| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| FAN3111ESX | UMW |
Low Side Non-Inverting MOSFET Driver; Io+/Io- 2A/2A; tON/OFF 20/20ns; 4,5V~25V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: FAN3111ESX onsemi; FAN3111ESX UMW UIFAN3111esx UMWAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDB8832 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263Packaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDB8832 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD24AN06LA0 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD24AN06LA0 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| FDD4141 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMWAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD5680 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDD5680 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD5810 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDD5810 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDD6670A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 66A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDD6670A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 66A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6676AS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDD6676AS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6680AS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 55A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6680AS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 55A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDD6685 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDD6685 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD7030BL | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD7030BL | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDD8586 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 35A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8586 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 35A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDD86113LZ | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD86113LZ | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDD8796 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 35A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDD8796 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 35A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8870 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8870 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8874 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8874 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDD8880 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDD8880 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDD8896 | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMWAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN327N | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDN327N | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN361BN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 8310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN361BN | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP045N10A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220Packaging: Tube |
auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP8440 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220Packaging: Tube |
auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP8860 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220Packaging: Tube |
auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP8D5N10C | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220Packaging: Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS3672 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDS3672 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDS4435BZ | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDS4435BZ | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6612A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDS6612A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6675 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDS6675 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS6690A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDS6690A | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDS8958A | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDS8958A | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
auf Bestellung 1367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8978 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FDS8978 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
auf Bestellung 2998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDV301N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMWAnzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDV303N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMWAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDV304P | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMWAnzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQD13N06LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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FQD13N06LTM | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FAN3111ESX |
![]() |
Hersteller: UMW
Low Side Non-Inverting MOSFET Driver; Io+/Io- 2A/2A; tON/OFF 20/20ns; 4,5V~25V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: FAN3111ESX onsemi; FAN3111ESX UMW UIFAN3111esx UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Low Side Non-Inverting MOSFET Driver; Io+/Io- 2A/2A; tON/OFF 20/20ns; 4,5V~25V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: FAN3111ESX onsemi; FAN3111ESX UMW UIFAN3111esx UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.9 EUR |
| FDB8832 |
![]() |
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.32 EUR |
| FDD24AN06LA0 |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.32 EUR |
| FDD4141 |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.75 EUR |
| FDD5680 |
![]() |
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 1.23 EUR |
| 23+ | 0.77 EUR |
| 100+ | 0.5 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.34 EUR |
| FDD5810 |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDD5810 |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
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| FDD6670A |
![]() |
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 1.51 EUR |
| 19+ | 0.94 EUR |
| 100+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.47 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| FDD6676AS |
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auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.38 EUR |
| FDD6680AS |
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auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.32 EUR |
| FDD6685 |
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auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 1.07 EUR |
| 27+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| FDD7030BL |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.36 EUR |
| FDD8586 |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.36 EUR |
| FDD86113LZ |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.57 EUR |
| FDD8796 |
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auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 1.37 EUR |
| 21+ | 0.85 EUR |
| 100+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| FDD8870 |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.38 EUR |
| FDD8870 |
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auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 1.51 EUR |
| 19+ | 0.95 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| FDD8874 |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 1.23 EUR |
| 23+ | 0.77 EUR |
| 100+ | 0.5 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.34 EUR |
| FDD8874 |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
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Stück im Wert von UAH
| FDD8880 |
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auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 1.51 EUR |
| 19+ | 0.95 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| FDD8896 |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.86 EUR |
| FDN327N |
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auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 0.44 EUR |
| 64+ | 0.28 EUR |
| 103+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| FDN361BN |
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auf Bestellung 8310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 6000+ | 0.12 EUR |
| FDN361BN |
![]() |
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 0.6 EUR |
| 48+ | 0.37 EUR |
| FDP045N10A |
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auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.91 EUR |
| 10+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 1.72 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| FDP8440 |
![]() |
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.69 EUR |
| 11+ | 1.72 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.91 EUR |
| FDP8860 |
![]() |
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.82 EUR |
| 10+ | 2.46 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.35 EUR |
| FDP8D5N10C |
![]() |
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.56 EUR |
| 10+ | 2.28 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| FDS4435BZ | ![]() |
![]() |
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 1.13 EUR |
| 25+ | 0.71 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| FDS6612A |
![]() |
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 0.92 EUR |
| 32+ | 0.56 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| FDS6675 |
![]() |
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 1.58 EUR |
| 18+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| FDS8958A |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDS8958A |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 1.21 EUR |
| 24+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| FDS8978 |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDS8978 |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 1.14 EUR |
| 25+ | 0.72 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.097 EUR |
| FDV303N |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 300+ | 0.13 EUR |
| FDV304P |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 0.11 EUR |
| FQD13N06LTM |
![]() |
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 1.5 EUR |
| 19+ | 0.93 EUR |
| 100+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.47 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |






