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Trans MOSFET N-CH 250V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD07N25-350H_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 25 V

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SQD07N25-350H_GE3

MOSFET N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 7372 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.82 EUR
17+	3.15 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.68 EUR
2000+	1.54 EUR
4000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD07N25-350H_GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD07N25-350H_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 25 V

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SQD100A60S

H3-4

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 5942 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.72 EUR
18+	3.04 EUR
100+	2.37 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.64 EUR
2000+	1.51 EUR
4000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD100N02-3M5L_GE3

Automotive N-Channel 20 V MOSFET

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SQD100N02-3M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.16 EUR
10+	3.72 EUR
100+	2.9 EUR
500+	2.4 EUR
1000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD100N02-3M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V

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SQD100N02_3M5L4GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs TO-252

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SQD100N03-3M2L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD100N033M2L_GE3

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SQD100N03-3M2L_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6316 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

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SQD100N03-3M2L_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD100N03-3M2L_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6316 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

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SQD100N03-3M2L_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD100N03-3M2L_GE3

MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET

auf Bestellung 1484 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.45 EUR
15+	3.69 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.11 EUR
2000+	1.96 EUR
4000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SQD100N03-3M4_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7349 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

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SQD100N03-3M4_GE3

Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET

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SQD100N03-3M4_GE3

MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET

auf Bestellung 1654 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.85 EUR
17+	3.2 EUR
100+	2.54 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	1.81 EUR
2000+	1.69 EUR
4000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD100N03-3M4_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7349 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

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SQD100N04-3M6-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD100N04-3M6L-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SQD100N04-3M6L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD100N04-3M6LGE

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SQD100N04-3M6L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD100N04-3M6L-GE3

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SQD100N04-3m6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

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SQD100N04-3M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD100N04-3m6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

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SQD100N04-3m6L_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 3202 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.74 EUR
17+	3.12 EUR
100+	2.49 EUR
250+	2.29 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.78 EUR
2000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD100N04-3M6_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD100N04-3m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

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SQD100N04-3m6_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 1324 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.72 EUR
17+	3.09 EUR
100+	2.47 EUR
250+	2.28 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.78 EUR
2000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD100N04-3m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

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SQD100N04-3M6_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD100N04_3M6T4GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252

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SQD10950E_GE3

N-Channel MOSFET

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SQD10950E_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V

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SQD10950E_GE3

MOSFET N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 7168 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.48 EUR
19+	2.78 EUR
100+	2.3 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.51 EUR
2000+	1.42 EUR
4000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SQD10950E_GE3

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQD10950E_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V

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SQD10N30-330H_4GE3

Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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SQD10N30-330H_4GE3

MOSFET N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFET

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SQD10N30-330H_4GE3

Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1672 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.8 EUR
10+	3.11 EUR
100+	2.42 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD10N30-330H_GE3

Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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SQD10N30-330H_GE3

Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.275 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 107
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SQD10N30-330H_GE3

Trans MOSFET N-CH 300V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD10N30-330H_GE3

MOSFET N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 4623 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.82 EUR
17+	3.15 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.68 EUR
2000+	1.59 EUR
4000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD10N30-330H_GE3

Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1866 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.8 EUR
10+	3.11 EUR
100+	2.42 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD10N30-330H_GE3

Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.275 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage

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SQD15N06-42L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD15N06-42L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252

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SQD15N06-42L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD15N06-42L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SQD15N06-42L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V

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SQD15N06-42L_GE3

MOSFET 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 4716 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.52 EUR
24+	2.25 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.17 EUR
2000+	1.12 EUR
4000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 21

SQD15N06-42L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V

auf Bestellung 830 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.68 EUR
11+	2.39 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SQD15N06-42L_T4GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQD15N06-42L_T4GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.34 EUR
13+	2.09 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SQD15N06-42L_T4GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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SQD19P06-60L-E3

SQD19P06-60L-E3

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SQD19P06-60L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252

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SQD19P06-60L_GE3

Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 46
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD19P06-60L_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -11A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -11A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SQD19P06-60L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252

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SQD19P06-60L_GE3

MOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 28814 Stücke:

Lieferzeit 443-457 Tag (e)

14+	3.98 EUR
15+	3.56 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	1.81 EUR
2000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD19P06-60L_GE3

Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

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SQD19P06-60L_GE3

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SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD19P06-60L_T4GE3

MOSFET -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 92331 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.03 EUR
15+	3.61 EUR
100+	2.81 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	1.83 EUR
5000+	1.79 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQD19P06-60L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

auf Bestellung 3636 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.29 EUR
10+	3.83 EUR
100+	2.99 EUR
500+	2.47 EUR
1000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD19P06-60L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQD19P06-60L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

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SQD19P06-60L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

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SQD200A40

200A/400V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD200A60

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD200A60

07+;

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD200A60

H4-5

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD200A60

MODULE

auf Bestellung 187 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD200A60

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD200A60

200A/600V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD200AA100

MODULE

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD200AA100(120)

07+;

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD200AA120

MODULE

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD200BA60

MODULE

auf Bestellung 59 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD23N06-31L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD23N06-31L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

Produkt ist nicht verfügbar

SQD23N06-31L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SQD23N06-31L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD23N06-31L_GE3

MOSFET 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 20304 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.85 EUR
17+	3.22 EUR
100+	2.56 EUR
250+	2.44 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.83 EUR
2000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD23N06-31L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V

auf Bestellung 3603 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.93 EUR
10+	3.53 EUR
100+	2.84 EUR
500+	2.33 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD23N06-31L_T4GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252

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SQD25N06-22L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SQD25N06-22L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V

auf Bestellung 3800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.93 EUR
10+	3.21 EUR
100+	2.5 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD25N06-22L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SQD25N06-22L_GE3

Description: VISHAY - SQD25N06-22L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm

auf Bestellung 4470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD25N06-22L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD25N06-22L_GE3

auf Bestellung 4470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD25N06-22L_GE3

MOSFET 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 6736 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.95 EUR
16+	3.25 EUR
100+	2.51 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.74 EUR
2000+	1.67 EUR
4000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD25N06-22L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQD25N06-22L_T4GE3

MOSFET 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 7674 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.64 EUR
18+	2.99 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.97 EUR
1000+	1.61 EUR
2500+	1.47 EUR
5000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SQD25N06-22L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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SQD25N06-35L-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252

Produkt ist nicht verfügbar

SQD25N15-52-T4_GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SQD25N15-52-T4_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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SQD25N15-52_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	4.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD25N15-52_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 107W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced

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SQD25N15-52_GE3

Description: VISHAY - SQD25N15-52_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.038 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 11989 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD25N15-52_GE3

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SQD25N15-52_GE3

MOSFET 150V 25A 136W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 3016 Stücke:

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6+	9.59 EUR
10+	8.63 EUR
100+	7.07 EUR
500+	6.01 EUR
1000+	5.1 EUR
2000+	4.81 EUR
4000+	4.73 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SQD25N15-52_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5814 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	8.79 EUR
10+	7.38 EUR
100+	5.97 EUR
500+	5.31 EUR
1000+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SQD25N15-52_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD25N15-52_GE3

auf Bestellung 11989 Stücke:

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SQD300A(BA)60

MODULE

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SQD300A(BA)60

07+;

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SQD300A40

300A/400V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300A60

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300A60

SANSHA

300A/450V/GTR

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300A60

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300A60

300A/600V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300A60

MODULE

auf Bestellung 692 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300AA100

300A/1000V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300AA100

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300AA100

H3-5

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300AA100

MODULE

auf Bestellung 565 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300AA100(120)

07+;

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300AA100E

H3-5

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300AA100E

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300AA100E

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300AA120

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300AA120

H3-4

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300AA120

MODULE

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300AA120

300A/1200V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300AA160

MODULE

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300BA60

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300BA60

300A/600V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300BA60

MODULE

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SQD300BA60

auf Bestellung 19 Stücke:

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SQD300BA60/400BA/300AA100E

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD300H100

SANSHA

300A/1000V/GTR

auf Bestellung 60 Stücke:

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SQD30N05-20L-GE3

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD30N05-20L_GE3

Description: VISHAY - SQD30N05-20L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm

auf Bestellung 8240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD30N05-20L_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 55V; 30A; Idm: 120A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 50W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke

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SQD30N05-20L_GE3

MOSFET N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 31489 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.82 EUR
17+	3.15 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.68 EUR
2000+	1.55 EUR
4000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD30N05-20L_GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD30N05-20L_GE3

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SQD30N05-20L_GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5643 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.8 EUR
10+	3.11 EUR
100+	2.42 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD30N05-20L_GE3

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD30N05-20L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V

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SQD30N05-20L_T4GE3

MOSFET 55V Vds 20V Vgs TO-252

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SQD35JA140

35A/1400V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD35Ja140(160)

07+;

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD35JA160

35A/1600V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD35N05-26L-GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

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SQD35N05-26L-GE3

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD40020EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

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SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SQD40020EL_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 7973 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.82 EUR
18+	3.02 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.68 EUR
2000+	1.55 EUR
4000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD40020EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00178ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD40020EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

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SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD40020E_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 4264 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.82 EUR
18+	2.96 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.68 EUR
2000+	1.58 EUR
4000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD40020E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SQD40020E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SQD40020E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SQD40020E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SQD40030E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 4-Pin(3+Tab) TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SQD40030E_GE3

MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 1966 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.72 EUR
17+	3.09 EUR
100+	2.47 EUR
250+	2.26 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.76 EUR
2000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD40031EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQD40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SQD40031EL_GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 29730 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.87 EUR
16+	3.46 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2 EUR
2000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD40031EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00263 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00263ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00263ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 3204 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD40031EL_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -94A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	2.2 EUR
37+	1.97 EUR
50+	1.43 EUR
53+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 33

SQD40031EL_GE3

auf Bestellung 1972 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

33+	2.2 EUR
37+	1.97 EUR
50+	1.43 EUR
53+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 33

SQD40031EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQD40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD40052EL_GE3

SQD40052EL-GE3 SMD N channel transistors

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SQD40052EL_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD40052EL_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 1753 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.44 EUR
27+	2 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.07 EUR
2000+	1.01 EUR
4000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 22

SQD40052EL_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

auf Bestellung 5969 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.76 EUR
11+	2.46 EUR
100+	1.92 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SQD40061EL-T4_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.54 EUR
10+	4.6 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3.1 EUR
1000+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SQD40061EL-T4_GE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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SQD40061EL-T4_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQD40061EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1027 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.8 EUR
10+	3.11 EUR
100+	2.42 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD40061EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 107W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 3990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD40061EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 1663 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	2.05 EUR
90+	1.69 EUR
93+	1.57 EUR
97+	1.44 EUR
120+	1.13 EUR
250+	1.07 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 77

SQD40061EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 3990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD40061EL_GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

auf Bestellung 120476 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.8 EUR
17+	3.09 EUR
100+	2.4 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.61 EUR
2000+	1.54 EUR
4000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD40081EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm

auf Bestellung 5525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.73 EUR
106+	1.43 EUR
130+	1.12 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 91

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 1850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.65 EUR
97+	1.56 EUR
99+	1.47 EUR
126+	1.11 EUR
250+	1.06 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 95

SQD40081EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7396 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.15 EUR
11+	2.56 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 9999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

98+	1.59 EUR
115+	1.32 EUR
141+	1.04 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 98

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 1850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	1.98 EUR
95+	1.59 EUR
97+	1.5 EUR
99+	1.41 EUR
126+	1.07 EUR
250+	1.01 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 80

SQD40081EL_GE3

MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

auf Bestellung 21875 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.12 EUR
21+	2.59 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.72 EUR
1000+	1.4 EUR
2000+	1.32 EUR
4000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQD40081EL_GE3

auf Bestellung 5729 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SQD40081EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	1.29 EUR
6000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 28000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	1.36 EUR
6000+	1.2 EUR
12000+	1.08 EUR
18000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD40081EL_GE3 транзистор
Produktcode: 196931

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SQD400A60

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400A60N

H3-4

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400A60S

H3-4

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400A60S

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400A60S

MODULE

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400AA-120

MODULE

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400AA100

MODULE

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400AA100

H4-7

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400AA100

400A/1000V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400AA100(120)

07+;

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400AA120

400A/1200V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400AA120

MODULE

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400BA60

07+;

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400BA60

H3-4

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400BA60

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400BA60

400A/600V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD400BA60

MODULE

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD40131EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD40131EL_GE3

MOSFET -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 71834 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.15 EUR
22+	2.47 EUR
100+	2 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.38 EUR
2000+	1.25 EUR
4000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQD40131EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40131EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm

auf Bestellung 11938 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SQD40131EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4515 Stücke:

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9+	3.12 EUR
11+	2.55 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD40131EL_GE3

auf Bestellung 11938 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD40131EL_GE3

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 929 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.78 EUR
104+	1.45 EUR
105+	1.39 EUR
106+	1.32 EUR
142+	0.95 EUR
250+	0.9 EUR
500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 88

SQD40N04-10A-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V 42A TO252

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SQD40N04-10A-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD40N04-10A-GE3

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD40N06-14L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252

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SQD40N06-14L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive

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SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SQD40N06-14L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	1.77 EUR
6000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive

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SQD40N06-14L_GE3

MOSFET 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 54618 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.98 EUR
16+	3.28 EUR
100+	2.63 EUR
250+	2.49 EUR
500+	2.19 EUR
1000+	1.88 EUR
2000+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD40N06-14L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V

auf Bestellung 6112 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.93 EUR
10+	3.27 EUR
100+	2.6 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD40N06-14L_T4GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252

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SQD40N06-14L_T4GE3

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SQD40N06-25L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQD40N10-25-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252

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SQD40N10-25-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD40N10-25_GE3

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SQD40N10-25-T4_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD70140EL_GE3

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SQD40N10-25-T4_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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SQD40N10-25_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD70140EL_GE3

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.79 EUR
10+	12.45 EUR
25+	12.27 EUR
100+	10.06 EUR
250+	9.91 EUR
500+	8.94 EUR
1000+	7.67 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SQD40N10-25_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	7.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD40N10-25_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SQD40N10-25_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252

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SQD40N10-25_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V

auf Bestellung 3414 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.69 EUR
10+	12.34 EUR
100+	9.99 EUR
500+	8.88 EUR
1000+	7.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SQD40N10-25_GE3
Produktcode: 200347

Transistoren > MOSFET N-CH

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SQD40P10-40L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD40P10-40L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA

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SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD40P10-40L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA

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SQD40P10-40L_GE3
Produktcode: 179445

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SQD40P10-40L_GE3

MOSFET -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 71 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	7.49 EUR
10+	6.76 EUR
25+	6.37 EUR
100+	5.43 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 1930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.65 EUR
51+	2.87 EUR
100+	2.19 EUR
250+	2.02 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 43

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD45N05-20L-GE3

Trans MOSFET N-CH 50V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD45N05-20L-GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

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SQD45P03-12-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SQD45P03-12-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

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SQD45P03-12_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -37A; 23W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -37A
Power dissipation: 23W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55.3nC
Kind of channel: enhanced

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SQD45P03-12_GE3

MOSFET 30V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 24471 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.13 EUR
14+	3.74 EUR
100+	2.99 EUR
500+	2.48 EUR
1000+	2.04 EUR
2000+	1.94 EUR
24000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQD45P03-12_GE3

Description: VISHAY - SQD45P03-12_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm

auf Bestellung 4010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD45P03-12_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V

auf Bestellung 16284 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.6 EUR
10+	4.14 EUR
100+	3.33 EUR
500+	2.73 EUR
1000+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SQD45P03-12_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQD45P03-12_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V

auf Bestellung 14000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	2.11 EUR
6000+	2.03 EUR
10000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD45P03-12_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50034E

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50034E

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

auf Bestellung 1998 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

156+	0.89 EUR
157+	0.86 EUR
250+	0.82 EUR
500+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 156

SQD50034EL_GE3

N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50034EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50034EL_GE3

Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

auf Bestellung 5050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD50034EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1175 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.77 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.51 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD50034EL_GE3

N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50034EL_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 2529 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.85 EUR
17+	3.2 EUR
100+	2.54 EUR
250+	2.35 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.83 EUR
2000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD50034EL_GE3

Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

auf Bestellung 5050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD50034E_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50034E_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50034E_GE3

MOSFET Nch 60V Vds 20V Vgs TO-252

auf Bestellung 11900 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.08 EUR
15+	3.67 EUR
100+	2.86 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	1.86 EUR
2000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQD50034E_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA

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SQD50A100

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SQD50A90

MODULE

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SQD50A90

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD50AA100

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SQD50AB100

07+;

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SQD50AB100

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SQD50AB100

50A/1000V/GTR/1U

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SQD50AB100

MODULE

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SQD50AB90

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SQD50B90

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SQD50BB90

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SQD50BB90

MODULE

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SQD50BB90

J3-1

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SQD50CB100

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SQD50N02-04-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD50N02-04-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252

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SQD50N03-06P-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

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SQD50N03-06P-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD50N03-09-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD50N03-09-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

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SQD50N03-3M1L-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

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SQD50N03-4M0L-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD50N04-09H-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N04-09H-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 25 V

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SQD50N04-3M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD50N04-4M5L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N04-4M5L_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD100N04-3M6LGE

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SQD50N04-4M5L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 4043 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD50N04-4M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SQD50N04-4M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N04-4M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SQD50N04-4M5L_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of channel: enhanced

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SQD50N04-4M5L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 4043 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD50N04-4M5L_GE3

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SQD50N04-5M6-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3

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SQD50N04-5M6-GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET

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SQD50N04-5M6-T4GE3

P-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101

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SQD50N04-5M6-T4GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6T4GE

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SQD50N04-5M6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 343 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.07 EUR
11+	2.51 EUR
100+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 1962 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD50N04-5M6L_GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N04-5M6L_GE3

Automotive AEC-Q101 N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N04-5M6L_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 19997 Stücke:

Lieferzeit 144-158 Tag (e)

17+	3.09 EUR
21+	2.54 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.36 EUR
2000+	1.27 EUR
4000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQD50N04-5M6L_GE3

auf Bestellung 1962 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD50N04-5M6_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD50N04-5m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N04-5m6_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 1949 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.87 EUR
17+	3.22 EUR
100+	2.56 EUR
250+	2.35 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.83 EUR
2000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD50N04-5M6_GE3

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD50N04-5m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N04-5m6_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 40801 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.59 EUR
5000+	1.52 EUR
12500+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQD50N04-5m6_T4GE3

MOSFET 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 4165 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.87 EUR
17+	3.2 EUR
100+	2.49 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.71 EUR
2500+	1.57 EUR
5000+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD50N04-5m6_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 42117 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.85 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.45 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD50N04_4M5LT4GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N04_4M5LT4GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N05-11L-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 32A; 75W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 32A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.6nC
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N05-11L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N05-11L_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N05-11L-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N05-11L-GE3

Trans MOSFET N-CH 50V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N05-11L_GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N05-11L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N05-11L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 75
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 3913 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD50N05-11L_GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V

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SQD50N05-11L_GE3

MOSFET 50V 50A 75W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 7938 Stücke:

Lieferzeit 310-324 Tag (e)

14+	3.98 EUR
16+	3.41 EUR
100+	2.73 EUR
250+	2.63 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	1.91 EUR
2000+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD50N06-07L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N06-07L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

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SQD50N06-09L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SQD50N06-09L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD50N06-09L_GE3

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SQD50N06-09L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N06-09L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	5.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD50N06-09L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD50N06-09L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V

auf Bestellung 4395 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.6 EUR
10+	9.73 EUR
100+	7.87 EUR
500+	7 EUR
1000+	5.99 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SQD50N06-09L_GE3

MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 41782 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.28 EUR
10+	9.52 EUR
25+	9.18 EUR
100+	7.72 EUR
250+	7.44 EUR
500+	7.05 EUR
1000+	6.06 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SQD50N06-15L-GE3

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

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SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

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SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N10-8m9L_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	1.83 EUR
6000+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD50N10-8m9L_GE3

MOSFET 100V 50A 45watt AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 22780 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.06 EUR
16+	3.38 EUR
100+	2.68 EUR
250+	2.47 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	1.93 EUR
2000+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SQD50N10-8M9L_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50N10-8m9L_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7894 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.06 EUR
10+	3.36 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.27 EUR
1000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD50P03-07-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P03-07_GE3

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SQD50P03-07-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 25 V

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SQD50P03-07-T4_GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs TO-252

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SQD50P03-07_GE3

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SQD50P03-07_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P03-07_GE3

Description: VISHAY - SQD50P03-07_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 136
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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SQD50P03-07_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 4391 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.47 EUR
10+	5.8 EUR
100+	4.68 EUR
500+	3.85 EUR
1000+	3.17 EUR
2000+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SQD50P03-07_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P03-07_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 25 V

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SQD50P03-07_GE3

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SQD50P04-09L-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252

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SQD50P04-09L-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P04-09L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P04-09L_GE3

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SQD50P04-09L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SQD50P04-09L_GE3

MOSFET 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 25662 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.94 EUR
10+	6.24 EUR
100+	5.12 EUR
500+	4.34 EUR
1000+	3.67 EUR
2000+	3.48 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SQD50P04-09L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

auf Bestellung 10963 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.66 EUR
10+	5.58 EUR
100+	4.51 EUR
500+	4.01 EUR
1000+	3.44 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SQD50P04-09L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	3.24 EUR
6000+	3.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD50P04-09L_T4GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P04-09L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P04-09L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P04-13L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P04-13L_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P04-13L-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	2.62 EUR
4000+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD50P04-13L_GE3
Produktcode: 185273

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SQD50P04-13L_GE3

MOSFET 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 14048 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.81 EUR
10+	6.24 EUR
100+	5.12 EUR
500+	4.34 EUR
1000+	3.67 EUR
2000+	3.48 EUR
24000+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SQD50P04-13L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	2.62 EUR
4000+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 16000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	3.96 EUR
4000+	3.51 EUR
8000+	3.16 EUR
12000+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD50P04-13L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.28 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P04-13L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 25 V

auf Bestellung 5053 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.67 EUR
10+	3 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.97 EUR
1000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SQD50P04-13L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQD50P04-13L_T4GE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 54190 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.38 EUR
19+	2.78 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.5 EUR
2500+	1.41 EUR
5000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SQD50P06-15L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD50P06-15L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P06-15L_GE3

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SQD50P06-15L_GE3

MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 15178 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.76 EUR
10+	5.69 EUR
25+	5.51 EUR
100+	4.6 EUR
250+	4.47 EUR
500+	4.08 EUR
1000+	3.51 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SQD50P06-15L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V

auf Bestellung 5359 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.66 EUR
10+	5.58 EUR
100+	4.51 EUR
500+	4.01 EUR
1000+	3.44 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD50P06-15L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD50P06-15L_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke

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SQD50P06-15L_GE3

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SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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SQD50P06-15L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V

auf Bestellung 4680 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.8 EUR
10+	3.11 EUR
100+	2.42 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SQD50P06-15L_T4GE3

Automotive P Channel 60 V D S 175 Degree MOSFET

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SQD50P06-15L_T4GE3

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

auf Bestellung 28889 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.82 EUR
17+	3.15 EUR
100+	2.47 EUR
2500+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD50P06-15L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

SQD50P08-25L

Транз. Пол. БМ TO-252-3 MOSFET P-channel 80 V; 50 A; Pmax=136 W AEC-Q101

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	11.9 EUR
10+	11.16 EUR

SQD50P08-25L_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V

auf Bestellung 17000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	2.95 EUR
6000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD50P08-25L_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SQD50P08-25L_GE3

MOSFET 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 15906 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SQD50P08-25L_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V

auf Bestellung 18062 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.53 EUR
10+	5.44 EUR
100+	4.33 EUR
500+	3.66 EUR
1000+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SQD50P08-28-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

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SQD50P08-28-T4_GE3

MOSFET -80V Vds 20V Vgs TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P08-28_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7004 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.37 EUR
10+	5.29 EUR
100+	4.21 EUR
500+	3.56 EUR
1000+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SQD50P08-28_GE3

MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 14881 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

SQD50P08-28_GE3

Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 136
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P08-28_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 48A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SQD50P08-28_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	2.87 EUR
6000+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

SQD50P08-28_GE3

SQD50P08-28-GE3 SMD P channel transistors

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SQD65BA78

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD65BB75

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD65BB75

65A/750V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD65BB75

SANSHA

65A/400V/GTR

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD65BB75

07+;

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD65BB75

H3-8

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD70140EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SQD70140EL_GE3

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 19750 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.2 EUR
19+	2.86 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SQD70140EL_GE3

Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1584 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SQD70140EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SQD70140EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

auf Bestellung 128 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	1.51 EUR
120+	1.26 EUR
122+	1.19 EUR
123+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 104

SQD70140EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SQD70AB90

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD70BB90

07+;

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD70BB90

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD70BB90

70A/900V/GTR/1U

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SQD90P04-9M4L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD90P04-9M4L_GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SQD90P04-9m4L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 951 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	6.37 EUR
10+	5.29 EUR
100+	4.21 EUR
500+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SQD90P04-9m4L_GE3

MOSFET P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 10339 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.4 EUR
10+	5.36 EUR
100+	4.26 EUR
250+	3.93 EUR
500+	3.59 EUR
1000+	3.04 EUR
2000+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SQD90P04-9m4L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQD90P04-9M4L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

Produkt ist nicht verfügbar

SQD90P04_9M4LT4GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs TO-252

Produkt ist nicht verfügbar

SQD97N06-6m3L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

SQD97N06-6m3L_GE3

MOSFET 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 76552 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.87 EUR
17+	3.22 EUR
100+	2.56 EUR
250+	2.36 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	1.84 EUR
2000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SQD97N06-6M3L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 97A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SQD97N06-6m3L_GE3