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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1C8B20D0EB1BF&compId=SPB17N80C3-DTE.pdf?ci_sign=7a9740a6d8782001fb1d2e3a766be0f2035a313f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.72 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
250+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB18P06P_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bd62a460d SPB18P06PGATMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.49 EUR
21+3.45 EUR
23+3.25 EUR
250+3.2 EUR
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5 SPB20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58CD214FC83874A&compId=SPB20N60S5.pdf?ci_sign=c10e80218ee233c1423c180589fd11a6a8f52b71 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80P06PGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.55 EUR
23+3.17 EUR
24+3 EUR
100+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD03N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD03N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f144a43c7038b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 38W
Technology: CoolMOS™
Pulsed drain current: 9.6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD03N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 13.5A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04P10PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD04P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ad1e743f8 SPD04P10PGBTMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04P10PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD04P10PL_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42acf1843f4 SPD04P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD06N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD08N50C3BTMA1 SPD08N50C3BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC055B0CF746143&compId=SPD08N50C3.pdf?ci_sign=b862188d80ca98611ca5bbb3552eb42de1934d70 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD08P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6 SPD08P06PGBTMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD09P06PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 SPD09P06PLGBTMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
101+0.71 EUR
106+0.67 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD15P10PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD_P15P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42aa02743bc SPD15P10PGBTMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD15P10PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433c1a8752013c39ff5f2e4af3 SPD15P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.9 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD18P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 SPD18P06PGBTMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92D8893CBA51CC&compId=SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=1336cadb1b80dbd9173ab792431c3392d8afa7d0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.89 EUR
47+1.53 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
250+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D5A62F654D811C&compId=SPD50N03S207G-DTE.pdf?ci_sign=068d79be9e9d324ac6f1de7a5a630c5f9ecd67a2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
114+0.63 EUR
117+0.61 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92DA9E7E5A51CC&compId=SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=a20986a621e71ec1c6f409668776e8d55dea2f8c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.82 EUR
32+2.25 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3 SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.2 EUR
37+1.96 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74551DE5955EA&compId=SPP06N80C3.pdf?ci_sign=de98f335fae22c53c534d0cca62632e985b3ec96 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3 SPP07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58CAF949F5A874A&compId=SPx07N60C3.pdf?ci_sign=d30e40c6cca869d635e53260e170358f87f64a9d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3 SPP08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.37 EUR
25+2.96 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
27+2.65 EUR
200+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1E5D4C00111BF&compId=SPP11N80C3-dte.pdf?ci_sign=b26c2386ea50a5506f83eacecebe4bf1a2b7bb44 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.8 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
250+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1 SPP15P10PLHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92DF4896A411CC&compId=SPP15P10PLHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=ead7ae3ae2309c3e298e1a2cdb1971d8711f9449 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
16+4.46 EUR
43+1.66 EUR
1500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
Power dissipation: 81.1W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60CFD SPP20N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C783B4EE1074A&compId=SPP20N60CFD.pdf?ci_sign=dbc3ea2fe752e41c1a3dd10f077750ec4af484ca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPP21N50C3 SPP21N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C4CF9426D074A&compId=SPx21N50C3.pdf?ci_sign=85647eac47dcdd1dec3420a747691d62a2a87b0b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPP24N60C3 SPP24N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C338FC109074A&compId=SPP24N60C3.pdf?ci_sign=9b76c37c48399245f85e35d54b51d528dfd0f521 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92E343ED03F1CC&compId=SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=0fdc7be718405dc45ca2e85200515e93fcb1a285 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
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SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BB1C7255147820&compId=SP_03N60C3.pdf?ci_sign=b87a58535ff6673a5514a471e700d088e6931a7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SPW11N80C3 SPW11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B3FF4C2BAF7A71BF&compId=SPW11N80C3-DTE.pdf?ci_sign=a5731e027b48697bfb5b7b556dd38587c18e85a8 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74B604CA355EA&compId=SPW17N80C3.pdf?ci_sign=8964f39b04abcc8eed47c2e250888ed93a2c8204 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
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SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C16093F72474A&compId=SPW20N60C3.pdf?ci_sign=afd7f24a2b3398c2d40ac67fa04a496e8428135d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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12+6.11 EUR
13+5.51 EUR
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30+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60S5 SPW20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C03411041C74A&compId=SPW20N60S5.pdf?ci_sign=589384c8d611bc972143bda64550ceff9610d199 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
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9+8.74 EUR
12+6.02 EUR
13+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60C3 SPW35N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58BF0F14026474A&compId=SPW35N60C3.pdf?ci_sign=d5cc3f9b644bd5805b4f67199468e72689a460cc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.97 EUR
7+10.7 EUR
30+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60CFD SPW35N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B9F7B3559DE33E28&compId=SPW35N60CFD.pdf?ci_sign=f745343adc80ebd46908d5a119ad112816112262 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N60C3 SPW47N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74E879E8C75EA&compId=SPW47N60C3.pdf?ci_sign=1a73e65522ac6237960a368d454b3746e49500ae Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.33 EUR
6+12.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC092237EC5C143&compId=SPW47N60CFD.pdf?ci_sign=c0df2ab8085e621354099569b122d97599ed0c0d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC09871AF5B4143&compId=SPW47N65C3F.pdf?ci_sign=bc8251f17fe0e05522c4493877177400dbf45573 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW55N80C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb SPW55N80C3FKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1400N16P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT1400N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015ffc220d0b1754 STT1400N16P55 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1400N18P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT1400N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99a9775672 STT1400N18P55XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1900N16P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT1900N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fd95f11276e7a STT1900N16P55 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1900N18P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT1900N18P55-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc999c30566f STT1900N18P55XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT2200N16P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT2200N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015fed4a8fb55c24 STT2200N16P55 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT2200N18P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT2200N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99b5485675 STT2200N18P55XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT3300N16P76XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES STT3300N16P76XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT3300N18P76XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES STT3300N18P76XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT800N16P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES STT800N16P55.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 800A; BG-PS55-1; Ufmax: 1.56V
Case: BG-PS55-1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.56V
Load current: 800A
Semiconductor structure: opposing
Gate current: 200mA
Max. forward impulse current: 5.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1190N16TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T1190N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ffba89405c02 T1190N16TOF Button thyristors
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T1590N28TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T1590N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc2012409cf7bc2474b T1590N28TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1901N80TOHXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T1901N_Rev9.0_05-02-11.pdf T1901N80TOHXPSA1 Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1C8B20D0EB1BF&compId=SPB17N80C3-DTE.pdf?ci_sign=7a9740a6d8782001fb1d2e3a766be0f2035a313f
SPB17N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.72 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
250+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06P_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bd62a460d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPB18P06PGATMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.49 EUR
21+3.45 EUR
23+3.25 EUR
250+3.2 EUR
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58CD214FC83874A&compId=SPB20N60S5.pdf?ci_sign=c10e80218ee233c1423c180589fd11a6a8f52b71
SPB20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.55 EUR
23+3.17 EUR
24+3 EUR
100+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD03N50C3ATMA1 Infineon-SPD03N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f144a43c7038b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 38W
Technology: CoolMOS™
Pulsed drain current: 9.6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 13.5A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ad1e743f8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD04P10PGBTMA1 SMD P channel transistors
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SPD04P10PLGBTMA1 SPD04P10PL_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42acf1843f4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD04P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD08N50C3BTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC055B0CF746143&compId=SPD08N50C3.pdf?ci_sign=b862188d80ca98611ca5bbb3552eb42de1934d70
SPD08N50C3BTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD08P06PGBTMA1 Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD08P06PGBTMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD09P06PLGBTMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
101+0.71 EUR
106+0.67 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD15P10PGBTMA1 SPD_P15P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42aa02743bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD15P10PGBTMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD15P10PLGBTMA1 dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433c1a8752013c39ff5f2e4af3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD15P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.9 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD18P06PGBTMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD30P06PGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92D8893CBA51CC&compId=SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=1336cadb1b80dbd9173ab792431c3392d8afa7d0
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
47+1.53 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
250+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD50N03S207GBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D5A62F654D811C&compId=SPD50N03S207G-DTE.pdf?ci_sign=068d79be9e9d324ac6f1de7a5a630c5f9ecd67a2
SPD50N03S207GBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
114+0.63 EUR
117+0.61 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD50P03LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92DA9E7E5A51CC&compId=SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=a20986a621e71ec1c6f409668776e8d55dea2f8c
SPD50P03LGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.82 EUR
32+2.25 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185
SPP04N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
37+1.96 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74551DE5955EA&compId=SPP06N80C3.pdf?ci_sign=de98f335fae22c53c534d0cca62632e985b3ec96
SPP06N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58CAF949F5A874A&compId=SPx07N60C3.pdf?ci_sign=d30e40c6cca869d635e53260e170358f87f64a9d
SPP07N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3 Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
SPP08N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
25+2.96 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
27+2.65 EUR
200+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1E5D4C00111BF&compId=SPP11N80C3-dte.pdf?ci_sign=b26c2386ea50a5506f83eacecebe4bf1a2b7bb44
SPP11N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.8 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
250+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92DF4896A411CC&compId=SPP15P10PLHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=ead7ae3ae2309c3e298e1a2cdb1971d8711f9449
SPP15P10PLHXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
16+4.46 EUR
43+1.66 EUR
1500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.36 EUR
22+3.33 EUR
23+3.15 EUR
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP18P06PHXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92E1526F3291CC&compId=SPP18P06PHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=31d8bff6b49e66865ad7bc0fc966b6524742fb2f
SPP18P06PHXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
Power dissipation: 81.1W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.93 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C058D08A5F9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=spp20n60c3.pdf?ci_sign=e6782b5ab7a5620fbda75de79daa9ea3abc07fdf
SPP20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
22+3.4 EUR
24+3.06 EUR
25+2.9 EUR
50+2.86 EUR
100+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60CFD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C783B4EE1074A&compId=SPP20N60CFD.pdf?ci_sign=dbc3ea2fe752e41c1a3dd10f077750ec4af484ca
SPP20N60CFD
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74979E4DF15EA&compId=SPP20N60S5.pdf?ci_sign=9517e223f8c071928c7215f494b987c9464a9602
SPP20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.69 EUR
18+4.2 EUR
23+3.25 EUR
24+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C667B060CA74A&compId=SPx20N65C3.pdf?ci_sign=4a5fd5b6aca8081747d29cb9f65df2e1aa25839d
SPP20N65C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.65 EUR
11+6.89 EUR
14+5.26 EUR
15+4.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP21N50C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C4CF9426D074A&compId=SPx21N50C3.pdf?ci_sign=85647eac47dcdd1dec3420a747691d62a2a87b0b
SPP21N50C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.3 EUR
19+3.88 EUR
22+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP24N60C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C338FC109074A&compId=SPP24N60C3.pdf?ci_sign=9b76c37c48399245f85e35d54b51d528dfd0f521
SPP24N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP80P06PHXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92E343ED03F1CC&compId=SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=0fdc7be718405dc45ca2e85200515e93fcb1a285
SPP80P06PHXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.5 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
50+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPU03N60C3BKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BB1C7255147820&compId=SP_03N60C3.pdf?ci_sign=b87a58535ff6673a5514a471e700d088e6931a7b
SPU03N60C3BKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B3FF4C2BAF7A71BF&compId=SPW11N80C3-DTE.pdf?ci_sign=a5731e027b48697bfb5b7b556dd38587c18e85a8
SPW11N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW17N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74B604CA355EA&compId=SPW17N80C3.pdf?ci_sign=8964f39b04abcc8eed47c2e250888ed93a2c8204
SPW17N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.28 EUR
12+5.99 EUR
13+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C16093F72474A&compId=SPW20N60C3.pdf?ci_sign=afd7f24a2b3398c2d40ac67fa04a496e8428135d
SPW20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.11 EUR
13+5.51 EUR
16+4.6 EUR
17+4.35 EUR
30+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60S5 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C03411041C74A&compId=SPW20N60S5.pdf?ci_sign=589384c8d611bc972143bda64550ceff9610d199
SPW20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.74 EUR
12+6.02 EUR
13+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58BF0F14026474A&compId=SPW35N60C3.pdf?ci_sign=d5cc3f9b644bd5805b4f67199468e72689a460cc
SPW35N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.97 EUR
7+10.7 EUR
30+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60CFD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B9F7B3559DE33E28&compId=SPW35N60CFD.pdf?ci_sign=f745343adc80ebd46908d5a119ad112816112262
SPW35N60CFD
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74E879E8C75EA&compId=SPW47N60C3.pdf?ci_sign=1a73e65522ac6237960a368d454b3746e49500ae
SPW47N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.33 EUR
6+12.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N60CFDFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC092237EC5C143&compId=SPW47N60CFD.pdf?ci_sign=c0df2ab8085e621354099569b122d97599ed0c0d
SPW47N60CFDFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N65C3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC09871AF5B4143&compId=SPW47N65C3F.pdf?ci_sign=bc8251f17fe0e05522c4493877177400dbf45573
SPW47N65C3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW55N80C3FKSA1 Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPW55N80C3FKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1400N16P55XPSA1 Infineon-STT1400N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015ffc220d0b1754
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1400N16P55 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1400N18P55XPSA1 Infineon-STT1400N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99a9775672
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1400N18P55XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1900N16P55XPSA1 Infineon-STT1900N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fd95f11276e7a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1900N16P55 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1900N18P55XPSA1 Infineon-STT1900N18P55-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc999c30566f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1900N18P55XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT2200N16P55XPSA1 Infineon-STT2200N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015fed4a8fb55c24
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT2200N16P55 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT2200N18P55XPSA1 Infineon-STT2200N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99b5485675
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT2200N18P55XPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT3300N16P76XPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT3300N16P76XPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT3300N18P76XPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT3300N18P76XPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT800N16P55XPSA1 STT800N16P55.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 800A; BG-PS55-1; Ufmax: 1.56V
Case: BG-PS55-1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.56V
Load current: 800A
Semiconductor structure: opposing
Gate current: 200mA
Max. forward impulse current: 5.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1190N16TOFVTXPSA1 Infineon-T1190N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ffba89405c02
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T1190N16TOF Button thyristors
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T1590N28TOFVTXPSA1 Infineon-T1590N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc2012409cf7bc2474b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T1590N28TOF Button thyristors
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T1901N80TOHXPSA1 T1901N_Rev9.0_05-02-11.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T1901N80TOHXPSA1 Button thyristors
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