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CYW20819A1KFBG | INFINEON |
 Description: INFINEON - CYW20819A1KFBG - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°CEmpfangsempfindlichkeit: -94.5dBm hazardous: false Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2 Bluetooth-Klasse: Klasse 2 usEccn: 5A992.c Signalbereich, max.: - Betriebstemperatur, min.: -30°C Versorgungsspannung, min.: 1.71V euEccn: NLR Übertragungsrate: 3Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.3V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHS8242TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.01 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHS9301TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 33510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SHIELD60ATR24ES01TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SHIELD60ATR24ES01TOBO1 - Demoboard, BGT60ATR24C, Radarsensor tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Demoboard BGT60ATR24C euEccn: NLR Unterart Anwendung: Radar hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SHIELDPASCO2SENSORTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SHIELDPASCO2SENSORTOBO1 - Erweiterungsboard, Shield2Go-Plattform, PASCO2V01-Modul, CO2-Sensor tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Evaluationsboard Lieferumfang des Kits: XENSIV PAS CO2-Shield 2Go-Board euEccn: NLR Unterart Anwendung: CO2-Sensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: PAS CO2 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR92PE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR92PE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 53003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRS20752LTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRS20752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 240mA Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 160mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 215ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7446TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 9923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL01GS11TFIV20 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GS11TFIV20 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, CFI, parallel tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN8511BXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 41885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7116UXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7116UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 55ns Ausgabeverzögerung: 55ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7136UXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 105ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7126UXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7146UXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 125ns Ausgabeverzögerung: 125ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7126UXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7146UXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 125ns Ausgabeverzögerung: 125ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7136UXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 105ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1EDN7116UXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7116UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 55ns Ausgabeverzögerung: 55ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CYBT-243053-EVAL | INFINEON |
Description: INFINEON - CYBT-243053-EVAL - EVAL.KIT, BLUETOOTH LE-DRAHTLOSMODUL tariffCode: 85423990 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBT-243053-02, USB-Kabel, praktische, benutzerdefinierte Taste, Bluetooth- & Bluetooth LE-Modul Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anzahl der Bits: - Prozessorserie: Cortex-M4F Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy usEccn: 5A992.c Prozessorfamilie: ARM euEccn: NLR Prozessorkern: CYBT-243053-02 Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: ARM SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CYBLE-214009-EVAL | INFINEON |
Description: INFINEON - CYBLE-214009-EVAL - Evaluationsboard, Bluetooth, EZ-BLE™ PSoC, CYBLE-214009-00 tariffCode: 84733020 Prozessorkern: CYBLE-214009-00 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Cypress Lieferumfang des Kits: Eval Board CYBLE-214009-00 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Bluetooth hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY5676A | INFINEON |
Description: INFINEON - CY5676A - Entwicklungsboard, CY5676A PRoC™-BLE-256kB-Modul, Bluetooth 4.2-Funk, 45 x 27 x 2mm tariffCode: 84733020 Prozessorkern: CYBL11573-56LQXI Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Cypress Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBL11573-56LQXI euEccn: NLR Unterart Anwendung: Bluetooth hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BFP740FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2222 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BFR181E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR360FH6765XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 14GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BFR360FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR360FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 14GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BFR740L3RHE6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSLP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 47GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 9312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: TSLP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 9787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR360FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR360FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 14GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR340FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR340FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 75 mW, 20 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 14GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR181WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR35APE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR35APE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR360FH6765XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 14GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR843EL3E6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 55mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: TSLP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 14850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAT1707E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT1707E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-143 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-143 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert usEccn: EAR99 Sperrspannung: 4V euEccn: NLR Durchlassspannung: 600mV Diodenkapazität: 0.55pF Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 130mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAT1705WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT1705WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT17 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY7C1021CV33-10ZSXA | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1021CV33-10ZSXA - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.97 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.97V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.63V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1 - Development Kit, BGT24LTR11/XMC1302/XMC4200, HF-Transceiver tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Demoboard Lieferumfang des Kits: Demoboard BGT24LTR11 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Radarsensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT24LTR11 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DEMOPOSITION2GOTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DEMOPOSITION2GOTOBO1 - Evaluationskit, Position2Go Radar-Tracking, BGT24MTR12, Fast Chirp FMCW, Bewegungstracking tariffCode: 84733020 Prozessorkern: BGT24MTR12, XMC4700 Kit-Anwendungsbereich: Sensor productTraceability: No rohsCompliant: NO Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Position2Go-Demoboard BGT24MTR12/XMC4700/XMC4200, Tripelspiegel, SW-GUI für Bedienung des Kits, USB-Kabel euEccn: NLR Unterart Anwendung: HF-Transceiver hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DEMOSENSE2GOLMAKETOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DEMOSENSE2GOLMAKETOBO1 - DEMOKIT SENSE2GOL MAKE tariffCode: 84733020 Prozessorkern: - Kit-Anwendungsbereich: - productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: - Lieferumfang des Kits: Demokit Sense2GoL Make euEccn: NLR Unterart Anwendung: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TLE4274GV10ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4274GV10ATMA2 - LDO-FESTSP.REGLER 10V 0.4A -40 BIS 150°C tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) Nennausgangsspannung: 0 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 400mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 10.5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 10V 400mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 10V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 400mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TLE493DW2B6MS2GOTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE493DW2B6MS2GOTOBO1 - Evaluationskit, 3D-Magnetsensor 2GO, TLE493W-A2B6 3D-Hall-Sensor, I2C tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: NO Leiterplatte: Evaluationskit Lieferumfang des Kits: 2 Go-Evaluationskit TLE493D-W2B6/XMC4200/XMC1100, eigenständiger Blockmagnet euEccn: NLR Unterart Anwendung: Magnetsensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE493D-W2B6 rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML2502TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 14190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5203TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 80855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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KITXMC11BOOT001TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITXMC11BOOT001TOBO1 - Evaluationsboard, XMC1100-MCU, Arduino-Shield-kompatibel, abnehmbarer SEGGER J-Link tariffCode: 84715000 rohsCompliant: NO Lieferumfang des Kits: Entwicklungsboard XMC1100 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Anzahl der Bits: 32bit Prozessorserie: Cortex-M0 usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: XMC1100 euEccn: NLR Prozessorkern: XMC1100 Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: ARM SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KITXMC13BOOT001TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITXMC13BOOT001TOBO1 - CPU-Karte, Boot-Kit für XMC1300-MCU, abnehmbarer SEGGER J-Link-Debugger tariffCode: 84733020 Prozessorkern: XMC1300 productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: ARM Prozessorfamilie: XMC1000 Anzahl der Bits: 32bit Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: CPU-Karte XMC1300 & Segger J-Link-Debugger euEccn: NLR Prozessorserie: Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1 - Debugger, XMC Link, MCUs der Baureihe XMC4000/XMC1000, isolierter Debugging-Tastkopf tariffCode: 90308200 productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: ARM Prozessorfamilie: XMC4000, XMC1000 Lieferumfang des Kits: Isolierter Debugging-Tastkopf KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1 euEccn: NLR Prozessorserie: Cortex-M4 Merkmale: 1kV DC funktionale Isolierung, Debugging-Protokolle JTAG/SWD/SPD/Serial Wire Viewer/Output/Virtual COM-Port hazardous: false IC-Produkttyp: Debugger-Tastkopf rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BAT60BE6359HTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT60BE6359HTMA1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 10 V, 3 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 600 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 5A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAT60B Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BAT60BE6359HTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT60BE6359HTMA1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 10 V, 3 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 600 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 5A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAT60B Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSC123N08NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0103 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 68178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSC252N10NSFGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSZ067N06LS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 39645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSC093N04LSGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 73284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSZ110N06NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSZ520N15NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSC120N03MSGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC120N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 17053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSZ440N10NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 111958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSC030N03LSGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CYW20819A1KFBG |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20819A1KFBG - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
Empfangsempfindlichkeit: -94.5dBm
hazardous: false
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
Signalbereich, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 3Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CYW20819A1KFBG - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
Empfangsempfindlichkeit: -94.5dBm
hazardous: false
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
Signalbereich, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 3Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFHS8242TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.01 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.01 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFHS9301TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SHIELD60ATR24ES01TOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELD60ATR24ES01TOBO1 - Demoboard, BGT60ATR24C, Radarsensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard BGT60ATR24C
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Radar
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - SHIELD60ATR24ES01TOBO1 - Demoboard, BGT60ATR24C, Radarsensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard BGT60ATR24C
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Radar
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SHIELDPASCO2SENSORTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELDPASCO2SENSORTOBO1 - Erweiterungsboard, Shield2Go-Plattform, PASCO2V01-Modul, CO2-Sensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: XENSIV PAS CO2-Shield 2Go-Board
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: CO2-Sensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: PAS CO2
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - SHIELDPASCO2SENSORTOBO1 - Erweiterungsboard, Shield2Go-Plattform, PASCO2V01-Modul, CO2-Sensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: XENSIV PAS CO2-Shield 2Go-Board
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: CO2-Sensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: PAS CO2
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR92PE6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR92PE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR92PE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 53003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRS20752LTRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS20752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRS20752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFR7446TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| S29GL01GS11TFIV20 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GS11TFIV20 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S29GL01GS11TFIV20 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1EDN8511BXUSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 41885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1EDN7116UXTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7116UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDN7116UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1EDN7136UXTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1EDN7126UXTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1EDN7146UXTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1EDN7126UXTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1EDN7146UXTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1EDN7136UXTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1EDN7116UXTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7116UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDN7116UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CYBT-243053-EVAL |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-243053-EVAL - EVAL.KIT, BLUETOOTH LE-DRAHTLOSMODUL
tariffCode: 85423990
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBT-243053-02, USB-Kabel, praktische, benutzerdefinierte Taste, Bluetooth- & Bluetooth LE-Modul
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: Cortex-M4F
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: ARM
euEccn: NLR
Prozessorkern: CYBT-243053-02
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CYBT-243053-EVAL - EVAL.KIT, BLUETOOTH LE-DRAHTLOSMODUL
tariffCode: 85423990
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBT-243053-02, USB-Kabel, praktische, benutzerdefinierte Taste, Bluetooth- & Bluetooth LE-Modul
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: Cortex-M4F
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: ARM
euEccn: NLR
Prozessorkern: CYBT-243053-02
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CYBLE-214009-EVAL |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-214009-EVAL - Evaluationsboard, Bluetooth, EZ-BLE™ PSoC, CYBLE-214009-00
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-214009-00
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Eval Board CYBLE-214009-00
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CYBLE-214009-EVAL - Evaluationsboard, Bluetooth, EZ-BLE™ PSoC, CYBLE-214009-00
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-214009-00
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Eval Board CYBLE-214009-00
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CY5676A |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY5676A - Entwicklungsboard, CY5676A PRoC™-BLE-256kB-Modul, Bluetooth 4.2-Funk, 45 x 27 x 2mm
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBL11573-56LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBL11573-56LQXI
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CY5676A - Entwicklungsboard, CY5676A PRoC™-BLE-256kB-Modul, Bluetooth 4.2-Funk, 45 x 27 x 2mm
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBL11573-56LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBL11573-56LQXI
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFP740FH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR181E6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR360FH6765XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR360FH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR360FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR360FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR740L3RHE6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR360FH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR360FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR360FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR340FH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR340FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 75 mW, 20 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR340FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 75 mW, 20 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR181WH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR35APE6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR35APE6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR360FH6765XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BFR843EL3E6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAT1707E6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1707E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAT1707E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAT1705WH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1705WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAT1705WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSL316CH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSL316CH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CY7C1021CV33-10ZSXA |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1021CV33-10ZSXA - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.97 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.97V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CY7C1021CV33-10ZSXA - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.97 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.97V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1 - Development Kit, BGT24LTR11/XMC1302/XMC4200, HF-Transceiver
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Demoboard
Lieferumfang des Kits: Demoboard BGT24LTR11
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Radarsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT24LTR11
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1 - Development Kit, BGT24LTR11/XMC1302/XMC4200, HF-Transceiver
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Demoboard
Lieferumfang des Kits: Demoboard BGT24LTR11
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Radarsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT24LTR11
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DEMOPOSITION2GOTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOPOSITION2GOTOBO1 - Evaluationskit, Position2Go Radar-Tracking, BGT24MTR12, Fast Chirp FMCW, Bewegungstracking
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BGT24MTR12, XMC4700
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Position2Go-Demoboard BGT24MTR12/XMC4700/XMC4200, Tripelspiegel, SW-GUI für Bedienung des Kits, USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - DEMOPOSITION2GOTOBO1 - Evaluationskit, Position2Go Radar-Tracking, BGT24MTR12, Fast Chirp FMCW, Bewegungstracking
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BGT24MTR12, XMC4700
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Position2Go-Demoboard BGT24MTR12/XMC4700/XMC4200, Tripelspiegel, SW-GUI für Bedienung des Kits, USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DEMOSENSE2GOLMAKETOBO1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOSENSE2GOLMAKETOBO1 - DEMOKIT SENSE2GOL MAKE
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Demokit Sense2GoL Make
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: INFINEON - DEMOSENSE2GOLMAKETOBO1 - DEMOKIT SENSE2GOL MAKE
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Demokit Sense2GoL Make
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TLE4274GV10ATMA2 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4274GV10ATMA2 - LDO-FESTSP.REGLER 10V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 10.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 10V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - TLE4274GV10ATMA2 - LDO-FESTSP.REGLER 10V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 10.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 10V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TLE493DW2B6MS2GOTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW2B6MS2GOTOBO1 - Evaluationskit, 3D-Magnetsensor 2GO, TLE493W-A2B6 3D-Hall-Sensor, I2C
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: 2 Go-Evaluationskit TLE493D-W2B6/XMC4200/XMC1100, eigenständiger Blockmagnet
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE493D-W2B6
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - TLE493DW2B6MS2GOTOBO1 - Evaluationskit, 3D-Magnetsensor 2GO, TLE493W-A2B6 3D-Hall-Sensor, I2C
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: 2 Go-Evaluationskit TLE493D-W2B6/XMC4200/XMC1100, eigenständiger Blockmagnet
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE493D-W2B6
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLML2502TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLML5203TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 80855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| KITXMC11BOOT001TOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMC11BOOT001TOBO1 - Evaluationsboard, XMC1100-MCU, Arduino-Shield-kompatibel, abnehmbarer SEGGER J-Link
tariffCode: 84715000
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Entwicklungsboard XMC1100
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: XMC1100
euEccn: NLR
Prozessorkern: XMC1100
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - KITXMC11BOOT001TOBO1 - Evaluationsboard, XMC1100-MCU, Arduino-Shield-kompatibel, abnehmbarer SEGGER J-Link
tariffCode: 84715000
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Entwicklungsboard XMC1100
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: XMC1100
euEccn: NLR
Prozessorkern: XMC1100
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| KITXMC13BOOT001TOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMC13BOOT001TOBO1 - CPU-Karte, Boot-Kit für XMC1300-MCU, abnehmbarer SEGGER J-Link-Debugger
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1300
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC1000
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: CPU-Karte XMC1300 & Segger J-Link-Debugger
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - KITXMC13BOOT001TOBO1 - CPU-Karte, Boot-Kit für XMC1300-MCU, abnehmbarer SEGGER J-Link-Debugger
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1300
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC1000
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: CPU-Karte XMC1300 & Segger J-Link-Debugger
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1 - Debugger, XMC Link, MCUs der Baureihe XMC4000/XMC1000, isolierter Debugging-Tastkopf
tariffCode: 90308200
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC4000, XMC1000
Lieferumfang des Kits: Isolierter Debugging-Tastkopf KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4
Merkmale: 1kV DC funktionale Isolierung, Debugging-Protokolle JTAG/SWD/SPD/Serial Wire Viewer/Output/Virtual COM-Port
hazardous: false
IC-Produkttyp: Debugger-Tastkopf
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1 - Debugger, XMC Link, MCUs der Baureihe XMC4000/XMC1000, isolierter Debugging-Tastkopf
tariffCode: 90308200
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC4000, XMC1000
Lieferumfang des Kits: Isolierter Debugging-Tastkopf KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4
Merkmale: 1kV DC funktionale Isolierung, Debugging-Protokolle JTAG/SWD/SPD/Serial Wire Viewer/Output/Virtual COM-Port
hazardous: false
IC-Produkttyp: Debugger-Tastkopf
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAT60BE6359HTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT60BE6359HTMA1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 10 V, 3 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT60B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAT60BE6359HTMA1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 10 V, 3 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT60B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAT60BE6359HTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT60BE6359HTMA1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 10 V, 3 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT60B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAT60BE6359HTMA1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 10 V, 3 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT60B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSC123N08NS3GATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0103 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0103 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 68178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSC252N10NSFGATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSZ067N06LS3GATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 39645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSC093N04LSGATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 73284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSZ110N06NS3GATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSZ520N15NS3GATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSC120N03MSGATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC120N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSZ440N10NS3GATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 111958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSC030N03LSGATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH