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PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.93 EUR
17+4.35 EUR
25+3.92 EUR
100+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 NEXPERIA PSMN009-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.85 EUR
16+4.5 EUR
17+4.28 EUR
50+3.85 EUR
100+3.59 EUR
250+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 NEXPERIA PSMN009-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.85 EUR
16+4.5 EUR
17+4.28 EUR
50+3.85 EUR
100+3.59 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 NXP Semiconductors PSMN009-100P.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 291 Stücke:
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129+4.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-100YSFX PSMN011-100YSFX Nexperia psmn011-100ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 79.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 43500 Stücke:
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253+2.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60HLX PSMN011-60HLX Nexperia PSMN011-60HL.pdf MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 35A
auf Bestellung 1771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.98 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.4 EUR
68+1.07 EUR
79+0.91 EUR
101+0.71 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115 PSMN011-80YS,115 Nexperia PSMN011-80YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 80V 67A
auf Bestellung 13042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
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100+1.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808167AEDA0DA259&compId=PSMN012-100YS.pdf?ci_sign=6cfca4751690a5844026e54e13f9643cb722a6e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.07 EUR
32+2.29 EUR
100+1.6 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60HLX PSMN012-60HLX Nexperia MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
auf Bestellung 1124 Stücke:
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1+3.13 EUR
10+2.34 EUR
100+1.65 EUR
500+1.44 EUR
1500+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60HLX PSMN012-60HLX Nexperia psmn012-60hl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.28 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia PSMN012-60YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 59A
auf Bestellung 17463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
100+0.91 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS,127 NEXPERIA PSMN012-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.46 EUR
52+1.4 EUR
57+1.26 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS,127 NEXPERIA PSMN012-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
52+1.4 EUR
57+1.26 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
250+1.13 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808146A1BEE3E259&compId=PSMN013-100BS.pdf?ci_sign=1f0c2bc713900b33e56b048a7cf0da6713a9a3e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.49 EUR
32+2.25 EUR
35+2.09 EUR
100+1.99 EUR
500+1.79 EUR
800+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808146A1BEE3E259&compId=PSMN013-100BS.pdf?ci_sign=1f0c2bc713900b33e56b048a7cf0da6713a9a3e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
32+2.25 EUR
35+2.09 EUR
100+1.99 EUR
500+1.79 EUR
800+1.67 EUR
1600+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100ES,127 NXP Semiconductors PSMN013-100ES.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.33 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 233
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100ES,127 NXP Semiconductors PSMN013-100ES.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.33 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 233
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100PS,127 NXP Semiconductors PSMN013-100PS.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+2.91 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 187
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+0.76 EUR
105+0.68 EUR
113+0.63 EUR
159+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
105+0.68 EUR
113+0.63 EUR
159+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780816B9D38EB6259&compId=PSMN013-30YLC.pdf?ci_sign=dc28ec1f13a845fe20f8ee80904e43ccff6023a3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
87+0.83 EUR
96+0.75 EUR
142+0.51 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX NEXPERIA PSMN013-40VLD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.79 EUR
61+1.18 EUR
100+0.96 EUR
250+0.88 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
1500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.32 EUR
76+0.95 EUR
84+0.85 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
76+0.95 EUR
84+0.85 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia PSMN013-60YL.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 53A
auf Bestellung 35117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.35 EUR
10+0.96 EUR
100+0.74 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 Nexperia PSMN014-40YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 40V 46A
auf Bestellung 62096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.56 EUR
10+0.97 EUR
100+0.63 EUR
500+0.51 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-110P,127 NXP Semiconductors PSMN015-110P.pdf Trans MOSFET N-CH 110V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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PSMN015-110P,127 NXP Semiconductors PSMN015-110P.pdf Trans MOSFET N-CH 110V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA PSMN015-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA PSMN015-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS,127 NEXPERIA PSMN016-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 97 Stücke:
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PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS,127 NEXPERIA PSMN016-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
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PSMN017-30EL,127 PSMN017-30EL,127 Nexperia 3012725411848701psmn017-30el.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
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PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL,127 NEXPERIA PSMN017-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 45W
Pulsed drain current: 152A
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817334C8B30259&compId=PSMN017-60YS.pdf?ci_sign=e16bb8c02a5d7c1fa26984fb94c590bcc6ff7b60 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817334C8B30259&compId=PSMN017-60YS.pdf?ci_sign=e16bb8c02a5d7c1fa26984fb94c590bcc6ff7b60 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1463 Stücke:
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54+1.34 EUR
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PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS,127 NEXPERIA PSMN017-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PSMN018-100ESFQ NXP Semiconductors PSMN018-100ESF.pdf PSMN018-100ESFQ
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808175BDCBE28259&compId=PSMN018-80YS.pdf?ci_sign=a7b348567575ce8804f2dc4c84d0f0ae22534af5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808175BDCBE28259&compId=PSMN018-80YS.pdf?ci_sign=a7b348567575ce8804f2dc4c84d0f0ae22534af5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1480 Stücke:
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28+2.56 EUR
49+1.47 EUR
54+1.34 EUR
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PSMN025-100HSX PSMN025-100HSX Nexperia psmn025-100hs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 29.5A 8-Pin LFPAK-D
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221+2.46 EUR
500+2.12 EUR
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PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
102+0.7 EUR
110+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
102+0.7 EUR
110+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 Nexperia PSMN026-80YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 80V 34A
auf Bestellung 54090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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PSMN027-100PS,127 NEXPERIA PSMN027-100PS.pdf PSMN027-100PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
13+5.51 EUR
34+2.1 EUR
250+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS,127 Nexperia 4376372246468553psmn027-100ps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 29700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.31 EUR
500+2.12 EUR
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PSMN028-100HSX Nexperia PSMN028-100HS.pdf PSMN028-100HSX
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.22 EUR
500+1.93 EUR
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Mindestbestellmenge: 244
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PSMN028-100YS,115 PSMN028-100YS,115 Nexperia PSMN028-100YS.pdf MOSFETs SOT669 100V 42A
auf Bestellung 15850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.41 EUR
10+1.17 EUR
100+0.86 EUR
500+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.8 EUR
104+0.69 EUR
105+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 90
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PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
104+0.69 EUR
105+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 90
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PSMN033-100HLX PSMN033-100HLX Nexperia psmn033-100hl.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.29 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 237
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PSMN034-100PS,127 NEXPERIA PSMN034-100PS.pdf PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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PSMN038-100HSX PSMN038-100HSX Nexperia PSMN038-100HS.pdf MOSFETs SOT1205 100V 21.4A
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.96 EUR
10+1.88 EUR
100+1.25 EUR
500+1.07 EUR
1500+1.05 EUR
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PSMN038-100HSX Nexperia PSMN038-100HS.pdf PSMN038-100HSX
auf Bestellung 1078 Stücke:
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292+1.86 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 292
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PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA PSMN038-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.4 EUR
69+1.04 EUR
89+0.81 EUR
109+0.66 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7
PSMN004-60B,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.93 EUR
17+4.35 EUR
25+3.92 EUR
100+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN004-60B,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7
PSMN004-60B,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.93 EUR
17+4.35 EUR
25+3.92 EUR
100+3.65 EUR
800+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
PSMN009-100P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.85 EUR
16+4.5 EUR
17+4.28 EUR
50+3.85 EUR
100+3.59 EUR
250+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
PSMN009-100P,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.85 EUR
16+4.5 EUR
17+4.28 EUR
50+3.85 EUR
100+3.59 EUR
250+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+4.23 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-100YSFX psmn011-100ysf.pdf
PSMN011-100YSFX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 79.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 43500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
253+2.15 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.78 EUR
10000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60HLX PSMN011-60HL.pdf
PSMN011-60HLX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 35A
auf Bestellung 1771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.98 EUR
10+2.6 EUR
100+1.78 EUR
500+1.57 EUR
1500+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
68+1.07 EUR
79+0.91 EUR
101+0.71 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
68+1.07 EUR
79+0.91 EUR
101+0.71 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN011-80YS,115 PSMN011-80YS.pdf
PSMN011-80YS,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 67A
auf Bestellung 13042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.85 EUR
10+1.53 EUR
100+1.07 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-100YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808167AEDA0DA259&compId=PSMN012-100YS.pdf?ci_sign=6cfca4751690a5844026e54e13f9643cb722a6e4
PSMN012-100YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.07 EUR
32+2.29 EUR
100+1.6 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60HLX
PSMN012-60HLX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.13 EUR
10+2.34 EUR
100+1.65 EUR
500+1.44 EUR
1500+1.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60HLX psmn012-60hl.pdf
PSMN012-60HLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
239+2.28 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS.pdf
PSMN012-60YS,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 59A
auf Bestellung 17463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
100+0.91 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS.pdf
PSMN012-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
52+1.4 EUR
57+1.26 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS.pdf
PSMN012-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
52+1.4 EUR
57+1.26 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
250+1.13 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808146A1BEE3E259&compId=PSMN013-100BS.pdf?ci_sign=1f0c2bc713900b33e56b048a7cf0da6713a9a3e4
PSMN013-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
32+2.25 EUR
35+2.09 EUR
100+1.99 EUR
500+1.79 EUR
800+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808146A1BEE3E259&compId=PSMN013-100BS.pdf?ci_sign=1f0c2bc713900b33e56b048a7cf0da6713a9a3e4
PSMN013-100BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
32+2.25 EUR
35+2.09 EUR
100+1.99 EUR
500+1.79 EUR
800+1.67 EUR
1600+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100ES,127 PSMN013-100ES.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
233+2.33 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 233
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100ES,127 PSMN013-100ES.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
233+2.33 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 233
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-100PS,127 PSMN013-100PS.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
187+2.91 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 187
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
105+0.68 EUR
113+0.63 EUR
159+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
105+0.68 EUR
113+0.63 EUR
159+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780816B9D38EB6259&compId=PSMN013-30YLC.pdf?ci_sign=dc28ec1f13a845fe20f8ee80904e43ccff6023a3
PSMN013-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
87+0.83 EUR
96+0.75 EUR
142+0.51 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLD.pdf
PSMN013-40VLDX
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
61+1.18 EUR
100+0.96 EUR
250+0.88 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
1500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
76+0.95 EUR
84+0.85 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
76+0.95 EUR
84+0.85 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 53A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS.pdf
PSMN014-40YS,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 46A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-110P,127 PSMN015-110P.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 110V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-110P,127 PSMN015-110P.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 110V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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178+3.05 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.53 EUR
36+1.99 EUR
50+1.6 EUR
100+1.43 EUR
250+1.22 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.53 EUR
36+1.99 EUR
50+1.6 EUR
100+1.43 EUR
250+1.22 EUR
500+1.17 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS.pdf
PSMN015-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.9 EUR
44+1.66 EUR
50+1.54 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS.pdf
PSMN015-60PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
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Anzahl Preis
25+2.9 EUR
44+1.66 EUR
50+1.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS.pdf
PSMN016-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.7 EUR
25+2.92 EUR
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Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS.pdf
PSMN016-100PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
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20+3.7 EUR
25+2.92 EUR
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500+2.17 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30EL,127 3012725411848701psmn017-30el.pdf
PSMN017-30EL,127
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
432+1.25 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 432
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL.pdf
PSMN017-30PL,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 45W
Pulsed drain current: 152A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
42+1.7 EUR
50+1.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817334C8B30259&compId=PSMN017-60YS.pdf?ci_sign=e16bb8c02a5d7c1fa26984fb94c590bcc6ff7b60
PSMN017-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
63+1.15 EUR
77+0.93 EUR
122+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817334C8B30259&compId=PSMN017-60YS.pdf?ci_sign=e16bb8c02a5d7c1fa26984fb94c590bcc6ff7b60
PSMN017-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
63+1.15 EUR
77+0.93 EUR
122+0.59 EUR
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS.pdf
PSMN017-80PS,127
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.83 EUR
250+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQ PSMN018-100ESF.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
PSMN018-100ESFQ
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
366+1.48 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 366
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808175BDCBE28259&compId=PSMN018-80YS.pdf?ci_sign=a7b348567575ce8804f2dc4c84d0f0ae22534af5
PSMN018-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
49+1.47 EUR
54+1.34 EUR
100+1.14 EUR
250+1.03 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-80YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808175BDCBE28259&compId=PSMN018-80YS.pdf?ci_sign=a7b348567575ce8804f2dc4c84d0f0ae22534af5
PSMN018-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
49+1.47 EUR
54+1.34 EUR
100+1.14 EUR
250+1.03 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN025-100HSX psmn025-100hs.pdf
PSMN025-100HSX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 29.5A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
221+2.46 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504
PSMN026-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
102+0.7 EUR
110+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504
PSMN026-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
102+0.7 EUR
110+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS.pdf
PSMN026-80YS,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 34A
auf Bestellung 54090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.78 EUR
10+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN027-100PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
13+5.51 EUR
34+2.1 EUR
250+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN027-100PS,127 4376372246468553psmn027-100ps.pdf
PSMN027-100PS,127
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 29700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
235+2.31 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.93 EUR
10000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 235
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100HSX PSMN028-100HS.pdf
Hersteller: Nexperia
PSMN028-100HSX
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
244+2.22 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028-100YS,115 PSMN028-100YS.pdf
PSMN028-100YS,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 100V 42A
auf Bestellung 15850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.41 EUR
10+1.17 EUR
100+0.86 EUR
500+0.82 EUR
24000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
104+0.69 EUR
105+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
104+0.69 EUR
105+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN033-100HLX psmn033-100hl.pdf
PSMN033-100HLX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
237+2.29 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS.pdf
Hersteller: NEXPERIA
PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100HSX PSMN038-100HS.pdf
PSMN038-100HSX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1205 100V 21.4A
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1+2.96 EUR
10+1.88 EUR
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Hersteller: Nexperia
PSMN038-100HSX
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PSMN038-100YLX
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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52+1.4 EUR
69+1.04 EUR
89+0.81 EUR
109+0.66 EUR
113+0.64 EUR
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