Produkte > VBSEMI > Alle Produkte des Herstellers VBSEMI (90) > Seite 1 nach 2

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N0615-VB 2N0615 VBSEMI N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N06L64 VBSEMI MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ360 2SJ360 VBsemi info-t2sj360.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini (SC-62) (SOT89) 2SJ360(TE12L,F) T2SJ360
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AO3415A AO3415A VBsemi TAO3415A_VBS_VBSEMI_0001.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; AO3415A TAO3415A VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AO4862-VB AO4862-VB VBsemi TAO4862_0001.pdf Transistor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,5A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; AO4862-VB; AO4862 TAO4862
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AON6400 VBSEMI AOSGreenPolicy.pdf MOSFET N-Channel 30 V DFN5X6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AON6403-VB VBSEMI P-MOSFET -30V -75А DFN5X6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ031NE2LS5ATMA1 VBSEMI Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ033NE2LS5 VBSEMI MOSFET LV POWER MOS Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CEP83A3-VB VBSEMI 30V 120A 3m?@10V N Channel TO-220 MOSFETs ROHS Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM VBSEMI FCB20N60F-D.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N65S3-VB VBSEMI MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3652 FDB3652
Produktcode: 155755
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBSemi fdb3652-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 61 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2880/41
Montage: SMD
auf Bestellung 14 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670
Produktcode: 221616
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Vbsemi FDD3670D-Pak.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 40 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2600/35
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet 25.07.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-VB FDD8896-VB VBsemi TFDD8896_VBS_VBSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-VB FDD8896-VB VBsemi TFDD8896_VBS_VBSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P FDN306P VBsemi TFDN306P_VBS_VBSEMI_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N VBsemi info-tfdv303n.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP33N10 FQP33N10
Produktcode: 221638
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBsemi FQP33N10-D.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,052 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1150/38
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF16N60 VBSEMI N-Channel 650V 9A 123W Through Hole TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TF-VB FQT5P10TF-VB VBsemi TFQT5P10TF_VBS_VBSEMI_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230mOhm; 3A; 6,5W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF TFQT5P10TF VBS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TF-VB FQT5P10TF-VB VBsemi TFQT5P10TF_VBS_VBSEMI_0001.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HFP75N75-VB VBSEMI MOSFET N-CH TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Produktcode: 221454
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Vbsemi hgtg20n60a4d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 15/73
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet 25.07.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D
Produktcode: 216813
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBsemi hgtp12n60c3d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 24 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 104 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 28/270
auf Bestellung 26 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LF-VB IPB020N10N5LF VBSEMI MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5-VB IPB020N10N5 VBSEMI MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3G-VB IPB027N10N3G VBSEMI N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5 VBSEMI Транзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES-VB IRF1010ES-VB VBsemi TIRF1010es_VBS_x_VBSEMI.pdf 60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805S IRF3805S VBsemi TIRF3805s_VBSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805S IRF3805S VBsemi TIRF3805s_VBSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805S IRF3805S VBsemi TIRF3805s_VBSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TR-VB VBsemi Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7201; IRF7201TR; IRF7201-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201-HXY; IRF7201TR SOP8 VBSEMI TIRF7201 c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR-VB IRF7301TR-VB VBsemi SOP-8 MOSFETs ; N-Channel Array 20V 7.1A 2W Surface Mount SO-8 IRF7301TR-VB; IRF7301TR TIRF7301TR VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TR-VB VBsemi Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: YFW4406AS; IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TR-JSM; IRF7401TR TIRF7401 c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425TR-VB VBsemi Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7433TRPBF IRF7433TRPBF
Produktcode: 190632
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBSEMI IRF7433TRPBF-vb.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 12 V
Drain-Strom Id, A: 8,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 24 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1877/20
Montage: SMD
auf Bestellung 71 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7811AVTR-VB IRF7811AVTR-VB VBsemi TIRF7811AVTR_VBS_VBSEMI_0002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7811AVTR-VB IRF7811AVTR-VB VBsemi TIRF7811AVTR_VBS_VBSEMI_0002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TR&-9-VB VBsemi Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TR&-9-VB VBsemi Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF IRF9530SPBF
Produktcode: 192850
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBsemi IRF9530SPBF.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2765/67
Montage: SMD
auf Bestellung 77 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9910TR-VB VBsemi Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 4,3Ohm; 10A; 2,7W; -55°C~150°C; IRF9910TR-VB; VBsemi: VBA3211; IRF9910TR TIRF9910 VBS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM8363TRPBF VBSEMI irfhm8363pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562378cd1f57 MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF VBSEMI irfp264.pdf (MFET,N-CH,280W,250V,38A,TO-247AC) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP360PBF IRFP360PBF
Produktcode: 219023
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBSemi irfp360.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4500/210
Montage: THT
auf Bestellung 66 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4104TR-VB VBsemi Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 25V; 5mOhm; 85A; 200W; -55°C~150°C; Substitute: IRFR4104TR-VB; IRFR4104TR TIRFR4104 VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120-VB VBsemi N-MOSFET 7.7A 100V 2.5W IRFU120 TIRFU120
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF IRFU9024PBF
Produktcode: 195135
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBSEMI sihfr902.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 8,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 570/19
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF
Produktcode: 219024
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBSemi irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 160 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6590/110
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: THT
auf Bestellung 100 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505PBF VBSEMI irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500 description N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505S VBSEMI irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502 (TO-263) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3713PBF IRL3713PBF
Produktcode: 198923
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBsemi irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 260 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5890/110
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540-VB VBsemi Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540-VB VBsemi Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6342TR-VB VBsemi Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 19mOhm; 9,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Not available now; Discontinued; Odpowiednik: IRL6342TR; IRL6342 SPQ96; IRL6342-GURT; IRL6342 International Rectifier TIRL6342
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8721PBF VBSEMI infineon-irlb8721-datasheet-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8743-VB VBsemi 30V 140A 3.75W 2m?@10V,38.8A 1V TO-220AB MOSFETs IRLB8743-VB TO-220AB VBsemi Elec TIRLB8743 VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2502TR-VB VBsemi N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR TIRLML2502 VBS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N0615-VB 2N0615
Hersteller: VBSEMI
N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N06L64
Hersteller: VBSEMI
MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ360 info-t2sj360.pdf
2SJ360
Hersteller: VBsemi
Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini (SC-62) (SOT89) 2SJ360(TE12L,F) T2SJ360
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AO3415A TAO3415A_VBS_VBSEMI_0001.pdf
AO3415A
Hersteller: VBsemi
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; AO3415A TAO3415A VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AO4862-VB TAO4862_0001.pdf
AO4862-VB
Hersteller: VBsemi
Transistor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,5A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; AO4862-VB; AO4862 TAO4862
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AON6400 AOSGreenPolicy.pdf
Hersteller: VBSEMI
MOSFET N-Channel 30 V DFN5X6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AON6403-VB
Hersteller: VBSEMI
P-MOSFET -30V -75А DFN5X6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa
Hersteller: VBSEMI
MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ033NE2LS5
Hersteller: VBSEMI
MOSFET LV POWER MOS Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CEP83A3-VB
Hersteller: VBSEMI
30V 120A 3m?@10V N Channel TO-220 MOSFETs ROHS Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
Hersteller: VBSEMI
Trans MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N65S3-VB
Hersteller: VBSEMI
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3652
Produktcode: 155755
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
fdb3652-datasheet.pdf
FDB3652
Hersteller: VBSemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 61 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2880/41
Montage: SMD
auf Bestellung 14 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3670
Produktcode: 221616
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FDD3670D-Pak.pdf
Hersteller: Vbsemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 40 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2600/35
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet 25.07.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-VB TFDD8896_VBS_VBSEMI_0001.pdf
FDD8896-VB
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-VB TFDD8896_VBS_VBSEMI_0001.pdf
FDD8896-VB
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P TFDN306P_VBS_VBSEMI_0001.pdf
FDN306P
Hersteller: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP33N10
Produktcode: 221638
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FQP33N10-D.pdf
FQP33N10
Hersteller: VBsemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,052 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1150/38
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF16N60
Hersteller: VBSEMI
N-Channel 650V 9A 123W Through Hole TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TF-VB TFQT5P10TF_VBS_VBSEMI_0001.pdf
FQT5P10TF-VB
Hersteller: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230mOhm; 3A; 6,5W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF TFQT5P10TF VBS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TF-VB TFQT5P10TF_VBS_VBSEMI_0001.pdf
FQT5P10TF-VB
Hersteller: VBsemi
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HFP75N75-VB
Hersteller: VBSEMI
MOSFET N-CH TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D
Produktcode: 221454
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Hersteller: Vbsemi
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 15/73
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet 25.07.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP12N60C3D
Produktcode: 216813
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
hgtp12n60c3d-d.pdf
HGTP12N60C3D
Hersteller: VBsemi
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 24 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 104 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 28/270
auf Bestellung 26 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LF-VB IPB020N10N5LF
Hersteller: VBSEMI
MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5-VB IPB020N10N5
Hersteller: VBSEMI
MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3G-VB IPB027N10N3G
Hersteller: VBSEMI
N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5
Hersteller: VBSEMI
Транзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES-VB TIRF1010es_VBS_x_VBSEMI.pdf
IRF1010ES-VB
Hersteller: VBsemi
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805S TIRF3805s_VBSEMI_0001.pdf
IRF3805S
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805S TIRF3805s_VBSEMI_0001.pdf
IRF3805S
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805S TIRF3805s_VBSEMI_0001.pdf
IRF3805S
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TR-VB
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7201; IRF7201TR; IRF7201-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201-HXY; IRF7201TR SOP8 VBSEMI TIRF7201 c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR-VB
IRF7301TR-VB
Hersteller: VBsemi
SOP-8 MOSFETs ; N-Channel Array 20V 7.1A 2W Surface Mount SO-8 IRF7301TR-VB; IRF7301TR TIRF7301TR VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TR-VB
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: YFW4406AS; IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TR-JSM; IRF7401TR TIRF7401 c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425TR-VB
Hersteller: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7433TRPBF
Produktcode: 190632
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRF7433TRPBF-vb.pdf
IRF7433TRPBF
Hersteller: VBSEMI
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 12 V
Drain-Strom Id, A: 8,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 24 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1877/20
Montage: SMD
auf Bestellung 71 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7811AVTR-VB TIRF7811AVTR_VBS_VBSEMI_0002.pdf
IRF7811AVTR-VB
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7811AVTR-VB TIRF7811AVTR_VBS_VBSEMI_0002.pdf
IRF7811AVTR-VB
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TR&-9-VB
Hersteller: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TR&-9-VB
Hersteller: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF
Produktcode: 192850
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description IRF9530SPBF.pdf
IRF9530SPBF
Hersteller: VBsemi
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2765/67
Montage: SMD
auf Bestellung 77 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9910TR-VB
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 4,3Ohm; 10A; 2,7W; -55°C~150°C; IRF9910TR-VB; VBsemi: VBA3211; IRF9910TR TIRF9910 VBS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM8363TRPBF irfhm8363pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562378cd1f57
Hersteller: VBSEMI
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF irfp264.pdf
Hersteller: VBSEMI
(MFET,N-CH,280W,250V,38A,TO-247AC) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP360PBF
Produktcode: 219023
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irfp360.pdf
IRFP360PBF
Hersteller: VBSemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4500/210
Montage: THT
auf Bestellung 66 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4104TR-VB
Hersteller: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 25V; 5mOhm; 85A; 200W; -55°C~150°C; Substitute: IRFR4104TR-VB; IRFR4104TR TIRFR4104 VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120-VB
Hersteller: VBsemi
N-MOSFET 7.7A 100V 2.5W IRFU120 TIRFU120
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF
Produktcode: 195135
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
sihfr902.pdf
IRFU9024PBF
Hersteller: VBSEMI
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 8,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 570/19
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF
Produktcode: 219024
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5
IRL1404ZPBF
Hersteller: VBSemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 160 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6590/110
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: THT
auf Bestellung 100 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505PBF description irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500
Hersteller: VBSEMI
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505S irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502
Hersteller: VBSEMI
(TO-263) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3713PBF
Produktcode: 198923
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
IRL3713PBF
Hersteller: VBsemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 260 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5890/110
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540-VB
Hersteller: VBsemi
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540-VB
Hersteller: VBsemi
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6342TR-VB
Hersteller: VBsemi
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 19mOhm; 9,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Not available now; Discontinued; Odpowiednik: IRL6342TR; IRL6342 SPQ96; IRL6342-GURT; IRL6342 International Rectifier TIRL6342
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8721PBF description infineon-irlb8721-datasheet-en.pdf
Hersteller: VBSEMI
Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB8743-VB
Hersteller: VBsemi
30V 140A 3.75W 2m?@10V,38.8A 1V TO-220AB MOSFETs IRLB8743-VB TO-220AB VBsemi Elec TIRLB8743 VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2502TR-VB
Hersteller: VBsemi
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR TIRLML2502 VBS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]