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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
R80-762040SEIKOQFP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R800
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80007-001ROCKWELLDIP
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CND3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; Idm: 4A; 36W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.33 EUR
100+2.2 EUR
250+2.06 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CND3FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect
auf Bestellung 3126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+3.96 EUR
100+2.76 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.18 EUR
2500+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.11 EUR
10+4.59 EUR
100+3.69 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CNDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8001CNDTLROHM SemiconductorMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.68 EUR
10+4.37 EUR
100+3.03 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.81 EUR
10+4.45 EUR
100+3.09 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJGTLROHM SemiconductorMOSFETs TO263 800V 2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.68 EUR
10+4.38 EUR
100+3.03 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.8 EUR
50+3.62 EUR
100+3.22 EUR
200+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.32 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANXROHMDescription: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.32 EUR
100+2.19 EUR
250+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002ANXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.13 EUR
67+2.59 EUR
100+2.4 EUR
200+2 EUR
1000+1.86 EUR
2000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 800V 2A N-CH
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.83 EUR
10+4.33 EUR
100+3.31 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.75 EUR
54+4.34 EUR
100+3.11 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
10+5.02 EUR
100+3.52 EUR
500+2.88 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.53 EUR
100+1.76 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.31 EUR
2500+1.19 EUR
5000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.77 EUR
103+1.68 EUR
250+1.57 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252GE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.81 EUR
10+2.44 EUR
100+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.76 EUR
63+2.75 EUR
100+2.13 EUR
200+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8002KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
50+2.74 EUR
100+2.46 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 800V 1.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+2.64 EUR
100+2.39 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.76 EUR
2000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8002KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003BHollingsworth2 Rings Non-Insulated
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.49 EUR
10+34.07 EUR
25+19.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003BHollingsworth2 Rings Non-Insulated
auf Bestellung 3017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.49 EUR
10+34.07 EUR
25+19.08 EUR
50+6.33 EUR
100+5.05 EUR
250+4.78 EUR
500+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003BHollingsworth2 Rings Non-Insulated
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.49 EUR
10+34.07 EUR
25+19.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.59 EUR
55+3.14 EUR
100+2.78 EUR
200+2.15 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 800V 3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 7633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.87 EUR
10+3.81 EUR
100+2.64 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.07 EUR
2500+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
10+3.51 EUR
100+2.43 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8003KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.76 EUR
73+2.37 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.66 EUR
10+3.88 EUR
100+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8003KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 800V 3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+3.77 EUR
100+2.62 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 2.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 800V Vdss 5A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+5.19 EUR
100+3.77 EUR
500+3.2 EUR
1000+3.06 EUR
2000+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+3.61 EUR
100+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 2.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.77 EUR
47+4.94 EUR
100+3.15 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.93 EUR
50+4.36 EUR
100+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJGTLROHM SemiconductorMOSFETs TO263 800V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.21 EUR
10+5.43 EUR
100+3.83 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.14 EUR
2000+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.02 EUR
10+5.22 EUR
100+4.09 EUR
500+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.08Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.11 EUR
10+3.57 EUR
100+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.86 EUR
65+2.65 EUR
100+2.46 EUR
200+1.78 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+3.42 EUR
100+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8005ANXROHMDescription: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
61+3.81 EUR
100+3 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 800V 6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.54 EUR
10+5.63 EUR
100+3.97 EUR
500+3.44 EUR
1000+3.42 EUR
2500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.77 EUR
100+3.74 EUR
500+3.17 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.88 EUR
10+5.19 EUR
100+3.68 EUR
500+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.26 EUR
50+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.55 EUR
50+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.02 EUR
50+4.44 EUR
100+3.51 EUR
500+3.15 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
10+5.05 EUR
100+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8006KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.32 EUR
10+5.49 EUR
100+3.88 EUR
500+3.31 EUR
1000+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.02 EUR
29+8.06 EUR
100+5.72 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.76 EUR
50+4.51 EUR
100+4.39 EUR
500+3.63 EUR
1000+3.4 EUR
2000+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 7A 1st Gen, for Auto
auf Bestellung 4742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.6 EUR
10+7.47 EUR
100+5.59 EUR
500+5.21 EUR
1000+4.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.72 EUR
500+4.56 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
auf Bestellung 4975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.94 EUR
10+9.83 EUR
100+8.04 EUR
500+6.85 EUR
1000+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80080006CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80080008CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R80080009CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+9.77 EUR
50+6.45 EUR
100+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.25 EUR
10+6.34 EUR
100+5.09 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.03 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.78 EUR
500+5.7 EUR
1000+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.03 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.07 EUR
29+8.26 EUR
100+5.78 EUR
500+5.7 EUR
1000+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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