| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MDD600-22N1 | IXYS |
 Description: DIODE MOD GP 2200V 883A MODPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 18 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 883A Supplier Device Package: Module Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V |
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| MDD950-12N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 950A |
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| MDD950-14N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 950A |
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| MDD950-16N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 950A |
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| MDD950-18N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.8KV 950A |
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| MDD950-20N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2KV 950A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 18 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 950A Supplier Device Package: Module Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2000 V |
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| MDD950-22N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2.2KV 950A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 18 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 950A Supplier Device Package: Module Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V |
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| MDK600-12N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 883A |
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| MDK600-14N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 883A |
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| MDK600-16N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 883A |
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| MDK600-18N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.8KV 883A |
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| MDK600-20N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2KV 883A |
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| MDK600-22N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2.2KV 883A |
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| MDK950-12N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 950A |
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| MDK950-14N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 950A |
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| MDK950-16N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 950A |
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| MDK950-18N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.8KV 950A |
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| MDK950-20N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2KV 950A |
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| MDK950-22N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2.2KV 950A |
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| MDO1200-14N1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 1.4KV Y1-CU |
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| MDO1200-16N1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 1.6KV Y1-CU |
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| MDO1200-18N1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 1.8KV Y1-CU |
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| MDO1200-20N1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 2KV Y1-CU |
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| MDO1200-22N1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 2.2KV Y1-CU |
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| MIO1200-33E11 | IXYS |
Description: IGBT MODULE SGL 1200A E11 |
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| MIO600-65E11 | IXYS |
Description: IGBT MODULE 6500V 600A E11 Packaging: Tray Package / Case: E11 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E11 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6500 V Current - Collector Cutoff (Max): 120 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V |
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| MITA30WB600TMH | IXYS |
Description: IGBT MODULE CBI MINIPACK2 |
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| MKI50-06A7T | IXYS |
Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2 |
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| MKI65-06A7T | IXYS | Description: IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK |
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| MKI75-06A7T | IXYS |
Description: IGBT MODULE 600V 90A 280W E2 Packaging: Tube Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.2 nF @ 25 V |
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MPK95-06DA | IXYS |
Description: DIODE MODULE 600V 95A TO240AA |
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| MWI100-06A8T | IXYS |
Description: IGBT MODULE 600V 130A 410W E3 Packaging: Tube Package / Case: E3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E3 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 410 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.2 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V |
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| MWI100-12A8T | IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3 Packaging: Tube Package / Case: E3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E3 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 640 W Current - Collector Cutoff (Max): 6.3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V |
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| MWI150-06A8T | IXYS | Description: IGBT SIXPACK 170A 600V E3PACK |
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| MWI200-06A8T | IXYS |
Description: IGBT MODULE 600V 225A 675W E3 Packaging: Tube Package / Case: E3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E3 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 675 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.8 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V |
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| MWI451-17E9 | IXYS |
Description: IGBT E9PACK |
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| MWI75-12A8T | IXYS | Description: IGBT MODULE 1200V 125A 500W |
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MX879RTR | IXYS |
Description: IC PWR DRIVER 1:1 28QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 8 Interface: SPI, Parallel Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Rds On (Typ): 7Ohm Voltage - Load: 6V ~ 60V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V Current - Output (Max): 150mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) |
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VMO1200-01F | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 1220A Y3-LI |
auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VMO1600-02P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI |
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| XOB17-04X3 | IXYS |
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE |
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| XOB17-04X3-TR | IXYS |
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE |
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| XOB17-12X1 | IXYS |
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE |
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| XOB17-12X1-TR | IXYS |
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE |
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| XOD17-04B | IXYS |
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X6 |
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| XOD17-04B-TS | IXYS |
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X6 |
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| XOD17-12B | IXYS |
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X20 |
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| XOD17-12B-TS | IXYS |
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X20 |
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| XOD17-34B | IXYS |
Description: SENS MONOCRYSTALLINE MOD 18.5SQ |
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| XOD17-34B-TS | IXYS |
Description: SENS MONOCRYSTALLINE MOD 18.5SQ |
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IXTQ30N50L2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V |
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IXFK210N17T | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA |
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IXFX210N17T | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 25 V |
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IXFN260N17T | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 |
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IXFK260N17T | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 170V 260A TO-264 |
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IXFX260N17T | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247 |
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IXGR60N60C3C1 | IXYS |
Description: IGBT PT 600V 75A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: ISOPLUS247™ IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 24ns/70ns Switching Energy: 830µJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A Power - Max: 170 W |
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IXGA30N60C3C1 | IXYS |
Description: IGBT 600V 60A 220W TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263AA IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 220 W |
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IXGP30N60C3C1 | IXYS |
Description: IGBT 600V 60A 220W TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 220 W |
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.jpg "IXGH30N60C3C1") |
IXGH30N60C3C1 | IXYS |
Description: IGBT 600V 60A 220W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 220 W |
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| MDD600-22N1 |
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Hersteller: IXYS
Description: DIODE MOD GP 2200V 883A MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 883A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V
Description: DIODE MOD GP 2200V 883A MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 883A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MDD950-12N1W |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.2KV 950A
Description: DIODE MODULE 1.2KV 950A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MDD950-14N1W |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.4KV 950A
Description: DIODE MODULE 1.4KV 950A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MDD950-16N1W |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.6KV 950A
Description: DIODE MODULE 1.6KV 950A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MDD950-18N1W |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.8KV 950A
Description: DIODE MODULE 1.8KV 950A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MDD950-20N1W |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 2KV 950A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 950A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2000 V
Description: DIODE MODULE 2KV 950A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 950A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2000 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MDD950-22N1W |
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Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.2KV 950A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 950A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V
Description: DIODE MODULE 2.2KV 950A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 950A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MDK600-12N1 |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.2KV 883A
Description: DIODE MODULE 1.2KV 883A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MDK600-14N1 |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.4KV 883A
Description: DIODE MODULE 1.4KV 883A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MDK600-16N1 |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.6KV 883A
Description: DIODE MODULE 1.6KV 883A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MDK600-18N1 |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.8KV 883A
Description: DIODE MODULE 1.8KV 883A
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| MDK600-20N1 |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 2KV 883A
Description: DIODE MODULE 2KV 883A
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Stück im Wert von UAH
| MDK600-22N1 |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.2KV 883A
Description: DIODE MODULE 2.2KV 883A
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Stück im Wert von UAH
| MDK950-12N1W |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.2KV 950A
Description: DIODE MODULE 1.2KV 950A
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Stück im Wert von UAH
| MDK950-14N1W |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.4KV 950A
Description: DIODE MODULE 1.4KV 950A
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Stück im Wert von UAH
| MDK950-16N1W |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.6KV 950A
Description: DIODE MODULE 1.6KV 950A
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Stück im Wert von UAH
| MDK950-18N1W |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.8KV 950A
Description: DIODE MODULE 1.8KV 950A
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Stück im Wert von UAH
| MDK950-20N1W |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 2KV 950A
Description: DIODE MODULE 2KV 950A
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Stück im Wert von UAH
| MDK950-22N1W |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.2KV 950A
Description: DIODE MODULE 2.2KV 950A
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Stück im Wert von UAH
| MDO1200-14N1 |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.4KV Y1-CU
Description: DIODE MODULE 1.4KV Y1-CU
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Stück im Wert von UAH
| MDO1200-16N1 |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.6KV Y1-CU
Description: DIODE MODULE 1.6KV Y1-CU
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Stück im Wert von UAH
| MDO1200-18N1 |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.8KV Y1-CU
Description: DIODE MODULE 1.8KV Y1-CU
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Stück im Wert von UAH
| MDO1200-20N1 |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 2KV Y1-CU
Description: DIODE MODULE 2KV Y1-CU
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Stück im Wert von UAH
| MDO1200-22N1 |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.2KV Y1-CU
Description: DIODE MODULE 2.2KV Y1-CU
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Stück im Wert von UAH
| MIO1200-33E11 |
|
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MODULE SGL 1200A E11
Description: IGBT MODULE SGL 1200A E11
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Stück im Wert von UAH
| MIO600-65E11 |
|
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MODULE 6500V 600A E11
Packaging: Tray
Package / Case: E11
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E11
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6500 V
Current - Collector Cutoff (Max): 120 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 6500V 600A E11
Packaging: Tray
Package / Case: E11
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E11
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6500 V
Current - Collector Cutoff (Max): 120 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
| MITA30WB600TMH |
|
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MODULE CBI MINIPACK2
Description: IGBT MODULE CBI MINIPACK2
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Stück im Wert von UAH
| MKI50-06A7T |
|
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2
Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2
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Stück im Wert von UAH
| MKI65-06A7T |
Hersteller: IXYS
Description: IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK
Description: IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK
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Stück im Wert von UAH
| MKI75-06A7T |
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MODULE 600V 90A 280W E2
Packaging: Tube
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.2 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 600V 90A 280W E2
Packaging: Tube
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.2 nF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
| MPK95-06DA |
|
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE 600V 95A TO240AA
Description: DIODE MODULE 600V 95A TO240AA
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Stück im Wert von UAH
| MWI100-06A8T |
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MODULE 600V 130A 410W E3
Packaging: Tube
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 410 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.2 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 600V 130A 410W E3
Packaging: Tube
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 410 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.2 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
| MWI100-12A8T |
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3
Packaging: Tube
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 640 W
Current - Collector Cutoff (Max): 6.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3
Packaging: Tube
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 640 W
Current - Collector Cutoff (Max): 6.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
| MWI150-06A8T |
Hersteller: IXYS
Description: IGBT SIXPACK 170A 600V E3PACK
Description: IGBT SIXPACK 170A 600V E3PACK
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Stück im Wert von UAH
| MWI200-06A8T |
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MODULE 600V 225A 675W E3
Packaging: Tube
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 675 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.8 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 600V 225A 675W E3
Packaging: Tube
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 675 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.8 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
| MWI451-17E9 |
|
Hersteller: IXYS
Description: IGBT E9PACK
Description: IGBT E9PACK
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MWI75-12A8T |
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 125A 500W
Description: IGBT MODULE 1200V 125A 500W
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MX879RTR |
|
Hersteller: IXYS
Description: IC PWR DRIVER 1:1 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: SPI, Parallel
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Rds On (Typ): 7Ohm
Voltage - Load: 6V ~ 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 150mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
Description: IC PWR DRIVER 1:1 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: SPI, Parallel
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Rds On (Typ): 7Ohm
Voltage - Load: 6V ~ 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 150mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
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Stück im Wert von UAH
| VMO1200-01F |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 1220A Y3-LI
Description: MOSFET N-CH 100V 1220A Y3-LI
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 303.6 EUR |
| 10+ | 302.55 EUR |
| VMO1600-02P |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
Description: MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XOB17-04X3 |
|
Hersteller: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XOB17-04X3-TR |
|
Hersteller: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XOB17-12X1 |
|
Hersteller: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XOB17-12X1-TR |
|
Hersteller: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XOD17-04B |
|
Hersteller: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X6
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XOD17-04B-TS |
|
Hersteller: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X6
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XOD17-12B |
|
Hersteller: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X20
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X20
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XOD17-12B-TS |
|
Hersteller: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X20
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X20
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XOD17-34B |
|
Hersteller: IXYS
Description: SENS MONOCRYSTALLINE MOD 18.5SQ
Description: SENS MONOCRYSTALLINE MOD 18.5SQ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XOD17-34B-TS |
|
Hersteller: IXYS
Description: SENS MONOCRYSTALLINE MOD 18.5SQ
Description: SENS MONOCRYSTALLINE MOD 18.5SQ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXTQ30N50L2 |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFK210N17T |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA
Description: MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFX210N17T |
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFN260N17T |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
Description: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFK260N17T |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 170V 260A TO-264
Description: MOSFET N-CH 170V 260A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFX260N17T |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247
Description: MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXGR60N60C3C1 |
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 600V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/70ns
Switching Energy: 830µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 170 W
Description: IGBT PT 600V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/70ns
Switching Energy: 830µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 170 W
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXGA30N60C3C1 |
|
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 600V 60A 220W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
Description: IGBT 600V 60A 220W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXGP30N60C3C1 |
|
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 600V 60A 220W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
Description: IGBT 600V 60A 220W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
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| IXGH30N60C3C1 |
|
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 600V 60A 220W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
Description: IGBT 600V 60A 220W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
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