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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Produktcode: 204981
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Китай fgh60n60sfd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 378 Вт
auf Bestellung: 75 St.
  • 75 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.46 EUR
10+6.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Produktcode: 71883
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FAIR/ON fgh60n60sfd-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 378 Вт
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+8.92 EUR
10+8.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD
Produktcode: 60291
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FAIR/ON FGH60N60SMDcvd.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,9 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 300 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 18/115
verfügbar: 1 St.
  • 1 St. - stock Köln
auf Bestellung: 25 St.
  • 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+7.25 EUR
10+6.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C2 IXGH60N60C2
Produktcode: 30178
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media?resourcetype=datasheets&itemid=1CDD0539-2F10-487C-B7E2-A0D6F656C239&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH60N60C2-Datasheet.PDF Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 480 W
verfügbar: 1 St.
  • 1 St. - stock Köln
1+7.56 EUR
10+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology APT47N60B_SC3(G)_F.pdf MOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 60 A TO-247
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.52 EUR
100+31.56 EUR
250+30.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI660N60 DAMI660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Case: SOT227B
Drain-source voltage: 60V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Polarisation: unipolar
Drain current: 500A
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N60E FCP260N60E Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
159+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N60E FCP260N60E onsemi FCPF260N60E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
10+4.96 EUR
50+3.86 EUR
100+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E Fairchild Semiconductor fcpf260n60e-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
135+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi FCPF260N60E-D.PDF Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.68 EUR
10+5.74 EUR
50+4.47 EUR
100+4.07 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.23 EUR
10+4.33 EUR
100+3.94 EUR
500+3.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTU FGA60N60UFDTU ON-Semiconductor info-tfga60n60ufdtu.pdf IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+25.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTU FGH60N60SFTU Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
auf Bestellung 9688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
74+8.13 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 284nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ON-Semiconductor info-tfgh60n60smd.pdf IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+13.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi fgh60n60smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 19703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.23 EUR
30+8.82 EUR
120+7.41 EUR
510+6.38 EUR
1020+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi fgh60n60smd-d.pdf IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
auf Bestellung 6637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.71 EUR
10+8.57 EUR
120+7.16 EUR
510+6.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3 IGW60N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW60N60H3_DS_v01_01_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.96 EUR
10+6.81 EUR
100+6.03 EUR
480+6.01 EUR
1200+5.87 EUR
2640+5.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW60N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw60n60h3-datasheet-en.pdf Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.34 EUR
30+7.02 EUR
120+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW60N60H3 IKW60N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW60N60H3_DS_v01_02_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.77 EUR
10+10.39 EUR
100+8.43 EUR
480+7.47 EUR
1200+6.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate charge: 375nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw60n60h3-datasheet-en.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.02 EUR
30+8.69 EUR
120+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT60N60X3HV IXFT60N60X3HV IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=786B6684-B13B-4FCC-99F4-90202FF2C41E&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet Description: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.13 EUR
30+15.17 EUR
60+14.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB60N60SWG NGTB60N60SWG onsemi ngtb60n60sw-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
76+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit PJMD360N60EC.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 5855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.28 EUR
50+1.73 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
10+2.44 EUR
50+1.84 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMP360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+2.4 EUR
50+1.81 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 Panjit PJMP360N60EC.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DT60N600KOC AEG 05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ON-Semiconductor info-tfgh60n60smd.pdf IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G160N60 FAIRCHIL 09+ QSOP20
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW60N60DH3E Infineon technologies
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N60 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=149785A1-B564-42F4-8374-95E201CAB2BA&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN60N60-Datasheet.PDF description MODULE
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK60N60B2D1 IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK60N60C2D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=67A973D9-E568-4255-831D-2361FD06FAF2&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGK60N60C2D1-Datasheet.PDF
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60 ABB 07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60C2 IXYS 60A/600V/IGBT/1U
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60C2D1 IXYS SOP8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR60N60U1 IXYS 00+
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX60N60C2D1 IXYS IXG%28K%2CX%29%2060N60C2D1.pdf
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT60N60
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL160N60 FSC
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL160N60FD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL160N60UF
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL160N60UFD FAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL160N60UFD(G160N
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL160N60UFDTU===Fairchild
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TT160N600KOC AEG 05+
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TT60N600KOF AEG 05+
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IGBT FGH60N60SMD 60A 600V TO-247
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IGBT FGH60N60SMD 60A 600V TO-247
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU
Produktcode: 204981
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FGH60N60SFDTU
Hersteller: Китай
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 378 Вт
auf Bestellung: 75 St.
  • 75 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.46 EUR
10+6.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU
Produktcode: 71883
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fgh60n60sfd-datasheet.pdf
FGH60N60SFDTU
Hersteller: FAIR/ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 378 Вт
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.92 EUR
10+8.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD
Produktcode: 60291
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FGH60N60SMDcvd.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: FAIR/ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,9 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 300 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 18/115
verfügbar: 1 St.
  • 1 St. - stock Köln
auf Bestellung: 25 St.
  • 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.25 EUR
10+6.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH60N60C2
Produktcode: 30178
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media?resourcetype=datasheets&itemid=1CDD0539-2F10-487C-B7E2-A0D6F656C239&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH60N60C2-Datasheet.PDF
IXGH60N60C2
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 480 W
verfügbar: 1 St.
  • 1 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+7.56 EUR
10+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT60N60BCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60BCSG
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+37.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT60N60BCSG APT47N60B_SC3(G)_F.pdf
APT60N60BCSG
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 60 A TO-247
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+36.52 EUR
100+31.56 EUR
250+30.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI660N60
DAMI660N60
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Case: SOT227B
Drain-source voltage: 60V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Polarisation: unipolar
Drain current: 500A
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N60E FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP260N60E
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
159+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N60E FCPF260N60E-D.PDF
FCP260N60E
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.54 EUR
10+4.96 EUR
50+3.86 EUR
100+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E fcpf260n60e-d.pdf
FCPF260N60E
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF
FCPF260N60E
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.68 EUR
10+5.74 EUR
50+4.47 EUR
100+4.07 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
FCPF260N60E
Hersteller: onsemi
MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.23 EUR
10+4.33 EUR
100+3.94 EUR
500+3.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N60UFDTU info-tfga60n60ufdtu.pdf
FGA60N60UFDTU
Hersteller: ON-Semiconductor
IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+25.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTU FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGH60N60SFTU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
auf Bestellung 9688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+8.13 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 284nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD info-tfgh60n60smd.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: ON-Semiconductor
IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+13.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 19703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.23 EUR
30+8.82 EUR
120+7.41 EUR
510+6.38 EUR
1020+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: onsemi
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
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1+14.71 EUR
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510+6.15 EUR
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IGW60N60H3 Infineon_IGW60N60H3_DS_v01_01_en.pdf
IGW60N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
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1+11.96 EUR
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100+6.03 EUR
480+6.01 EUR
1200+5.87 EUR
2640+5.62 EUR
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IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3-DTE.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 54 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW60N60H3FKSA1 infineon-igw60n60h3-datasheet-en.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 267 Stücke:
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2+12.34 EUR
30+7.02 EUR
120+5.85 EUR
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IKW60N60H3 Infineon_IKW60N60H3_DS_v01_02_en.pdf
IKW60N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
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1+14.77 EUR
10+10.39 EUR
100+8.43 EUR
480+7.47 EUR
1200+6.62 EUR
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IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate charge: 375nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 74 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW60N60H3FKSA1 infineon-ikw60n60h3-datasheet-en.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
auf Bestellung 299 Stücke:
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2+15.02 EUR
30+8.69 EUR
120+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFT60N60X3HV media?resourcetype=datasheets&itemid=786B6684-B13B-4FCC-99F4-90202FF2C41E&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet
IXFT60N60X3HV
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 111 Stücke:
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1+25.13 EUR
30+15.17 EUR
60+14.32 EUR
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IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
auf Bestellung 288 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB60N60SWG ngtb60n60sw-d.pdf
NGTB60N60SWG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Hersteller: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.5 EUR
10+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 5855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.61 EUR
10+2.28 EUR
50+1.73 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.83 EUR
10+2.44 EUR
50+1.84 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.77 EUR
10+2.4 EUR
50+1.81 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Hersteller: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.67 EUR
10+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DT60N600KOC
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf
FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD info-tfgh60n60smd.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: ON-Semiconductor
IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G160N60
Hersteller: FAIRCHIL
09+ QSOP20
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW60N60DH3E
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N60 description media?resourcetype=datasheets&itemid=149785A1-B564-42F4-8374-95E201CAB2BA&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN60N60-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
MODULE
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK60N60B2D1
Hersteller: IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGK60N60C2D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=67A973D9-E568-4255-831D-2361FD06FAF2&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGK60N60C2D1-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60
Hersteller: ABB
07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60C2
Hersteller: IXYS
60A/600V/IGBT/1U
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60C2D1
Hersteller: IXYS
SOP8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGR60N60U1
Hersteller: IXYS
00+
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX60N60C2D1 IXG%28K%2CX%29%2060N60C2D1.pdf
Hersteller: IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT60N60
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL160N60
Hersteller: FSC
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL160N60FD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL160N60UF
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL160N60UFD
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL160N60UFD(G160N
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL160N60UFDTU===Fairchild
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TT160N600KOC
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TT60N600KOF
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IGBT FGH60N60SMD 60A 600V TO-247
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IGBT FGH60N60SMD 60A 600V TO-247
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH