Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (150716) > Seite 1318 nach 2512
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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S70KL1282DPBHB020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 128Mb DRAM Clock frequency: 166MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke |
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S70KL1282DPBHI020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 128Mb DRAM Clock frequency: 166MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 338 Stücke |
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S70KL1282DPBHI023 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 128Mb DRAM Clock frequency: 166MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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S70KL1282DPBHV020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 128Mb DRAM Clock frequency: 166MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke |
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S70KL1282DPBHV023 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 128Mb DRAM Clock frequency: 166MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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S70KL1282GABHB020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 128Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 338 Stücke |
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S70KL1282GABHI020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 128Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke |
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S70KL1282GABHI023 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 128Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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S70KL1282GABHM023 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷125°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 128Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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S70KL1282GABHV020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 128Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke |
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S70KL1283GABHI023 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 128Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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S70KL1283GABHV020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 128Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke |
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S70KS1282GABHA023 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S70KS1282GABHB020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S70KS1282GABHB023 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S70KS1282GABHI020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S70KS1282GABHI023 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S70KS1282GABHV020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S70KS1282GABHV023 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S79FL256SDSMFBG03 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S79FL256SDSMFVG01 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S79FL512SDSMFVG03 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S79FS01GSFABHB210 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S80KS2562GABHB023 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S80KS2562GABHI020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S80KS2563GABHA020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S80KS2563GABHI020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S80KS2564GACHI040 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 256Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 260 Stücke |
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S80KS2564GACHI043 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 256Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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S80KS2564GACHV040 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S80KS2564GACHV043 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S80KS5122GABHA020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S80KS5122GABHB020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S80KS5122GABHM020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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S80KS5122GABHV023 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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SAK-TC1797-384F150E | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: microcontroller; BGA416; 3MBFLASH; 3.5÷5VDC Mounting: SMD Type of integrated circuit: microcontroller Interface: I2C; SPI; UART Memory: 3MB FLASH Case: BGA416 Supply voltage: 3.5...5V DC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SGB02N120 | INFINEON TECHNOLOGIES | SGB02N120 SMD IGBT transistors |
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SI4435DYTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.4A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2445 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SMBD914E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SMBT2222AE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 300MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMBT2907AE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMBT3904SH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363 Collector current: 0.2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT363 Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SMBT3906E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SMBTA06E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | SMBTA06E6327 NPN SMD transistors |
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SMBTA06UPNE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80V; 0.5A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.33W Case: SC74 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SMBTA42E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 70MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1158 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SMBTA92E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 50MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1299 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SN7002NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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SN7002NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23 Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.16A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5260 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SN7002WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT323 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2277 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPA06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 39W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPA07N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 32W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 151 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPA08N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP Case: PG-TO220-3-FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A On-state resistance: 0.65Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPA11N60C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 33W Case: PG-TO220 FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 33A Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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SPA11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPA15N60C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220 FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPA17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 42W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPA20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 34.5W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPA20N60CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 35W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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SPB11N60C3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 125W Case: PG-TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 33A Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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S70KL1282DPBHB020 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke
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Stück im Wert von UAH
S70KL1282DPBHI020 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 338 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 338 Stücke
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S70KL1282DPBHI023 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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S70KL1282DPBHV020 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke
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S70KL1282DPBHV023 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 166MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 166MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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S70KL1282GABHB020 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 338 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
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S70KL1282GABHI020 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke
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S70KL1282GABHI023 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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S70KL1282GABHM023 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷125°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷125°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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S70KL1282GABHV020 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke
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S70KL1283GABHI023 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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S70KL1283GABHV020 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 128Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 3380 Stücke
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S70KS1282GABHA023 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S70KS1282GABHA023 DRAM memories - integrated circuits
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Stück im Wert von UAH
S70KS1282GABHB020 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S70KS1282GABHB020 DRAM memories - integrated circuits
S70KS1282GABHB020 DRAM memories - integrated circuits
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Stück im Wert von UAH
S70KS1282GABHB023 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S70KS1282GABHB023 DRAM memories - integrated circuits
S70KS1282GABHB023 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S70KS1282GABHI020 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S70KS1282GABHI020 DRAM memories - integrated circuits
S70KS1282GABHI020 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S70KS1282GABHI023 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S70KS1282GABHI023 DRAM memories - integrated circuits
S70KS1282GABHI023 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S70KS1282GABHV020 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S70KS1282GABHV020 DRAM memories - integrated circuits
S70KS1282GABHV020 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S70KS1282GABHV023 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S70KS1282GABHV023 DRAM memories - integrated circuits
S70KS1282GABHV023 DRAM memories - integrated circuits
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Stück im Wert von UAH
S79FL256SDSMFBG03 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S79FL256SDSMFBG03 Serial FLASH memories - integrated circ.
S79FL256SDSMFBG03 Serial FLASH memories - integrated circ.
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S79FL256SDSMFVG01 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S79FL256SDSMFVG01 Serial FLASH memories - integrated circ.
S79FL256SDSMFVG01 Serial FLASH memories - integrated circ.
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S79FL512SDSMFVG03 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S79FL512SDSMFVG03 Serial FLASH memories - integrated circ.
S79FL512SDSMFVG03 Serial FLASH memories - integrated circ.
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S79FS01GSFABHB210 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S79FS01GSFABHB210 Serial FLASH memories - integrated circ.
S79FS01GSFABHB210 Serial FLASH memories - integrated circ.
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Stück im Wert von UAH
S80KS2562GABHB023 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS2562GABHB023 DRAM memories - integrated circuits
S80KS2562GABHB023 DRAM memories - integrated circuits
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S80KS2562GABHI020 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS2562GABHI020 DRAM memories - integrated circuits
S80KS2562GABHI020 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S80KS2563GABHA020 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS2563GABHA020 DRAM memories - integrated circuits
S80KS2563GABHA020 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S80KS2563GABHI020 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS2563GABHI020 DRAM memories - integrated circuits
S80KS2563GABHI020 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S80KS2564GACHI040 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 256Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.7...2V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 260 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 256Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.7...2V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 260 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S80KS2564GACHI043 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 256Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.7...2V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM
Memory: 256Mb DRAM
Clock frequency: 200MHz
Access time: 35ns
Case: FBGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.7...2V DC
Interface: HyperBus
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S80KS2564GACHV040 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS2564GACHV040 DRAM memories - integrated circuits
S80KS2564GACHV040 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S80KS2564GACHV043 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS2564GACHV043 DRAM memories - integrated circuits
S80KS2564GACHV043 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S80KS5122GABHA020 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS5122GABHA020 DRAM memories - integrated circuits
S80KS5122GABHA020 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S80KS5122GABHB020 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS5122GABHB020 DRAM memories - integrated circuits
S80KS5122GABHB020 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S80KS5122GABHM020 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS5122GABHM020 DRAM memories - integrated circuits
S80KS5122GABHM020 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S80KS5122GABHV023 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
S80KS5122GABHV023 DRAM memories - integrated circuits
S80KS5122GABHV023 DRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SAK-TC1797-384F150E |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller; BGA416; 3MBFLASH; 3.5÷5VDC
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: microcontroller
Interface: I2C; SPI; UART
Memory: 3MB FLASH
Case: BGA416
Supply voltage: 3.5...5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller; BGA416; 3MBFLASH; 3.5÷5VDC
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: microcontroller
Interface: I2C; SPI; UART
Memory: 3MB FLASH
Case: BGA416
Supply voltage: 3.5...5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SGB02N120 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SGB02N120 SMD IGBT transistors
SGB02N120 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SI4435DYTRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
61+ | 1.17 EUR |
85+ | 0.85 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
2000+ | 0.4 EUR |
SMBD914E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SMBD914E6327HTSA1 SMD universal diodes
SMBD914E6327HTSA1 SMD universal diodes
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
329+ | 0.21 EUR |
905+ | 0.079 EUR |
6000+ | 0.046 EUR |
SMBT2222AE6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMBT2907AE6327HTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMBT3904SH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT363
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT363
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
88+ | 0.82 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
244+ | 0.29 EUR |
671+ | 0.11 EUR |
3000+ | 0.063 EUR |
SMBT3906E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
358+ | 0.2 EUR |
582+ | 0.12 EUR |
711+ | 0.1 EUR |
784+ | 0.091 EUR |
906+ | 0.079 EUR |
1155+ | 0.062 EUR |
1223+ | 0.058 EUR |
SMBTA06E6327 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SMBTA06E6327 NPN SMD transistors
SMBTA06E6327 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SMBTA06UPNE6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
148+ | 0.49 EUR |
239+ | 0.3 EUR |
371+ | 0.19 EUR |
516+ | 0.14 EUR |
544+ | 0.13 EUR |
SMBTA42E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.36 EUR |
355+ | 0.2 EUR |
481+ | 0.15 EUR |
550+ | 0.13 EUR |
878+ | 0.082 EUR |
944+ | 0.076 EUR |
SMBTA92E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.4 EUR |
219+ | 0.33 EUR |
365+ | 0.2 EUR |
848+ | 0.084 EUR |
910+ | 0.079 EUR |
SN7002NH6327XTSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SN7002NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
SN7002NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SN7002NH6433XTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
250+ | 0.29 EUR |
407+ | 0.18 EUR |
573+ | 0.12 EUR |
665+ | 0.11 EUR |
1257+ | 0.057 EUR |
1330+ | 0.054 EUR |
5000+ | 0.052 EUR |
SN7002WH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
228+ | 0.31 EUR |
376+ | 0.19 EUR |
548+ | 0.13 EUR |
642+ | 0.11 EUR |
1049+ | 0.068 EUR |
1109+ | 0.064 EUR |
SPA06N80C3 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.76 EUR |
28+ | 2.56 EUR |
250+ | 1.52 EUR |
SPA07N60C3 | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.56 EUR |
40+ | 1.82 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
50+ | 1.7 EUR |
100+ | 1.64 EUR |
SPA08N80C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Case: PG-TO220-3-FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Case: PG-TO220-3-FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.32 EUR |
29+ | 2.46 EUR |
500+ | 1.73 EUR |
1000+ | 1.69 EUR |
SPA11N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPA11N80C3 | ![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 4.05 EUR |
34+ | 2.14 EUR |
36+ | 2.03 EUR |
500+ | 1.94 EUR |
SPA15N60C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 4.36 EUR |
24+ | 3 EUR |
26+ | 2.85 EUR |
SPA17N80C3 | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.28 EUR |
22+ | 3.3 EUR |
23+ | 3.12 EUR |
500+ | 3 EUR |
SPA20N60C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.71 EUR |
19+ | 3.83 EUR |
20+ | 3.63 EUR |
25+ | 3.52 EUR |
50+ | 3.49 EUR |
SPA20N60CFDXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPB11N60C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH