Produkte > DMT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMT63M6LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 70.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2479 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT64M1LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT64M1LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT64M1LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT64M2LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2799 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT64M2LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2799 pF @ 30 V | auf Bestellung 7412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT64M2LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | auf Bestellung 2085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT64M3SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: IC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6019 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 287500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT64M3SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT64M3SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: IC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6019 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 289900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT64M8LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT64M8LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K | auf Bestellung 1798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT64M8LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT64M8LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 2.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 2.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm | auf Bestellung 2321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT64M8LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT64M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 3900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 2.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm | auf Bestellung 2321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT67M8LCG-13 | Diodes Zetex | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT67M8LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT67M8LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT67M8LCGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT67M8LCGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT67M8LCGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin VDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT67M8LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | auf Bestellung 2159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT67M8LPSW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V Verlustleistung: 62.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm | auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT67M8LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 82A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 745000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT67M8LPSW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V Verlustleistung: 62.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm | auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT67M8LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 82A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 747249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT67M8LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 30 V | auf Bestellung 6380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT67M8LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT67M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 5100 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm | auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT67M8LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 30 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT67M8LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT67M8LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT67M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 5100 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm | auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT68M8LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT68M8LFV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 54.1A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT68M8LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT68M8LFV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 54.1A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT68M8LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT68M8LFV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43.3A; Idm: 210A; 2.7W Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 210A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC On-state resistance: 13.3mΩ Power dissipation: 2.7W Drain current: 43.3A Gate-source voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT68M8LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V | auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT68M8LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V | auf Bestellung 5736 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT68M8LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 69.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT68M8LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT68M8LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.2A; Idm: 270A; 2.4W Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 270A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI5060-8 Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC On-state resistance: 10.8mΩ Power dissipation: 2.4W Drain current: 11.2A Gate-source voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT68M8LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT68M8LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT68M8LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 69.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT68M8LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 14.1A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT68M8LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT68M8LPSW-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT68M8LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2107 pF @ 30 V | auf Bestellung 9140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT68M8LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 2257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT68M8LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2107 pF @ 30 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT68M8LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 12.1A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT68M8LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.7A; Idm: 100A; 1.9W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 100A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SO8 Polarisation: unipolar Gate charge: 31.8nC On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 1.9W Drain current: 9.7A Gate-source voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT69M5LCG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 52.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.37W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1406 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT69M5LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K | auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT69M5LCG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 52.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.37W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1406 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT69M5LCG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 208A; 2.64W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11.7A Power dissipation: 2.64W Case: V-DFN3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.4nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 208A Kind of package: 7 inch reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT69M5LFVW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT69M5LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40.6 A, 6200 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.74W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT69M5LFVW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT69M5LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40.6 A, 6200 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.74W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm | auf Bestellung 1154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT69M5LFVWQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 160A; 2.74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11.9A Power dissipation: 2.74W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.4nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 160A Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT69M5LH3 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 166950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT69M5LH3 | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 300A; 3.3W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Power dissipation: 3.3W Case: TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 28.4nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 300A Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT69M5LH3 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V TO251 TUBE 75PCS | auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT69M8LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT69M8LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 19469 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT69M8LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT69M8LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT69M8LFV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT69M8LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm | auf Bestellung 1169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT69M8LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT69M8LFV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT69M8LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm | auf Bestellung 1169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT69M8LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 9976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT69M8LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT69M8LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2 | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT69M8LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 14mOhm 4.5Vgs 8.4A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT69M8LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT69M8LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2 | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT69M9LPDW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT69M9LPDW-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Transistors - Unclassified Description: DMT69M9LPDW-13 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT69M9LPDW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT69M9LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 44 A, 44 A, 0.0099 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 44A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT69M9LPDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6D1K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6D33K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 600Vdc 0.0033uF | auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6D33K-F | Cornell Dubilier Knowles | Description: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD Voltage Rating - DC: 630V Voltage Rating - AC: 250V Dielectric Material: Polyester, Metallized Termination: PC Pins Lead Spacing: 0.543" (13.80mm) Applications: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: Radial Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Size / Dimension: 0.693" L x 0.252" W (17.60mm x 6.40mm) Capacitance: 3300 pF Height - Seated (Max): 0.468" (11.89mm) | auf Bestellung 4898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6D47K-F | Cornell Dubilier Knowles | Description: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.543" (13.80mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester, Metallized Voltage Rating - AC: 250V Voltage Rating - DC: 630V Height - Seated (Max): 0.503" (12.77mm) Part Status: Active Capacitance: 4700 pF Size / Dimension: 0.693" L x 0.283" W (17.60mm x 7.20mm) | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6D47K-F | Knowles / Illinois Capacitor | Film Capacitors 600Vdc 0.0047uF | auf Bestellung 727 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6D47K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 600Vdc 0.0047uF | auf Bestellung 1001 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6P1K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6P1K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6S1K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 0.01uF 10% 600/630 Vdc | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT6S22K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 0.022uF 600V 10% | auf Bestellung 881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6S47K-F | Cornell Dubilier Knowles | Description: CAP FILM 0.047UF 10% 630VDC RAD Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.732" (18.60mm) Termination: PC Pins Dielectric Material: Polyester Voltage Rating - AC: 250V Voltage Rating - DC: 630V Height - Seated (Max): 0.779" (19.78mm) Capacitance: 0.047 µF Size / Dimension: 0.882" L x 0.520" W (22.40mm x 13.20mm) | auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6S47K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 0.047uF 600V 10% | auf Bestellung 1044 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT6S47K-F | Knowles / Illinois Capacitor | Film Capacitors 0.047uF 600V 10% | auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT8007LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2682 pF @ 40 V | auf Bestellung 12915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT8007LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT8007LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2682 pF @ 40 V | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT8008LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V V-DFN3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT8008LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMT8008LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMT8008LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V | auf Bestellung 10980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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