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R80-762040SEIKOQFP
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R800
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R80007-001ROCKWELLDIP
auf Bestellung 170 Stücke:
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R8001CND3FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect
auf Bestellung 3223 Stücke:
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1+3.98 EUR
10+2.6 EUR
100+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2500+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.94 EUR
100+1.79 EUR
250+1.65 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.29 EUR
10+3.86 EUR
100+3.1 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CND3FRATLROHM SEMICONDUCTORR8001CND3FRATL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CNDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.54 EUR
10+3.6 EUR
100+2.51 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJGTLROHM SemiconductorMOSFETs TO263 800V 2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.68 EUR
100+2.92 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.43 EUR
2000+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+3.99 EUR
50+2.94 EUR
100+2.58 EUR
200+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.77 EUR
10+3.64 EUR
100+2.78 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANXROHMDescription: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.93 EUR
100+1.78 EUR
250+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.93 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.6 EUR
67+2.1 EUR
100+1.92 EUR
200+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLROHM SEMICONDUCTORR8002CND3FRATL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 800V 2A N-CH
auf Bestellung 3061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.38 EUR
10+2.64 EUR
100+2.36 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.13 EUR
2500+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.44 EUR
10+4.22 EUR
100+2.96 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+1.94 EUR
100+1.38 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.03 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.48 EUR
103+1.36 EUR
250+1.26 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.04 EUR
10+2.14 EUR
100+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR8002KND3TL1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8002KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.65 EUR
50+2.3 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 800V 1.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.8 EUR
25+2.22 EUR
100+2.06 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.53 EUR
2000+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.12 EUR
63+2.23 EUR
100+1.7 EUR
200+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003BHollingsworth2 Rings Non-Insulated
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+30.95 EUR
27+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003BHollingsworth2 Rings Non-Insulated
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+30.95 EUR
27+5.32 EUR
50+4.96 EUR
100+4.61 EUR
500+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003BHollingsworth2 Rings Non-Insulated
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+30.95 EUR
27+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 800V 3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 7664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.59 EUR
10+3.19 EUR
100+2.29 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.78 EUR
2500+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR8003KND3TL1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.54 EUR
10+3.16 EUR
100+2.22 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.81 EUR
55+2.55 EUR
100+2.23 EUR
200+1.69 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8003KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 800V 3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.73 EUR
10+2.39 EUR
100+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KNXC7GROHM SEMICONDUCTORR8003KNXC7G THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.12 EUR
73+1.92 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.92 EUR
10+3.26 EUR
100+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.59 EUR
10+3.03 EUR
100+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 800V Vdss 5A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.63 EUR
10+3.06 EUR
25+2.97 EUR
100+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORR8005ANJFRGTL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.9 EUR
10+4.39 EUR
100+3.44 EUR
500+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.93 EUR
50+3.54 EUR
100+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJGTLROHM SemiconductorMOSFETs TO263 800V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+4.44 EUR
100+3.61 EUR
1000+3.06 EUR
2000+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.21 EUR
65+2.16 EUR
100+1.97 EUR
200+1.41 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANXROHMDescription: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+3.1 EUR
100+2.18 EUR
500+2.09 EUR
1000+2.08 EUR
2500+2.06 EUR
5000+2.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.08Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.29 EUR
10+3 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.21 EUR
10+4.64 EUR
100+3.61 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+3.96 EUR
100+3.04 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 800V 6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.67 EUR
10+4.47 EUR
100+3.43 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.2 EUR
50+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.75 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.49 EUR
10+4.59 EUR
100+3.26 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+3.78 EUR
50+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.21 EUR
10+4.63 EUR
100+3.36 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5 EUR
50+3.61 EUR
100+2.8 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+4.78 EUR
50+3.66 EUR
100+3.51 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.61 EUR
2000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 7A 1st Gen, for Auto
auf Bestellung 4856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+4.42 EUR
100+4.36 EUR
1000+3.94 EUR
2500+3.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
auf Bestellung 4975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.19 EUR
10+8.26 EUR
100+6.76 EUR
500+5.76 EUR
1000+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80080006CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80080008CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80080009CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1.54Ω
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.59 EUR
10+6.41 EUR
100+4.61 EUR
500+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1.54Ω
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.12 EUR
50+5.24 EUR
100+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+5.93 EUR
100+4.28 EUR
500+4.21 EUR
1000+3.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1.54Ω
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.5 EUR
50+3.25 EUR
100+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJGTLROHM SemiconductorMOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.22 EUR
10+5.58 EUR
100+4.59 EUR
500+4.1 EUR
1000+3.96 EUR
5000+3.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1.54Ω
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.68 EUR
10+7.18 EUR
100+5.2 EUR
500+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.49 EUR
50+4.92 EUR
100+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8009KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.63 EUR
50+3.94 EUR
100+3.25 EUR
200+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8009KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 27A; 59W; TO220FP
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
10+5.48 EUR
100+3.91 EUR
500+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8009KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8009KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 27A; 59W; TO220FP
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8009KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 800V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.93 EUR
10+5.1 EUR
25+5.07 EUR
100+3.82 EUR
500+3.17 EUR
1000+3.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8009KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8009KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R800CАналог SIM800C на чіпсеті RDA, без аудіоканалу, інженерні зразки MODULE
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R800CH08
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R800CH10
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R800CH12
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R800CH14
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R800CH14CF0
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R800CH14CY0
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R800CH14FY0
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R800CH16
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R800CH16-18
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8010REED InstrumentsDescription: LASER DISTANCE METER, 328'
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8010-NISTREED InstrumentsDescription: LASER DISTANCE METER, 328' W/CER
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8010ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8010ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.53 EUR
50+2.93 EUR
200+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8010ANXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8010ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.55 EUR
28+5.12 EUR
50+4.74 EUR
100+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8011KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+3.67 EUR
50+3.22 EUR
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8011KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.06 EUR
10+5.15 EUR
100+3.76 EUR
500+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8011KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 11A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+4.98 EUR
100+3.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8011KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 800V N CH 3.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8011LR112Q
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80186INTELCLCC68 92+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80186INTEL98+ CLCC
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80186Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80186
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80186INTELCBGA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80186ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - R80186 - R80186 - MICROPROCESSOR, 16-BIT, 8MHZ
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80186INTEL98+ CPLCC
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80186-10Rochester Electronics, LLCDescription: RISC MICROPROCESSOR, 16 BIT, 10M
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+188.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80186-10ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - R80186-10 - R80186 - MICROPROCESSOR, 16-BIT, 10MHZ
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80186-10INTELCLCC68
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80186-10INTEL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80186-3/B4
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80186-6/B4INTEL8519+
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80186-8INTELCLCC68
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8018610IntelDescription: MPU, 16-BIT, 10MHZ, NMOS, CQCC68
Packaging: Bulk
Package / Case: 88-BCPGA
Mounting Type: Through Hole
Speed: 10MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TC)
Core Processor: 80186
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 88-CPGA (34.29x34.29)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80188Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80188
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
auf Bestellung 5973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+30.5 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80188Advanced Micro DevicesR80188
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+30.09 EUR
25+28.44 EUR
100+26.26 EUR
500+24.17 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80188INTEL07+;
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80188Advanced Micro DevicesR80188
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+30.09 EUR
25+28.44 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80188INTEL02+ PLCC
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80188Advanced Micro DevicesR80188
auf Bestellung 5155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+30.09 EUR
25+28.44 EUR
100+26.26 EUR
500+24.17 EUR
1000+21.92 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80188INTEL98+ BGA;
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80188-10Advanced Micro DevicesR80188-10
auf Bestellung 1506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+44.14 EUR
25+41.71 EUR
100+38.52 EUR
500+35.48 EUR
1000+32.15 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80188-10
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80188-10Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 10MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80188
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
Additional Interfaces: DMA, EBI/EMI
auf Bestellung 1506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+42.66 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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R8019KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 140 Stücke:
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26+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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R8019KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs 800V 19A, TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET: The R8xxxKNx series are high-speed switching products, Super Junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency. This series products achieve higher efficiency via high-speed switchin
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+7.5 EUR
25+5.19 EUR
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R8019KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
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26+5.74 EUR
31+4.56 EUR
50+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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R8019KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 800V N CH 19A
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R80200-93
auf Bestellung 2217 Stücke:
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R8020PRockwellDIP-40
auf Bestellung 116 Stücke:
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R8025EPSON09+ SOP14
auf Bestellung 1010 Stücke:
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R8025R
auf Bestellung 15320 Stücke:
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R8025AAEPSON2004
auf Bestellung 209 Stücke:
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R8025ACEPSON00+ SOP
auf Bestellung 438 Stücke:
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R8025ACRTCSOP
auf Bestellung 11000 Stücke:
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R8025SA
auf Bestellung 35250 Stücke:
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R8025T
auf Bestellung 3000 Stücke:
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R8025Y12BPLB2APelonis TechnologiesDescription: FAN AXIAL 80X25MM 12VDC WIRE
Packaging: Bulk
Features: Auto Restart, Constant Speed, Inrush Protection, Locked Rotor Protection, Polarity Protection, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 12VDC
Size / Dimension: Square - 80mm L x 80mm H
Bearing Type: Ball
RPM: 4400 RPM
Air Flow: 57.7 CFM (1.64m³/min)
Width: 25.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 40.6dB(A)
Static Pressure: 0.300 in H2O (74.7 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 4.8 W
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.66 EUR
10+18.37 EUR
25+17.21 EUR
50+15.74 EUR
100+13.11 EUR
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R80286INTELCLCC68
auf Bestellung 5000 Stücke:
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R80286-10INTPGA
auf Bestellung 103 Stücke:
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R80286-10INTELCLCC68 92+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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R80286-10/C2H
auf Bestellung 7 Stücke:
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R80286-12INTELPLCC
auf Bestellung 500 Stücke:
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R80286-12INTEL99+
auf Bestellung 199 Stücke:
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R80286-12INTELCBGA
auf Bestellung 90 Stücke:
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R80286-12INTEL
auf Bestellung 10 Stücke:
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R80286-12INTEL9940 LCC
auf Bestellung 40 Stücke:
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R80286-12(Refurbs)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R80286-12/S(Refurbs)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R80286-6INTELBGA
auf Bestellung 245 Stücke:
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R80286-8INTEL07+;
auf Bestellung 20 Stücke:
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R80286-8INTELCLCC68
auf Bestellung 5000 Stücke:
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R80286-8INTPGA
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R80286-8INTEL96+ BGA;
auf Bestellung 20 Stücke:
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R80286-8(Refurbs)
auf Bestellung 9 Stücke:
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R80286-8SAdvanced Micro DevicesR80286-8S
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+80.26 EUR
25+75.84 EUR
100+70.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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R80286-8SAdvanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Core Processor: 80286
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
auf Bestellung 148 Stücke:
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7+81.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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R8028612INTEL99+ PLCC
auf Bestellung 90 Stücke:
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R802P2
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R80302NLiNRCOREAudio Transformers / Signal Transformers Industrial Planar Transformers
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R80405CDIP
auf Bestellung 5000 Stücke:
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R80405
auf Bestellung 26 Stücke:
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R8040PRockwellDIP-40
auf Bestellung 133 Stücke:
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R8040SZCDIP
auf Bestellung 5000 Stücke:
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R8040SROCKWELL03+ DIP
auf Bestellung 56 Stücke:
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R8046678
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R8050REED InstrumentsDescription: DUAL RANGE SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Battery, Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
auf Bestellung 551 Stücke:
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1+315.04 EUR
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R8050PROCKWELL
auf Bestellung 50 Stücke:
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R8050PROCKWELLDIP
auf Bestellung 320 Stücke:
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R8050S
auf Bestellung 155 Stücke:
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R8051AHP98+ DIP-40
auf Bestellung 189 Stücke:
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R8060REED InstrumentsDescription: SOUND LEVEL METER WITH BARGRAPH
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Battery, Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
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R8060
auf Bestellung 1680 Stücke:
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R8060/05P
auf Bestellung 884 Stücke:
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R8060KP
auf Bestellung 5600 Stücke:
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R8060PROCKWELLDIP
auf Bestellung 260 Stücke:
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R8060PROCKWELL
auf Bestellung 50 Stücke:
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R8060P1193813
auf Bestellung 415 Stücke:
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R8060S
auf Bestellung 138 Stücke:
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R8069AP
auf Bestellung 16 Stücke:
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R8069BP
auf Bestellung 15000 Stücke:
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R806P2
auf Bestellung 45 Stücke:
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R806P2AD
auf Bestellung 100 Stücke:
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R8070AG
auf Bestellung 248 Stücke:
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R8070AJZILOG89+ PLCC
auf Bestellung 10 Stücke:
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R8070AP(1195111)ROCKWELL
auf Bestellung 210 Stücke:
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R8070JROCK00+ PLCC-68
auf Bestellung 90 Stücke:
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R8070JE
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R8070PMEXICODIP64
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R8070SDREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (6), Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8070SD-KITREED InstrumentsDescription: SOUND METER W/ ADAPTER, SD CARD
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Adapter, Memory Card
For Measuring: Sound
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8070SD-KIT2REED InstrumentsDescription: SOUND METER W/TRIPOD, CARD, ADP
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Adapter, Memory Card
For Measuring: Sound
Part Status: Active
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+737.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8071AJROCKWELLPLCC68
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8071AJEBTPLCC68
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R8071APMEXICODIP64
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R8071J
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8075S
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8080REED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (4), Case, Software, USB Cable, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+579.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8080-KITREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER K
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Equipment Type: Calibrator, Sound/Decibel Level Meter
Equipment Part Numbers: R8080, R8090
Set Type: Sound Measurement
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1001.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8080-KIT-NISTREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER K
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Equipment Type: Calibrator, Sound/Decibel Level Meter
Equipment Part Numbers: R8080, R8090
Set Type: Sound Measurement
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1745.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8080-KIT2REED InstrumentsDescription: DATALOGGING SOUND METER W/TRIPOD
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Tripod
For Measuring: Sound
Part Status: Active
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+677.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8080-NISTREED InstrumentsDescription: SOUND LEVEL METER/DATA LOGGER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (4), Calibration Certificate, Case, Software, USB Cable, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1063.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8082RSMO9
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8085REED InstrumentsDescription: PERSONAL NOISE DOSIMETER
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8085-KITREED InstrumentsDescription: NOISE DOSIMETERS KIT
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8085-NISTREED InstrumentsDescription: NOISE DOSIMETER W/NIST CERT
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8085-PCREED InstrumentsDescription: PC SOFTWARE FOR R8085
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8085-USBREED InstrumentsDescription: USB CABLE FOR R8085
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8094NLiNRCORER8094NL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186INTELLCC
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186--12
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186-12INTELLCC
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186-16
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186XLINTEL9549 LCC
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186XL-12
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186XL10INTEL92
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186XL10INTELLCC
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186XL12INTEL02+ PLCC
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186XL12INTELCBGA?
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186XL20INTEL02+
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186XL20IntelDescription: IC MPU I186 20MHZ 68PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186XL20IntelMPU 80186 Processor CISC 16bit 20MHz 68-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186XL20INTEL02+
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186XL25IntelDescription: IC MPU I186 25MHZ 68PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C186XL25IntelMPU 80186 Processor CISC 16bit 25MHz 68-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C188INTELLCC
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C188-12INTELCBGA?
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C188-16INTELCPLCC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C188XL-10INTEL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C188XL-12
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C188XL-20
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C188XL12
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C188XL20IntelMPU 188 Processor CISC 16bit 20MHz 68-Pin PLCC
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+85.88 EUR
25+81.15 EUR
100+74.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C188XL20
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C188XL20IntelDescription: IC MPU I186 20MHZ 68PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 68-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80C186
Voltage - I/O: 5.0V
Supplier Device Package: 68-PLCC
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
RAM Controllers: DRAM
Graphics Acceleration: No
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+80.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C188XL20IntelMPU 188 Processor CISC 16bit 20MHz 68-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C188XL25INTEL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C188XL25IntelDescription: IC MPU I186 25MHZ 68PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80C286-8
auf Bestellung 47 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80MOmron Automation and SafetyDescription: R80M, ROPE ONLY 80M
Packaging: Bulk
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R80POrion FansFan Accessories Retainer, 80mm, for GRM80 Series
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10+1.85 EUR
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100+1.55 EUR
250+1.53 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-100RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 100Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Resistance: 100Ω
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Type of resistor: wire-wound
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Number of mounting holes: 2
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.49 EUR
15+4.78 EUR
16+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-100RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 100Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Resistance: 100Ω
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Type of resistor: wire-wound
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Number of mounting holes: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.49 EUR
15+4.78 EUR
16+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-10KSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Type of resistor: wire-wound
Leads: solder lugs
Body dimensions: Ø28x121mm
Power: 80W
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Temperature coefficient: 200ppm/°C
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.39 EUR
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-10KSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Type of resistor: wire-wound
Leads: solder lugs
Body dimensions: Ø28x121mm
Power: 80W
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.39 EUR
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-10RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.57 EUR
16+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-10RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.57 EUR
16+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-1KSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 1kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 1kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Temperature coefficient: 200ppm/°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.39 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-1KSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 1kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 1kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.39 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-1RSR PASSIVESR80W-1R Power resistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-220RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 220Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 220Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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9+8.39 EUR
17+4.45 EUR
18+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-220RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 220Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 220Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.39 EUR
17+4.45 EUR
18+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-22RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 22Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 22Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Number of mounting holes: 2
Mounting holes pitch: 145mm
Leads: solder lugs
Body dimensions: Ø28x121mm
auf Bestellung 16 Stücke:
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9+8.37 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-22RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 22Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 22Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Number of mounting holes: 2
Mounting holes pitch: 145mm
Leads: solder lugs
Body dimensions: Ø28x121mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.37 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-2K2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.47 EUR
15+4.79 EUR
16+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-2K2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.47 EUR
15+4.79 EUR
16+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-2R2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-2R2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-470R
Produktcode: 188515
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-470RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 470Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 470Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.42 EUR
16+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-470RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 470Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 470Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.42 EUR
16+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-47RSR PASSIVESR80W-47R Power resistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-4K7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.39 EUR
16+4.48 EUR
17+4.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-4K7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.39 EUR
16+4.48 EUR
17+4.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-4R7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.39 EUR
16+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W-4R7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.39 EUR
16+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80W12BGN9-57Nidec Components CorporationDescription: DC FAN ,80X80X56MM, 12VDC, 137.5
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 12VDC
Size / Dimension: Square - 80mm L x 80mm H
Bearing Type: Ball
RPM: 17600 RPM
Air Flow: 118.8 CFM (3.33m³/min)
Width: 56.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 82.0dB(A)
Static Pressure: 5.452 in H2O (1358.0 Pa)
Power (Watts): 88.8 W
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+93.44 EUR
24+69.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH