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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MMBD4148CA MMBD4148CA ONSEMI mmbd4148se-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 4pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
463+0.15 EUR
500+0.14 EUR
543+0.13 EUR
670+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD4148CC MMBD4148CC ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DDFC1EA3DE4745&compId=MMBD4148.pdf?ci_sign=678a4b0ec83976d1c367c3d46bde72e8144308c5 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Max. forward impulse current: 2A
Capacitance: 4pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
496+0.14 EUR
662+0.11 EUR
751+0.095 EUR
1125+0.063 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD4148se MMBD4148se ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DDFC1EA3DE4745&compId=MMBD4148.pdf?ci_sign=678a4b0ec83976d1c367c3d46bde72e8144308c5 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Max. forward impulse current: 2A
Capacitance: 4pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3586 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
596+0.12 EUR
713+0.1 EUR
779+0.092 EUR
887+0.081 EUR
1254+0.057 EUR
1327+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD452LT1G ONSEMI mmbd452lt1-d.pdf MMBD452LT1G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD6050LT1G ONSEMI mmbd6050lt1-d.pdf MMBD6050LT1G SMD universal diodes
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
577+0.12 EUR
2400+0.03 EUR
6000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 577
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD6100LT1G ONSEMI mmbd6100lt1-d.pdf MMBD6100LT1G SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD7000LT1G MMBD7000LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE581BE26AEC4EB2469&compId=MMBD7000LT1G.PDF?ci_sign=bfb8c43a3ff6a4faf2948d9e7eb7b6cf1be95216 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; SOT23; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
633+0.11 EUR
977+0.073 EUR
1197+0.06 EUR
1859+0.038 EUR
2841+0.025 EUR
3013+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD701LT1G ONSEMI mbd701-d.pdf MMBD701LT1G SMD Schottky diodes
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
251+0.29 EUR
940+0.076 EUR
1480+0.048 EUR
1563+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 251
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD717LT1G ONSEMI mmbd717lt1-d.pdf MMBD717LT1G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD770T1G ONSEMI mmbd330t1-d.pdf MMBD770T1G SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD914LT1G MMBD914LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C052121529D5F1A6F5005056AB5A8F&compId=mmbd914.pdf?ci_sign=98cd543f982ef3c966ca2b8fcb83512c5fc2d701 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 75ns; SOT23; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
807+0.089 EUR
944+0.076 EUR
1316+0.054 EUR
1520+0.047 EUR
2119+0.034 EUR
2959+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF0201NLT1G ONSEMI mmbf0201nlt1-d.pdf MMBF0201NLT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF170 MMBF170 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
371+0.19 EUR
538+0.13 EUR
631+0.11 EUR
1021+0.07 EUR
1080+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF170LT1G MMBF170LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C152FCE66C469&compId=MMBF170LT1G.PDF?ci_sign=290e0833eccb810af42552b67dc826a51f4ea9ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
358+0.2 EUR
455+0.16 EUR
768+0.093 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF2201NT1G ONSEMI mmbf2201nt1-d.pdf MMBF2201NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.48 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4117 MMBF4117 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DE02A25F42A745&compId=MMBF4117.pdf?ci_sign=3bb5c012db86a7001291d0c0c7bfb7fd9e16a784 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30uA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Type of transistor: N-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 30µA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
152+0.47 EUR
191+0.37 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G ONSEMI mmbf4391lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 30Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
182+0.39 EUR
230+0.31 EUR
274+0.26 EUR
334+0.21 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4392LT1G MMBF4392LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689B8D28E1CE745&compId=MMBF439xLT1.PDF?ci_sign=ee00da10a1c6654780e2d83851268130cd56277b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -30V
Drain current: 25mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 60Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
230+0.31 EUR
305+0.23 EUR
345+0.21 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
1500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4393LT1G ONSEMI mmbf4391lt1-d.pdf MMBF4393LT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4416 ONSEMI MMBF4416.pdf MMBF4416 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4416A ONSEMI MMBF4416A.pdf MMBF4416A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5103 MMBF5103 ONSEMI mmbf5103-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 10mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
241+0.3 EUR
295+0.24 EUR
397+0.18 EUR
486+0.15 EUR
511+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5457 ONSEMI 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 3mA; 0.35W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 3mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
300+0.24 EUR
388+0.18 EUR
410+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5484 ONSEMI mmbf5486-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
468+0.15 EUR
500+0.14 EUR
603+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5485 ONSEMI mmbf5486-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 4mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 4mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
459+0.16 EUR
491+0.15 EUR
589+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5486 ONSEMI mmbf5486-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 8mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 12000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ108 MMBFJ108 ONSEMI j109-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 80mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 8Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
167+0.43 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ110 MMBFJ110 ONSEMI mmbfj110-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 18Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ111 MMBFJ111 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
184+0.39 EUR
252+0.28 EUR
417+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ112 MMBFJ112 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 50Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
225+0.32 EUR
290+0.25 EUR
350+0.2 EUR
417+0.17 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ113 MMBFJ113 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
240+0.3 EUR
298+0.24 EUR
353+0.2 EUR
410+0.17 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8EA3080E7AA1A0C4&compId=MMBFJ175LT1G.pdf?ci_sign=c43f2629a959c94cce3bfd9fe0aee42b69a3c38e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Polarisation: unipolar
Drain current: 7mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3090 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ176 MMBFJ176 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A9B12C0BFE9CBE27&compId=MMBFJ17X-DTE.pdf?ci_sign=7faeb449ab6ec932f48342f39e9dacba4889197f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C22263F6A8469&compId=MMBFJ177LT1G.PDF?ci_sign=82d0d4ff802757fcb2283fae660f98b9761c0aaf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ201 MMBFJ201 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA92B29A02979EE0C4&compId=MMBFJ201_MMBFJ202.pdf?ci_sign=a5a7a499f90f52db1758480a969ed6234bfc0d50 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Type of transistor: N-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 200µA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ202 MMBFJ202 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA92B29A02979EE0C4&compId=MMBFJ201_MMBFJ202.pdf?ci_sign=a5a7a499f90f52db1758480a969ed6234bfc0d50 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 900uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 900µA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ270 MMBFJ270 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A9B1701B2CC77E27&compId=MMBFJ270-DTE.pdf?ci_sign=4f92c244f51728701677d48f3336f29f6cfc3019 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C24956FDB4469&compId=MMBFJ309LT1G.PDF?ci_sign=80a55220c615e4b405c44ca4e48ed82acbfe6045 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
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auf Bestellung 3759 Stücke:
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228+0.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ310LT1G
+1
 		MMBFJ310LT1G ONSEMI mmbfj309lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
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auf Bestellung 2754 Stücke:
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132+0.54 EUR
226+0.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFU310LT1G ONSEMI mmbfu310lt1-d.pdf MMBFU310LT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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auf Bestellung 10373 Stücke:
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556+0.13 EUR
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2305+0.031 EUR
2552+0.028 EUR
5209+0.014 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7E8C047480C7&compId=MMBT2222ATT1G.PDF?ci_sign=468f837cfbcf448a06c6516e77b2adfdcd2f2cce Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9DE0C14E190143&compId=MMBT2222AWT1G.pdf?ci_sign=1309ef5d9c266313b6366cd4fd67d918c9674f9c description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
556+0.13 EUR
650+0.11 EUR
1021+0.07 EUR
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1458+0.049 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222AWT3G MMBT2222AWT3G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9DE0C14E190143&compId=MMBT2222AWT1G.pdf?ci_sign=1309ef5d9c266313b6366cd4fd67d918c9674f9c Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
747+0.096 EUR
1283+0.056 EUR
1825+0.039 EUR
3165+0.023 EUR
3341+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.24 EUR
470+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2369LT1G ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf description MMBT2369LT1G NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G ONSEMI mmbt2484lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 60V
Type of transistor: NPN
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.46 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
443+0.16 EUR
1217+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD1502B127E6469&compId=MMBT2907ALT1G.PDF?ci_sign=7bfa24abae00fcccb600eee7618fe66cba17f07d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1163+0.061 EUR
1786+0.04 EUR
2809+0.025 EUR
3312+0.022 EUR
3677+0.019 EUR
4033+0.018 EUR
4099+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ONSEMI mmbt2907alt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ONSEMI mmbt2907awt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
532+0.13 EUR
610+0.12 EUR
893+0.08 EUR
1055+0.068 EUR
1539+0.046 EUR
2085+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1G MMBT3904LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C1EAEDB3C020CE&compId=MMBT3904L.PDF?ci_sign=37cf926815c13c4db3da525638d3091e5ea987f7 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
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Power dissipation: 0.225W
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21937 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
770+0.093 EUR
1169+0.061 EUR
1405+0.051 EUR
2093+0.034 EUR
2451+0.029 EUR
5000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ONSEMI mmbt3904lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Current gain: 100...300
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Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G ONSEMI mmbt3904wt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD1552907C16469&compId=MMBT3906LT1G.PDF?ci_sign=e1227555734e612d71076dfc629a08aa2c7ea9f0 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
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Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
881+0.081 EUR
1283+0.056 EUR
1954+0.037 EUR
2326+0.031 EUR
3206+0.022 EUR
3522+0.02 EUR
4386+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 881
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ONSEMI mmbt3906lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G ONSEMI mmbt3904wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
747+0.096 EUR
1083+0.066 EUR
1283+0.056 EUR
1866+0.038 EUR
2344+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT4124LT1G MMBT4124LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BC400A5A6C5820&compId=MMBT4124LT1G.pdf?ci_sign=fbe436d8694daabc07514c4c6e78047430a78b04 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 120...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G ONSEMI mmbt4401lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD4148CA mmbd4148se-d.pdf
MMBD4148CA
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 4pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
463+0.15 EUR
500+0.14 EUR
543+0.13 EUR
670+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD4148CC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DDFC1EA3DE4745&compId=MMBD4148.pdf?ci_sign=678a4b0ec83976d1c367c3d46bde72e8144308c5
MMBD4148CC
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Max. forward impulse current: 2A
Capacitance: 4pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
496+0.14 EUR
662+0.11 EUR
751+0.095 EUR
1125+0.063 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD4148se pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DDFC1EA3DE4745&compId=MMBD4148.pdf?ci_sign=678a4b0ec83976d1c367c3d46bde72e8144308c5
MMBD4148se
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Max. forward impulse current: 2A
Capacitance: 4pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3586 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
596+0.12 EUR
713+0.1 EUR
779+0.092 EUR
887+0.081 EUR
1254+0.057 EUR
1327+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD452LT1G mmbd452lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBD452LT1G SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD6050LT1G mmbd6050lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBD6050LT1G SMD universal diodes
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
577+0.12 EUR
2400+0.03 EUR
6000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 577
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD6100LT1G mmbd6100lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBD6100LT1G SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD7000LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE581BE26AEC4EB2469&compId=MMBD7000LT1G.PDF?ci_sign=bfb8c43a3ff6a4faf2948d9e7eb7b6cf1be95216
MMBD7000LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; SOT23; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
633+0.11 EUR
977+0.073 EUR
1197+0.06 EUR
1859+0.038 EUR
2841+0.025 EUR
3013+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD701LT1G mbd701-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBD701LT1G SMD Schottky diodes
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
251+0.29 EUR
940+0.076 EUR
1480+0.048 EUR
1563+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 251
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD717LT1G mmbd717lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBD717LT1G SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD770T1G mmbd330t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBD770T1G SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD914LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C052121529D5F1A6F5005056AB5A8F&compId=mmbd914.pdf?ci_sign=98cd543f982ef3c966ca2b8fcb83512c5fc2d701
MMBD914LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 75ns; SOT23; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
807+0.089 EUR
944+0.076 EUR
1316+0.054 EUR
1520+0.047 EUR
2119+0.034 EUR
2959+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF0201NLT1G mmbf0201nlt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBF0201NLT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
MMBF170
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
371+0.19 EUR
538+0.13 EUR
631+0.11 EUR
1021+0.07 EUR
1080+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF170LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C152FCE66C469&compId=MMBF170LT1G.PDF?ci_sign=290e0833eccb810af42552b67dc826a51f4ea9ab
MMBF170LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
358+0.2 EUR
455+0.16 EUR
768+0.093 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF2201NT1G mmbf2201nt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBF2201NT1G SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.48 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4117 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DE02A25F42A745&compId=MMBF4117.pdf?ci_sign=3bb5c012db86a7001291d0c0c7bfb7fd9e16a784
MMBF4117
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30uA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Type of transistor: N-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 30µA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
152+0.47 EUR
191+0.37 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4391LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
MMBF4391LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 30Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
182+0.39 EUR
230+0.31 EUR
274+0.26 EUR
334+0.21 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4392LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689B8D28E1CE745&compId=MMBF439xLT1.PDF?ci_sign=ee00da10a1c6654780e2d83851268130cd56277b
MMBF4392LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -30V
Drain current: 25mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 60Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
230+0.31 EUR
305+0.23 EUR
345+0.21 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
1500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4393LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBF4393LT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4416 MMBF4416.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBF4416 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4416A MMBF4416A.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBF4416A SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5103 mmbf5103-d.pdf
MMBF5103
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 10mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
241+0.3 EUR
295+0.24 EUR
397+0.18 EUR
486+0.15 EUR
511+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5457 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 3mA; 0.35W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 3mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
300+0.24 EUR
388+0.18 EUR
410+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5484 mmbf5486-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
468+0.15 EUR
500+0.14 EUR
603+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5485 mmbf5486-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 4mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 4mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
459+0.16 EUR
491+0.15 EUR
589+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5486 mmbf5486-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 8mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 12000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ108 j109-d.pdf
MMBFJ108
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 80mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 8Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
167+0.43 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ110 mmbfj110-d.pdf
MMBFJ110
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 18Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ111 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b
MMBFJ111
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
184+0.39 EUR
252+0.28 EUR
417+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ112 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b
MMBFJ112
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 50Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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350+0.2 EUR
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562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ113 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b
MMBFJ113
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
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353+0.2 EUR
410+0.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ175LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8EA3080E7AA1A0C4&compId=MMBFJ175LT1G.pdf?ci_sign=c43f2629a959c94cce3bfd9fe0aee42b69a3c38e
MMBFJ175LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Polarisation: unipolar
Drain current: 7mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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136+0.53 EUR
194+0.37 EUR
256+0.28 EUR
319+0.22 EUR
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575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ176 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A9B12C0BFE9CBE27&compId=MMBFJ17X-DTE.pdf?ci_sign=7faeb449ab6ec932f48342f39e9dacba4889197f
MMBFJ176
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C22263F6A8469&compId=MMBFJ177LT1G.PDF?ci_sign=82d0d4ff802757fcb2283fae660f98b9761c0aaf
MMBFJ177LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5350 Stücke:
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179+0.4 EUR
222+0.32 EUR
250+0.29 EUR
334+0.21 EUR
379+0.19 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ201 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA92B29A02979EE0C4&compId=MMBFJ201_MMBFJ202.pdf?ci_sign=a5a7a499f90f52db1758480a969ed6234bfc0d50
MMBFJ201
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Type of transistor: N-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 200µA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1275 Stücke:
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152+0.47 EUR
188+0.38 EUR
253+0.28 EUR
290+0.25 EUR
327+0.22 EUR
463+0.15 EUR
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MMBFJ202 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA92B29A02979EE0C4&compId=MMBFJ201_MMBFJ202.pdf?ci_sign=a5a7a499f90f52db1758480a969ed6234bfc0d50
MMBFJ202
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 900uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 900µA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
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506+0.14 EUR
532+0.13 EUR
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MMBFJ270 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A9B1701B2CC77E27&compId=MMBFJ270-DTE.pdf?ci_sign=4f92c244f51728701677d48f3336f29f6cfc3019
MMBFJ270
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 237 Stücke:
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139+0.52 EUR
191+0.37 EUR
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MMBFJ309LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C24956FDB4469&compId=MMBFJ309LT1G.PDF?ci_sign=80a55220c615e4b405c44ca4e48ed82acbfe6045
MMBFJ309LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3759 Stücke:
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228+0.31 EUR
281+0.25 EUR
315+0.23 EUR
368+0.19 EUR
410+0.17 EUR
451+0.16 EUR
582+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ310LT1G mmbfj309lt1-d.pdf
MMBFJ310LT1G
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2754 Stücke:
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132+0.54 EUR
226+0.32 EUR
275+0.26 EUR
363+0.2 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFU310LT1G mmbfu310lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBFU310LT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10373 Stücke:
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556+0.13 EUR
1220+0.059 EUR
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2305+0.031 EUR
2552+0.028 EUR
5209+0.014 EUR
5495+0.013 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134
MMBT2222ALT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ATT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7E8C047480C7&compId=MMBT2222ATT1G.PDF?ci_sign=468f837cfbcf448a06c6516e77b2adfdcd2f2cce
MMBT2222ATT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222AWT1G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9DE0C14E190143&compId=MMBT2222AWT1G.pdf?ci_sign=1309ef5d9c266313b6366cd4fd67d918c9674f9c
MMBT2222AWT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
556+0.13 EUR
650+0.11 EUR
1021+0.07 EUR
1257+0.057 EUR
1458+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222AWT3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9DE0C14E190143&compId=MMBT2222AWT1G.pdf?ci_sign=1309ef5d9c266313b6366cd4fd67d918c9674f9c
MMBT2222AWT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134
MMBT2222LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
747+0.096 EUR
1283+0.056 EUR
1825+0.039 EUR
3165+0.023 EUR
3341+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1-d.pdf
MMBT2369ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.24 EUR
470+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2369LT1G description mmbt2369lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBT2369LT1G NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2484LT1G mmbt2484lt1-d.pdf
MMBT2484LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 60V
Type of transistor: NPN
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.46 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
443+0.16 EUR
1217+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD1502B127E6469&compId=MMBT2907ALT1G.PDF?ci_sign=7bfa24abae00fcccb600eee7618fe66cba17f07d
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1163+0.061 EUR
1786+0.04 EUR
2809+0.025 EUR
3312+0.022 EUR
3677+0.019 EUR
4033+0.018 EUR
4099+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
532+0.13 EUR
610+0.12 EUR
893+0.08 EUR
1055+0.068 EUR
1539+0.046 EUR
2085+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C1EAEDB3C020CE&compId=MMBT3904L.PDF?ci_sign=37cf926815c13c4db3da525638d3091e5ea987f7
MMBT3904LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21937 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
770+0.093 EUR
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1405+0.051 EUR
2093+0.034 EUR
2451+0.029 EUR
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Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT3G mmbt3904lt1-d.pdf
MMBT3904LT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
MMBT3904WT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD1552907C16469&compId=MMBT3906LT1G.PDF?ci_sign=e1227555734e612d71076dfc629a08aa2c7ea9f0
MMBT3906LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7487 Stücke:
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Anzahl Preis
881+0.081 EUR
1283+0.056 EUR
1954+0.037 EUR
2326+0.031 EUR
3206+0.022 EUR
3522+0.02 EUR
4386+0.016 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT3G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
MMBT3906WT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2344 Stücke:
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500+0.14 EUR
747+0.096 EUR
1083+0.066 EUR
1283+0.056 EUR
1866+0.038 EUR
2344+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT4124LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BC400A5A6C5820&compId=MMBT4124LT1G.pdf?ci_sign=fbe436d8694daabc07514c4c6e78047430a78b04
MMBT4124LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 120...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT4401LT1G mmbt4401lt1-d.pdf
MMBT4401LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
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