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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
GS0650186LRMRXUSA1 GS0650186LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: GS-065-018-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.7 EUR
10+7.23 EUR
100+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRMRXUSA1 GS0650116LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6 Description: GS-065-011-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRMRXUSA1 GS0650116LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6 Description: GS-065-011-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.6 EUR
10+5.05 EUR
100+3.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRMRXUSA1 GS0650146LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9 Description: GS-065-014-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRMRXUSA1 GS0650146LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9 Description: GS-065-014-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+8.92 EUR
10+5.97 EUR
100+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRMRXUSA1 GS0650306LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRMRXUSA1 GS0650306LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SKB02N60E3266ATMA1 SKB02N60E3266ATMA1 Infineon Technologies SKB02N60.pdf Description: IGBT NPT 600V 6A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
Switching Energy: 64µJ
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
315+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 315
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SKB02N60ATMA1 SKB02N60ATMA1 Infineon Technologies SKB02N60.pdf Description: IGBT NPT 600V 6A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
Switching Energy: 64µJ
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
289+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 289
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRL3705ZSTRL AUIRL3705ZSTRL Infineon Technologies auirl3705z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bac1911546 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4BC10SD-SPBF IRG4BC10SD-SPBF Infineon Technologies irg4bc10sd-spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ef0f62241 Description: IGBT 600V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns
Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off)
Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 15 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 38 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAV70 Infineon Technologies Infineon-BAV70SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431400ef6801141c0ba40e041d Description: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 70 V
auf Bestellung 173566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6045+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 6045
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLZ24NSTRL AUIRLZ24NSTRL Infineon Technologies AUIRLZ24NS%2CNL.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLZ24NS AUIRLZ24NS Infineon Technologies AUIRLZ24NS%2CNL.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516TMRXUSA1 GS66516TMRXUSA1 Infineon Technologies Description: GS66516T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516TMRXUSA1 GS66516TMRXUSA1 Infineon Technologies Description: GS66516T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516TTRXUMA1 GS66516TTRXUMA1 Infineon Technologies Infineon-GS66516T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161d33153ea Description: GS66516T-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516TTRXUMA1 GS66516TTRXUMA1 Infineon Technologies Infineon-GS66516T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161d33153ea Description: GS66516T-TR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW75N65ES5XKSA1 IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW75N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972e4191f00 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns
Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
60+7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3415 AUIRF3415 Infineon Technologies auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8 Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N03LF2SATMA1 IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf Description: IPB023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N03LF2SATMA1 IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf Description: IPB023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE9944EQA40XUMA1 TLE9944EQA40XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE994x_5x-ProductOverview-ProductOverview-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01953d558e1e6e8e Description: EMBEDDED_POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LINbus, SSC, UART/USART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 29V
Controller Series: TLE9944
Program Memory Type: FLASH (72kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Supplier Device Package: PG-TSDSO-32-1
Number of I/O: 8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE9944EQW40XUMA1 TLE9944EQW40XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE994x_5x-ProductOverview-ProductOverview-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01953d558e1e6e8e Description: EMBEDDED_POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LINbus, SSC, UART/USART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 29V
Controller Series: TLE9954
Program Memory Type: FLASH (72kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Supplier Device Package: PG-TSDSO-32-1
Grade: Automotive
Number of I/O: 5
Qualification: AEC-Q100
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDB2U50N08W1R_B23 DDB2U50N08W1R_B23 Infineon Technologies Infineon-DDB2U50N08W1R_B23-DS-v03_00-EN-219386.pdf Bridge Rectifiers Bridge Rectifier 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA 592 E6327 BA 592 E6327 Infineon Technologies ba592_ba892series.pdf PIN Diodes PIN 35 V 100 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA595E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR9002ELE6327XTMA1 BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BAR90-02EL-DS-v01_00-EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
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BAR 81W H6327 BAR 81W H6327 Infineon Technologies Infineon-BAR81SERIES-DS-v01_01-en.pdf PIN Diodes RF DIODE
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BA 592 E6433 Infineon Technologies ba592_ba892series-87652.pdf PIN Diodes Silicon RF Switching Diode 35V 100mA
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BAR 63-02V H6327 BAR 63-02V H6327 Infineon Technologies Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
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BA 595 E6327 Infineon Technologies Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
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BAR 64-04 E6327 BAR 64-04 E6327 Infineon Technologies Infineon-BAR64-04-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
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BAR 88-02V H6327 BAR 88-02V H6327 Infineon Technologies bar88series-86027.pdf PIN Diodes RF DIODE
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BAR 63-04 E6327 Infineon Technologies Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diodes
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BAR8802VH6327XTSA1 BAR8802VH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR88SERIES-DS-v01_01-en-1730988.pdf PIN Diodes RF DIODE
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BAT 18-04 E6327 BAT 18-04 E6327 Infineon Technologies Infineon-BAT18SERIES-DS-v01_01-en.pdf PIN Diodes Silicon RF Switching Diode
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BBY5602VH6327XTSA1 BBY5602VH6327XTSA1 Infineon Technologies bby56series_2014-59205.pdf PIN Diodes RF DIODES
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BAR 61 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 140mA
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BAR6405WH6327XTSA1 BAR6405WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR64-05W-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
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BAR6404WH6327XTSA1 BAR6404WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
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BAR 64-06W H6327 BAR 64-06W H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_06W_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
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14+0.22 EUR
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BAR6402ELE6327XTMA1 BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BAR64-02EL-DataSheet-v01_01-EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
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BAR 63-06 E6327 Infineon Technologies Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diodes
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BAR 64-02EL E6327 Infineon Technologies Infineon-BAR64-02EL-DataSheet-v01_01-EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
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BAR 89-02LRH E6327 Infineon Technologies bar89-89034.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode
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BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR90-02ELS-DS-v01_00-EN.pdf PIN Diodes RF DIODES
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BAR 64-02V H6327 Infineon Technologies Infineon_BAR64_02V_DS_v01_01_EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 64-05 E6327 Infineon Technologies Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
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BAR 14-1 E6327 BAR 14-1 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
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BAR 64-04W H6327 BAR 64-04W H6327 Infineon Technologies Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
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BAR 15-1 E6327 BAR 15-1 E6327 Infineon Technologies bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 90-02EL E6327 Infineon Technologies Infineon_BAR90_02EL_DS_v01_00_EN-1840578.pdf PIN Diodes RF DIODES
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BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes PIN 50 V 100 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 64-05W H6327 BAR 64-05W H6327 Infineon Technologies Infineon-BAR64-05W-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 63-04W H6327 BAR 63-04W H6327 Infineon Technologies Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6302VH6327XTSA1 BAR6302VH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 63-06W H6327 BAR 63-06W H6327 Infineon Technologies Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes RF DIODE
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 50-02V H6327 BAR 50-02V H6327 Infineon Technologies bar50series-55254.pdf PIN Diodes RF DIODE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6302LE6327XTMA1 BAR6302LE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diodes
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GS0650186LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRMRXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS-065-018-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.7 EUR
10+7.23 EUR
100+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GS0650116LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6
GS0650116LRMRXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS-065-011-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6
GS0650116LRMRXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS-065-011-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.6 EUR
10+5.05 EUR
100+3.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9
GS0650146LRMRXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS-065-014-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9
GS0650146LRMRXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS-065-014-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+8.92 EUR
10+5.97 EUR
100+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRMRXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRMRXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SKB02N60E3266ATMA1 SKB02N60.pdf
SKB02N60E3266ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 6A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
Switching Energy: 64µJ
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
315+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 315
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SKB02N60ATMA1 SKB02N60.pdf
SKB02N60ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 6A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
Switching Energy: 64µJ
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
289+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 289
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AUIRL3705ZSTRL auirl3705z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bac1911546
AUIRL3705ZSTRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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IRG4BC10SD-SPBF irg4bc10sd-spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ef0f62241
IRG4BC10SD-SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns
Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off)
Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 15 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 38 W
Produkt ist nicht verfügbar
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BAV70 Infineon-BAV70SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431400ef6801141c0ba40e041d
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 70 V
auf Bestellung 173566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6045+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 6045
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AUIRLZ24NSTRL AUIRLZ24NS%2CNL.pdf
AUIRLZ24NSTRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRLZ24NS AUIRLZ24NS%2CNL.pdf
AUIRLZ24NS
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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GS66516TMRXUSA1
GS66516TMRXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS66516T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516TMRXUSA1
GS66516TMRXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS66516T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516TTRXUMA1 Infineon-GS66516T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161d33153ea
GS66516TTRXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS66516T-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS66516TTRXUMA1 Infineon-GS66516T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161d33153ea
GS66516TTRXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS66516T-TR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon-IKFW75N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972e4191f00
IKFW75N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns
Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3415 auirf3415.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac896113a8
AUIRF3415
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N03LF2SATMA1 infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf
IPB023N03LF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPB023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N03LF2SATMA1 infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf
IPB023N03LF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPB023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE9944EQA40XUMA1 Infineon-TLE994x_5x-ProductOverview-ProductOverview-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01953d558e1e6e8e
TLE9944EQA40XUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: EMBEDDED_POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LINbus, SSC, UART/USART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 29V
Controller Series: TLE9944
Program Memory Type: FLASH (72kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Supplier Device Package: PG-TSDSO-32-1
Number of I/O: 8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE9944EQW40XUMA1 Infineon-TLE994x_5x-ProductOverview-ProductOverview-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01953d558e1e6e8e
TLE9944EQW40XUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: EMBEDDED_POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LINbus, SSC, UART/USART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 29V
Controller Series: TLE9954
Program Memory Type: FLASH (72kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Supplier Device Package: PG-TSDSO-32-1
Grade: Automotive
Number of I/O: 5
Qualification: AEC-Q100
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDB2U50N08W1R_B23 Infineon-DDB2U50N08W1R_B23-DS-v03_00-EN-219386.pdf
DDB2U50N08W1R_B23
Hersteller: Infineon Technologies
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA 592 E6327 ba592_ba892series.pdf
BA 592 E6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 35 V 100 mA
auf Bestellung 13384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.3 EUR
16+0.18 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA595E6327HTSA1 Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
auf Bestellung 14327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon-BAR90-02EL-DS-v01_00-EN.pdf
BAR9002ELE6327XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
auf Bestellung 8760 Stücke:
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Anzahl Preis
13+0.23 EUR
21+0.14 EUR
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500+0.1 EUR
1000+0.095 EUR
2500+0.09 EUR
5000+0.086 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 81W H6327 Infineon-BAR81SERIES-DS-v01_01-en.pdf
BAR 81W H6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
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10+0.46 EUR
100+0.39 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA 592 E6433 ba592_ba892series-87652.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode 35V 100mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 63-02V H6327 Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf
BAR 63-02V H6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 12786 Stücke:
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6+0.51 EUR
10+0.38 EUR
100+0.21 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.099 EUR
6000+0.086 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA 595 E6327 Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 50V 100mA
auf Bestellung 6730 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 64-04 E6327 Infineon-BAR64-04-DS-v01_01-EN.pdf
BAR 64-04 E6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
auf Bestellung 63672 Stücke:
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10+0.4 EUR
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500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.092 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 88-02V H6327 bar88series-86027.pdf
BAR 88-02V H6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
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10+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.28 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 63-04 E6327 Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
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7+0.42 EUR
12+0.24 EUR
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500+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR8802VH6327XTSA1 Infineon-BAR88SERIES-DS-v01_01-en-1730988.pdf
BAR8802VH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 17280 Stücke:
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4+0.88 EUR
10+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.28 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT 18-04 E6327 Infineon-BAT18SERIES-DS-v01_01-en.pdf
BAT 18-04 E6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon RF Switching Diode
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3+1.11 EUR
10+0.67 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBY5602VH6327XTSA1 bby56series_2014-59205.pdf
BBY5602VH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
auf Bestellung 60374 Stücke:
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10+0.3 EUR
11+0.26 EUR
100+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 61 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 140mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6405WH6327XTSA1 Infineon-BAR64-05W-DS-v01_01-EN.pdf
BAR6405WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 23172 Stücke:
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18+0.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6404WH6327XTSA1 Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf
BAR6404WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
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8+0.36 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 64-06W H6327 Infineon_BAR64_06W_DS_v01_01_EN.pdf
BAR 64-06W H6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 5207 Stücke:
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Anzahl Preis
8+0.36 EUR
14+0.22 EUR
100+0.17 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon-BAR64-02EL-DataSheet-v01_01-EN.pdf
BAR6402ELE6327XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 63-06 E6327 Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
auf Bestellung 5948 Stücke:
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Anzahl Preis
7+0.42 EUR
11+0.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 64-02EL E6327 Infineon-BAR64-02EL-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 89-02LRH E6327 bar89-89034.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode
auf Bestellung 14999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon-BAR90-02ELS-DS-v01_00-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.24 EUR
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100+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 64-02V H6327 Infineon_BAR64_02V_DS_v01_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 7820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 64-05 E6327 Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diode 150V 100mA
auf Bestellung 6531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+0.2 EUR
24+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 14-1 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
BAR 14-1 E6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 64-04W H6327 Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf
BAR 64-04W H6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 15-1 E6327 bar14_bar15_bar16_bar61series-84984.pdf
BAR 15-1 E6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 100 V 140 mA
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.92 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 90-02EL E6327 Infineon_BAR90_02EL_DS_v01_00_EN-1840578.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6303WE6327HTSA1 Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf
BAR6303WE6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes PIN 50 V 100 mA
auf Bestellung 8732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+0.21 EUR
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Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 64-05W H6327 Infineon-BAR64-05W-DS-v01_01-EN.pdf
BAR 64-05W H6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 63-04W H6327 Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf
BAR 63-04W H6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 12260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.73 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6302VH6327XTSA1 Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf
BAR6302VH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 14851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 63-06W H6327 Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf
BAR 63-06W H6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 8152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR 50-02V H6327 bar50series-55254.pdf
BAR 50-02V H6327
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes RF DIODE
auf Bestellung 6820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6302LE6327XTMA1 Infineon-BAR63SERIES_DS-DS-v01_01-EN.pdf
BAR6302LE6327XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
PIN Diodes Silicon PIN Diodes
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+0.23 EUR
21+0.14 EUR
100+0.1 EUR
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5000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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