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NTJ04-040L

Inrush Current Limiter Thermistors

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NTJ06-010M

Description: YAGEO - NTJ06-010M - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 10ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4843 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJ06-013L

Description: NTC 15MM 13OHM 6A 15% BOX
Packaging: Box
Tolerance: ±15%
Diameter: 0.591" (15.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 6 A
R @ 25°C: 13 Ohms
R @ Current: 152 mOhms

Produkt ist nicht verfügbar

NTJ06-013LF

Description: NTC 15MM 1OHM 9A 15% BOX
Packaging: Box
Tolerance: ±15%
Diameter: 0.709" (18.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 6 A
R @ 25°C: 13 Ohms
R @ Current: 152 mOhms

Produkt ist nicht verfügbar

NTJ06-015M

NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 15ohm 6A +/-20% box

Produkt ist nicht verfügbar

NTJ06-015M

Description: YAGEO - NTJ06-015M - Thermistor, ICL, NTC, 15 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 15ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJ25-6

Knowles Voltronics

Trimmer/Variable Capacitors

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NTJD1155L

onsemi NFET SC88 8V 1.3A 175MOHM

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD1155LT1

Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

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NTJD1155LT1G

ON Semiconductor

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD1155LT1G

Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 8010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD1155LT1G

Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.38 EUR
6000+	0.36 EUR
9000+	0.34 EUR
30000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD1155LT1G

ON Semiconductor

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 84000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD1155LT1G

Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC

auf Bestellung 2828 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

175+	0.41 EUR
203+	0.35 EUR
280+	0.26 EUR
296+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 175

NTJD1155LT1G

MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift

auf Bestellung 150035 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

46+	1.14 EUR
62+	0.85 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 46

NTJD1155LT1G

ON-Semicoductor

Transistor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTJD1155LT1G NTJD1155L TNTJD1155l
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 100

NTJD1155LT1G

ON Semiconductor

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD1155LT1G

ON Semiconductor

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 776 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

255+	0.61 EUR
332+	0.45 EUR
348+	0.42 EUR
500+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 255

NTJD1155LT1G

Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD1155LT1G

ON Semiconductor

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 84000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD1155LT1G

Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2828 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

175+	0.41 EUR
203+	0.35 EUR
280+	0.26 EUR
296+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 175

NTJD1155LT1G

Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 107365 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
27+	0.97 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 24

NTJD1155LT1G

ON Semiconductor

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD1155LT1G

ON Semiconductor

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 776 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

217+	0.72 EUR
250+	0.6 EUR
255+	0.57 EUR
332+	0.42 EUR
348+	0.39 EUR
500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 217

NTJD1155LT1G

ON Semiconductor

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD1155LT1G

09+

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD1155LT2G

Description: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 3140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.22 EUR
28+	0.96 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 22

NTJD1155LT2G

Description: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD1155LT2G

ON Semiconductor

Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 Reel

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD1155LT2G

ON Semiconductor

1.3A High Side Load Switch

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD1155LT2G

MOSFET NFET SC88 8V 1.3A 175mOhm

auf Bestellung 127850 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.21 EUR
55+	0.96 EUR
100+	0.54 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.32 EUR
9000+	0.29 EUR
24000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 44

NTJD2152P

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD2152PLT1

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD2152PT

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD2152PT1

Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 14760 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD2152PT1

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD2152PT1

Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD2152PT1G

SOT-363

auf Bestellung 2434 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD2152PT1G

Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD2152PT1G

09+

auf Bestellung 6018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD2152PT1G

Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD2152PT1G

07+;

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD2152PT1G

Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 541167 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD2152PT2

Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD2152PT2G

Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD2152PT2G

07+;

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD2152PT4

ON Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD2152PT4G

ON Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD3158CT1G

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD3158CT2G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 20V SC88-6

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4001N

onsemi NFET SC88 30V 250MA 1.5R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4001N

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4001NT1

MOSFET 30V 250mA Dual

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4001NT1

auf Bestellung 5400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4001NT1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4001NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 321000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD4001NT1G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.272W
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4001NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.22 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD4001NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 117000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD4001NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 321000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD4001NT1G
Produktcode: 192092

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4001NT1G

Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1635 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD4001NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
9000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD4001NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9578 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

298+	0.53 EUR
362+	0.42 EUR
364+	0.4 EUR
602+	0.23 EUR
608+	0.22 EUR
650+	0.2 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 298

NTJD4001NT1G

Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD4001NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 59467 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

31+	0.86 EUR
40+	0.67 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 31

NTJD4001NT1G

MOSFET 30V 250mA Dual N-Channel

auf Bestellung 89900 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

62+	0.85 EUR
78+	0.67 EUR
140+	0.37 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.22 EUR
24000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 62

NTJD4001NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9578 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

364+	0.43 EUR
602+	0.25 EUR
608+	0.24 EUR
650+	0.21 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 364

NTJD4001NT1G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.272W

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4001NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
9000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD4001NT2G

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4105C

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4105CT1

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4105CT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4105CT1G

MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary

auf Bestellung 44611 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
62+	0.84 EUR
112+	0.47 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 48

NTJD4105CT1G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-8V
Drain current: 0.63/-0.755A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V; ±12V
On-state resistance: 445/900mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3/4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4105CT1G

ON-Semicoductor

Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 445mOhm/900mOhm; 910mA/1,1A; 550mW; -55°C ~ 150°C; NTJD4105CT1G TNTJD4105c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 100

NTJD4105CT1G

Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 22548 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
32+	0.83 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 24

NTJD4105CT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4105CT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD4105CT1G

Description: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 7985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD4105CT1G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-8V
Drain current: 0.63/-0.755A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V; ±12V
On-state resistance: 445/900mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3/4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4105CT1G

Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
6000+	0.28 EUR
9000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD4105CT2

2005

auf Bestellung 242 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4105CT2

ON Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4105CT2G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-8V
Drain current: 0.46/-0.558A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V; ±12V
On-state resistance: 375/300mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4105CT2G

Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.14 EUR
29+	0.93 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 23

NTJD4105CT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD4105CT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4105CT2G

Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 11200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD4105CT2G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-8V
Drain current: 0.46/-0.558A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V; ±12V
On-state resistance: 375/300mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4105CT2G

Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD4105CT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4105CT2G

MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary

auf Bestellung 8510 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
65+	0.81 EUR
110+	0.47 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 50

NTJD4105CT4

ON Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4105CT4G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4152P

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4152PT1

ON Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4152PT1

auf Bestellung 14484 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4152PT1G

Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 880 mA, 0.215 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 880
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 272
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.215
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 4805 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD4152PT1G

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 38385 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
29+	0.92 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 23

NTJD4152PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4152PT1G

MOSFET 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection

auf Bestellung 272101 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.19 EUR
62+	0.85 EUR
107+	0.49 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.27 EUR
24000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 44

NTJD4152PT1G

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.31 EUR
9000+	0.28 EUR
30000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD4152PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4152PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 96000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD4152PT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4152PT2G

MOSFET PFET SC88 20V 88MA 2

auf Bestellung 12132 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

54+	0.97 EUR
67+	0.78 EUR
129+	0.41 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.28 EUR
9000+	0.25 EUR
24000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 54

NTJD4152PT2G

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 5895 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
29+	0.9 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 24

NTJD4152PT2G

ON Semiconductor

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4152PT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4152PT2G

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD4158CT1G

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4158CT1G

Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD4158CT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

922+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 922

NTJD4158CT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4158CT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4158CT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4158CT1G

Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 3330 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
33+	0.8 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 25

NTJD4158CT1G

MOSFET PFET 20V .88A 1OHM

auf Bestellung 225000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

NTJD4158CT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJD4158CT2G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6

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NTJD4158CT2G

auf Bestellung 10270 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4401

ON-Semicoductor

2xN-MOSFET 20V 0.63A 0.55W NTJD4401NT1G TNTJD4401
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

90+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 90

NTJD4401N

onsemi NFET SC88 20V 630MA 375MO

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4401N

auf Bestellung 1580 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4401NT1

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4401NT1

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4401NT1G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 445mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

194+	0.37 EUR
360+	0.2 EUR
447+	0.16 EUR
506+	0.14 EUR
532+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 194

NTJD4401NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 2137 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.07 EUR
35+	0.75 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 25

NTJD4401NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD4401NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4401NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD4401NT1G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 445mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

194+	0.37 EUR
360+	0.2 EUR
447+	0.16 EUR
506+	0.14 EUR
532+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 194

NTJD4401NT1G

Description: ONSEMI - NTJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 5900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD4401NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD4401NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD4401NT1G

MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection

auf Bestellung 20392 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

50+	1.04 EUR
65+	0.81 EUR
104+	0.5 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.24 EUR
9000+	0.2 EUR
24000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 50

NTJD4401NT2

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4401NT2G

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

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NTJD4401NT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJD4401NT4

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

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NTJD4401NT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R

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NTJD4401NT4G

ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

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NTJD440NT1G

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD4538NT1G

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJD5121N

onsemi NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

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NTJD5121NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.075 EUR
9000+	0.058 EUR
24000+	0.047 EUR
45000+	0.043 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD5121NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 22534 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

334+	0.47 EUR
367+	0.41 EUR
409+	0.36 EUR
461+	0.3 EUR
528+	0.25 EUR
619+	0.21 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.13 EUR
6000+	0.096 EUR

Mindestbestellmenge: 334

NTJD5121NT1G

MOSFET NFET SC88D 60V 295mA

auf Bestellung 321539 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

64+	0.82 EUR
104+	0.5 EUR
216+	0.24 EUR
1000+	0.17 EUR
2500+	0.11 EUR
10000+	0.099 EUR
30000+	0.094 EUR

Mindestbestellmenge: 64

NTJD5121NT1G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

auf Bestellung 1175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

395+	0.18 EUR
755+	0.095 EUR
985+	0.073 EUR
1040+	0.069 EUR

Mindestbestellmenge: 395

NTJD5121NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.078 EUR
9000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD5121NT1G

Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9523 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD5121NT1G

ON-Semicoductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G TNTJD5121n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 100

NTJD5121NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 22534 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

461+	0.34 EUR
528+	0.29 EUR
619+	0.23 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.14 EUR
6000+	0.1 EUR
15000+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 461

NTJD5121NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.078 EUR
9000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD5121NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 89150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

31+	0.86 EUR
45+	0.59 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.24 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 31

NTJD5121NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 50513 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1458+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 1458

NTJD5121NT1G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 1175 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

395+	0.18 EUR
755+	0.095 EUR
985+	0.073 EUR
1040+	0.069 EUR

Mindestbestellmenge: 395

NTJD5121NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.075 EUR
9000+	0.058 EUR
24000+	0.047 EUR
45000+	0.043 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD5121NT1G
Produktcode: 185670

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD5121NT1G

Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 304 mA, 304 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 304mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 304mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 266mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 266mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 25498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD5121NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJD5121NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363

auf Bestellung 87000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR
9000+	0.11 EUR
75000+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD5121NT2G

Description: ONSEMI - NTJD5121NT2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 295
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD5121NT2G

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD5121NT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD5121NT2G

Description: ONSEMI - NTJD5121NT2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 295
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD5121NT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJD5121NT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
6000+	0.12 EUR
9000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJD5121NT2G

MOSFET NFET SC88D 60V 295mA

auf Bestellung 19317 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

59+	0.89 EUR
83+	0.63 EUR
184+	0.28 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.2 EUR
9000+	0.18 EUR
24000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 59

NTJD5121NT2G

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 3283 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

30+	0.88 EUR
42+	0.63 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 30

NTJD5121NT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJS3151P

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJS3151PT1

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJS3151PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3151PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJS3151PT1G

NTJS3151PT1G SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3151PT1G

MOSFET 12V 3.3A P-Channel

auf Bestellung 23174 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

41+	1.27 EUR
51+	1.03 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.36 EUR
6000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 41

NTJS3151PT1G

Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3151PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3151PT1G

Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.045 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 6235 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJS3151PT1G

Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.35 EUR
24+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 20

NTJS3151PT2

Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3151PT2G

Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.37 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJS3151PT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3151PT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 99000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJS3151PT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3151PT2G

Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.3 EUR
25+	1.05 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 20

NTJS3151PT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 99000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJS3151PT2G

MOSFET 12V 3.3A P-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3157N

onsemi NFET SC88 20V 4A 60MO

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3157NT1G

MOSFET 20V 4A N-Channel

auf Bestellung 156664 Stücke:

Lieferzeit 462-476 Tag (e)

47+	1.12 EUR
57+	0.92 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 47

NTJS3157NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJS3157NT1G

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.28 EUR
6000+	0.27 EUR
9000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJS3157NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3157NT1G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3157NT1G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3157NT1G

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

auf Bestellung 13730 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
32+	0.81 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 25

NTJS3157NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3157NT2

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3157NT2G

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3157NT2G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3157NT4

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS3157NT4G

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4151P

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJS4151PT1

Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4151PT1

Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4151PT1G

Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

NTJS4151PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4151PT1G

Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 17775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJS4151PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4151PT1G

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

285+	0.25 EUR
410+	0.17 EUR
465+	0.15 EUR
510+	0.14 EUR
535+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 285

NTJS4151PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4151PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4151PT1G

Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V

auf Bestellung 6715 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.94 EUR
36+	0.73 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 28

NTJS4151PT1G

MOSFET -20V -4.2A P-Channel

auf Bestellung 64933 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

57+	0.92 EUR
72+	0.73 EUR
130+	0.4 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.25 EUR
9000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 57

NTJS4151PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 5925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

254+	0.62 EUR
299+	0.51 EUR
302+	0.48 EUR
437+	0.32 EUR
441+	0.3 EUR
583+	0.22 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 254

NTJS4151PT1G

Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 17775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJS4151PT1G

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 2995 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

285+	0.25 EUR
410+	0.17 EUR
465+	0.15 EUR
510+	0.14 EUR
535+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 285

NTJS4151PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 5925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

302+	0.52 EUR
437+	0.35 EUR
441+	0.33 EUR
583+	0.24 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 302

NTJS4160NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4160NT1G

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4160NT1G

Description: ONSEMI - NTJS4160NT1G - NTJS4160NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 637216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJS4160NT1G

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

auf Bestellung 637216 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4121+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4121

NTJS4160NT1G

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4405NT1

Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4405NT1G

Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 630mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.249ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJS4405NT1G

ON Semiconductor

auf Bestellung 965 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJS4405NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 5693 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

245+	0.64 EUR
305+	0.49 EUR
317+	0.46 EUR
419+	0.33 EUR
439+	0.31 EUR
535+	0.24 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 245

NTJS4405NT1G

Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4405NT1G

MOSFET 25V 1.2A N-Channel

auf Bestellung 8163 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.21 EUR
57+	0.92 EUR
100+	0.59 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.33 EUR
9000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 44

NTJS4405NT1G

07+;

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJS4405NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4405NT1G

Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 630mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJS4405NT1G

Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4405NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJS4405NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 5693 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

317+	0.49 EUR
419+	0.36 EUR
439+	0.33 EUR
535+	0.26 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 317

NTJS4405NT4

Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4405NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

auf Bestellung 845843 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2404+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2404

NTJS4405NT4G

Description: ONSEMI - NTJS4405NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.2 A, 0.249 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 845819 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

NTJS4405NT4G

09+

auf Bestellung 98018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJS4405NT4G

Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

NTJS4405NT4G

0601NO

auf Bestellung 5145 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJTA-3-SP-G

auf Bestellung 279 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJTA-3D-SP-G

auf Bestellung 1045 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJTA-4D-SP-G

auf Bestellung 1061 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJTA-5-SP-G

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJTA-5D-SP-G

auf Bestellung 192 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJTD-2-SP-G

auf Bestellung 1592 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJTD-3-SP-G

auf Bestellung 1355 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJTD-3D-SP-G

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

NTJTD-4-SP-G

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)