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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTP24N15T IXTP24N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 24A TO220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP27N20T IXTP27N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 27A TO220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N20T IXTP36N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30T IXTP36N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP38N15T IXTP38N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 38A TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N110 IXTP3N110 IXYS IXT(A,P)3N110,120.pdf Description: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N15T IXTP42N15T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_42n15t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
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IXTP44N15T IXTP44N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 44A TO-220
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IXTP44N25T IXTP44N25T IXYS Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
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IXTP44N30T IXTP44N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO-220
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IXTP54N30T IXTP54N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP56N15T IXTP56N15T IXYS IXT(A,P)56N15T.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
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IXTP72N20T IXTP72N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-220
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IXTP74N15T IXTP74N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 74A TO-220
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IXTP76N25T IXTP76N25T IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.93 EUR
10+9.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXTQ102N25T IXTQ102N25T IXYS Description: MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15T IXTQ120N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO3P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N15T IXTQ130N15T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n15t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50L IXTQ30N50L IXYS Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS DS100101IXTHTQTT30N60L2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.73 EUR
30+18.64 EUR
120+16.69 EUR
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IXTQ36N20T IXTQ36N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V TO-3P
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IXTQ44N30T IXTQ44N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO-3P
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IXTQ48N20T IXTQ48N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO3P
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IXTQ54N30T IXTQ54N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-3P
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IXTQ56N15T IXTQ56N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO-3P
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IXTQ60N30T IXTQ60N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
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IXTQ62N25T IXTQ62N25T IXYS Description: MOSFET N-CH 250V 62A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ72N20T IXTQ72N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ72N30T IXTQ72N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ74N15T IXTQ74N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 74A TO-3P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ80N28T IXTQ80N28T IXYS DS99355B(IXTQ80N28T).pdf Description: MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ86N20T IXTQ86N20T IXYS DS99664A(IXTA-TP-TQ86N20T).pdf Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO3P
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IXTQ88N15 IXTQ88N15 IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P
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IXTQ96N25T IXTQ96N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_96n25t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 96A TO3P
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IXTQ98N20T IXTQ98N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P
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IXTR30N25 IXTR30N25 IXYS Description: MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
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IXTT30N50L IXTT30N50L IXYS Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTT30N50L2 IXTT30N50L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n50-datasheet?assetguid=c09539a4-39f7-4fb5-940f-2103ab4fa891 Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.35 EUR
30+17.7 EUR
120+15.7 EUR
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IXTT40N50L2 IXTT40N50L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40n50-datasheet?assetguid=3c13a1c7-ab77-4d0f-811a-1876fcfa2bcc Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT60N10 IXTT60N10 IXYS 99069.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT72N20 IXTT72N20 IXYS 99019.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT75N10 IXTT75N10 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt___n10_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTU05N100 IXTU05N100 IXYS Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU08N100P IXTU08N100P IXYS Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV102N25T IXYS Description: MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV120N15T IXTV120N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV60N30T IXTV60N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Supplier Device Package: PLUS220
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV72N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 72A PLUS220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV96N25T IXYS DS99863(IXTH-TQ-TV96N25T).pdf Description: MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV98N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY06N120P IXTY06N120P IXYS Description: MOSFET N-CH 1200V 90A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N120P IXTY08N120P IXYS Description: MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY15N20T IXTY15N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N120P IXTY1R4N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY24N15T IXTY24N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 24A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXUC100N055 IXUC100N055 IXYS IXUC100N055.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXUC200N055 IXUC200N055 IXYS IXUC200N055.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCA500-12io1 IXYS Mxx500-1xIO1.pdf Description: SCR THRYRISTOR CA 1200V WC-500
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCA500-14io1 IXYS Mxx500-1xIO1.pdf Description: SCR THRYRISTOR CA 1400V WC-500
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCA500-16io1 IXYS Mxx500-1xIO1.pdf Description: SCR THRYRISTOR CA 1600V WC-500
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N15T
IXTP24N15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 24A TO220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP27N20T
IXTP27N20T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 27A TO220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N20T
IXTP36N20T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30T
IXTP36N30T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP38N15T
IXTP38N15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 38A TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N110 IXT(A,P)3N110,120.pdf
IXTP3N110
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N15T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_42n15t_datasheet.pdf.pdf
IXTP42N15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N15T
IXTP44N15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 44A TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N25T
IXTP44N25T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N30T
IXTP44N30T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP54N30T
IXTP54N30T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP56N15T IXT(A,P)56N15T.pdf
IXTP56N15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP72N20T
IXTP72N20T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP74N15T
IXTP74N15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 74A TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N25T DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf
IXTP76N25T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.93 EUR
10+9.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ102N25T
IXTQ102N25T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15T
IXTQ120N15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N15T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n15t_datasheet.pdf.pdf
IXTQ130N15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50L
IXTQ30N50L
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2 DS100101IXTHTQTT30N60L2.pdf
IXTQ30N60L2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+29.73 EUR
30+18.64 EUR
120+16.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N20T
IXTQ36N20T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N30T
IXTQ44N30T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N20T
IXTQ48N20T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO3P
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ54N30T
IXTQ54N30T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ56N15T
IXTQ56N15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N30T
IXTQ60N30T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ62N25T
IXTQ62N25T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 62A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ72N20T
IXTQ72N20T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ72N30T
IXTQ72N30T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ74N15T
IXTQ74N15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 74A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ80N28T DS99355B(IXTQ80N28T).pdf
IXTQ80N28T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ86N20T DS99664A(IXTA-TP-TQ86N20T).pdf
IXTQ86N20T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO3P
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N15
IXTQ88N15
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_96n25t_datasheet.pdf.pdf
IXTQ96N25T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 96A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ98N20T
IXTQ98N20T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR30N25
IXTR30N25
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT30N50L
IXTT30N50L
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT30N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n50-datasheet?assetguid=c09539a4-39f7-4fb5-940f-2103ab4fa891
IXTT30N50L2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+28.35 EUR
30+17.7 EUR
120+15.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT40N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40n50-datasheet?assetguid=3c13a1c7-ab77-4d0f-811a-1876fcfa2bcc
IXTT40N50L2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT60N10 99069.pdf
IXTT60N10
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT72N20 99019.pdf
IXTT72N20
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT75N10 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt___n10_datasheet.pdf.pdf
IXTT75N10
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
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IXTU05N100
IXTU05N100
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
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IXTU08N100P
IXTU08N100P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
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IXTV102N25T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220
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IXTV120N15T
IXTV120N15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220
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IXTV60N30T
IXTV60N30T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Supplier Device Package: PLUS220
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
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IXTV72N30T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 72A PLUS220
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IXTV96N25T DS99863(IXTH-TQ-TV96N25T).pdf
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
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IXTV98N20T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220
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IXTY06N120P
IXTY06N120P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 90A TO252
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IXTY08N120P
IXTY08N120P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220
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IXTY15N20T
IXTY15N20T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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IXTY1R4N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf
IXTY1R4N120P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
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IXTY24N15T
IXTY24N15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 24A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
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IXUC100N055 IXUC100N055.pdf
IXUC100N055
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 100A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
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IXUC200N055 IXUC200N055.pdf
IXUC200N055
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCA500-12io1 Mxx500-1xIO1.pdf
Hersteller: IXYS
Description: SCR THRYRISTOR CA 1200V WC-500
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MCA500-14io1 Mxx500-1xIO1.pdf
Hersteller: IXYS
Description: SCR THRYRISTOR CA 1400V WC-500
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MCA500-16io1 Mxx500-1xIO1.pdf
Hersteller: IXYS
Description: SCR THRYRISTOR CA 1600V WC-500
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