Produkte > SIJ
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| SIJ128LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ128LDP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ128LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ128LDP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 21785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ128LDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK | auf Bestellung 6050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ128LDP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 21785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ128LDP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 80 V | auf Bestellung 7296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ150DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ150DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 45V 110A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ150DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ150DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK | auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ150DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ150DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ150DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ186DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 57W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ186DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 4743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ186DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V | auf Bestellung 11016 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ186DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ186DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ186DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ186DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ186DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 5985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJ188DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ188DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ188DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ188DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.4 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 92.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ188DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 5936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJ188DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V | auf Bestellung 5155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ188DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 5499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ188DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ188DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ188DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.4 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 92.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ188DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ392 | SI | SOP-8 | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ400DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ4106DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ4106DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ4108DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 9 mohm a. 10V 8.5 mohm a. 7.5V | auf Bestellung 11272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ420DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ420DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ420DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ438ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V | auf Bestellung 10708 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ438ADP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ438ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ438ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ438ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 169 A, 0.0011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 169 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 69.4 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.4 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ438ADP-T1-GE3 | Vishay | N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L 650M SG 2 mil , 1.35 m¿ @ 10V m¿ @ 7.5V 1.75 m¿ @ 4.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ438ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ438ADP-T1-GE3 | Vishay | N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L 650M SG 2 mil , 1.35 mΩ @ 10V mΩ @ 7.5V 1.75 mΩ @ 4.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ438ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 5025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ438DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V | auf Bestellung 17109 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ438DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 34969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ438DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ438DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ4406DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 4.75 mohm a. 10V, 6.7 mohm a. 4.5V | auf Bestellung 11395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ4409DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ450DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.00155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 29970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ450DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs POWRPK N CHAN 45V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ450DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ450DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.00155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00155ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 29970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ450DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ458DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ458DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ458DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ458DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 60A 69.4W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ462ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 0.0057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 4228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ462ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ462ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 60 V | auf Bestellung 4129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ462ADP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ462ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ462ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 39.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 22.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V | auf Bestellung 1268 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8 | auf Bestellung 2669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ462DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ462DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 5790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJ462DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ462DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 46.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJ470DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V | auf Bestellung 1025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ470DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17.4A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ470DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ470DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH | auf Bestellung 10416 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ470DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ478DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A Power dissipation: 62.5W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 150A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ478DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 19826 Stücke: Lieferzeit 704-708 Tag (e) |
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| SIJ478DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A Power dissipation: 62.5W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 150A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ478DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ478DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ478DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJ478DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ478DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ478DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ478DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ4819DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 80-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 20.7 mohm a. 10V, 29.6 mohm a. 4.5V | auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ4819DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ4819DP-T1-GE3 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ482DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ482DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 44373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ482DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ482DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 5490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ482DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ482DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ482DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 | auf Bestellung 2004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ482DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJ484DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ494DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJ494DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0193 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0193ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 14450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiJ494DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJ494DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ494DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 5896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SiJ494DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V | auf Bestellung 5350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ494DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJ494DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ494DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0193 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0193ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 14450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiJ494DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ | auf Bestellung 17087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SiJ494DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJ494DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 5896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJ800DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJ800DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA22DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V | auf Bestellung 5422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA22DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 0.00057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA22DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 25V N-CHANNEL (D-S) | auf Bestellung 12236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA22DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA22DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 65A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA22DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJA22DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 201 A, 0.00057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA52ADP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA52ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V | auf Bestellung 3432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA52ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJA52ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 131 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 48 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 Verlustleistung: 48 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA52ADP-T1-GE3 | VISHAY | SIJA52ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA52ADP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA52ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA52ADP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 378 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA52DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA52DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA52DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 872-876 Tag (e) |
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| SIJA52DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA52DP-T1-GE3 | Vishay | SIJA52DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA52DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA54ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA54ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 6050 Stücke: Lieferzeit 375-379 Tag (e) |
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| SIJA54ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA54ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA54ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 18030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA54ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA54DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 463-467 Tag (e) |
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| SIJA54DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA54DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA54DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA54DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA54DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA54DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA58ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V | auf Bestellung 5785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA58ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 11814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA58ADP-T1-GE3 | VISHAY | SIJA58ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA58ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA58ADP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 32.3A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R | auf Bestellung 5770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJA58ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 11814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA58ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA58DP-T1-GE3 | VISHAY | SIJA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA58DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA58DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA58DP-T1-GE3 | Vishay | N-Channel 40 V (D-S) 175 176C MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA58DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA72ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Verlustleistung: 56.8 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285 Qualifikation: - SVHC: Lead (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA72ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK | auf Bestellung 2772 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA72ADP-T1-GE3 | VISHAY | SIJA72ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA72ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA72ADP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 96 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 56.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 Verlustleistung: 56.8 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00285 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA72ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L | auf Bestellung 26979 Stücke: Lieferzeit 701-705 Tag (e) |
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| SIJA74DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJA74DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 24A T/R | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA74DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET | auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJA74DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V | auf Bestellung 3169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJH112E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 5354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH112E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET | auf Bestellung 6828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJH112E-T1-GE3 | VISHAY | SIJH112E-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH112E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJH112E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 5354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH112E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V | auf Bestellung 4048 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SiJH440E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiJH440E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SiJH440E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Channel 40V PowerPAK 8x8L | auf Bestellung 1997 Stücke: Lieferzeit 358-362 Tag (e) |
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| SIJH5100E-T1-GE3 | Vishay | SIJH5100E-T1-GE3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH5100E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH5100E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJH5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 277 A, 0.0016 ohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 277A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH5100E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8x8L BWL, 1.89 mohm a. 10V 2.14 mohm a. 7.5V | auf Bestellung 3905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJH5100E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 277A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH5100E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJH5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 277 A, 0.0016 ohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 277A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH5100E-T1-GE3 | VISHAY | SIJH5100E-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH5700E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V | auf Bestellung 1862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJH5700E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 17A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH5700E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH5700E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK | auf Bestellung 5460 Stücke: Lieferzeit 800-804 Tag (e) |
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| SIJH5800E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJH5800E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 30A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH5800E-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 302A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 302A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 333W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 155nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH5800E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 970 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 302A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH5800E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET, 1.35 mO 10V 1.58 mO 7.5V | auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJH5800E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V | auf Bestellung 4025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJH5800E-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 302A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 302A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 333W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 155nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH5800E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 970 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 302A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH600E-T1-GE3 | VISHAY | SIJH600E-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH600E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 373A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH600E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJH600E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH600E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJH600E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH600E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 373A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | auf Bestellung 1029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH600E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJH600E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V | auf Bestellung 2114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJH600E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH600E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH600E-T1-GE3-X | Vishay | Vishay | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH800E | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH800E | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH800E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH800E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3388 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH800E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs POWRPK N CHAN 80V | auf Bestellung 4334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJH800E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH800E-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 29A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH800E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 299A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm | auf Bestellung 2949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH800E-T1-GE3 | VISHAY | SIJH800E-T1-GE3 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH800E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 299A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm | auf Bestellung 2949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJH800E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 299A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V | auf Bestellung 2316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJH800E-T1-GE3-X | Vishay | Vishay | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJK140E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V | auf Bestellung 1365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJK140E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | auf Bestellung 961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJK140E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SIJK5100E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIJK5100E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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