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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N0615-VB VBSEMI 2N0615-VB 2N0615 N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET TO-252 Транзистори
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2N06L64 VBSEMI MOSFET Транзистори
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2SJ360 2SJ360 VBsemi info-t2sj360.pdf 2SJ360(TE12L,F) Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini (SC-62) (SOT89) T2SJ360
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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AO3415A AO3415A VBsemi TAO3415A_VBS_VBSEMI_0001.pdf AO3415A Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; TAO3415A VBS
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
133+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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AO4862-VB AO4862-VB VBsemi TAO4862_0001.pdf AO4862 Transistor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,5A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; AO4862-VB; TAO4862
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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AON6400 VBSEMI AOSGreenPolicy.pdf MOSFET N-Channel 30 V DFN5X6 Транзистори
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AON6403-VB VBSEMI P-MOSFET -30V -75А DFN5X6 Транзистори
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BSP130-VB VBSEMI BSP130-VB BSP130 N-Channel SOT-223 Single Транзистори
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BSZ031NE2LS5ATMA1 VBSEMI Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON Транзистори
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BSZ033NE2LS5 VBSEMI MOSFET LV POWER MOS Транзистори
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CEP83A3-VB VBSEMI 30V 120A 3m?@10V N Channel TO-220 MOSFETs ROHS Транзистори
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FCB20N60FTM VBSEMI FCB20N60F-D.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Транзистори
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FCP260N65S3-VB VBSEMI MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Транзистори
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FDB3652 FDB3652
Produktcode: 155755
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VBSemi fdb3652-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 61 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2880/41
Montage: SMD
auf Bestellung: 14 St.
  • 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.94 EUR
10+2.7 EUR
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FDD3670
Produktcode: 221616
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Vbsemi FDD3670D-Pak.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 40 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2600/35
Montage: SMD
auf Bestellung: 30 St.
  • 30 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.15 EUR
10+1.94 EUR
100+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-VB FDD8896-VB VBsemi TFDD8896_VBS_VBSEMI_0001.pdf FDD8896 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; TFDD8896 VBS
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-VB FDD8896-VB VBsemi TFDD8896_VBS_VBSEMI_0001.pdf FDD8896 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; TFDD8896 VBS
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P FDN306P VBsemi TFDN306P_VBS_VBSEMI_0001.pdf FDN306P Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; TFDN306P VBS
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N VBsemi info-tfdv303n.pdf FDV303N China Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; TFDV303n c
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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FQP33N10 FQP33N10
Produktcode: 221638
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VBsemi FQP33N10-D.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 33 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,052 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1150/38
Montage: THT
auf Bestellung: 100 St.
  • 100 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.96 EUR
10+1.76 EUR
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FQPF16N60 VBSEMI N-Channel 650V 9A 123W Through Hole TO-220AB Транзистори
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FQT5P10TF-VB FQT5P10TF-VB VBsemi TFQT5P10TF_VBS_VBSEMI_0001.pdf FQT5P10TF Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230mOhm; 3A; 6,5W; -55°C ~ 150°C; TFQT5P10TF VBS
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FQT5P10TF-VB FQT5P10TF-VB VBsemi TFQT5P10TF_VBS_VBSEMI_0001.pdf FQT5P10TF Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R TFQT5p10tf
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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HFP75N75-VB VBSEMI MOSFET N-CH TO-220AB Транзистори
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HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Produktcode: 221454
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Vbsemi HGTG20N60A4DVbsemi.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 248 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 56/176
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+9.4 EUR
10+8.54 EUR
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HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D
Produktcode: 216813
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VBsemi hgtp12n60c3d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 24 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 104 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 28/270
auf Bestellung: 25 St.
  • 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4.62 EUR
10+4.34 EUR
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IPB020N10N5LF-VB VBSEMI IPB020N10N5LF-VB IPB020N10N5LF MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5-VB VBSEMI IPB020N10N5-VB IPB020N10N5 MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3G-VB VBSEMI IPB027N10N3G-VB IPB027N10N3G N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Транзистори
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IPT012N08N5 VBSEMI Транзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
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IRF1010ES-VB IRF1010ES-VB VBsemi TIRF1010es_VBS_x_VBSEMI.pdf IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec 60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs TIRF1010es VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF3805S IRF3805S VBsemi TIRF3805s_VBSEMI_0001.pdf IRF3805S Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; TIRF3805s
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805S IRF3805S VBsemi TIRF3805s_VBSEMI_0001.pdf IRF3805S Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; TIRF3805s
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TR-VB VBsemi IRF7201TRSOP8 VBSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7201; IRF7201TR; IRF7201-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201-HXY; TIRF7201 c
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR-VB IRF7301TR-VB VBsemi IRF7301TR Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3Ohm; 7,1A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301TR-VB; TIRF7301TR VBS
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TR-VB VBsemi IRF7401TR Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: YFW4406AS; IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TR-JSM; TIRF7401 c
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425TR-VB VBsemi IRF7425 Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; TIRF7425 c
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7433TRPBF IRF7433TRPBF
Produktcode: 190632
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VBSEMI IRF7433TRPBF-vb.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 12 В
Drain-Strom Id, A: 8,9 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 24 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1877/20
Montage: SMD
auf Bestellung: 68 St.
  • 68 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+1.18 EUR
10+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7811AVTR-VB IRF7811AVTR-VB VBsemi TIRF7811AVTR_VBS_VBSEMI_0002.pdf IRF7811AVTR Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; TIRF7811AVTR VBS
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7811AVTR-VB IRF7811AVTR-VB VBsemi TIRF7811AVTR_VBS_VBSEMI_0002.pdf IRF7811AVTR Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; TIRF7811AVTR VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TR&-9-VB VBsemi IRF9310TR&-9 Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; TIRF9310-9 VBS
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TR&-9-VB VBsemi IRF9310TR&-9 Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; TIRF9310-9 VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF IRF9530SPBF
Produktcode: 192850
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VBsemi IRF9530SPBF.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2765/67
Montage: SMD
auf Bestellung: 50 St.
  • 50 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9910TR-VB VBsemi IRF9910TR Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 4,3Ohm; 10A; 2,7W; -55°C~150°C; IRF9910TR-VB; VBsemi: VBA3211; TIRF9910 VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBF VBSEMI irfb18n50k.pdf Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM8363TRPBF VBSEMI irfhm8363pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562378cd1f57 MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LPBF IRFP23N50LPBF
Produktcode: 224462
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VBSemi doc?98240 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/26
Montage: THT
auf Bestellung: 30 St.
  • 30 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF VBSEMI irfp264.pdf (MFET,N-CH,280W,250V,38A,TO-247AC) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP360PBF IRFP360PBF
Produktcode: 219023
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VBSemi irfp360.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 23 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4500/210
Montage: THT
auf Bestellung: 66 St.
  • 66 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.27 EUR
10+5.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP460-VB VBsemi IRFP460 TO-274AA MOSFETs ODPOWIEDNIK: IRFP460-VB; TIRFP460 VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4104TR-VB VBsemi IRFR4104TR Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 25V; 5mOhm; 85A; 200W; -55°C~150°C; Substitute: IRFR4104TR-VB; TIRFR4104 VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120-VB VBsemi IRFU120 N-MOSFET 7.7A 100V 2.5W TIRFU120
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF IRFU9024PBF
Produktcode: 195135
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VBSEMI sihfr902.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 8,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 570/19
Montage: THT
auf Bestellung: 526 St.
  • 526 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF
Produktcode: 219024
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VBSemi irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В
Drain-Strom Idd, A: 160 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6590/110
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
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IRL2505PBF VBSEMI irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500 description N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505S VBSEMI irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502 (TO-263) Транзистори
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IRL3713PBF IRL3713PBF
Produktcode: 198923
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VBsemi irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 260 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,003 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5890/110
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
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1+2.74 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540-VB VBsemi IRL540 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; TIRL540
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540-VB VBsemi IRL540 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; TIRL540
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6342TR-VB VBsemi IRL6342International Rectifier Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 19mOhm; 9,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Not available now; Discontinued; Odpowiednik: IRL6342TR; IRL6342SPQ96; IRL6342-GURT; TIRL6342
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N0615-VB
Hersteller: VBSEMI
2N0615-VB 2N0615 N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET TO-252 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N06L64
Hersteller: VBSEMI
MOSFET Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ360 info-t2sj360.pdf
2SJ360
Hersteller: VBsemi
2SJ360(TE12L,F) Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini (SC-62) (SOT89) T2SJ360
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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28+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AO3415A TAO3415A_VBS_VBSEMI_0001.pdf
AO3415A
Hersteller: VBsemi
AO3415A Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; TAO3415A VBS
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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133+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AO4862-VB TAO4862_0001.pdf
AO4862-VB
Hersteller: VBsemi
AO4862 Transistor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,5A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; AO4862-VB; TAO4862
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AON6400 AOSGreenPolicy.pdf
Hersteller: VBSEMI
MOSFET N-Channel 30 V DFN5X6 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AON6403-VB
Hersteller: VBSEMI
P-MOSFET -30V -75А DFN5X6 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP130-VB
Hersteller: VBSEMI
BSP130-VB BSP130 N-Channel SOT-223 Single Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa
Hersteller: VBSEMI
MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ033NE2LS5
Hersteller: VBSEMI
MOSFET LV POWER MOS Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CEP83A3-VB
Hersteller: VBSEMI
30V 120A 3m?@10V N Channel TO-220 MOSFETs ROHS Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
Hersteller: VBSEMI
Trans MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N65S3-VB
Hersteller: VBSEMI
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Транзистори
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FDB3652
Produktcode: 155755
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fdb3652-datasheet.pdf
FDB3652
Hersteller: VBSemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 61 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2880/41
Montage: SMD
auf Bestellung: 14 St.
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1+2.94 EUR
10+2.7 EUR
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FDD3670
Produktcode: 221616
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FDD3670D-Pak.pdf
Hersteller: Vbsemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 40 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2600/35
Montage: SMD
auf Bestellung: 30 St.
  • 30 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+2.15 EUR
10+1.94 EUR
100+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-VB TFDD8896_VBS_VBSEMI_0001.pdf
FDD8896-VB
Hersteller: VBsemi
FDD8896 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; TFDD8896 VBS
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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100+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-VB TFDD8896_VBS_VBSEMI_0001.pdf
FDD8896-VB
Hersteller: VBsemi
FDD8896 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; TFDD8896 VBS
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P TFDN306P_VBS_VBSEMI_0001.pdf
FDN306P
Hersteller: VBsemi
FDN306P Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; TFDN306P VBS
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Hersteller: VBsemi
FDV303N China Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; TFDV303n c
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP33N10
Produktcode: 221638
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FQP33N10-D.pdf
FQP33N10
Hersteller: VBsemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 33 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,052 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1150/38
Montage: THT
auf Bestellung: 100 St.
  • 100 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.96 EUR
10+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF16N60
Hersteller: VBSEMI
N-Channel 650V 9A 123W Through Hole TO-220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TF-VB TFQT5P10TF_VBS_VBSEMI_0001.pdf
FQT5P10TF-VB
Hersteller: VBsemi
FQT5P10TF Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230mOhm; 3A; 6,5W; -55°C ~ 150°C; TFQT5P10TF VBS
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQT5P10TF-VB TFQT5P10TF_VBS_VBSEMI_0001.pdf
FQT5P10TF-VB
Hersteller: VBsemi
FQT5P10TF Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R TFQT5p10tf
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HFP75N75-VB
Hersteller: VBSEMI
MOSFET N-CH TO-220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D
Produktcode: 221454
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HGTG20N60A4DVbsemi.pdf
HGTG20N60A4D
Hersteller: Vbsemi
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 248 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 56/176
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.4 EUR
10+8.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP12N60C3D
Produktcode: 216813
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hgtp12n60c3d-d.pdf
HGTP12N60C3D
Hersteller: VBsemi
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 24 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 104 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 28/270
auf Bestellung: 25 St.
  • 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.62 EUR
10+4.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LF-VB
Hersteller: VBSEMI
IPB020N10N5LF-VB IPB020N10N5LF MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5-VB
Hersteller: VBSEMI
IPB020N10N5-VB IPB020N10N5 MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3G-VB
Hersteller: VBSEMI
IPB027N10N3G-VB IPB027N10N3G N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT012N08N5
Hersteller: VBSEMI
Транзистор: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES-VB TIRF1010es_VBS_x_VBSEMI.pdf
IRF1010ES-VB
Hersteller: VBsemi
IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec 60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs TIRF1010es VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805S TIRF3805s_VBSEMI_0001.pdf
IRF3805S
Hersteller: VBsemi
IRF3805S Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; TIRF3805s
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805S TIRF3805s_VBSEMI_0001.pdf
IRF3805S
Hersteller: VBsemi
IRF3805S Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; TIRF3805s
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TR-VB
Hersteller: VBsemi
IRF7201TRSOP8 VBSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7201; IRF7201TR; IRF7201-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201-HXY; TIRF7201 c
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR-VB
IRF7301TR-VB
Hersteller: VBsemi
IRF7301TR Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3Ohm; 7,1A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301TR-VB; TIRF7301TR VBS
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TR-VB
Hersteller: VBsemi
IRF7401TR Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: YFW4406AS; IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TR-JSM; TIRF7401 c
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7425TR-VB
Hersteller: VBsemi
IRF7425 Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; TIRF7425 c
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7433TRPBF
Produktcode: 190632
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IRF7433TRPBF-vb.pdf
IRF7433TRPBF
Hersteller: VBSEMI
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 12 В
Drain-Strom Id, A: 8,9 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 24 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1877/20
Montage: SMD
auf Bestellung: 68 St.
  • 68 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.18 EUR
10+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7811AVTR-VB TIRF7811AVTR_VBS_VBSEMI_0002.pdf
IRF7811AVTR-VB
Hersteller: VBsemi
IRF7811AVTR Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; TIRF7811AVTR VBS
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7811AVTR-VB TIRF7811AVTR_VBS_VBSEMI_0002.pdf
IRF7811AVTR-VB
Hersteller: VBsemi
IRF7811AVTR Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; TIRF7811AVTR VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TR&-9-VB
Hersteller: VBsemi
IRF9310TR&-9 Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; TIRF9310-9 VBS
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9310TR&-9-VB
Hersteller: VBsemi
IRF9310TR&-9 Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; TIRF9310-9 VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530SPBF
Produktcode: 192850
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description IRF9530SPBF.pdf
IRF9530SPBF
Hersteller: VBsemi
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2765/67
Montage: SMD
auf Bestellung: 50 St.
  • 50 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9910TR-VB
Hersteller: VBsemi
IRF9910TR Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 4,3Ohm; 10A; 2,7W; -55°C~150°C; IRF9910TR-VB; VBsemi: VBA3211; TIRF9910 VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB18N50KPBF irfb18n50k.pdf
Hersteller: VBSEMI
Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM8363TRPBF irfhm8363pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562378cd1f57
Hersteller: VBSEMI
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LPBF
Produktcode: 224462
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description doc?98240
IRFP23N50LPBF
Hersteller: VBSemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/26
Montage: THT
auf Bestellung: 30 St.
  • 30 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF irfp264.pdf
Hersteller: VBSEMI
(MFET,N-CH,280W,250V,38A,TO-247AC) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP360PBF
Produktcode: 219023
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irfp360.pdf
IRFP360PBF
Hersteller: VBSemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 23 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4500/210
Montage: THT
auf Bestellung: 66 St.
  • 66 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.27 EUR
10+5.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP460-VB
Hersteller: VBsemi
IRFP460 TO-274AA MOSFETs ODPOWIEDNIK: IRFP460-VB; TIRFP460 VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4104TR-VB
Hersteller: VBsemi
IRFR4104TR Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 25V; 5mOhm; 85A; 200W; -55°C~150°C; Substitute: IRFR4104TR-VB; TIRFR4104 VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120-VB
Hersteller: VBsemi
IRFU120 N-MOSFET 7.7A 100V 2.5W TIRFU120
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF
Produktcode: 195135
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sihfr902.pdf
IRFU9024PBF
Hersteller: VBSEMI
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 8,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 570/19
Montage: THT
auf Bestellung: 526 St.
  • 526 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZPBF
Produktcode: 219024
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irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5
IRL1404ZPBF
Hersteller: VBSemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В
Drain-Strom Idd, A: 160 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6590/110
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 100 St.
  • 100 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.94 EUR
10+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505PBF description irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500
Hersteller: VBSEMI
N-MOSFET, unipolar, 55V, 104A, 200W, TO220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505S irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502
Hersteller: VBSEMI
(TO-263) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3713PBF
Produktcode: 198923
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description irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
IRL3713PBF
Hersteller: VBsemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 260 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,003 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5890/110
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
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AnzahlPrivatkunde
1+2.74 EUR
10+2.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540-VB
Hersteller: VBsemi
IRL540 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; TIRL540
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IRL540-VB
Hersteller: VBsemi
IRL540 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; TIRL540
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6342TR-VB
Hersteller: VBsemi
IRL6342International Rectifier Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 19mOhm; 9,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Not available now; Discontinued; Odpowiednik: IRL6342TR; IRL6342SPQ96; IRL6342-GURT; TIRL6342
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH