+	3.70 EUR
506+	3.40 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0803101

Description: SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.118" (3.00mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Contact Material: Phosphor Bronze
Number of Positions: 8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0803101

Apem Components

SK6812 LED Development Tool

Produkt ist nicht verfügbar

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IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W

auf Bestellung 2994 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.32 EUR
10+	3.46 EUR
100+	2.40 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBTs HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.33 EUR
10+	2.62 EUR
100+	2.22 EUR
250+	2.13 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.71 EUR

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IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

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IKD08N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2964 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W

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IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

TRENCHSTOP IGBT6, 650V 8A 175°, PG-TO252-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

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IKD08N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 47W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2964 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IKD10N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

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IKD10N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

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IKD10N60R

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

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IKD10N60RAATMA2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD10N60RAATMA2

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

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IKD10N60RAATMA2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD10N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns

Produkt ist nicht verfügbar

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IKD10N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

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IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A

auf Bestellung 2630 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.89 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.97 EUR
2500+	0.91 EUR
5000+	0.85 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	1.95 EUR
83+	1.73 EUR
84+	1.64 EUR
100+	1.35 EUR
250+	1.26 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 76

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IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

auf Bestellung 1570 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.97 EUR
10+	1.89 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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IKD10N60RBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

auf Bestellung 2030 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.12 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.80 EUR
2500+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IKD10N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2244 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W

auf Bestellung 5809 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.73 EUR
11+	1.73 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

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IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 47500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2231 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.75 EUR
5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	1.94 EUR
84+	1.70 EUR
85+	1.62 EUR
105+	1.26 EUR
250+	1.19 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications, 600V 10A, 175° PG-TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

84+	1.76 EUR
85+	1.68 EUR
105+	1.31 EUR
250+	1.24 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 84

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RF
Produktcode: 113379

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-252-3
Vces: 600 V
Vce: 2,2 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Pd 25: 150 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 12/168

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RF

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

auf Bestellung 4989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.69 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.72 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.20 EUR
2500+	1.17 EUR
5000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IKD10N60RF

Infineon Technologies

Description: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

Produkt ist nicht verfügbar

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IKD10N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IKD10N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 6868 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.73 EUR
10+	2.04 EUR
100+	1.47 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.10 EUR
2500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 6839 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

Produkt ist nicht verfügbar

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IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD10N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 6839 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IKD10N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns

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IKD10N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.48 EUR
10+	2.23 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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IKD1204100

DIP Switches/SIP Switches

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IKD15N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

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IKD15N60R

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

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IKD15N60RA

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

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IKD15N60RAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

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IKD15N60RAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD15N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

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IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A

auf Bestellung 10440 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.82 EUR
10+	1.97 EUR
100+	1.47 EUR
250+	1.43 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.13 EUR

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IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.00 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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IKD15N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns

auf Bestellung 1976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	2.87 EUR
39+	1.87 EUR
47+	1.54 EUR
50+	1.46 EUR
100+	1.40 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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IKD15N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1976 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	2.87 EUR
39+	1.87 EUR
47+	1.54 EUR
50+	1.46 EUR
100+	1.40 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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IKD15N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 7098 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 7098 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 18611 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.66 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RBTMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

251+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 251

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.58 EUR
99+	1.45 EUR
100+	1.38 EUR
111+	1.20 EUR
250+	1.13 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 94

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 115.4W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 28A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 28A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 756 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

SP005349957

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.58 EUR
99+	1.45 EUR
100+	1.38 EUR
111+	1.20 EUR
250+	1.13 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 94

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 571 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 28A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 756 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W

auf Bestellung 4349 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.24 EUR
10+	2.06 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.10 EUR
1000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

auf Bestellung 1884 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.22 EUR
10+	1.66 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	1.00 EUR
2500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RF

Infineon Technologies

Description: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RF

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

auf Bestellung 1666 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.12 EUR
10+	2.59 EUR
100+	2.06 EUR
250+	1.90 EUR
500+	1.72 EUR
1000+	1.48 EUR
2500+	1.41 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 4970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 240000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 240 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD15N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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IKD15N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 15349 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.57 EUR
107+	1.34 EUR
108+	1.27 EUR
109+	1.21 EUR
250+	1.15 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.01 EUR

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IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 5444 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.19 EUR
10+	2.70 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

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Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2345 Stücke:

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95+	1.57 EUR
107+	1.34 EUR
108+	1.27 EUR
109+	1.21 EUR
250+	1.15 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 95

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IKD15N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

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