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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SPD04P10PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD04P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ad1e743f8 SPD04P10PGBTMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04P10PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD04P10PL_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42acf1843f4 SPD04P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD06N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD08N50C3BTMA1 SPD08N50C3BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC055B0CF746143&compId=SPD08N50C3.pdf?ci_sign=b862188d80ca98611ca5bbb3552eb42de1934d70 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92C66FF52E31CC&compId=SPD08P06PGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=7b711489853b2c9a41ef3b64f3dc1316c5bde3a3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD09P06PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 SPD09P06PLGBTMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
101+0.71 EUR
106+0.67 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD15P10PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD_P15P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42aa02743bc SPD15P10PGBTMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD15P10PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433c1a8752013c39ff5f2e4af3 SPD15P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.9 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92D584FDDFF1CC&compId=SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF?ci_sign=da6a29aaaa090540fd1b2071f208587cdcd3da3a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
2500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92D8893CBA51CC&compId=SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=1336cadb1b80dbd9173ab792431c3392d8afa7d0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1076 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
45+1.6 EUR
51+1.42 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D5A62F654D811C&compId=SPD50N03S207G-DTE.pdf?ci_sign=068d79be9e9d324ac6f1de7a5a630c5f9ecd67a2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
106+0.67 EUR
112+0.64 EUR
115+0.62 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92DA9E7E5A51CC&compId=SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=a20986a621e71ec1c6f409668776e8d55dea2f8c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Case: PG-TO252-5
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 150W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.82 EUR
32+2.25 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3 SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.2 EUR
37+1.96 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74551DE5955EA&compId=SPP06N80C3.pdf?ci_sign=de98f335fae22c53c534d0cca62632e985b3ec96 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.03 EUR
26+2.76 EUR
34+2.14 EUR
36+2.03 EUR
250+2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3 SPP07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58CAF949F5A874A&compId=SPx07N60C3.pdf?ci_sign=d30e40c6cca869d635e53260e170358f87f64a9d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3 SPP08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.37 EUR
25+2.96 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.66 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1E5D4C00111BF&compId=SPP11N80C3-dte.pdf?ci_sign=b26c2386ea50a5506f83eacecebe4bf1a2b7bb44 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.8 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1 SPP15P10PLHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92DF4896A411CC&compId=SPP15P10PLHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=ead7ae3ae2309c3e298e1a2cdb1971d8711f9449 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 128W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
16+4.46 EUR
43+1.66 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
41+1.74 EUR
44+1.64 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92E1526F3291CC&compId=SPP18P06PHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=31d8bff6b49e66865ad7bc0fc966b6524742fb2f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
Power dissipation: 81.1W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.37 EUR
32+2.23 EUR
38+1.89 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C058D08A5F9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=spp20n60c3.pdf?ci_sign=e6782b5ab7a5620fbda75de79daa9ea3abc07fdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.85 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60CFD SPP20N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C783B4EE1074A&compId=SPP20N60CFD.pdf?ci_sign=dbc3ea2fe752e41c1a3dd10f077750ec4af484ca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 SPP20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74979E4DF15EA&compId=SPP20N60S5.pdf?ci_sign=9517e223f8c071928c7215f494b987c9464a9602 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N65C3 SPP20N65C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C667B060CA74A&compId=SPx20N65C3.pdf?ci_sign=4a5fd5b6aca8081747d29cb9f65df2e1aa25839d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPP24N60C3 SPP24N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C338FC109074A&compId=SPP24N60C3.pdf?ci_sign=9b76c37c48399245f85e35d54b51d528dfd0f521 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92E343ED03F1CC&compId=SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=0fdc7be718405dc45ca2e85200515e93fcb1a285 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BB1C7255147820&compId=SP_03N60C3.pdf?ci_sign=b87a58535ff6673a5514a471e700d088e6931a7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPW11N80C3 SPW11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B3FF4C2BAF7A71BF&compId=SPW11N80C3-DTE.pdf?ci_sign=a5731e027b48697bfb5b7b556dd38587c18e85a8 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74B604CA355EA&compId=SPW17N80C3.pdf?ci_sign=8964f39b04abcc8eed47c2e250888ed93a2c8204 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C16093F72474A&compId=SPW20N60C3.pdf?ci_sign=afd7f24a2b3398c2d40ac67fa04a496e8428135d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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8+8.94 EUR
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SPW20N60S5 SPW20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C03411041C74A&compId=SPW20N60S5.pdf?ci_sign=589384c8d611bc972143bda64550ceff9610d199 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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13+5.85 EUR
18+4.03 EUR
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SPW35N60C3 SPW35N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58BF0F14026474A&compId=SPW35N60C3.pdf?ci_sign=d5cc3f9b644bd5805b4f67199468e72689a460cc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
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7+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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SPW35N60CFD SPW35N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B9F7B3559DE33E28&compId=SPW35N60CFD.pdf?ci_sign=f745343adc80ebd46908d5a119ad112816112262 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N60C3 SPW47N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74E879E8C75EA&compId=SPW47N60C3.pdf?ci_sign=1a73e65522ac6237960a368d454b3746e49500ae Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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960+10.05 EUR
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SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC092237EC5C143&compId=SPW47N60CFD.pdf?ci_sign=c0df2ab8085e621354099569b122d97599ed0c0d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
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auf Bestellung 28 Stücke:
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4+18.06 EUR
6+12.43 EUR
7+11.75 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC09871AF5B4143&compId=SPW47N65C3F.pdf?ci_sign=bc8251f17fe0e05522c4493877177400dbf45573 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW55N80C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 34.7A; Idm: 150A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 34.7A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1400N16P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT1400N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015ffc220d0b1754 STT1400N16P55 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1400N18P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT1400N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99a9775672 STT1400N18P55XPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1900N16P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT1900N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fd95f11276e7a STT1900N16P55 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1900N18P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT1900N18P55-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc999c30566f STT1900N18P55XPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT2200N16P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT2200N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015fed4a8fb55c24 STT2200N16P55 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT2200N18P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT2200N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99b5485675 STT2200N18P55XPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT3300N16P76XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 3.3kA; BG-PS55-1; screw; screw
Case: BG-PS55-1
Semiconductor structure: opposing
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 3.3kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT3300N18P76XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.8kV; 3.3kA; BG-PS55-1; screw; screw
Case: BG-PS55-1
Semiconductor structure: opposing
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 3.3kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT800N16P55XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-STT800N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015ffc21fe071751 STT800N16P55 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1190N16TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T1190N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ffba89405c02 T1190N16TOF Button thyristors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1590N28TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T1590N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc2012409cf7bc2474b T1590N28TOF Button thyristors
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T1901N80TOHXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9DDC3AE3FA1220D3&compId=T1901N.pdf?ci_sign=d739f38cc9ebb3d55674a5768e63ae1c4c8bcbdc Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 8kV; Ifmax: 3.3kA; 2.1kA; Igt: 350mA
Case: BG-T15035K-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Gate current: 350mA
Load current: 2.1kA
Max. forward impulse current: 67kA
Max. off-state voltage: 8kV
Max. load current: 3.3kA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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T3160N16TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T3160N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304318a6cd680118a87ccaa30053 T3160N16TOFVTXPSA1 Button thyristors
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T3160N18TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T3160N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304318a6cd680118a87ccaa30053 T3160N18TOFVTXPSA1 Button thyristors
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T360N22TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T360N22TOF Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
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T390N16TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T390N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128636b9b085316 T390N16TOF Button thyristors
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T420N16TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T420N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637bdb055339 T420N16TOF Button thyristors
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T430N12TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T430N.pdf Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.2kV; Ifmax: 700A; 433A; Igt: 200mA
Case: BG-T4214K0-1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 700A
Load current: 433A
Gate current: 200mA
Max. forward impulse current: 5.2kA
Kind of package: in-tray
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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T501N70TOHXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB4847A69CF6160C7&compId=T501N70TOHXPSA1.pdf?ci_sign=32f065570e51f46bdba34fdd7f20fb2249109b1d Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 7kV; Ifmax: 1kA; 640A; Igt: 350mA; in-tray
Case: BG-T7626K-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Gate current: 350mA
Load current: 640A
Max. load current: 1kA
Max. off-state voltage: 7kV
Max. forward impulse current: 13.5kA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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T560N14TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T560N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637eb8405343 T560N14TOF Button thyristors
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T560N16TOFXPSA1 T560N16TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9AD799E02A0720C7&compId=T560N.pdf?ci_sign=f6ca51bfc40228aaf083e8bbcf0295fb3dd68388 Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 809A
Load current: 559A
Gate current: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 8kA
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+155.41 EUR
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SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ad1e743f8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD04P10PGBTMA1 SMD P channel transistors
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SPD04P10PLGBTMA1 SPD04P10PL_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42acf1843f4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD04P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
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SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SPD08N50C3BTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC055B0CF746143&compId=SPD08N50C3.pdf?ci_sign=b862188d80ca98611ca5bbb3552eb42de1934d70
SPD08N50C3BTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD08P06PGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92C66FF52E31CC&compId=SPD08P06PGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=7b711489853b2c9a41ef3b64f3dc1316c5bde3a3
SPD08P06PGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD09P06PLGBTMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1900 Stücke:
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Anzahl Preis
71+1.02 EUR
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500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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SPD15P10PGBTMA1 SPD_P15P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42aa02743bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD15P10PGBTMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD15P10PLGBTMA1 dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433c1a8752013c39ff5f2e4af3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD15P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2204 Stücke:
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38+1.9 EUR
50+1.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 38
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SPD18P06PGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92D584FDDFF1CC&compId=SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF?ci_sign=da6a29aaaa090540fd1b2071f208587cdcd3da3a
SPD18P06PGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
2500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD30P06PGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92D8893CBA51CC&compId=SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=1336cadb1b80dbd9173ab792431c3392d8afa7d0
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1076 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
45+1.6 EUR
51+1.42 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD50N03S207GBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D5A62F654D811C&compId=SPD50N03S207G-DTE.pdf?ci_sign=068d79be9e9d324ac6f1de7a5a630c5f9ecd67a2
SPD50N03S207GBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
106+0.67 EUR
112+0.64 EUR
115+0.62 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD50P03LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92DA9E7E5A51CC&compId=SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=a20986a621e71ec1c6f409668776e8d55dea2f8c
SPD50P03LGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Case: PG-TO252-5
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 150W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.82 EUR
32+2.25 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185
SPP04N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
37+1.96 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP06N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74551DE5955EA&compId=SPP06N80C3.pdf?ci_sign=de98f335fae22c53c534d0cca62632e985b3ec96
SPP06N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.03 EUR
26+2.76 EUR
34+2.14 EUR
36+2.03 EUR
250+2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58CAF949F5A874A&compId=SPx07N60C3.pdf?ci_sign=d30e40c6cca869d635e53260e170358f87f64a9d
SPP07N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP08N80C3 Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
SPP08N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
25+2.96 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP11N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1E5D4C00111BF&compId=SPP11N80C3-dte.pdf?ci_sign=b26c2386ea50a5506f83eacecebe4bf1a2b7bb44
SPP11N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.8 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92DF4896A411CC&compId=SPP15P10PLHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=ead7ae3ae2309c3e298e1a2cdb1971d8711f9449
SPP15P10PLHXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 128W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
16+4.46 EUR
43+1.66 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
41+1.74 EUR
44+1.64 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP18P06PHXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92E1526F3291CC&compId=SPP18P06PHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=31d8bff6b49e66865ad7bc0fc966b6524742fb2f
SPP18P06PHXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
Power dissipation: 81.1W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.37 EUR
32+2.23 EUR
38+1.89 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C058D08A5F9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=spp20n60c3.pdf?ci_sign=e6782b5ab7a5620fbda75de79daa9ea3abc07fdf
SPP20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.85 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60CFD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C783B4EE1074A&compId=SPP20N60CFD.pdf?ci_sign=dbc3ea2fe752e41c1a3dd10f077750ec4af484ca
SPP20N60CFD
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74979E4DF15EA&compId=SPP20N60S5.pdf?ci_sign=9517e223f8c071928c7215f494b987c9464a9602
SPP20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C667B060CA74A&compId=SPx20N65C3.pdf?ci_sign=4a5fd5b6aca8081747d29cb9f65df2e1aa25839d
SPP20N65C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.65 EUR
11+6.89 EUR
14+5.28 EUR
15+4.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP21N50C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C4CF9426D074A&compId=SPx21N50C3.pdf?ci_sign=85647eac47dcdd1dec3420a747691d62a2a87b0b
SPP21N50C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.3 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP24N60C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C338FC109074A&compId=SPP24N60C3.pdf?ci_sign=9b76c37c48399245f85e35d54b51d528dfd0f521
SPP24N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP80P06PHXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92E343ED03F1CC&compId=SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=0fdc7be718405dc45ca2e85200515e93fcb1a285
SPP80P06PHXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.53 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
50+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPU03N60C3BKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BB1C7255147820&compId=SP_03N60C3.pdf?ci_sign=b87a58535ff6673a5514a471e700d088e6931a7b
SPU03N60C3BKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW11N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B3FF4C2BAF7A71BF&compId=SPW11N80C3-DTE.pdf?ci_sign=a5731e027b48697bfb5b7b556dd38587c18e85a8
SPW11N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW17N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74B604CA355EA&compId=SPW17N80C3.pdf?ci_sign=8964f39b04abcc8eed47c2e250888ed93a2c8204
SPW17N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.75 EUR
17+4.33 EUR
21+3.45 EUR
22+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C16093F72474A&compId=SPW20N60C3.pdf?ci_sign=afd7f24a2b3398c2d40ac67fa04a496e8428135d
SPW20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
18+3.98 EUR
30+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW20N60S5 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C03411041C74A&compId=SPW20N60S5.pdf?ci_sign=589384c8d611bc972143bda64550ceff9610d199
SPW20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.85 EUR
18+4.03 EUR
19+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58BF0F14026474A&compId=SPW35N60C3.pdf?ci_sign=d5cc3f9b644bd5805b4f67199468e72689a460cc
SPW35N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60CFD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B9F7B3559DE33E28&compId=SPW35N60CFD.pdf?ci_sign=f745343adc80ebd46908d5a119ad112816112262
SPW35N60CFD
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74E879E8C75EA&compId=SPW47N60C3.pdf?ci_sign=1a73e65522ac6237960a368d454b3746e49500ae
SPW47N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.86 EUR
7+10.45 EUR
480+10.31 EUR
960+10.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N60CFDFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC092237EC5C143&compId=SPW47N60CFD.pdf?ci_sign=c0df2ab8085e621354099569b122d97599ed0c0d
SPW47N60CFDFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.06 EUR
6+12.43 EUR
7+11.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N65C3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC09871AF5B4143&compId=SPW47N65C3F.pdf?ci_sign=bc8251f17fe0e05522c4493877177400dbf45573
SPW47N65C3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW55N80C3FKSA1 Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 34.7A; Idm: 150A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 34.7A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1400N16P55XPSA1 Infineon-STT1400N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015ffc220d0b1754
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1400N16P55 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1400N18P55XPSA1 Infineon-STT1400N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99a9775672
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1400N18P55XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1900N16P55XPSA1 Infineon-STT1900N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fd95f11276e7a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1900N16P55 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT1900N18P55XPSA1 Infineon-STT1900N18P55-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc999c30566f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1900N18P55XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT2200N16P55XPSA1 Infineon-STT2200N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015fed4a8fb55c24
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT2200N16P55 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT2200N18P55XPSA1 Infineon-STT2200N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99b5485675
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT2200N18P55XPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT3300N16P76XPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.6kV; 3.3kA; BG-PS55-1; screw; screw
Case: BG-PS55-1
Semiconductor structure: opposing
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 3.3kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT3300N18P76XPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.8kV; 3.3kA; BG-PS55-1; screw; screw
Case: BG-PS55-1
Semiconductor structure: opposing
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 3.3kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STT800N16P55XPSA1 Infineon-STT800N16P55-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015ffc21fe071751
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
STT800N16P55 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1190N16TOFVTXPSA1 Infineon-T1190N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ffba89405c02
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T1190N16TOF Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1590N28TOFVTXPSA1 Infineon-T1590N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc2012409cf7bc2474b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T1590N28TOF Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1901N80TOHXPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9DDC3AE3FA1220D3&compId=T1901N.pdf?ci_sign=d739f38cc9ebb3d55674a5768e63ae1c4c8bcbdc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 8kV; Ifmax: 3.3kA; 2.1kA; Igt: 350mA
Case: BG-T15035K-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Gate current: 350mA
Load current: 2.1kA
Max. forward impulse current: 67kA
Max. off-state voltage: 8kV
Max. load current: 3.3kA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T3160N16TOFVTXPSA1 Infineon-T3160N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304318a6cd680118a87ccaa30053
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T3160N16TOFVTXPSA1 Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T3160N18TOFVTXPSA1 Infineon-T3160N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304318a6cd680118a87ccaa30053
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T3160N18TOFVTXPSA1 Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T360N22TOFXPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T360N22TOF Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T390N16TOFXPSA1 Infineon-T390N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128636b9b085316
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T390N16TOF Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T420N16TOFXPSA1 Infineon-T420N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd80128637bdb055339
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T420N16TOF Button thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T430N12TOFXPSA1 T430N.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.2kV; Ifmax: 700A; 433A; Igt: 200mA
Case: BG-T4214K0-1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 700A
Load current: 433A
Gate current: 200mA
Max. forward impulse current: 5.2kA
Kind of package: in-tray
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T501N70TOHXPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB4847A69CF6160C7&compId=T501N70TOHXPSA1.pdf?ci_sign=32f065570e51f46bdba34fdd7f20fb2249109b1d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 7kV; Ifmax: 1kA; 640A; Igt: 350mA; in-tray
Case: BG-T7626K-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Gate current: 350mA
Load current: 640A
Max. load current: 1kA
Max. off-state voltage: 7kV
Max. forward impulse current: 13.5kA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
T560N14TOF Button thyristors
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T560N16TOFXPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9AD799E02A0720C7&compId=T560N.pdf?ci_sign=f6ca51bfc40228aaf083e8bbcf0295fb3dd68388
T560N16TOFXPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 809A
Load current: 559A
Gate current: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 8kA
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
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