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NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box

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NTJ04-040M

Description: YAGEO - NTJ04-040M - Thermistor, ICL, NTC, 40 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 4A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4621 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NTJ04-040MF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box

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NTJ06-008L

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 8ohm 6A +/-15% box

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NTJ06-008LF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box

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NTJ06-008MF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box

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NTJ06-009L

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 9ohm 6A +/-15% box

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NTJ06-009LF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box

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NTJ06-010L

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 10ohm 6A +/-15% box

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NTJ06-010LF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box

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NTJ06-010M

Description: YAGEO - NTJ06-010M - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 10ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NTJ06-010MF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box

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NTJ06-011L

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 11ohm 6A +/-15% box

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NTJ06-011LF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box

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NTJ06-011M

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 11ohm 6A +/-20% box

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NTJ06-012L

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 12ohm 6A +/-15% box

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NTJ06-012M

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 12ohm 6A +/-20% box

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NTJ06-012MF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box

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NTJ06-013L

Description: NTC 15MM 13OHM 6A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.591" (15.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 6 A
R @ 25°C: 13 Ohms
R @ Current: 152 mOhms

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NTJ06-013L

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 13ohm 6A +/-15% box

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NTJ06-013LF

Description: NTC 15MM 1OHM 9A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.709" (18.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 6 A
R @ 25°C: 13 Ohms
R @ Current: 152 mOhms

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NTJ06-013LF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box

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NTJ06-014L

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 14ohm 6A +/-15% box

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NTJ06-014LF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box

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NTJ06-014MF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box

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NTJ06-015L

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 15ohm 6A +/-15% box

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NTJ06-015LF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box

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NTJ06-015M

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 15ohm 6A +/-20% box

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NTJ06-015M

Description: YAGEO - NTJ06-015M - Thermistor, ICL, NTC, 15 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 15ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NTJ08-005LF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box

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NTJ08-005MF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box

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NTJ09-002L

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 2ohm 9A, +/-15% box

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NTJ09-002LF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box

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NTJ09-003LF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box

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NTJ09-2R5L

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 2.5ohm 9A, +/-15% box

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NTJ09-2R5LF

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box

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NTJ25-6

Knowles Voltronics

Trimmer/Variable Capacitors

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NTJD1155L

NFET SC88 8V 1.3A 175MOHM

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NTJD1155LT1

Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

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NTJD1155LT1G

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NTJD1155LT1G

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NTJD1155LT1G

auf Bestellung 50472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
15000+	0.23 EUR
30000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NTJD1155LT1G

Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 12286 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NTJD1155LT1G

Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC

auf Bestellung 1222 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	0.64 EUR
161+	0.44 EUR
196+	0.37 EUR
275+	0.26 EUR
291+	0.25 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 112

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NTJD1155LT1G

Transistor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTJD1155LT1G NTJD1155L TNTJD1155l
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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NTJD1155LT1G

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.26 EUR
6000+	0.24 EUR
9000+	0.23 EUR
12000+	0.21 EUR
27000+	0.20 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NTJD1155LT1G

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R

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NTJD1155LT1G

Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 50472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
24+	0.76 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD1155LT1G

auf Bestellung 12451 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD1155LT1G

auf Bestellung 1222 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

112+	0.64 EUR
161+	0.44 EUR
196+	0.37 EUR
275+	0.26 EUR
291+	0.25 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 112

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD1155LT1G

MOSFETs 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift

auf Bestellung 115536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.57 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.24 EUR
9000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD1155LT1G

09+

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD1155LT2G

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 Reel

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NTJD1155LT2G

1.3A High Side Load Switch

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD1155LT2G

Description: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD1155LT2G

MOSFETs NFET SC88 8V 1.3A 175mOhm

auf Bestellung 114044 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.80 EUR
10+	0.54 EUR
100+	0.29 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD1155LT2G

Description: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 3140 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.79 EUR
34+	0.53 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 23

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD2152P

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD2152PLT1

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD2152PT

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD2152PT1

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD2152PT1

Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

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NTJD2152PT1G

07+;

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NTJD2152PT1G

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD2152PT1G

SOT-363

auf Bestellung 2434 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD2152PT1G

09+

auf Bestellung 6018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD2152PT2

Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

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NTJD2152PT2G

Produkt ist nicht verfügbar

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NTJD2152PT2G

07+;

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD2152PT4

Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD2152PT4G

Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

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NTJD3158CT1G

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD3158CT2G

Description: MOSFET N/P-CH 20V SC88-6

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NTJD4001N

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4001N

onsemi NFET SC88 30V 250MA 1.5R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4001NT1

auf Bestellung 5400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4001NT1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4001NT1

MOSFET 30V 250mA Dual

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4001NT1G

Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 309000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4001NT1G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape

auf Bestellung 2039 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

173+	0.41 EUR
212+	0.34 EUR
285+	0.25 EUR
325+	0.22 EUR
500+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 173

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4001NT1G

Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1745 Stücke:

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NTJD4001NT1G

Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJD4001NT1G
Produktcode: 192092

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NTJD4001NT1G

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285+	0.25 EUR
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3000+	0.13 EUR

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NTJD4001NT1G

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NTJD4001NT1G

MOSFETs 30V 250mA Dual N-Channel

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1000+	0.21 EUR
3000+	0.16 EUR
9000+	0.15 EUR

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NTJD4001NT1G

Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

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376+	0.38 EUR
380+	0.36 EUR
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692+	0.18 EUR
1027+	0.11 EUR
3000+	0.10 EUR
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NTJD4001NT1G

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Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

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1174+	0.13 EUR
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NTJD4001NT1G

Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

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9000+	0.11 EUR
24000+	0.10 EUR

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NTJD4001NT1G

Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

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3000+	0.11 EUR

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NTJD4001NT1G

Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJD4001NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 29507 Stücke:

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24+	0.74 EUR
39+	0.45 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR

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NTJD4001NT2G

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NTJD4105C

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NTJD4105CT1

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NTJD4105CT1

MOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A

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NTJD4105CT1G

NTJD4105CT1G Multi channel transistors

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NTJD4105CT1G

Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.20 EUR
9000+	0.18 EUR
15000+	0.17 EUR

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NTJD4105CT1G

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 1593 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

290+	0.51 EUR
536+	0.27 EUR
541+	0.25 EUR
620+	0.21 EUR
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Mindestbestellmenge: 290

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NTJD4105CT1G

Description: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3625 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NTJD4105CT1G

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJD4105CT1G

MOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary

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Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.89 EUR
10+	0.56 EUR
100+	0.28 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.19 EUR
9000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NTJD4105CT1G

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 1593 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

205+	0.72 EUR
287+	0.50 EUR
290+	0.47 EUR
536+	0.25 EUR
541+	0.23 EUR
620+	0.20 EUR
1000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 205

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NTJD4105CT1G

Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 445mOhm/900mOhm; 910mA/1,1A; 550mW; -55°C ~ 150°C; NTJD4105CT1G TNTJD4105c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4105CT1G

auf Bestellung 3625 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4105CT1G

Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 17173 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.95 EUR
30+	0.59 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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NTJD4105CT1G

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJD4105CT2

2005

auf Bestellung 242 Stücke:

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NTJD4105CT2

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NTJD4105CT2G

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NTJD4105CT2G

MOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary

auf Bestellung 3060 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.84 EUR
10+	0.55 EUR
100+	0.27 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NTJD4105CT2G

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NTJD4105CT2G

Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 65170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4105CT2G

auf Bestellung 3859 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

27+	0.67 EUR
35+	0.51 EUR
100+	0.31 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4105CT2G

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4105CT2G

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4105CT2G

NTJD4105CT2G Multi channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4105CT2G

auf Bestellung 65170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4105CT2G

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4105CT2G

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4105CT4

Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4105CT4G

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152P

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT1

auf Bestellung 14484 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT1

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT1G

Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 34757 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT1G

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 86927 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.02 EUR
28+	0.63 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G SMD P channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT1G

auf Bestellung 35542 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT1G

MOSFETs 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection

auf Bestellung 27178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.80 EUR
10+	0.62 EUR
100+	0.35 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.21 EUR
9000+	0.20 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT1G

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 84000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
9000+	0.18 EUR
75000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT2G

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.20 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT2G

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT2G

Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4152PT2G

MOSFETs PFET SC88 20V 88MA 2

auf Bestellung 5000 Stücke:

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5+	0.65 EUR
10+	0.52 EUR
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1000+	0.20 EUR
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9000+	0.17 EUR
24000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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NTJD4152PT2G

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 22228 Stücke:

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20+	0.90 EUR
33+	0.55 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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NTJD4152PT2G

Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NTJD4158CT1G

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NTJD4158CT1G

Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR

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NTJD4158CT1G

Description: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 5279 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NTJD4158CT1G

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJD4158CT1G

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 15 Stücke:

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NTJD4158CT1G

NTJD4158CT1G Multi channel transistors

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NTJD4158CT1G

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NTJD4158CT1G

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NTJD4158CT1G

Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 13415 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.93 EUR
31+	0.57 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.25 EUR

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NTJD4158CT1G

auf Bestellung 36000 Stücke:

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NTJD4158CT1G

auf Bestellung 5279 Stücke:

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NTJD4158CT1G

MOSFETs PFET 20V .88A 1OHM

auf Bestellung 28908 Stücke:

Lieferzeit 115-119 Tag (e)

5+	0.62 EUR
10+	0.50 EUR
100+	0.30 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.18 EUR
24000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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NTJD4158CT2G

auf Bestellung 10270 Stücke:

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NTJD4158CT2G

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NTJD4401

2xN-MOSFET 20V 0.63A 0.55W NTJD4401NT1G TNTJD4401
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

90+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 90

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NTJD4401N

auf Bestellung 1580 Stücke:

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NTJD4401N

onsemi NFET SC88 20V 630MA 375MO

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NTJD4401NT1

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

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NTJD4401NT1

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NTJD4401NT1G

Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NTJD4401NT1G

MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection

auf Bestellung 19133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.70 EUR
10+	0.51 EUR
100+	0.23 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR
24000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NTJD4401NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 7590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
39+	0.46 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 24

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NTJD4401NT1G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 445mΩ
Version: ESD
Gate charge: 1.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4790 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

136+	0.53 EUR
183+	0.39 EUR
230+	0.31 EUR
334+	0.21 EUR
521+	0.14 EUR
550+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 136

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NTJD4401NT1G

Description: ONSEMI - NTJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3564 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NTJD4401NT1G

Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NTJD4401NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
6000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NTJD4401NT1G

auf Bestellung 4790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	0.53 EUR
183+	0.39 EUR
230+	0.31 EUR
334+	0.21 EUR
521+	0.14 EUR
550+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 136

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4401NT1G

Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4401NT1G

Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4401NT1G-001

Description: MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4401NT2

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4401NT2G

Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4401NT2G

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4401NT4

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4401NT4G

Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4401NT4G

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD440NT1G

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD4538NT1G

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121N

NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121NT1G

Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 304mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 304mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 266mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 266mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 48653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121NT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.07 EUR
9000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121NT1G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 0.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1585 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

228+	0.31 EUR
368+	0.19 EUR
505+	0.14 EUR
575+	0.12 EUR
983+	0.07 EUR
1040+	0.07 EUR
24000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 228

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121NT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 321000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9434+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 9434

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121NT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1632+	0.09 EUR
1645+	0.09 EUR
1664+	0.08 EUR
1829+	0.07 EUR
3000+	0.05 EUR
6000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 1632

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121NT1G

auf Bestellung 1585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	0.31 EUR
368+	0.19 EUR
505+	0.14 EUR
575+	0.12 EUR
983+	0.07 EUR
1040+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 228

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121NT1G

MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA

auf Bestellung 239683 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.32 EUR
13+	0.22 EUR
100+	0.13 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.08 EUR
9000+	0.07 EUR
24000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 214863 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

39+	0.46 EUR
64+	0.28 EUR
102+	0.17 EUR
500+	0.13 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 39

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121NT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30000+	0.06 EUR
60000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 30000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121NT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 210000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9434+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 9434

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121NT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121NT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

665+	0.22 EUR
895+	0.16 EUR
905+	0.15 EUR
1632+	0.08 EUR
1645+	0.08 EUR
1664+	0.07 EUR
1829+	0.06 EUR
3000+	0.05 EUR
6000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 665

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJD5121NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 210000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.09 EUR
6000+	0.08 EUR
9000+	0.08 EUR
15000+	0.08 EUR
21000+	0.08 EUR
30000+	0.06 EUR

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NTJD5121NT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G TNTJD5121n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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NTJD5121NT1G
Produktcode: 185670

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NTJD5121NT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

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3000+	0.07 EUR
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NTJD5121NT2G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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5650+	0.10 EUR

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NTJD5121NT2G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJD5121NT2G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJD5121NT2G

auf Bestellung 11715 Stücke:

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28+	0.65 EUR
44+	0.40 EUR
100+	0.26 EUR
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1000+	0.17 EUR

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NTJD5121NT2G

Description: ONSEMI - NTJD5121NT2G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 9000 Stücke:

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NTJD5121NT2G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJD5121NT2G

MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA

auf Bestellung 20114 Stücke:

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7+	0.47 EUR
10+	0.32 EUR
100+	0.16 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.12 EUR
9000+	0.11 EUR

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NTJD5121NT2G

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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6000+	0.13 EUR
9000+	0.12 EUR

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NTJS3151P

auf Bestellung 3000 Stücke:

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NTJS3151PT1

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NTJS3151PT1G

Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V

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NTJS3151PT1G

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJS3151PT1G

Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.045 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 6235 Stücke:

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NTJS3151PT1G

MOSFETs 12V 3.3A P-Channel

auf Bestellung 15579 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.79 EUR
10+	0.51 EUR
100+	0.28 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.20 EUR
9000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NTJS3151PT1G

NTJS3151PT1G SMD P channel transistors

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NTJS3151PT1G

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJS3151PT1G

Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.92 EUR
24+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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NTJS3151PT1G

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3151PT2

Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V

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NTJS3151PT2G

MOSFETs 12V 3.3A P-Channel

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.48 EUR
100+	0.25 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NTJS3151PT2G

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3151PT2G

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJS3151PT2G

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.88 EUR
25+	0.71 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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NTJS3151PT2G

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 99000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3151PT2G

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3151PT2G

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 99000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NTJS3157N

onsemi NFET SC88 20V 4A 60MO

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NTJS3157NT1G

Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3157NT1G

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NTJS3157NT1G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3157NT1G

Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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NTJS3157NT1G

MOSFET 20V 4A N-Channel

auf Bestellung 142274 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.70 EUR
10+	0.56 EUR
100+	0.31 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.17 EUR
9000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NTJS3157NT1G

Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3157NT1G

Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3157NT1G

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

auf Bestellung 13730 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.70 EUR
32+	0.55 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3157NT1G

auf Bestellung 2795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3157NT1G

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3157NT2

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3157NT2G

Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3157NT2G

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3157NT4

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS3157NT4G

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4151P

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4151PT1

Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4151PT1

Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4151PT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 5925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

302+	0.49 EUR
437+	0.33 EUR
441+	0.31 EUR
583+	0.23 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 302

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4151PT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4151PT1G

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

136+	0.53 EUR
216+	0.33 EUR
322+	0.23 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 136

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4151PT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4151PT1G

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	0.53 EUR
216+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 136

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4151PT1G

Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V

auf Bestellung 13816 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
42+	0.42 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.20 EUR

Mindestbestellmenge: 28

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NTJS4151PT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJS4151PT1G

Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 29540 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NTJS4151PT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJS4151PT1G

MOSFETs -20V -4.2A P-Channel

auf Bestellung 97457 Stücke:

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5+	0.64 EUR
10+	0.43 EUR
100+	0.20 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.16 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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NTJS4151PT1G

Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
6000+	0.16 EUR
9000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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NTJS4151PT1G

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 5925 Stücke:

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254+	0.58 EUR
299+	0.48 EUR
302+	0.46 EUR
437+	0.30 EUR
441+	0.29 EUR
583+	0.21 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 254

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NTJS4151PT1G

auf Bestellung 29540 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NTJS4160NT1G

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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NTJS4160NT1G

Description: ONSEMI - NTJS4160NT1G - NTJS4160NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 637216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NTJS4160NT1G

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

auf Bestellung 637216 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4121+	0.12 EUR

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NTJS4160NT1G

Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJS4160NT1G

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

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NTJS4405NT1

Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4405NT1G

Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

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NTJS4405NT1G

NTJS4405NT1G SMD N channel transistors

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NTJS4405NT1G

Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 5693 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

245+	0.60 EUR
305+	0.47 EUR
317+	0.43 EUR
419+	0.32 EUR
439+	0.29 EUR
535+	0.23 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 245

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4405NT1G

Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 630mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4405NT1G

Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4405NT1G

MOSFET 25V 1.2A N-Channel

auf Bestellung 8163 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.82 EUR
10+	0.62 EUR
100+	0.40 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.22 EUR
9000+	0.20 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NTJS4405NT1G

auf Bestellung 965 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4405NT1G

Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4405NT1G

Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2421 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4405NT1G

Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4405NT1G

Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 5693 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

317+	0.47 EUR
419+	0.34 EUR
439+	0.31 EUR
535+	0.25 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 317

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NTJS4405NT1G

07+;

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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NTJS4405NT4

Produkt ist nicht verfügbar

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NTJS4405NT4G

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NTJS4405NT4G

09+

auf Bestellung 98018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4405NT4G

0601NO

auf Bestellung 5145 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4405NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

auf Bestellung 845843 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2404+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2404

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTJS4405NT4G