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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 INFINEON 2354545.pdf Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.8 EUR
139+1.68 EUR
191+1.12 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MINICONTROL2GOTOBO1 MINICONTROL2GOTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - MINICONTROL2GOTOBO1 - HMI-Mini-Steuerung, 4 Richtungen, 360°-Drehung, 3D-Magnetsensor 2GO-Kits und Shield2Go
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: HMI-Mini-Steuerung mit 4 Richtungen und 360°-Drehung
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
Produktpalette: -
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+104.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS118DATMA1 BTS118DATMA1 INFINEON Infineon-BTS118D-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3508f8b0fb8 Description: INFINEON - BTS118DATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 15A, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 15A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.34 EUR
79+2.98 EUR
86+2.51 EUR
100+2.23 EUR
250+2.11 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2106STRPBF IR2106STRPBF INFINEON INFN-S-A0008964746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IR2106STRPBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
111+2.09 EUR
125+1.73 EUR
141+1.54 EUR
250+1.44 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2106STRPBF IR2106STRPBF INFINEON INFN-S-A0008964746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IR2106STRPBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.07 EUR
111+2.09 EUR
125+1.73 EUR
141+1.54 EUR
250+1.44 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4115TRL7PP IRFS4115TRL7PP INFINEON INFN-S-A0002541348-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF INFINEON IRSDS19266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
250+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 88 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF INFINEON INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 62431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
115+2.03 EUR
250+1.38 EUR
1000+1.05 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NSTRLPBF IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON 138831.pdf Description: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NSTRLPBF IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON 138831.pdf Description: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE49641MXTSA1 TLE49641MXTSA1 INFINEON Infineon-TLE4964_1M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043397219b601397256e86f0059 Description: INFINEON - TLE49641MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.018 T, 0.0125 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0125T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.018T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
254+0.92 EUR
280+0.76 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847CE6327HTSA1 BC847CE6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-475.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC847CE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 116439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.79 EUR
770+0.3 EUR
893+0.24 EUR
1037+0.2 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.67 EUR
244+0.95 EUR
378+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.67 EUR
244+0.95 EUR
378+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1 IPN60R1K0CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.3 EUR
175+1.33 EUR
269+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
140+1.65 EUR
213+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1 IPN60R1K0CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.3 EUR
175+1.33 EUR
269+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 INFINEON 2718778.pdf Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.71 EUR
177+1.31 EUR
225+0.95 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600PFD7SATMA1 IPN60R600PFD7SATMA1 INFINEON 3049667.pdf Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
150+1.55 EUR
219+0.98 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759 Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.57 EUR
111+2.09 EUR
167+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5PFD7SATMA1 IPN60R1K5PFD7SATMA1 INFINEON 3163575.pdf Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
187+1.25 EUR
278+0.77 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759 Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.57 EUR
111+2.09 EUR
167+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFINEON INFN-S-A0009369308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0PFD7SATMA1 IPN60R1K0PFD7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed62e922939f2 Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.84 EUR
191+1.21 EUR
283+0.76 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFINEON INFN-S-A0009369308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0PFD7SATMA1 IPN60R1K0PFD7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed62e922939f2 Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.84 EUR
191+1.21 EUR
283+0.76 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5PFD7SATMA1 IPN60R1K5PFD7SATMA1 INFINEON 3163575.pdf Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
187+1.25 EUR
278+0.77 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600PFD7SATMA1 IPN60R600PFD7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c5b5c39ec Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
123+1.89 EUR
188+1.14 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.67 EUR
231+1 EUR
295+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00 Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.57 EUR
258+0.9 EUR
402+0.54 EUR
530+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00 Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+1.2 EUR
328+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.67 EUR
231+1 EUR
295+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1 IPN70R1K5CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
296+0.84 EUR
318+0.73 EUR
449+0.48 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
135+1.73 EUR
205+1.05 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 INFINEON 2718780.pdf Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 3397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
117+2 EUR
172+1.25 EUR
500+0.95 EUR
1500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 INFINEON infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
173+1.34 EUR
262+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
205+1.13 EUR
262+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
183+1.27 EUR
282+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON 2849749.pdf Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.68 EUR
184+1.26 EUR
299+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76 Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
192+1.21 EUR
297+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76 Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
192+1.21 EUR
297+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1 IPN70R750P7SATMA1 INFINEON INFN-S-A0004584008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 6.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+2.12 EUR
188+1.24 EUR
238+0.9 EUR
500+0.86 EUR
1500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
205+1.13 EUR
262+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON 2849749.pdf Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.68 EUR
184+1.26 EUR
299+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2130STRPBF IR2130STRPBF INFINEON INFN-S-A0001649888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2130STRPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen-Brücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, 425ns Verzögerung, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.7 EUR
44+5.38 EUR
47+4.56 EUR
50+4.34 EUR
100+4.13 EUR
250+3.9 EUR
500+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2102STRPBF IR2102STRPBF INFINEON IRSDS17613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.04 EUR
36+6.52 EUR
43+4.99 EUR
50+4.47 EUR
100+4.13 EUR
250+3.86 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2132STRPBF IR2132STRPBF INFINEON INFN-S-A0008964808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2132STRPBF - MOSFET-Treiber, Drehstrombrücke, 10V-20V Versorgung, 200mA/420mAout, 425ns Ein/Aus, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.79 EUR
43+5.47 EUR
47+4.63 EUR
50+4.41 EUR
100+4.18 EUR
250+3.96 EUR
500+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON 59961.pdf description Description: INFINEON - IR2104STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 12444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
101+2.31 EUR
113+1.9 EUR
127+1.69 EUR
250+1.58 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR21834STRPBF IR21834STRPBF INFINEON 133039.pdf Description: INFINEON - IR21834STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 1.4Aout Spitze, 220ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2181STRPBF IR2181STRPBF INFINEON INFN-S-A0009261158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
75+3.13 EUR
100+2.59 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2175STRPBF IR2175STRPBF INFINEON 60009.pdf Description: INFINEON - IR2175STRPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Bauform - Sensor: SOIC
Ausgabeverzögerung: -
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Ruhestrom: 2mA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Gemessener Strom: 2mA
euEccn: NLR
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bandbreite: 15kHz
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 9.5V
Qualifikation: -
Sinkstrom: -
Eingabeverzögerung: -
Gate-Treiber: Nicht isoliert
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.54 EUR
35+6.66 EUR
39+5.63 EUR
50+5.36 EUR
100+5.08 EUR
250+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2118STRPBF IR2118STRPBF INFINEON IRSDS08631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2118STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
76+3.08 EUR
100+2.51 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R400CEAUMA1 2354545.pdf
IPD65R400CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.8 EUR
139+1.68 EUR
191+1.12 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MINICONTROL2GOTOBO1
MINICONTROL2GOTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - MINICONTROL2GOTOBO1 - HMI-Mini-Steuerung, 4 Richtungen, 360°-Drehung, 3D-Magnetsensor 2GO-Kits und Shield2Go
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: HMI-Mini-Steuerung mit 4 Richtungen und 360°-Drehung
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor-2GO-Kits und Shield2Go
Produktpalette: -
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+104.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF 44031.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1018ESTRLPBF 44031.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS118DATMA1 Infineon-BTS118D-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3508f8b0fb8
BTS118DATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS118DATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 15A, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 15A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+4.34 EUR
79+2.98 EUR
86+2.51 EUR
100+2.23 EUR
250+2.11 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2106STRPBF description INFN-S-A0008964746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2106STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2106STRPBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
82+3.07 EUR
111+2.09 EUR
125+1.73 EUR
141+1.54 EUR
250+1.44 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2106STRPBF description INFN-S-A0008964746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2106STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2106STRPBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.07 EUR
111+2.09 EUR
125+1.73 EUR
141+1.54 EUR
250+1.44 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4310TRLPBF INFN-S-A0012838708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4310TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4115TRL7PP INFN-S-A0002541348-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4115TRL7PP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4115TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4410ZTRLPBF IRSDS19266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4410ZTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.44 EUR
250+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4410TRLPBF INFN-S-A0012838175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4410TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 88 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7319TRPBF description INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7319TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 62431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+3.32 EUR
115+2.03 EUR
250+1.38 EUR
1000+1.05 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NSTRLPBF 138831.pdf
IRF9Z24NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NSTRLPBF 138831.pdf
IRF9Z24NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE49641MXTSA1 Infineon-TLE4964_1M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043397219b601397256e86f0059
TLE49641MXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49641MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.018 T, 0.0125 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0125T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.018T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+1.29 EUR
254+0.92 EUR
280+0.76 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847CE6327HTSA1 SIEMD095-475.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847CE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BC847CE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 116439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
321+0.79 EUR
770+0.3 EUR
893+0.24 EUR
1037+0.2 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEATMA1 INFN-S-A0002456481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R3K4CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+1.67 EUR
244+0.95 EUR
378+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R3K4CEATMA1 INFN-S-A0002456481-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R3K4CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+1.67 EUR
244+0.95 EUR
378+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1 INFN-S-A0002456475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R1K5CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1 INFN-S-A0002456542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R1K0CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
110+2.3 EUR
175+1.33 EUR
269+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1 Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8
IPN60R600P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.9 EUR
140+1.65 EUR
213+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0CEATMA1 INFN-S-A0002456542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R1K0CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
110+2.3 EUR
175+1.33 EUR
269+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5CEATMA1 INFN-S-A0002456475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R1K5CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600P7SATMA1 2718778.pdf
IPN60R600P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
147+1.71 EUR
177+1.31 EUR
225+0.95 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600PFD7SATMA1 3049667.pdf
IPN60R600PFD7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
127+1.98 EUR
150+1.55 EUR
219+0.98 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759
IPN60R360PFD7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+3.57 EUR
111+2.09 EUR
167+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5PFD7SATMA1 3163575.pdf
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.02 EUR
187+1.25 EUR
278+0.77 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759
IPN60R360PFD7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.57 EUR
111+2.09 EUR
167+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFN-S-A0009369308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed62e922939f2
IPN60R1K0PFD7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
136+1.84 EUR
191+1.21 EUR
283+0.76 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFN-S-A0009369308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K0PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed62e922939f2
IPN60R1K0PFD7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
136+1.84 EUR
191+1.21 EUR
283+0.76 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R1K5PFD7SATMA1 3163575.pdf
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.02 EUR
187+1.25 EUR
278+0.77 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN60R600PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c5b5c39ec
IPN60R600PFD7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+3.27 EUR
123+1.89 EUR
188+1.14 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03
IPN50R800CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+1.67 EUR
231+1 EUR
295+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1 Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00
IPN50R950CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1 INFN-S-A0002456385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN50R2K0CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
160+1.57 EUR
258+0.9 EUR
402+0.54 EUR
530+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R950CEATMA1 Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00
IPN50R950CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R2K0CEATMA1 Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa
IPN50R2K0CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+1.2 EUR
328+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN50R800CEATMA1 Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03
IPN50R800CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+1.67 EUR
231+1 EUR
295+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f
IPN70R1K5CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
296+0.84 EUR
318+0.73 EUR
449+0.48 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R600P7SATMA1 Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc
IPN70R600P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.98 EUR
135+1.73 EUR
205+1.05 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R360P7SATMA1 2718780.pdf
IPN70R360P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 3397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.93 EUR
117+2 EUR
172+1.25 EUR
500+0.95 EUR
1500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R900P7SATMA1 infineon-ipn70r900p7s-ds-en.pdf
IPN70R900P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+2.3 EUR
173+1.34 EUR
262+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.9 EUR
205+1.13 EUR
262+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon-IPN70R1K4P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439fc7261ba
IPN70R1K4P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+2.19 EUR
183+1.27 EUR
282+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K2P7SATMA1 2849749.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
149+1.68 EUR
184+1.26 EUR
299+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
IPN70R2K0P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.09 EUR
192+1.21 EUR
297+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
IPN70R2K0P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.09 EUR
192+1.21 EUR
297+0.73 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R750P7SATMA1 INFN-S-A0004584008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN70R750P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 6.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
119+2.12 EUR
188+1.24 EUR
238+0.9 EUR
500+0.86 EUR
1500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.9 EUR
205+1.13 EUR
262+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN70R1K2P7SATMA1 2849749.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
149+1.68 EUR
184+1.26 EUR
299+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2130STRPBF INFN-S-A0001649888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2130STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2130STRPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen-Brücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, 425ns Verzögerung, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.7 EUR
44+5.38 EUR
47+4.56 EUR
50+4.34 EUR
100+4.13 EUR
250+3.9 EUR
500+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2102STRPBF IRSDS17613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2102STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+8.04 EUR
36+6.52 EUR
43+4.99 EUR
50+4.47 EUR
100+4.13 EUR
250+3.86 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2132STRPBF INFN-S-A0008964808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2132STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2132STRPBF - MOSFET-Treiber, Drehstrombrücke, 10V-20V Versorgung, 200mA/420mAout, 425ns Ein/Aus, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.79 EUR
43+5.47 EUR
47+4.63 EUR
50+4.41 EUR
100+4.18 EUR
250+3.96 EUR
500+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104STRPBF description 59961.pdf
IR2104STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2104STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 12444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+3.38 EUR
101+2.31 EUR
113+1.9 EUR
127+1.69 EUR
250+1.58 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR21834STRPBF 133039.pdf
IR21834STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR21834STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 1.4Aout Spitze, 220ns Verzögerung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2181STRPBF INFN-S-A0009261158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2181STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5 EUR
75+3.13 EUR
100+2.59 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2175STRPBF 60009.pdf
IR2175STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2175STRPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Bauform - Sensor: SOIC
Ausgabeverzögerung: -
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Ruhestrom: 2mA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Gemessener Strom: 2mA
euEccn: NLR
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bandbreite: 15kHz
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 9.5V
Qualifikation: -
Sinkstrom: -
Eingabeverzögerung: -
Gate-Treiber: Nicht isoliert
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.54 EUR
35+6.66 EUR
39+5.63 EUR
50+5.36 EUR
100+5.08 EUR
250+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2118STRPBF IRSDS08631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2118STRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2118STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.88 EUR
76+3.08 EUR
100+2.51 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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