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DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

auf Bestellung 642 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.58 EUR
13+	4.08 EUR
25+	3.87 EUR
50+	3.69 EUR
100+	3.51 EUR
260+	3.35 EUR
520+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKD0103101

Switch DIP OFF ON SPST 1 Raised Slide 0.025A 24VDC Gull Wing SMD Tube

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IKD0104000

DIP Switches/SIP Switches

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IKD0203000

Low Profile Dual in Line Switche Two Way

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IKD0203101

APEM

Category: Dip-Switches
Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2
Operating temperature: -20...85°C
Leads: for PCB
Type of switch: DIP-SWITCH
DC contacts rating @R: 0.025A / 24V DC
Switching method: ON-OFF
Number of positions: 2
Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm
Poles number: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 259 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

26+	2.83 EUR
29+	2.5 EUR
32+	2.29 EUR
48+	1.5 EUR
51+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IKD0203101

APEM

auf Bestellung 259 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	2.83 EUR
29+	2.5 EUR
32+	2.29 EUR
48+	1.5 EUR
51+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IKD0204101

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

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IKD03N60RF

Description: IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 90µJ
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD03N60RF

Description: IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 90µJ
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD03N60RFAATMA1

Description: IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD03N60RFAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD03N60RFAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

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IKD03N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD03N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

auf Bestellung 2015 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.24 EUR
15+	1.82 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKD03N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 7356 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD03N60RFATMA1

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A

auf Bestellung 3385 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.23 EUR
29+	1.83 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.99 EUR
2500+	0.95 EUR
5000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IKD03N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 7.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IKD03N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

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IKD03N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 7076 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD03N60RFATMA1

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IKD03N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD03N60RFBTMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

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IKD04N60R

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

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IKD04N60R

8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode IKD04N60R TIKD04n60r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKD04N60R

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60R6EDV1

Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

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IKD04N60RA

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Trench Stop RC

auf Bestellung 2329 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IKD04N60RAATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 2449 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IKD04N60RAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RAATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 4007 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

476+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 476

IKD04N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IKD04N60RATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 4490 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.26 EUR
15+	1.84 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKD04N60RATMA1

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

auf Bestellung 4079 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

30+	1.79 EUR
35+	1.52 EUR
100+	1.25 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.94 EUR
2500+	0.91 EUR
5000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IKD04N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RBTMA1

Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RBTMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.86 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IKD04N60RC2ATMA1

SP004542900

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 36.6W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD04N60RC2ATMA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 10781 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.27 EUR
27+	1.98 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.98 EUR
2500+	0.87 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IKD04N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W

auf Bestellung 14641 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.29 EUR
14+	1.97 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKD04N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD04N60RF

Description: IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 110µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RFAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RFAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RFAATMA1

Description: IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

auf Bestellung 2439 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.52 EUR
13+	2.07 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKD04N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD04N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD04N60RFATMA1

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKD04N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD04N60RFATMA1

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

auf Bestellung 2330 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.51 EUR
27+	1.93 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.12 EUR
2500+	1.05 EUR
5000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IKD04N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKD04N60RFATMA1

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IKD04N60RFBTMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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IKD0603000

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH

auf Bestellung 1004 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.37 EUR
10+	5.72 EUR
25+	5.43 EUR
50+	5.17 EUR
100+	4.91 EUR
250+	4.71 EUR
500+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IKD06N60R

Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 330µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

auf Bestellung 7021 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

596+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 596

IKD06N60R

Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 330µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60R

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RA

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

auf Bestellung 1507 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.73 EUR
13+	4.29 EUR
25+	4.03 EUR
100+	3.43 EUR
250+	3.22 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKD06N60RAATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2428 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

251+	0.62 EUR
255+	0.59 EUR
259+	0.56 EUR
263+	0.53 EUR
267+	0.5 EUR
272+	0.47 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 251

IKD06N60RAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RAATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RAATMA2

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RAATMA2

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RAATMA2

Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 807 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

398+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 398

IKD06N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	1.06 EUR
153+	0.99 EUR
154+	0.94 EUR
166+	0.84 EUR
250+	0.8 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 148

IKD06N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	1.03 EUR
154+	0.98 EUR
166+	0.88 EUR
250+	0.84 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 153

IKD06N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1974 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD06N60RATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 1223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	1.06 EUR
76+	0.95 EUR
94+	0.76 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 68

IKD06N60RATMA1

auf Bestellung 1223 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

68+	1.06 EUR
76+	0.95 EUR
94+	0.76 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 68

IKD06N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RATMA1

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 168-182 Tag (e)

21+	2.59 EUR
25+	2.15 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.23 EUR
2500+	1.16 EUR
5000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IKD06N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RATMA1
Produktcode: 182592

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RBTMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RC2ATMA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 4860 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.06 EUR
30+	1.77 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.06 EUR
2500+	0.99 EUR
5000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IKD06N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W

auf Bestellung 4464 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.37 EUR
14+	1.96 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKD06N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IKD06N60RC2ATMA1

IKD06N60RC2ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RC2ATMA1

SP005349953

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RF

12A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode IKD06N60RF TIKD06n60rf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKD06N60RF

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

auf Bestellung 1356 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.94 EUR
22+	2.42 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.31 EUR
2500+	1.28 EUR
5000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IKD06N60RFA

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IKD06N60RFAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RFAATMA1

Description: IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/105ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IKD06N60RFATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 2116 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.01 EUR
30+	1.74 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.23 EUR
2500+	1.22 EUR
5000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IKD06N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD06N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

auf Bestellung 2497 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.96 EUR
11+	2.42 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IKD06N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD06N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD06N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4142500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IKD06N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD06N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD06N65ET6ARMA1

IGBT with Anti-parallel Diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKD06N65ET6ARMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W

auf Bestellung 7758 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	5.02 EUR
10+	4.16 EUR
100+	3.31 EUR
500+	2.8 EUR
1000+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKD06N65ET6ARMA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 5551 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.08 EUR
17+	3.17 EUR
100+	2.68 EUR
250+	2.47 EUR
500+	2.28 EUR
3000+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKD06N65ET6ARMA1

IKD06N65ET6

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IKD06N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 31W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 9A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD06N65ET6ARMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.26 EUR
6000+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

IKD0800000

DIP Switches/SIP Switches

Produkt ist nicht verfügbar

IKD0800000

IKD0800000

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IKD0803000

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH

auf Bestellung 1271 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.58 EUR
10+	6.19 EUR
22+	5.64 EUR
110+	4.89 EUR
264+	4.42 EUR
506+	4.08 EUR
1012+	3.8 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKD0803101

DIP Switches/SIP Switches SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.44 EUR
10+	6.68 EUR
22+	6.29 EUR
44+	6.03 EUR
110+	5.69 EUR
264+	5.46 EUR
506+	5.02 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKD0803101

SK6812 LED Development Tool

Produkt ist nicht verfügbar

IKD08N65ET6ARMA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.75 EUR
11+	4.78 EUR
100+	3.82 EUR
250+	3.51 EUR
500+	3.2 EUR
1000+	2.76 EUR
3000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IKD08N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD08N65ET6ARMA1

TRENCHSTOP IGBT6, 650V 8A 175°, PG-TO252-3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD08N65ET6ARMA1

IGBT with Anti-parallel Diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKD08N65ET6ARMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W

auf Bestellung 2994 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.9 EUR
10+	4.9 EUR
100+	3.9 EUR
500+	3.3 EUR
1000+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKD08N65ET6ARMA1

IGBT with Anti-parallel Diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKD08N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 47W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD08N65ET6ARMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60R

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60R

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60R

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RAATMA2

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RAATMA2

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RAATMA2

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RATMA1

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A

auf Bestellung 2377 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.38 EUR
19+	2.78 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.48 EUR
2500+	1.4 EUR
5000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IKD10N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

auf Bestellung 2350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.35 EUR
10+	2.75 EUR
100+	2.14 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKD10N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.06 EUR
83+	1.82 EUR
84+	1.73 EUR
100+	1.42 EUR
250+	1.33 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 76

IKD10N60RATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RBTMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

84+	1.86 EUR
85+	1.78 EUR
105+	1.39 EUR
250+	1.31 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 84

IKD10N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 929 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD10N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IKD10N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 379 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD10N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 47500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IKD10N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W

auf Bestellung 3834 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.94 EUR
11+	2.39 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IKD10N60RC2ATMA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 2561 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.68 EUR
24+	2.23 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.27 EUR
2500+	1.22 EUR
5000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKD10N60RC2ATMA1

TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications, 600V 10A, 175° PG-TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	2.05 EUR
84+	1.79 EUR
85+	1.71 EUR
105+	1.33 EUR
250+	1.26 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 77

IKD10N60RF

Description: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RF
Produktcode: 113379

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-252-3
Vces: 600 V
Vce: 2,2 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Pd 25: 150 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 12/168

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RF

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

auf Bestellung 5057 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.9 EUR
17+	3.22 EUR
100+	2.49 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.73 EUR
2500+	1.69 EUR
5000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IKD10N60RFAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RFAATMA1

Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RFATMA1

Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1966 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD10N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RFATMA1

Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.93 EUR
10+	3.2 EUR
100+	2.49 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKD10N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1966 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD10N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKD10N60RFATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 6889 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.95 EUR
16+	3.25 EUR
100+	2.51 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.73 EUR
2500+	1.63 EUR
5000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IKD1204100

DIP Switches/SIP Switches

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IKD15N60R

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Produkt ist nicht verfügbar

IKD15N60R

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD15N60RA

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

IKD15N60RAATMA1

Description: IGBT 600V 30A 250W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKD15N60RAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Produkt ist nicht verfügbar

IKD15N60RAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD15N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD15N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD15N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 19381 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.98 EUR
10+	3.31 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKD15N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A

auf Bestellung 7198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD15N60RATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2061 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

35+	2.04 EUR
39+	1.84 EUR
47+	1.53 EUR
50+	1.44 EUR
500+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 35

IKD15N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.8 EUR
5000+	1.73 EUR
12500+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IKD15N60RATMA1

auf Bestellung 7198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD15N60RATMA1

auf Bestellung 2061 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	2.04 EUR
39+	1.84 EUR
47+	1.53 EUR
50+	1.44 EUR
500+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 35

IKD15N60RATMA1

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A

auf Bestellung 10268 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4 EUR
16+	3.33 EUR
100+	2.65 EUR
250+	2.56 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	1.91 EUR
2500+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKD15N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKD15N60RBTMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

306+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 306

IKD15N60RBTMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

IKD15N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 115.4W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 28A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 28A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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IKD15N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

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94+	1.67 EUR
99+	1.53 EUR
100+	1.46 EUR
111+	1.27 EUR
250+	1.19 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 94

IKD15N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W

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8+	3.69 EUR
10+	3.02 EUR
100+	2.35 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKD15N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

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IKD15N60RC2ATMA1

SP005349957

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IKD15N60RC2ATMA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

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16+	3.35 EUR
20+	2.73 EUR
100+	2.21 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.63 EUR
2500+	1.54 EUR
5000+	1.46 EUR

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IKD15N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

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IKD15N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W

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2500+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IKD15N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 28A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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IKD15N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

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IKD15N60RF

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

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12+	4.5 EUR
14+	3.74 EUR
100+	2.96 EUR
250+	2.76 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.14 EUR
2500+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKD15N60RF

Description: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

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IKD15N60RFAATMA1

Description: IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 240 W
Qualification: AEC-Q101

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IKD15N60RFAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

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IKD15N60RFAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 240000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD15N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD15N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IKD15N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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IKD15N60RFATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

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IKD15N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

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IKD15N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.65 EUR
107+	1.41 EUR
108+	1.35 EUR
109+	1.28 EUR
250+	1.22 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 95

IKD15N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IKD15N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

IKD15N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 17951 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKD15N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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95+	1.65 EUR
107+	1.41 EUR
108+	1.35 EUR
109+	1.28 EUR
250+	1.22 EUR
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IKD15N60RFATMA1