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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Produktcode: 71883
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FAIR/ON fgh60n60sfd-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 48 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Produktcode: 204981
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Китай fgh60n60sfd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 28 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD
Produktcode: 60291
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FAIR FGH60N60SMDcvd.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,9
Ic 25: 120
Ic 100: 60
Pd 25: 300
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/115
verfügbar: 115 Stück
1 Stück - stock Köln
114 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10 Stück
1+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C2 IXGH60N60C2
Produktcode: 30178
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,5
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 480
verfügbar: 1 Stück
1+3.92 EUR
10+3.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.1 EUR
100+27.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.66 EUR
100+24.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI660N60 DAMI660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+53.12 EUR
3+51.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI660N60 DAMI660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+53.12 EUR
3+51.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N60E FCP260N60E onsemi / Fairchild FCPF260N60E_D-1806768.pdf MOSFETs PWM Controller mWSaver
auf Bestellung 3618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.42 EUR
10+3.29 EUR
100+2.99 EUR
500+2.94 EUR
800+2.52 EUR
2400+2.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N60E FCP260N60E Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
192+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 192
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N60E FCP260N60E onsemi FCPF260N60E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.14 EUR
50+3.14 EUR
100+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E Fairchild Semiconductor fcpf260n60e-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
190+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 190
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi / Fairchild FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+3.47 EUR
100+2.83 EUR
500+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi FCPF260N60E-D.PDF Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
10+3.3 EUR
100+2.71 EUR
500+2.54 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTU ON-Semicoductor fga60n60ufd-d.pdf IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+20 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTU FGH60N60SFTU Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
auf Bestellung 9688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
86+5.29 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.07 EUR
14+5.22 EUR
15+4.93 EUR
120+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD ON-Semicoductor fgh60n60smd-d.pdf IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+12.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.07 EUR
14+5.22 EUR
15+4.93 EUR
120+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi / Fairchild fgh60n60smd-d.pdf IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
auf Bestellung 5023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.42 EUR
10+6.58 EUR
120+5.49 EUR
510+5.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi fgh60n60smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 1649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.91 EUR
30+6.27 EUR
120+5.26 EUR
510+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3 IGW60N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW60N60H3_DS_v01_01_en-1226730.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.81 EUR
10+9.91 EUR
25+6.62 EUR
100+5.63 EUR
240+5.6 EUR
480+5.1 EUR
1200+4.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37B44CF164FA8&compId=IGW60N60H3-DTE.pdf?ci_sign=fb021fd10fc060d67c3fe8c683c021df2d088a5e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.78 EUR
12+6.29 EUR
13+5.95 EUR
30+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37B44CF164FA8&compId=IGW60N60H3-DTE.pdf?ci_sign=fb021fd10fc060d67c3fe8c683c021df2d088a5e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.78 EUR
12+6.29 EUR
13+5.95 EUR
30+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW60N60H3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd4fd82c0023 Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.47 EUR
30+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW60N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3362049.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.35 EUR
25+7.67 EUR
100+5.35 EUR
240+5.33 EUR
480+4.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW60N60EH3_DS_v02_01_EN-1731672.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.57 EUR
10+9.87 EUR
100+8.22 EUR
480+7.34 EUR
1200+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.04 EUR
30+7.61 EUR
120+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW60N60H3 IKW60N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW60N60H3_DS_v01_02_en-1731674.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.55 EUR
10+9.7 EUR
100+8.08 EUR
480+7.13 EUR
1200+6.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2CB8CEA107820&compId=IKW60N60H3.pdf?ci_sign=0a1ce94180d85bd783cd0fa622d1eaeca2db3871 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.27 EUR
11+6.69 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2CB8CEA107820&compId=IKW60N60H3.pdf?ci_sign=0a1ce94180d85bd783cd0fa622d1eaeca2db3871 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.27 EUR
11+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.35 EUR
30+5.93 EUR
120+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N60X3HV IXFT60N60X3HV Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e Description: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 186 Stücke:
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1+19.11 EUR
30+11.54 EUR
120+9.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS media-3321016.pdf IGBTs 60 Amps 600V
auf Bestellung 19 Stücke:
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1+23.32 EUR
10+16.61 EUR
120+15.54 EUR
510+15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.05 EUR
12+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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9+8.05 EUR
12+6.08 EUR
30+5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB60N60SWG NGTB60N60SWG onsemi ngtb60n60sw-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
92+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit PJMD360N60EC-2902596.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.27 EUR
10+4.12 EUR
100+2.9 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 5985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.98 EUR
10+3.93 EUR
100+2.76 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 Panjit PJMF360N60EC-2902583.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.83 EUR
10+4.49 EUR
100+3.36 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.57 EUR
2000+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.07 EUR
10+8.2 EUR
100+6.02 EUR
500+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMP360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.79 EUR
50+2.44 EUR
100+2.21 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 Panjit PJMP360N60EC-2902565.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+2.57 EUR
100+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.25 EUR
8+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DT60N600KOC AEG 05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E ON Semiconductor FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
auf Bestellung 49650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTU fairchild FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2011+
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60UFDTU fairchild fgh60n60ufd-d.pdf 2011+
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G160N60 FAIRCHIL 09+ QSOP20
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW60N60DH3E Infineon technologies
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N60 IXYS description MODULE
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N60 IXYS description
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK60N60B2D1 IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK60N60B2D1 IXYS TO-264 09+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK60N60C2D1 IXYS IXG%28K%2CX%29%2060N60C2D1.pdf
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60 ABB 07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60 IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU
Produktcode: 71883
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fgh60n60sfd-datasheet.pdf
FGH60N60SFDTU
Hersteller: FAIR/ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 48 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU
Produktcode: 204981
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fgh60n60sfd-d.pdf
FGH60N60SFDTU
Hersteller: Китай
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 28 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD
Produktcode: 60291
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FGH60N60SMDcvd.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,9
Ic 25: 120
Ic 100: 60
Pd 25: 300
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/115
verfügbar: 115 Stück
1 Stück - stock Köln
114 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10 Stück
Anzahl Preis
1+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C2
Produktcode: 30178
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IXGH60N60C2
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,5
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 480
verfügbar: 1 Stück
Anzahl Preis
1+3.92 EUR
10+3.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT60N60BCSG APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf
APT60N60BCSG
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+32.1 EUR
100+27.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT60N60BCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60BCSG
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.66 EUR
100+24.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI660N60
DAMI660N60
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+53.12 EUR
3+51.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI660N60
DAMI660N60
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+53.12 EUR
3+51.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N60E FCPF260N60E_D-1806768.pdf
FCP260N60E
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs PWM Controller mWSaver
auf Bestellung 3618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.42 EUR
10+3.29 EUR
100+2.99 EUR
500+2.94 EUR
800+2.52 EUR
2400+2.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N60E FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP260N60E
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
192+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 192
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N60E FCPF260N60E-D.PDF
FCP260N60E
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.14 EUR
50+3.14 EUR
100+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E fcpf260n60e-d.pdf
FCPF260N60E
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
190+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 190
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
FCPF260N60E
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.52 EUR
10+3.47 EUR
100+2.83 EUR
500+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF
FCPF260N60E
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.33 EUR
10+3.3 EUR
100+2.71 EUR
500+2.54 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTU fga60n60ufd-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+20 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTU FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGH60N60SFTU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
auf Bestellung 9688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
86+5.29 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368
FGH60N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.07 EUR
14+5.22 EUR
15+4.93 EUR
120+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+12.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368
FGH60N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.07 EUR
14+5.22 EUR
15+4.93 EUR
120+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
auf Bestellung 5023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.42 EUR
10+6.58 EUR
120+5.49 EUR
510+5.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 1649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.91 EUR
30+6.27 EUR
120+5.26 EUR
510+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3 Infineon_IGW60N60H3_DS_v01_01_en-1226730.pdf
IGW60N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.81 EUR
10+9.91 EUR
25+6.62 EUR
100+5.63 EUR
240+5.6 EUR
480+5.1 EUR
1200+4.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37B44CF164FA8&compId=IGW60N60H3-DTE.pdf?ci_sign=fb021fd10fc060d67c3fe8c683c021df2d088a5e
IGW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.78 EUR
12+6.29 EUR
13+5.95 EUR
30+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37B44CF164FA8&compId=IGW60N60H3-DTE.pdf?ci_sign=fb021fd10fc060d67c3fe8c683c021df2d088a5e
IGW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.78 EUR
12+6.29 EUR
13+5.95 EUR
30+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3FKSA1 Infineon-IGW60N60H3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd4fd82c0023
IGW60N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.47 EUR
30+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon_IKFW60N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3362049.pdf
IKFW60N60DH3EXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.35 EUR
25+7.67 EUR
100+5.35 EUR
240+5.33 EUR
480+4.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon_IKFW60N60EH3_DS_v02_01_EN-1731672.pdf
IKFW60N60EH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.57 EUR
10+9.87 EUR
100+8.22 EUR
480+7.34 EUR
1200+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af
IKFW60N60EH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+13.04 EUR
30+7.61 EUR
120+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW60N60H3 Infineon_IKW60N60H3_DS_v01_02_en-1731674.pdf
IKW60N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.55 EUR
10+9.7 EUR
100+8.08 EUR
480+7.13 EUR
1200+6.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW60N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2CB8CEA107820&compId=IKW60N60H3.pdf?ci_sign=0a1ce94180d85bd783cd0fa622d1eaeca2db3871
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.27 EUR
11+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW60N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2CB8CEA107820&compId=IKW60N60H3.pdf?ci_sign=0a1ce94180d85bd783cd0fa622d1eaeca2db3871
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.27 EUR
11+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW60N60H3FKSA1 Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.35 EUR
30+5.93 EUR
120+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N60X3HV littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e
IXFT60N60X3HV
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.11 EUR
30+11.54 EUR
120+9.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGH60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 media-3321016.pdf
IXGH60N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs 60 Amps 600V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.32 EUR
10+16.61 EUR
120+15.54 EUR
510+15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGT60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.05 EUR
12+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGT60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.05 EUR
12+6.08 EUR
30+5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB60N60SWG ngtb60n60sw-d.pdf
NGTB60N60SWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
92+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC-2902596.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Hersteller: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.27 EUR
10+4.12 EUR
100+2.9 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 5985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+5.98 EUR
10+3.93 EUR
100+2.76 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC-2902583.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Hersteller: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.83 EUR
10+4.49 EUR
100+3.36 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.57 EUR
2000+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.07 EUR
10+8.2 EUR
100+6.02 EUR
500+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.79 EUR
50+2.44 EUR
100+2.21 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC-2902565.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Hersteller: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.02 EUR
10+2.57 EUR
100+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.25 EUR
8+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DT60N600KOC
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 49650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf
FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTU FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: fairchild
2011+
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60UFDTU fgh60n60ufd-d.pdf
Hersteller: fairchild
2011+
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G160N60
Hersteller: FAIRCHIL
09+ QSOP20
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW60N60DH3E
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N60 description
Hersteller: IXYS
MODULE
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N60 description
Hersteller: IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK60N60B2D1
Hersteller: IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK60N60B2D1
Hersteller: IXYS
TO-264 09+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK60N60C2D1 IXG%28K%2CX%29%2060N60C2D1.pdf
Hersteller: IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60
Hersteller: ABB
07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60
Hersteller: IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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