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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
R80-762040SEIKOQFP
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R800
auf Bestellung 75 Stücke:
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R80007-001ROCKWELLDIP
auf Bestellung 170 Stücke:
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R8001CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.34 EUR
10+ 5.7 EUR
100+ 4.58 EUR
500+ 3.76 EUR
1000+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R8001CND3FRATLROHM SEMICONDUCTORR8001CND3FRATL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
R8001CND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET 800V 1A TO-252, Automotive Power MOSFET with integrated ESD protection diode
auf Bestellung 6036 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.69 EUR
12+ 4.71 EUR
100+ 3.77 EUR
250+ 3.61 EUR
500+ 3.17 EUR
1000+ 2.7 EUR
2500+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10
R8001CNDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8002ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.24 EUR
10+ 5.17 EUR
100+ 4.12 EUR
500+ 3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R8002ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8002ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.27 EUR
11+ 4.91 EUR
100+ 4.13 EUR
250+ 3.82 EUR
500+ 3.46 EUR
1000+ 2.96 EUR
2000+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
R8002ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
R8002ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8002ANJGTLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.23 EUR
10+ 6.06 EUR
25+ 5.72 EUR
100+ 4.91 EUR
250+ 4.65 EUR
500+ 4.37 EUR
1000+ 3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R8002ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) LPTS
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.68 EUR
50+ 3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 43
R8002ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.18 EUR
10+ 6.02 EUR
100+ 4.87 EUR
500+ 4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R8002ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R8002ANXROHMDescription: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
R8002ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.99 EUR
10+ 6.28 EUR
100+ 5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R8002ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.48 EUR
100+ 2.28 EUR
250+ 2.11 EUR
500+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 64
R8002ANX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8002ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R8002ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.48 EUR
100+ 2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 64
R8002CND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8002CND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET 800V 2A TO-252, Automotive Power MOSFET with integrated ESD protection diode
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.58 EUR
10+ 5.54 EUR
25+ 5.23 EUR
100+ 4.5 EUR
250+ 4.24 EUR
500+ 3.98 EUR
1000+ 3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7321 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.6 EUR
10+ 3.86 EUR
100+ 3.12 EUR
500+ 3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R8002CND3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 69W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
R8002CND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R8002CND3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 69W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R8002KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.69 EUR
10+ 3.03 EUR
100+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R8002KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR8002KND3TL1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
R8002KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8002KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 800V 1.6A POWER MOSFET
auf Bestellung 5321 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.64 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.55 EUR
500+ 2.15 EUR
1000+ 1.7 EUR
2500+ 1.58 EUR
5000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 15
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R8002KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8002KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8002KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.28 EUR
10+ 4.74 EUR
100+ 3.81 EUR
500+ 3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R8002KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 800V 1.6A TO-220FM PWR MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.71 EUR
14+ 3.95 EUR
100+ 3.09 EUR
250+ 2.96 EUR
500+ 2.6 EUR
1000+ 2.24 EUR
2500+ 2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 12
R8002KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.41 EUR
71+ 2.15 EUR
100+ 1.76 EUR
200+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 65
R8003KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 800V 3A POWER MOSFET
auf Bestellung 8185 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.38 EUR
12+ 4.5 EUR
100+ 3.59 EUR
250+ 3.28 EUR
500+ 2.99 EUR
1000+ 2.89 EUR
2500+ 2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10
R8003KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR8003KND3TL1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.03 EUR
10+ 5.41 EUR
100+ 4.35 EUR
500+ 3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R8003KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8003KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8003KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 800V 3A TO-220FM PWR MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.77 EUR
11+ 4.81 EUR
100+ 3.82 EUR
250+ 3.74 EUR
500+ 3.3 EUR
1000+ 2.73 EUR
2500+ 2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
R8003KNXC7GROHM SEMICONDUCTORR8003KNXC7G THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
R8003KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.47 EUR
10+ 5.81 EUR
100+ 4.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R8005ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.35 EUR
10+ 7.5 EUR
100+ 6.15 EUR
500+ 5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R8005ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8005ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 800V Vdss 5A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.46 EUR
10+ 6.29 EUR
25+ 5.93 EUR
100+ 5.07 EUR
250+ 4.81 EUR
500+ 4.52 EUR
1000+ 3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R8005ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 10A; 120W; D2PAK
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
On-state resistance: 3.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R8005ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+4.41 EUR
2000+ 4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R8005ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8005ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 10A; 120W; D2PAK
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
On-state resistance: 3.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 10A
Produkt ist nicht verfügbar
R8005ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.1 EUR
10+ 8.16 EUR
100+ 6.68 EUR
500+ 5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R8005ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) LPTS
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 43
R8005ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R8005ANJGTLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.57 EUR
10+ 8.06 EUR
25+ 7.59 EUR
100+ 6.5 EUR
250+ 6.14 EUR
500+ 5.8 EUR
1000+ 4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R8005ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 1443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.36 EUR
118+ 1.29 EUR
123+ 1.18 EUR
200+ 1.12 EUR
1000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 115
R8005ANXROHMDescription: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8005ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.3 EUR
11+ 4.78 EUR
100+ 3.85 EUR
500+ 3.33 EUR
1000+ 2.99 EUR
2500+ 2.78 EUR
5000+ 2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
R8005ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.74 EUR
100+ 2.13 EUR
500+ 1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 58
R8005ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9 EUR
10+ 8.08 EUR
100+ 6.62 EUR
500+ 5.64 EUR
1000+ 4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R8006KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 800V 6A POWER MOSFET
auf Bestellung 4882 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.06 EUR
10+ 6.76 EUR
25+ 6.4 EUR
100+ 5.49 EUR
250+ 5.17 EUR
500+ 4.89 EUR
1000+ 4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R8006KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.75 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: R8xxxKNx
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.68 EUR
10+ 7.8 EUR
100+ 6.39 EUR
500+ 5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R8006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
R8006KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET High-speed Switching Nch 800V 6A Power MOSFET
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.16 EUR
10+ 7.33 EUR
100+ 5.98 EUR
500+ 5.1 EUR
1000+ 4.08 EUR
5000+ 3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R8007AND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8007AND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET 800V 7A TO-252, Automotive Power MOSFET
auf Bestellung 5132 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.22 EUR
10+ 10.97 EUR
100+ 9.02 EUR
500+ 7.67 EUR
1000+ 6.45 EUR
2500+ 6.16 EUR
5000+ 5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.13 EUR
32+ 4.73 EUR
50+ 4.38 EUR
100+ 4.07 EUR
250+ 3.79 EUR
500+ 3.53 EUR
1000+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 31
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
auf Bestellung 4975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.57 EUR
10+ 12.2 EUR
100+ 9.99 EUR
500+ 8.51 EUR
1000+ 7.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R8007AND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.1 EUR
27+ 5.61 EUR
50+ 4.37 EUR
100+ 3.93 EUR
500+ 3.35 EUR
1000+ 2.99 EUR
2000+ 2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 18
R80080006CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
R80080008CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
R80080009CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.23 EUR
10+ 11.88 EUR
100+ 9.73 EUR
500+ 8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R8008ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.84 EUR
50+ 3.3 EUR
100+ 3.05 EUR
500+ 2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 41
R8008ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R8008ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R8008ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.32 EUR
10+ 11.08 EUR
100+ 9.07 EUR
500+ 7.72 EUR
1000+ 6.53 EUR
2000+ 6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R8008ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R8008ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.31 EUR
26+ 5.82 EUR
50+ 5.39 EUR
100+ 5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 25
R8008ANJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
R8008ANJGTLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.55 EUR
10+ 11.39 EUR
25+ 10.74 EUR
100+ 9.2 EUR
250+ 8.71 EUR
500+ 8.22 EUR
1000+ 6.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R8008ANJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R8008ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.13 EUR
10+ 13.6 EUR
100+ 11.14 EUR
500+ 9.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R8008ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
R8008ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R8008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
Produkt ist nicht verfügbar
R8008ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 38
R8009KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 27A; 59W; TO220FP
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 59W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R8009KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.26 EUR
32+ 4.76 EUR
50+ 4.3 EUR
100+ 3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30
R8009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 1949 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.84 EUR
10+ 9.73 EUR
100+ 7.97 EUR
500+ 6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R8009KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET NCH 800V 9A POWER MOSFET
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+10.5 EUR
10+ 9.78 EUR
50+ 8.29 EUR
100+ 7.75 EUR
250+ 7.15 EUR
500+ 6.58 EUR
1000+ 5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5
R8009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R8009KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 27A; 59W; TO220FP
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 59W
Produkt ist nicht verfügbar
R8009KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8009KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
R800CАналог SIM800C на чіпсеті RDA, без аудіоканалу, інженерні зразки
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
R800CH08
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R800CH10
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R800CH12
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R800CH14
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R800CH14CF0
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R800CH14CY0
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R800CH14FY0
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R800CH16
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R800CH16-18
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8010REED InstrumentsDescription: LASER DISTANCE METER, 328'
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8010-NISTREED InstrumentsDescription: LASER DISTANCE METER, 328' W/CER
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8010ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
Produkt ist nicht verfügbar
R8010ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
R8011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.08 EUR
10+ 11.75 EUR
100+ 9.63 EUR
500+ 8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R8011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
R8011LR112Q
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80186INTELCLCC68 92+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80186INTEL98+ CLCC
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80186INTELCBGA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80186INTEL98+ CPLCC
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80186Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80186
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
R80186-10INTELCLCC68
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80186-10Rochester Electronics, LLCDescription: RISC MICROPROCESSOR, 16 BIT, 10M
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+275.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
R80186-10INTEL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80186-3/B4
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80186-6/B4INTEL8519+
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80186-8INTELCLCC68
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8018610IntelDescription: MPU, 16-BIT, 10MHZ, NMOS, CQCC68
Packaging: Bulk
Package / Case: 88-BCPGA
Mounting Type: Through Hole
Speed: 10MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TC)
Core Processor: 80186
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 88-CPGA (34.29x34.29)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
R80188INTEL07+;
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80188INTEL02+ PLCC
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80188Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80188
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
auf Bestellung 5973 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+45.06 EUR
Mindestbestellmenge: 18
R80188INTEL98+ BGA;
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80188-10Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 10MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80188
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
auf Bestellung 1506 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+61 EUR
Mindestbestellmenge: 13
R80188-10
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8019KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 800V 19A, TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET: The R8xxxKNx series are high-speed switching products, Super Junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency. This series products achieve higher efficiency via high-speed switching
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 241-255 Tag (e)
4+14.66 EUR
10+ 12.56 EUR
50+ 11.39 EUR
100+ 10.48 EUR
250+ 10.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
R80200-93
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8020PRockwellDIP-40
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8025EPSON09+ SOP14
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8025R
auf Bestellung 15320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8025AAEPSON2004
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8025ACRTCSOP
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8025ACEPSON00+ SOP
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8025SA
auf Bestellung 35250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8025T
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8025Y12BPLB2APelonis TechnologiesDescription: FAN AXIAL 80X25MM 12VDC WIRE
Features: Auto Restart, Constant Speed, Inrush Protection, Locked Rotor Protection, Polarity Protection, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 12VDC
Size / Dimension: Square - 80mm L x 80mm H
Bearing Type: Ball
RPM: 4400 RPM
Air Flow: 57.7 CFM (1.64m³/min)
Width: 25.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 40.6dB(A)
Static Pressure: 0.300 in H2O (74.7 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 4.8 W
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+28.94 EUR
10+ 27.03 EUR
25+ 25.33 EUR
50+ 23.16 EUR
100+ 19.28 EUR
R80286INTELCLCC68
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-10INTELCLCC68 92+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-10INTPGA
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-10/C2H
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-12INTELPLCC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-12INTEL99+
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-12INTELCBGA
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-12INTEL
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-12INTEL9940 LCC
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-12(Refurbs)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-12/S(Refurbs)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-6INTELBGA
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-8INTEL07+;
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-8INTELCLCC68
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-8INTPGA
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-8INTEL96+ BGA;
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-8(Refurbs)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80286-8SAdvanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Core Processor: 80286
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+120.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R8028612INTEL99+ PLCC
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R802P2
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80302NLiNRCOREAudio Transformers / Signal Transformers Industrial Planar Transformers
Produkt ist nicht verfügbar
R80405CDIP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80405
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8040PRockwellDIP-40
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8040SROCKWELL03+ DIP
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8040SZCDIP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8046678
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8050REED InstrumentsDescription: DUAL RANGE SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Battery, Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+465.4 EUR
R8050PROCKWELL
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8050PROCKWELLDIP
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8050S
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8051AHP98+ DIP-40
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8060
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8060REED InstrumentsDescription: SOUND LEVEL METER WITH BARGRAPH
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Battery, Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
R8060/05P
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8060KP
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8060PROCKWELL
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8060PROCKWELLDIP
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8060P1193813
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8060S
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8069AP
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8069BP
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R806P2
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R806P2AD
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8070AG
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8070AJZILOG89+ PLCC
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8070AP(1195111)ROCKWELL
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8070JROCK00+ PLCC-68
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8070JE
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8070PMEXICODIP64
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8070SDREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (6), Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
R8070SD-KITREED InstrumentsDescription: SOUND METER W/ ADAPTER, SD CARD
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Adapter, Memory Card
For Measuring: Sound
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
R8070SD-KIT2REED InstrumentsDescription: SOUND METER W/TRIPOD, CARD, ADP
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Adapter, Memory Card
For Measuring: Sound
Part Status: Active
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1089.4 EUR
R8071AJROCKWELLPLCC68
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8071AJEBTPLCC68
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8071APMEXICODIP64
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8071J
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8075S
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8080REED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (4), Case, Software, USB Cable, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+855.4 EUR
R8080-KITREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER K
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Equipment Type: Calibrator, Sound/Decibel Level Meter
Equipment Part Numbers: R8080, R8090
Set Type: Sound Measurement
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1479.4 EUR
R8080-KIT-NISTREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER K
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Equipment Type: Calibrator, Sound/Decibel Level Meter
Equipment Part Numbers: R8080, R8090
Set Type: Sound Measurement
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2579.2 EUR
R8080-KIT2REED InstrumentsDescription: DATALOGGING SOUND METER W/TRIPOD
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Tripod
For Measuring: Sound
Part Status: Active
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1001 EUR
R8080-NISTREED InstrumentsDescription: SOUND LEVEL METER/DATA LOGGER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (4), Calibration Certificate, Case, Software, USB Cable, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1570.4 EUR
R8082RSMO9
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8085REED InstrumentsDescription: PERSONAL NOISE DOSIMETER
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8085-KITREED InstrumentsDescription: NOISE DOSIMETERS KIT
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8085-NISTREED InstrumentsDescription: NOISE DOSIMETER W/NIST CERT
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8085-PCREED InstrumentsDescription: PC SOFTWARE FOR R8085
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R8085-USBREED InstrumentsDescription: USB CABLE FOR R8085
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C186INTELLCC
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C186--12
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C186-12INTELLCC
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C186-16
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C186XLINTEL9549 LCC
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C186XL-12
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C186XL10INTEL92
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C186XL10INTELLCC
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C186XL12INTELCBGA?
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C186XL12INTEL02+ PLCC
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C186XL20INTEL02+
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C186XL20IntelMPU 80186 Processor CISC 16bit 20MHz 68-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
R80C186XL20INTEL02+
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C186XL20IntelDescription: IC MPU I186 20MHZ 68PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
R80C186XL25IntelMPU 80186 Processor CISC 16bit 25MHz 68-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
R80C186XL25IntelDescription: IC MPU I186 25MHZ 68PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
R80C188INTELLCC
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C188-12INTELCBGA?
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C188-16INTELCPLCC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C188XL-10INTEL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C188XL-12
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C188XL-20
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C188XL12
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C188XL20IntelDescription: IC MPU I186 20MHZ 68PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 68-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80C186
Voltage - I/O: 5.0V
Supplier Device Package: 68-PLCC
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
RAM Controllers: DRAM
Graphics Acceleration: No
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+117.51 EUR
Mindestbestellmenge: 7
R80C188XL20
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C188XL20IntelMPU 188 Processor CISC 16bit 20MHz 68-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
R80C188XL25INTEL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80C188XL25IntelDescription: IC MPU I186 25MHZ 68PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
R80C286-8
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
R80MOmron Automation and SafetyDescription: R80M, ROPE ONLY 80M
Produkt ist nicht verfügbar
R80POrion FansFan Accessories Retainer, 80mm, for GRM80 Series
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.86 EUR
20+ 2.73 EUR
25+ 2.63 EUR
50+ 2.5 EUR
100+ 2.29 EUR
250+ 2.26 EUR
500+ 2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 19
R80W-100RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 100Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Number of mounting holes: 2
Mounting holes pitch: 145mm
Leads: solder lugs
Type of resistor: wire-wound
Power: 80W
Resistance: 100Ω
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.12 EUR
13+ 5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R80W-100RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 100Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Number of mounting holes: 2
Mounting holes pitch: 145mm
Leads: solder lugs
Type of resistor: wire-wound
Power: 80W
Resistance: 100Ω
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.12 EUR
13+ 5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R80W-10KSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.64 EUR
11+ 6.81 EUR
25+ 5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R80W-10KSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
auf Bestellung 34 Stücke:
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8+9.64 EUR
11+ 6.81 EUR
25+ 5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R80W-10RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R80W-10RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Produkt ist nicht verfügbar
R80W-1KSR PASSIVESR80W-1K Power resistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.41 EUR
25+ 5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R80W-1RSR PASSIVESR80W-1R Power resistors
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
25+ 5.18 EUR
R80W-220RSR PASSIVESR80W-220R Power resistors
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.41 EUR
25+ 5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R80W-22RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 22Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 22Ω
Tolerance: ±5%
Power: 80W
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R80W-22RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 22Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 22Ω
Tolerance: ±5%
Power: 80W
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+35.75 EUR
5+ 14.3 EUR
25+ 5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R80W-2K2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.01 EUR
10+ 7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R80W-2K2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.01 EUR
10+ 7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R80W-2R2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.18 EUR
10+ 7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R80W-2R2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.18 EUR
10+ 7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R80W-470RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 470Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 470Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
R80W-470RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 470Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 470Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
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R80W-470R
Produktcode: 188515
Widerstande THT > Widerstände im Aluminiumgehäuse 10-600W
Produkt ist nicht verfügbar
R80W-47RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 47Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 47Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+ 14.3 EUR
25+ 5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R80W-47RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 47Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 47Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
R80W-4K7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R80W-4K7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+ 7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
R80W-4R7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.47 EUR
11+ 6.69 EUR
25+ 5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8
R80W-4R7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.47 EUR
11+ 6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8