Suchergebnisse für "PSMN" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PSMN1R0-40YLDX транзистор
Produktcode: 220980
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 25 St.
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN011-100YSFX PSMN011-100YSFX NEXPERIA 3159378.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 8800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 79.5A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
    Verlustleistung: 152W
    SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
    Bauform - Transistor: LFPAK56
    Anzahl der Pins: 5Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
    auf Bestellung 4027 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN011-100YSFX PSMN011-100YSFX NEXPERIA 3159378.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 8800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 79.5A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
    Verlustleistung: 152W
    SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
    Bauform - Transistor: LFPAK56
    Anzahl der Pins: 5Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
    auf Bestellung 4027 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN011-60HLX PSMN011-60HLX NEXPERIA 3791098.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.00115 ohm
    tariffCode: 85412100
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
    Verlustleistung, p-Kanal: 68W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: LFPAK56D
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00115ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 68W
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    auf Bestellung 1438 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN011-60HLX PSMN011-60HLX NEXPERIA 3791098.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.00115 ohm
    tariffCode: 85412100
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 60V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 35A
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
    Verlustleistung, p-Kanal: 68W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: LFPAK56D
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00115ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 68W
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    auf Bestellung 1438 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia 3012972077821423psmn011-60ml.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    3000+0.41 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN011-60MLX PSMN011-60MLX Nexperia 3012972077821423psmn011-60ml.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    3000+0.41 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 60V
    Drain current: 61A
    Pulsed drain current: 244A
    Power dissipation: 91W
    Case: LFPAK33; SOT1210
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 9.6mΩ
    Mounting: SMD
    Gate charge: 23nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 611 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    65+1.1 EUR
    82+0.87 EUR
    92+0.79 EUR
    100+0.73 EUR
    250+0.69 EUR
    500+0.62 EUR
    Mindestbestellmenge: 65 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA PSMN012-100YS.pdf Category: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 100V
    Drain current: 60A
    Power dissipation: 130W
    Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 35.8mΩ
    Mounting: SMD
    Gate charge: 64nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 1369 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    32+2.26 EUR
    43+1.67 EUR
    52+1.4 EUR
    100+1.26 EUR
    250+1.17 EUR
    500+1.12 EUR
    1000+1 EUR
    Mindestbestellmenge: 32 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 60A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
    Verlustleistung: 130W
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: LFPAK56
    Anzahl der Pins: 4Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
    auf Bestellung 484 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia 4381963604789555psmn012-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 42000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1500+0.93 EUR
    Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia 4381963604789555psmn012-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 42000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1500+0.92 EUR
    Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 1500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1500+0.69 EUR
    Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 123000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    345+1.59 EUR
    500+1.41 EUR
    1000+1.27 EUR
    10000+1.11 EUR
    100000+0.92 EUR
    Mindestbestellmenge: 345 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 60V
    rohsCompliant: Y-EX
    Dauer-Drainstrom Id: 59A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
    Verlustleistung: 89W
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-669
    Anzahl der Pins: 4Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
    auf Bestellung 1331 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 6 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN012-60YS,115 PSMN012-60YS,115 Nexperia 4380994601257724psmn012-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 1500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1500+0.69 EUR
    Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN012-80BS,118 PSMN012-80BS,118 Nexperia 3014130223739799psmn012-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 2400 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2400+1.08 EUR
    Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN012-80BS,118 PSMN012-80BS,118 Nexperia 3014130223739799psmn012-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 2400 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2400+1.1 EUR
    Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN012-80BS,118 PSMN012-80BS,118 Nexperia 3014130223739799psmn012-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 2400 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2400+1.08 EUR
    Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    158+1.18 EUR
    Mindestbestellmenge: 158 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA PSMN013-100BS.pdf Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 68A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
    Verlustleistung: 170W
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
    auf Bestellung 3696 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 800 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    212+2.59 EUR
    500+2.41 EUR
    Mindestbestellmenge: 212 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 Nexperia 1732250226334907psmn013-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 2400 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    212+2.59 EUR
    500+2.41 EUR
    1000+2.24 EUR
    Mindestbestellmenge: 212 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 30V
    Drain current: 39A
    Pulsed drain current: 157A
    Power dissipation: 38W
    Case: LFPAK33; SOT1210
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 11.8mΩ
    Mounting: SMD
    Gate charge: 8nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 1559 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    193+0.37 EUR
    211+0.34 EUR
    228+0.31 EUR
    237+0.3 EUR
    257+0.28 EUR
    500+0.27 EUR
    1000+0.24 EUR
    Mindestbestellmenge: 193 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 NEXPERIA PSMN013-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 30V
    Drain current: 32A
    Power dissipation: 26W
    Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 27.2mΩ
    Mounting: SMD
    Gate charge: 8.3nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 1733 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    103+0.7 EUR
    119+0.6 EUR
    131+0.55 EUR
    181+0.4 EUR
    250+0.36 EUR
    500+0.33 EUR
    1000+0.32 EUR
    1500+0.28 EUR
    Mindestbestellmenge: 103 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX NEXPERIA PSMN013-40VLD.pdf Category: Multi channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
    Type of transistor: N-MOSFET x2
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 40V
    Drain current: 30A
    Pulsed drain current: 169A
    Power dissipation: 46W
    Case: LFPAK56D; SOT1205
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 32.8mΩ
    Mounting: SMD
    Gate charge: 19.4nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    Technology: NextPowerS3
    auf Bestellung 1500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    57+1.27 EUR
    69+1.04 EUR
    82+0.87 EUR
    100+0.79 EUR
    250+0.73 EUR
    500+0.69 EUR
    1000+0.63 EUR
    1500+0.61 EUR
    Mindestbestellmenge: 57 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-60HLX PSMN013-60HLX Nexperia MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
    auf Bestellung 1460 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+4.05 EUR
    10+2.6 EUR
    100+1.81 EUR
    500+1.46 EUR
    1500+0.97 EUR
    3000+0.91 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-60HLX PSMN013-60HLX NEXPERIA 3791095.pdf Description: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
    tariffCode: 85412100
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 60V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 40A
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
    Verlustleistung, p-Kanal: 64W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: LFPAK56D
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
    productTraceability: No
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 64W
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    auf Bestellung 1600 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-60HLX PSMN013-60HLX NEXPERIA 3791095.pdf Description: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
    tariffCode: 85412100
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
    Verlustleistung, p-Kanal: 64W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: LFPAK56D
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
    productTraceability: No
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 64W
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    auf Bestellung 1600 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-60HSX PSMN013-60HSX Nexperia PSMN013-60HS.pdf MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
    auf Bestellung 1390 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.43 EUR
    10+2.18 EUR
    100+1.46 EUR
    500+1.19 EUR
    1000+1.02 EUR
    1500+0.93 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-60HSX PSMN013-60HSX NEXPERIA 3791094.pdf Description: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
    tariffCode: 85412100
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 60V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 40A
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
    Verlustleistung, p-Kanal: 64W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: LFPAK56D
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
    productTraceability: No
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 64W
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    auf Bestellung 1337 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-60HSX PSMN013-60HSX NEXPERIA 3791094.pdf Description: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
    tariffCode: 85412100
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
    Verlustleistung, p-Kanal: 64W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: LFPAK56D
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
    productTraceability: No
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 64W
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    auf Bestellung 1337 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 60V
    Drain current: 53A
    Pulsed drain current: 212A
    Power dissipation: 95W
    Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 12.1mΩ
    Mounting: SMD
    Gate charge: 33.2nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 53 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    53+1.34 EUR
    Mindestbestellmenge: 53 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia 4386875731490478psmn013-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 4500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    431+1.27 EUR
    500+1.13 EUR
    1000+1.02 EUR
    Mindestbestellmenge: 431 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia 4386875731490478psmn013-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    3000+0.44 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia 4386875731490478psmn013-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    3000+0.44 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN014-40HLDX PSMN014-40HLDX NEXPERIA 3791104.pdf Description: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
    tariffCode: 85412100
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
    Verlustleistung, p-Kanal: 46W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: LFPAK56D
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 46W
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    auf Bestellung 2970 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN014-40HLDX PSMN014-40HLDX Nexperia psmn014-40hld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
    auf Bestellung 1500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    333+1.65 EUR
    500+1.46 EUR
    1000+1.32 EUR
    Mindestbestellmenge: 333 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN014-40HLDX PSMN014-40HLDX Nexperia psmn014-40hld.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    176+0.83 EUR
    1000+0.75 EUR
    1500+0.66 EUR
    3000+0.6 EUR
    Mindestbestellmenge: 176 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN014-40HLDX PSMN014-40HLDX NEXPERIA 3791104.pdf Description: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
    tariffCode: 85412100
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 40V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 42A
    Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
    Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
    Verlustleistung, p-Kanal: 46W
    Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: LFPAK56D
    Anzahl der Pins: 8Pin(s)
    Produktpalette: -
    Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Verlustleistung, n-Kanal: 46W
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    auf Bestellung 2970 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 Nexperia PSMN014-40YS.pdf MOSFETs PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK
    auf Bestellung 41866 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+1.69 EUR
    10+1.06 EUR
    100+0.69 EUR
    500+0.54 EUR
    1000+0.46 EUR
    1500+0.42 EUR
    3000+0.36 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 40V
    rohsCompliant: Y-EX
    Dauer-Drainstrom Id: 46A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
    Verlustleistung: 56W
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-669
    Anzahl der Pins: 4Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
    auf Bestellung 1179 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN014-60HSX PSMN014-60HSX Nexperia PSMN014-60HS.pdf MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 30A
    auf Bestellung 285 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.03 EUR
    10+1.9 EUR
    100+1.25 EUR
    500+0.99 EUR
    1000+0.88 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN014-80YLX NXP PSMN014-80YL.pdf MOSFET N-CH 80V LFPAK56 Транзистори
    auf Bestellung 3 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1+5.24 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 60V
    Drain current: 36A
    Pulsed drain current: 201A
    Power dissipation: 86W
    Case: D2PAK; SOT404
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 34mΩ
    Mounting: SMD
    Gate charge: 20.9nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 601 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    41+1.74 EUR
    53+1.37 EUR
    60+1.2 EUR
    100+1.1 EUR
    250+1.06 EUR
    500+0.94 EUR
    Mindestbestellmenge: 41 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA PSMN015-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 60V
    Drain current: 50A
    Pulsed drain current: 201A
    Power dissipation: 86W
    Case: SOT78; TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 12.6mΩ
    Mounting: THT
    Gate charge: 20.9nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 169 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    23+3.13 EUR
    31+2.36 EUR
    100+2.12 EUR
    Mindestbestellmenge: 23 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN016-100BS,118 PSMN016-100BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN016-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: Y-EX
    Dauer-Drainstrom Id: 57A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
    Verlustleistung: 148W
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
    auf Bestellung 2901 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003060131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN016-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0127 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: Y-EX
    Dauer-Drainstrom Id: 51A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
    Verlustleistung: 117W
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-669
    Anzahl der Pins: 4Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
    auf Bestellung 2326 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS,115 Nexperia 4381356564929802psmn016-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 1500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1500+1.28 EUR
    Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN016-100YS,115 PSMN016-100YS,115 Nexperia 4381356564929802psmn016-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 1500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1500+0.72 EUR
    Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL,127 NEXPERIA PSMN017-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 30V
    Drain current: 32A
    Pulsed drain current: 152A
    Power dissipation: 45W
    Case: SOT78; TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 24mΩ
    Mounting: THT
    Gate charge: 5.1nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 13 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    13+5.51 EUR
    Mindestbestellmenge: 13 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA PSMN017-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 60V
    Drain current: 44A
    Power dissipation: 74W
    Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 36.1mΩ
    Mounting: SMD
    Gate charge: 20nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 943 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    74+0.97 EUR
    87+0.82 EUR
    107+0.67 EUR
    120+0.6 EUR
    250+0.55 EUR
    500+0.53 EUR
    Mindestbestellmenge: 74 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN017-60YS,115 NXP PSMN017-60YS.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN017-60YS.115 PSMN017-60YS PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS NEXPERIA TPSMN017-60ys
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 500 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+1.78 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 693 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    263+0.56 EUR
    Mindestbestellmenge: 263 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 60V
    rohsCompliant: Y-EX
    Dauer-Drainstrom Id: 44A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
    Verlustleistung: 74W
    SVHC: Lead (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-669
    Anzahl der Pins: 4Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm
    auf Bestellung 510 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 693 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    263+0.56 EUR
    500+0.4 EUR
    Mindestbestellmenge: 263 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1500+0.5 EUR
    3000+0.46 EUR
    Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1500+0.5 EUR
    3000+0.47 EUR
    Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
    auf Bestellung 108770 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    438+1.25 EUR
    500+1.11 EUR
    1000+1 EUR
    10000+0.87 EUR
    100000+0.72 EUR
    Mindestbestellmenge: 438 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    PSMN1R0-40YLDX транзистор
    Produktcode: 220980
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
    erwartet: 25 St.
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN011-100YSFX 3159378.pdf
      PSMN011-100YSFX
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 8800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 79.5A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: -
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
      Verlustleistung: 152W
      SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
      Bauform - Transistor: LFPAK56
      Anzahl der Pins: 5Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
      auf Bestellung 4027 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN011-100YSFX 3159378.pdf
      PSMN011-100YSFX
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 8800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 79.5A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      MSL: -
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
      Verlustleistung: 152W
      SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
      Bauform - Transistor: LFPAK56
      Anzahl der Pins: 5Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
      auf Bestellung 4027 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Mindestbestellmenge: 500 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN011-60HLX 3791098.pdf
      PSMN011-60HLX
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.00115 ohm
      tariffCode: 85412100
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
      Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
      Verlustleistung, p-Kanal: 68W
      Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: LFPAK56D
      Anzahl der Pins: 8Pin(s)
      Produktpalette: -
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00115ohm
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Verlustleistung, n-Kanal: 68W
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      auf Bestellung 1438 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN011-60HLX 3791098.pdf
      PSMN011-60HLX
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.00115 ohm
      tariffCode: 85412100
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 60V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 35A
      Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
      Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
      Verlustleistung, p-Kanal: 68W
      Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: LFPAK56D
      Anzahl der Pins: 8Pin(s)
      Produktpalette: -
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00115ohm
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Verlustleistung, n-Kanal: 68W
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      auf Bestellung 1438 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Mindestbestellmenge: 100 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN011-60MLX 3012972077821423psmn011-60ml.pdf
      PSMN011-60MLX
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
      auf Bestellung 3000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      3000+0.41 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN011-60MLX 3012972077821423psmn011-60ml.pdf
      PSMN011-60MLX
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
      auf Bestellung 3000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      3000+0.41 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
      PSMN011-60MSX
      Hersteller: NEXPERIA
      Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 60V
      Drain current: 61A
      Pulsed drain current: 244A
      Power dissipation: 91W
      Case: LFPAK33; SOT1210
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 9.6mΩ
      Mounting: SMD
      Gate charge: 23nC
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 611 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      65+1.1 EUR
      82+0.87 EUR
      92+0.79 EUR
      100+0.73 EUR
      250+0.69 EUR
      500+0.62 EUR
      Mindestbestellmenge: 65 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
      PSMN012-100YS,115
      Hersteller: NEXPERIA
      Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 100V
      Drain current: 60A
      Power dissipation: 130W
      Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 35.8mΩ
      Mounting: SMD
      Gate charge: 64nC
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 1369 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      32+2.26 EUR
      43+1.67 EUR
      52+1.4 EUR
      100+1.26 EUR
      250+1.17 EUR
      500+1.12 EUR
      1000+1 EUR
      Mindestbestellmenge: 32 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN012-100YS,115 NEXP-S-A0003059634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
      PSMN012-100YS,115
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 60A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
      Verlustleistung: 130W
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: LFPAK56
      Anzahl der Pins: 4Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
      auf Bestellung 484 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN012-100YS,115 4381963604789555psmn012-100ys.pdf
      PSMN012-100YS,115
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 42000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      1500+0.93 EUR
      Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN012-100YS,115 4381963604789555psmn012-100ys.pdf
      PSMN012-100YS,115
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 42000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      1500+0.92 EUR
      Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
      PSMN012-60YS,115
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 1500 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      1500+0.69 EUR
      Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
      PSMN012-60YS,115
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 123000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      345+1.59 EUR
      500+1.41 EUR
      1000+1.27 EUR
      10000+1.11 EUR
      100000+0.92 EUR
      Mindestbestellmenge: 345 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN012-60YS,115 NEXP-S-A0003059600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
      PSMN012-60YS,115
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 60V
      rohsCompliant: Y-EX
      Dauer-Drainstrom Id: 59A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
      Verlustleistung: 89W
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-669
      Anzahl der Pins: 4Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
      auf Bestellung 1331 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
      PSMN012-60YS,115
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 6 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Mindestbestellmenge: 6 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN012-60YS,115 4380994601257724psmn012-60ys.pdf
      PSMN012-60YS,115
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 1500 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      1500+0.69 EUR
      Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN012-80BS,118 3014130223739799psmn012-80bs.pdf
      PSMN012-80BS,118
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 2400 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      2400+1.08 EUR
      Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN012-80BS,118 3014130223739799psmn012-80bs.pdf
      PSMN012-80BS,118
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 2400 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      2400+1.1 EUR
      Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN012-80BS,118 3014130223739799psmn012-80bs.pdf
      PSMN012-80BS,118
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 2400 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      2400+1.08 EUR
      Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
      PSMN013-100BS,118
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 4000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      158+1.18 EUR
      Mindestbestellmenge: 158 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS.pdf
      PSMN013-100BS,118
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 68A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
      Verlustleistung: 170W
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
      auf Bestellung 3696 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
      PSMN013-100BS,118
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 800 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      212+2.59 EUR
      500+2.41 EUR
      Mindestbestellmenge: 212 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-100BS,118 1732250226334907psmn013-100bs.pdf
      PSMN013-100BS,118
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 2400 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      212+2.59 EUR
      500+2.41 EUR
      1000+2.24 EUR
      Mindestbestellmenge: 212 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
      PSMN013-30MLC,115
      Hersteller: NEXPERIA
      Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 30V
      Drain current: 39A
      Pulsed drain current: 157A
      Power dissipation: 38W
      Case: LFPAK33; SOT1210
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 11.8mΩ
      Mounting: SMD
      Gate charge: 8nC
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 1559 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      193+0.37 EUR
      211+0.34 EUR
      228+0.31 EUR
      237+0.3 EUR
      257+0.28 EUR
      500+0.27 EUR
      1000+0.24 EUR
      Mindestbestellmenge: 193 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC.pdf
      PSMN013-30YLC,115
      Hersteller: NEXPERIA
      Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 30V
      Drain current: 32A
      Power dissipation: 26W
      Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 27.2mΩ
      Mounting: SMD
      Gate charge: 8.3nC
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 1733 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      103+0.7 EUR
      119+0.6 EUR
      131+0.55 EUR
      181+0.4 EUR
      250+0.36 EUR
      500+0.33 EUR
      1000+0.32 EUR
      1500+0.28 EUR
      Mindestbestellmenge: 103 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLD.pdf
      PSMN013-40VLDX
      Hersteller: NEXPERIA
      Category: Multi channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
      Type of transistor: N-MOSFET x2
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 40V
      Drain current: 30A
      Pulsed drain current: 169A
      Power dissipation: 46W
      Case: LFPAK56D; SOT1205
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 32.8mΩ
      Mounting: SMD
      Gate charge: 19.4nC
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      Technology: NextPowerS3
      auf Bestellung 1500 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      57+1.27 EUR
      69+1.04 EUR
      82+0.87 EUR
      100+0.79 EUR
      250+0.73 EUR
      500+0.69 EUR
      1000+0.63 EUR
      1500+0.61 EUR
      Mindestbestellmenge: 57 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-60HLX
      PSMN013-60HLX
      Hersteller: Nexperia
      MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
      auf Bestellung 1460 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPreis
      1+4.05 EUR
      10+2.6 EUR
      100+1.81 EUR
      500+1.46 EUR
      1500+0.97 EUR
      3000+0.91 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-60HLX 3791095.pdf
      PSMN013-60HLX
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
      tariffCode: 85412100
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 60V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 40A
      Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
      Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
      Verlustleistung, p-Kanal: 64W
      Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: LFPAK56D
      Anzahl der Pins: 8Pin(s)
      Produktpalette: -
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Verlustleistung, n-Kanal: 64W
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      auf Bestellung 1600 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Mindestbestellmenge: 100 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-60HLX 3791095.pdf
      PSMN013-60HLX
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN013-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
      tariffCode: 85412100
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
      Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
      Verlustleistung, p-Kanal: 64W
      Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: LFPAK56D
      Anzahl der Pins: 8Pin(s)
      Produktpalette: -
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Verlustleistung, n-Kanal: 64W
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      auf Bestellung 1600 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-60HSX PSMN013-60HS.pdf
      PSMN013-60HSX
      Hersteller: Nexperia
      MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
      auf Bestellung 1390 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPreis
      1+3.43 EUR
      10+2.18 EUR
      100+1.46 EUR
      500+1.19 EUR
      1000+1.02 EUR
      1500+0.93 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-60HSX 3791094.pdf
      PSMN013-60HSX
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
      tariffCode: 85412100
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 60V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 40A
      Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
      Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
      Verlustleistung, p-Kanal: 64W
      Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: LFPAK56D
      Anzahl der Pins: 8Pin(s)
      Produktpalette: -
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Verlustleistung, n-Kanal: 64W
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      auf Bestellung 1337 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Mindestbestellmenge: 100 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-60HSX 3791094.pdf
      PSMN013-60HSX
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN013-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
      tariffCode: 85412100
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
      Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
      Verlustleistung, p-Kanal: 64W
      Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: LFPAK56D
      Anzahl der Pins: 8Pin(s)
      Produktpalette: -
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Verlustleistung, n-Kanal: 64W
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      auf Bestellung 1337 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
      PSMN013-60YLX
      Hersteller: NEXPERIA
      Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 60V
      Drain current: 53A
      Pulsed drain current: 212A
      Power dissipation: 95W
      Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 12.1mΩ
      Mounting: SMD
      Gate charge: 33.2nC
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 53 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      53+1.34 EUR
      Mindestbestellmenge: 53 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-60YLX 4386875731490478psmn013-60yl.pdf
      PSMN013-60YLX
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 4500 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      431+1.27 EUR
      500+1.13 EUR
      1000+1.02 EUR
      Mindestbestellmenge: 431 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-60YLX 4386875731490478psmn013-60yl.pdf
      PSMN013-60YLX
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 3000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      3000+0.44 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN013-60YLX 4386875731490478psmn013-60yl.pdf
      PSMN013-60YLX
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 3000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      3000+0.44 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN014-40HLDX 3791104.pdf
      PSMN014-40HLDX
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
      tariffCode: 85412100
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
      Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
      Verlustleistung, p-Kanal: 46W
      Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: LFPAK56D
      Anzahl der Pins: 8Pin(s)
      Produktpalette: -
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Verlustleistung, n-Kanal: 46W
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      auf Bestellung 2970 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN014-40HLDX psmn014-40hld.pdf
      PSMN014-40HLDX
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
      auf Bestellung 1500 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      333+1.65 EUR
      500+1.46 EUR
      1000+1.32 EUR
      Mindestbestellmenge: 333 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN014-40HLDX psmn014-40hld.pdf
      PSMN014-40HLDX
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 40V 42A 8-Pin LFPAK-D
      auf Bestellung 3000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      176+0.83 EUR
      1000+0.75 EUR
      1500+0.66 EUR
      3000+0.6 EUR
      Mindestbestellmenge: 176 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN014-40HLDX 3791104.pdf
      PSMN014-40HLDX
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN014-40HLDX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
      tariffCode: 85412100
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 40V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 42A
      Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
      Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
      Verlustleistung, p-Kanal: 46W
      Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: LFPAK56D
      Anzahl der Pins: 8Pin(s)
      Produktpalette: -
      Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0136ohm
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Verlustleistung, n-Kanal: 46W
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      auf Bestellung 2970 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Mindestbestellmenge: 100 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS.pdf
      PSMN014-40YS,115
      Hersteller: Nexperia
      MOSFETs PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK
      auf Bestellung 41866 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPreis
      2+1.69 EUR
      10+1.06 EUR
      100+0.69 EUR
      500+0.54 EUR
      1000+0.46 EUR
      1500+0.42 EUR
      3000+0.36 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN014-40YS,115 NEXP-S-A0003059661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
      PSMN014-40YS,115
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 40V
      rohsCompliant: Y-EX
      Dauer-Drainstrom Id: 46A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
      Verlustleistung: 56W
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-669
      Anzahl der Pins: 4Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
      auf Bestellung 1179 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN014-60HSX PSMN014-60HS.pdf
      PSMN014-60HSX
      Hersteller: Nexperia
      MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 30A
      auf Bestellung 285 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPreis
      1+3.03 EUR
      10+1.9 EUR
      100+1.25 EUR
      500+0.99 EUR
      1000+0.88 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN014-80YLX PSMN014-80YL.pdf
      Hersteller: NXP
      MOSFET N-CH 80V LFPAK56 Транзистори
      auf Bestellung 3 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      1+5.24 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
      PSMN015-60BS,118
      Hersteller: NEXPERIA
      Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 60V
      Drain current: 36A
      Pulsed drain current: 201A
      Power dissipation: 86W
      Case: D2PAK; SOT404
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 34mΩ
      Mounting: SMD
      Gate charge: 20.9nC
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 601 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      41+1.74 EUR
      53+1.37 EUR
      60+1.2 EUR
      100+1.1 EUR
      250+1.06 EUR
      500+0.94 EUR
      Mindestbestellmenge: 41 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS.pdf
      PSMN015-60PS,127
      Hersteller: NEXPERIA
      Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 60V
      Drain current: 50A
      Pulsed drain current: 201A
      Power dissipation: 86W
      Case: SOT78; TO220AB
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 12.6mΩ
      Mounting: THT
      Gate charge: 20.9nC
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 169 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      23+3.13 EUR
      31+2.36 EUR
      100+2.12 EUR
      Mindestbestellmenge: 23 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN016-100BS,118 NEXP-S-A0003059786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
      PSMN016-100BS,118
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN016-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: Y-EX
      Dauer-Drainstrom Id: 57A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
      Verlustleistung: 148W
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
      auf Bestellung 2901 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN016-100YS,115 NEXP-S-A0003060131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
      PSMN016-100YS,115
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN016-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0127 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: Y-EX
      Dauer-Drainstrom Id: 51A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
      Verlustleistung: 117W
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-669
      Anzahl der Pins: 4Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
      auf Bestellung 2326 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN016-100YS,115 4381356564929802psmn016-100ys.pdf
      PSMN016-100YS,115
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 1500 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      1500+1.28 EUR
      Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN016-100YS,115 4381356564929802psmn016-100ys.pdf
      PSMN016-100YS,115
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 1500 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      1500+0.72 EUR
      Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL.pdf
      PSMN017-30PL,127
      Hersteller: NEXPERIA
      Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 30V
      Drain current: 32A
      Pulsed drain current: 152A
      Power dissipation: 45W
      Case: SOT78; TO220AB
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 24mΩ
      Mounting: THT
      Gate charge: 5.1nC
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 13 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      13+5.51 EUR
      Mindestbestellmenge: 13 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS.pdf
      PSMN017-60YS,115
      Hersteller: NEXPERIA
      Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 60V
      Drain current: 44A
      Power dissipation: 74W
      Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 36.1mΩ
      Mounting: SMD
      Gate charge: 20nC
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 943 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      74+0.97 EUR
      87+0.82 EUR
      107+0.67 EUR
      120+0.6 EUR
      250+0.55 EUR
      500+0.53 EUR
      Mindestbestellmenge: 74 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS.pdf
      Hersteller: NXP
      Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN017-60YS.115 PSMN017-60YS PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS NEXPERIA TPSMN017-60ys
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      auf Bestellung 500 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPreis
      50+1.78 EUR
      Mindestbestellmenge: 50 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
      PSMN017-60YS,115
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 693 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      263+0.56 EUR
      Mindestbestellmenge: 263 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN017-60YS,115 NEXP-S-A0003059613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
      PSMN017-60YS,115
      Hersteller: NEXPERIA
      Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 60V
      rohsCompliant: Y-EX
      Dauer-Drainstrom Id: 44A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
      Verlustleistung: 74W
      SVHC: Lead (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-669
      Anzahl der Pins: 4Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm
      auf Bestellung 510 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
      PSMN017-60YS,115
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 693 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      263+0.56 EUR
      500+0.4 EUR
      Mindestbestellmenge: 263 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
      PSMN017-60YS,115
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 3000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      1500+0.5 EUR
      3000+0.46 EUR
      Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
      PSMN017-60YS,115
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 3000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      1500+0.5 EUR
      3000+0.47 EUR
      Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
      PSMN017-60YS,115
      Hersteller: Nexperia
      Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
      auf Bestellung 108770 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      438+1.25 EUR
      500+1.11 EUR
      1000+1 EUR
      10000+0.87 EUR
      100000+0.72 EUR
      Mindestbestellmenge: 438 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]