Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (148885) > Seite 781 nach 2482
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRF1404ZSTRL | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
AUIRF1404STRL | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
AUIRF1404 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
AUIRF1404S | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
S25FS064SAGMFI010 | Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOICPackaging: Tray Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 133 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOIC Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Verified |
auf Bestellung 3283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
S25FS064SAGMFI011 | Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOICPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 133 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOIC Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
S25FS064SDSMFI010 | Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOICPackaging: Tray Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 80 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOIC Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRG4BC30KPBF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 28A TO-220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 58 A Power - Max: 100 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3616 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ46ZSPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
DDB2U50N08W1R_B23 | Infineon Technologies |
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier 600V |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
BA 592 E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes PIN 35 V 100 mA |
auf Bestellung 13284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| BA595E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA |
auf Bestellung 14327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
|
BAR9002ELE6327XTMA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODES |
auf Bestellung 8760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR 81W H6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 7092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| BA 592 E6433 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode 35V 100mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
|
BAR 63-02V H6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 2336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| BA 595 E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA |
auf Bestellung 6730 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
|
BAR 64-04 E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA |
auf Bestellung 53649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR 88-02V H6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 3577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| BAR 63-04 E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diodes |
auf Bestellung 1353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
BAR8802VH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 17280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAT 18-04 E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode |
auf Bestellung 7920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BBY5602VH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODES |
auf Bestellung 60374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| BAR 61 E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diode 140mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
|
BAR6405WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 13162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR6404WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 4907 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR 64-06W H6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 5107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR6402ELE6327XTMA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODES |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BAR 63-06 E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diodes |
auf Bestellung 5948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| BAR 64-02EL E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODES |
auf Bestellung 14838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| BAR 89-02LRH E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diode |
auf Bestellung 14999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BAR9002ELSE6327XTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODES |
auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| BAR 64-02V H6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| BAR 64-05 E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA |
auf Bestellung 451 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
BAR 14-1 E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
BAR 64-04W H6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
BAR 15-1 E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| BAR 90-02EL E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODES |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
|
BAR6303WE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes PIN 50 V 100 mA |
auf Bestellung 2722 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR 64-05W H6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 2125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR 63-04W H6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 2813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR6302VH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR 63-06W H6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 8152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR 50-02V H6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 6820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR6302LE6327XTMA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diodes |
auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR151E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA |
auf Bestellung 12366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
BAR6304WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR 63-05W H6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODES |
auf Bestellung 6294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR 63-05 E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diodes |
auf Bestellung 5325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| BAR 65-02V H6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 13710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
BAR 67-02V H6327 | Infineon Technologies | PIN Diodes RF DIODE |
auf Bestellung 7240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| BAR 63-02L E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diodes |
auf Bestellung 10245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
BAR6404E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA |
auf Bestellung 5449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR6305E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diodes |
auf Bestellung 6372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR6403WE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA |
auf Bestellung 789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BAR141E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BAR 65-03W E6327 | Infineon Technologies |
PIN Diodes Silicon PIN Diode 30V 100mA |
auf Bestellung 7794 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| AUIRF1404ZSTRL |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AUIRF1404STRL |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AUIRF1404 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AUIRF1404S |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BTS282ZE3180AATMA2 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S25FS064SAGMFI010 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Verified
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Verified
auf Bestellung 3283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.43 EUR |
| 10+ | 3.21 EUR |
| 25+ | 3.12 EUR |
| 50+ | 3.05 EUR |
| 100+ | 2.98 EUR |
| 280+ | 2.88 EUR |
| 560+ | 2.81 EUR |
| 1120+ | 2.74 EUR |
| S25FS064SAGMFI011 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S25FS064SDSMFI010 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.07 EUR |
| 10+ | 3.8 EUR |
| 25+ | 3.69 EUR |
| 50+ | 3.61 EUR |
| 100+ | 3.52 EUR |
| IRG4BC30KPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 28A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 58 A
Power - Max: 100 W
Description: IGBT 600V 28A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 58 A
Power - Max: 100 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFZ46ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFZ46ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 242+ | 1.84 EUR |
| IRFZ46ZSPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DDB2U50N08W1R_B23 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier 600V
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier 600V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BA 592 E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 35 V 100 mA
PIN Diodes PIN 35 V 100 mA
auf Bestellung 13284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.3 EUR |
| 16+ | 0.18 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |
| 6000+ | 0.11 EUR |
| BA595E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
auf Bestellung 14327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAR9002ELE6327XTMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
PIN Diodes RF DIODES
auf Bestellung 8760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 0.23 EUR |
| 21+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 500+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.095 EUR |
| 2500+ | 0.09 EUR |
| 5000+ | 0.086 EUR |
| BAR 81W H6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 7092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 0.67 EUR |
| 10+ | 0.46 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 3000+ | 0.35 EUR |
| 6000+ | 0.33 EUR |
| BA 592 E6433 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode 35V 100mA
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode 35V 100mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAR 63-02V H6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 2336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.51 EUR |
| 10+ | 0.38 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| 3000+ | 0.099 EUR |
| 6000+ | 0.086 EUR |
| BA 595 E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
auf Bestellung 6730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAR 64-04 E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
auf Bestellung 53649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.55 EUR |
| 10+ | 0.4 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.11 EUR |
| 6000+ | 0.092 EUR |
| BAR 88-02V H6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 3577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.28 EUR |
| BAR 63-04 E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
auf Bestellung 1353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 0.42 EUR |
| 12+ | 0.24 EUR |
| 100+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.19 EUR |
| 3000+ | 0.17 EUR |
| BAR8802VH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 17280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.28 EUR |
| BAT 18-04 E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode
auf Bestellung 7920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.09 EUR |
| 10+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 3000+ | 0.26 EUR |
| 6000+ | 0.23 EUR |
| BBY5602VH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
PIN Diodes RF DIODES
auf Bestellung 60374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.3 EUR |
| 11+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| BAR 61 E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 140mA
PIN Diodes Silicon PIN Diode 140mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAR6405WH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 13162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.36 EUR |
| 14+ | 0.22 EUR |
| 100+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.16 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 3000+ | 0.13 EUR |
| BAR6404WH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 4907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.36 EUR |
| 14+ | 0.22 EUR |
| 100+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.16 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 3000+ | 0.13 EUR |
| BAR 64-06W H6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 5107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.36 EUR |
| 14+ | 0.22 EUR |
| 100+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.16 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 3000+ | 0.14 EUR |
| BAR6402ELE6327XTMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
PIN Diodes RF DIODES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAR 63-06 E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
auf Bestellung 5948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 0.42 EUR |
| 11+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.19 EUR |
| 3000+ | 0.16 EUR |
| BAR 64-02EL E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
PIN Diodes RF DIODES
auf Bestellung 14838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 0.64 EUR |
| 10+ | 0.46 EUR |
| 100+ | 0.26 EUR |
| 500+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| 2500+ | 0.12 EUR |
| 5000+ | 0.1 EUR |
| BAR 89-02LRH E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode
PIN Diodes Silicon PIN Diode
auf Bestellung 14999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAR9002ELSE6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
PIN Diodes RF DIODES
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 0.24 EUR |
| 20+ | 0.15 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.1 EUR |
| 2500+ | 0.095 EUR |
| 5000+ | 0.092 EUR |
| BAR 64-02V H6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.53 EUR |
| 10+ | 0.39 EUR |
| 100+ | 0.22 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.1 EUR |
| 6000+ | 0.09 EUR |
| BAR 64-05 E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 0.2 EUR |
| 24+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.092 EUR |
| 500+ | 0.086 EUR |
| 1000+ | 0.081 EUR |
| 3000+ | 0.076 EUR |
| 6000+ | 0.072 EUR |
| BAR 14-1 E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAR 64-04W H6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAR 15-1 E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.92 EUR |
| 10+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| BAR 90-02EL E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
PIN Diodes RF DIODES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAR6303WE6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 50 V 100 mA
PIN Diodes PIN 50 V 100 mA
auf Bestellung 2722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 0.21 EUR |
| 23+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.1 EUR |
| 500+ | 0.092 EUR |
| 1000+ | 0.088 EUR |
| 3000+ | 0.07 EUR |
| BAR 64-05W H6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.8 EUR |
| 10+ | 0.49 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 3000+ | 0.18 EUR |
| 6000+ | 0.16 EUR |
| BAR 63-04W H6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 2813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.73 EUR |
| 10+ | 0.54 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| 500+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.16 EUR |
| 3000+ | 0.14 EUR |
| 6000+ | 0.12 EUR |
| BAR6302VH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 0.18 EUR |
| 25+ | 0.11 EUR |
| 100+ | 0.086 EUR |
| 500+ | 0.081 EUR |
| 3000+ | 0.079 EUR |
| 9000+ | 0.077 EUR |
| 24000+ | 0.07 EUR |
| BAR 63-06W H6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 8152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 0.32 EUR |
| 10+ | 0.31 EUR |
| 100+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.12 EUR |
| 9000+ | 0.095 EUR |
| BAR 50-02V H6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 6820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 0.65 EUR |
| 10+ | 0.48 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| 500+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |
| 6000+ | 0.11 EUR |
| BAR6302LE6327XTMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 0.23 EUR |
| 21+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.1 EUR |
| 500+ | 0.099 EUR |
| 1000+ | 0.093 EUR |
| 2500+ | 0.088 EUR |
| 5000+ | 0.084 EUR |
| BAR151E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
auf Bestellung 12366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAR6304WH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 0.26 EUR |
| 20+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.11 EUR |
| 3000+ | 0.1 EUR |
| 6000+ | 0.095 EUR |
| BAR 63-05W H6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
PIN Diodes RF DIODES
auf Bestellung 6294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 0.26 EUR |
| 19+ | 0.15 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.11 EUR |
| 9000+ | 0.092 EUR |
| BAR 63-05 E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
auf Bestellung 5325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 0.95 EUR |
| 10+ | 0.59 EUR |
| 100+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
| BAR 65-02V H6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 13710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.53 EUR |
| 10+ | 0.39 EUR |
| 100+ | 0.22 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.1 EUR |
| 6000+ | 0.09 EUR |
| BAR 67-02V H6327 |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 7240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 0.41 EUR |
| 12+ | 0.24 EUR |
| 100+ | 0.19 EUR |
| 500+ | 0.18 EUR |
| 3000+ | 0.16 EUR |
| BAR 63-02L E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
auf Bestellung 10245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 0.64 EUR |
| 10+ | 0.46 EUR |
| 100+ | 0.26 EUR |
| 500+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| 2500+ | 0.12 EUR |
| 5000+ | 0.1 EUR |
| BAR6404E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
auf Bestellung 5449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 0.2 EUR |
| 24+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.092 EUR |
| 500+ | 0.086 EUR |
| 1000+ | 0.081 EUR |
| 3000+ | 0.076 EUR |
| 6000+ | 0.07 EUR |
| BAR6305E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
auf Bestellung 6372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 0.41 EUR |
| 12+ | 0.24 EUR |
| 100+ | 0.19 EUR |
| 500+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| 6000+ | 0.16 EUR |
| BAR6403WE6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.29 EUR |
| 17+ | 0.17 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.11 EUR |
| BAR141E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAR 65-03W E6327 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 30V 100mA
PIN Diodes Silicon PIN Diode 30V 100mA
auf Bestellung 7794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.3 EUR |
| 16+ | 0.18 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |






















