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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIJ128LDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ128LDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 21591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
143+1.63 EUR
155+1.39 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ128LDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
auf Bestellung 6050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ128LDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 21591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
143+1.63 EUR
155+1.39 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ128LDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 80 V
auf Bestellung 7296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.12 EUR
10+2.62 EUR
100+2.26 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.56 EUR
9000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ150DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ150DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+2.23 EUR
100+1.76 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ150DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ150DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
10+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ186DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 4743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ186DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
auf Bestellung 11016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
13+1.74 EUR
100+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ186DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 5985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+0.82 EUR
219+0.76 EUR
221+0.74 EUR
232+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ186DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
133+1.75 EUR
160+1.33 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ186DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.88 EUR
6000+0.83 EUR
9000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ186DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
133+1.75 EUR
160+1.33 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ188DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ188DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.4 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
107+2 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ188DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
auf Bestellung 4232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ188DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ188DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ188DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.4 A, 3850 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3850µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ188DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 5499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ188DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ188DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 5936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.23 EUR
148+1.13 EUR
149+1.08 EUR
151+1.04 EUR
160+0.93 EUR
250+0.89 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ392SISOP-8
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ400DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4106DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.75 EUR
100+2.19 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4106DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4106DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 8300 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
124+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4106DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.5 EUR
6000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4106DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4106DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 8300 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
85+2.74 EUR
124+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4108DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 9 mohm a. 10V 8.5 mohm a. 7.5V
auf Bestellung 11272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+2.68 EUR
100+2.14 EUR
250+1.96 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.62 EUR
3000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4108DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 11552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
82+2.86 EUR
116+1.86 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
5000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4108DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 11552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.86 EUR
116+1.86 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
5000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ420DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ420DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ420DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ438ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V
auf Bestellung 27796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
10+2.53 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ438ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ438ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 169 A, 0.0011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 169
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69.4
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.22 EUR
58+4.03 EUR
100+3.02 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ438ADP-T1-GE3VishayN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ438ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.12 EUR
6000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ438ADP-T1-GE3VishayN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ438ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 2962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.51 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ438DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
auf Bestellung 13804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.59 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ438DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 34597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
500+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ438DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4406DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 10973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.8 EUR
100+1.19 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.79 EUR
6000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4406DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.82 EUR
106+2.2 EUR
139+1.55 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.32 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4406DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
106+2.2 EUR
139+1.55 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.32 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4409DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ450DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK N CHAN 45V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
100+2.84 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.03 EUR
3000+1.14 EUR
9000+1.12 EUR
24000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ450DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
10+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ450DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 29960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
122+1.76 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.26 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ450DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ450DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 29960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
91+2.57 EUR
122+1.76 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.26 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ458DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ458DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 60A 69.4W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ458DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ462ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 7200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
86+2.71 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ462ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ462ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60 V
auf Bestellung 4129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+2.15 EUR
100+1.74 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.2 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ462ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
auf Bestellung 6113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SIJ462DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
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SIJ462DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 5790 Stücke:
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163+1.07 EUR
168+0.96 EUR
178+0.87 EUR
250+0.83 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.76 EUR
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SIJ462DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
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SIJ462DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SIJ462DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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SIJ470DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
10+2.45 EUR
100+1.9 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ470DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ470DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 17.4A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ470DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH
auf Bestellung 9731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.43 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.18 EUR
6000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ478DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 19826 Stücke:
Lieferzeit 704-708 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+3.22 EUR
100+2.51 EUR
500+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ478DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
92+2.53 EUR
114+1.89 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.45 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ478DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ478DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.53 EUR
114+1.89 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.45 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIJ478DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ478DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.63 EUR
78+2.17 EUR
79+2.06 EUR
105+1.48 EUR
250+1.4 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4819DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4819DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44.4 A, 0.0207 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0207ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4819DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -62A; Idm: -145A
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -145A
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -62A
Gate charge: 69nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 145W
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4819DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 80 V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 13769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.8 EUR
100+2.64 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.05 EUR
3000+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ4819DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ4819DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44.4 A, 0.0207 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0207ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
60+3.93 EUR
100+2.51 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ482DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ482DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 5490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ482DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
auf Bestellung 2004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ482DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ482DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.77 EUR
71+2.38 EUR
73+2.21 EUR
100+1.68 EUR
250+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ482DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 44373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.78 EUR
100+2.14 EUR
250+1.84 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ484DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ494DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0232 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0232ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.87 EUR
147+1.58 EUR
159+1.36 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.2 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ494DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 5896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.7 EUR
104+1.65 EUR
125+1.36 EUR
250+1.29 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.05 EUR
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiJ494DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiJ494DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
14+1.52 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ494DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ494DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 5896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.09 EUR
101+1.67 EUR
102+1.58 EUR
123+1.26 EUR
250+1.18 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiJ494DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ
auf Bestellung 12398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.34 EUR
100+1.71 EUR
500+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ494DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0232 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0232ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.87 EUR
147+1.58 EUR
159+1.36 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.2 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiJ494DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ494DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ5623DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJA22DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
11+1.9 EUR
100+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SIJA22DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 570 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
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