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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 14382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
871+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 871 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884On SemiconductorMOSFET N-CH 30V 9A POWER33 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel Power Trench
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 23886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
871+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 871 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884Fairchild SemiconductorDescription: 9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
auf Bestellung 330019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
626+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 22691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
871+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 871 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 54870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
871+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 871 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
auf Bestellung 22691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
626+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
871+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 871 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884-F126onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CHAN 9A 19mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884-F126onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884-F126ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8884-F126 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1106+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884-FSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8884_F126ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 9A 8-PIN POWER 33 T/R
auf Bestellung 2769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
871+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 871 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 40A; 16W; Power33
Case: Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 16W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.07 EUR
97+1.74 EUR
112+1.45 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521Lonsemi / FairchildMOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 6883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.76 EUR
100+2.09 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.76 EUR
3000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LOn SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.77 EUR
72+2.38 EUR
73+2.31 EUR
100+1.94 EUR
250+1.8 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.4 EUR
3000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.4 EUR
53+4.45 EUR
100+2.83 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.56 EUR
6000+1.45 EUR
9000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LonsemiMOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+3.01 EUR
100+2.37 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.95 EUR
3000+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.77 EUR
72+2.33 EUR
73+2.23 EUR
100+1.83 EUR
250+1.65 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.24 EUR
3000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.4 EUR
6000+1.33 EUR
9000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC89521LON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC9430L-F085onsemiMOSFETs 40V Dual NChnl LL PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC9430L-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 11.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC9430L-F085ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 12A; 11.4W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Power dissipation: 11.4W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC9430L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V Dual NChnl LL PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC9430L-F085onsemi / FairchildMOSFETs 40V Dual NChnl LL PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+2.32 EUR
100+1.75 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.3 EUR
3000+1.18 EUR
6000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC9430L-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 11.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD82100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD82100onsemi / FairchildMOSFET PT5 100/20V Dual Nch Power Trench MOSFET
auf Bestellung 2601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.25 EUR
10+7.44 EUR
25+7.03 EUR
100+6.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD82100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD82100Lonsemi / FairchildMOSFET FET 100V 19.5 MOHM PQFN
auf Bestellung 9489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+4.88 EUR
25+4.71 EUR
100+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD82100LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMD82100LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
auf Bestellung 2525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.45 EUR
10+4.91 EUR
100+3.95 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 23A 12POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Part Status: Active
auf Bestellung 10887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.94 EUR
10+4.11 EUR
100+3.26 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 23A 12POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 12-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.98 EUR
89+1.82 EUR
100+1.75 EUR
250+1.68 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240Lonsemi / FairchildMOSFET PT8 N-ch40VLLDualNch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+4.25 EUR
100+3.37 EUR
250+3.12 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.4 EUR
3000+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 12-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMD8240LET40ON SemiconductorFDMD8240LET40 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 24A 12-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.3 EUR
77+2.18 EUR
79+2.07 EUR
100+1.95 EUR
250+1.84 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240LET40onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMD8240LET40onsemi / FairchildMOSFETs 40V 103 A Dual NChnl Power Trench MOSFET
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMD8240LET40onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5
Produkt ist nicht verfügbar
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FDMD8240LET40ON SemiconductorFDMD8240LET40 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 24A 12-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMD8260LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8260LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMD8260LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8260LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMD8260L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 64 A, 64 A, 0.0045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 64A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 120190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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FDMD8260LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Part Status: Active
auf Bestellung 118715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
181+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
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FDMD8260LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMD8260Lonsemi / FairchildMOSFET 60V/20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMD8260LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8260LET60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
94+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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FDMD8260LET60onsemi / FairchildMOSFET 60V/20V Dual Nch Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMD8260LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMD8280Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMD8280ON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN
auf Bestellung 2042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMD8280Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
auf Bestellung 2076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMD8280Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
auf Bestellung 207621000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMD84100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD84100onsemi / FairchildMOSFET FET 100V 20.0 MOHM PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
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FDMD84100ON Semiconductor
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD84100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMD8430ON SemiconductorMOSFET 30V Dual N-Chnl Pwr Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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FDMD8440LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 21A PWR 3.3X5
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power 3.3x5
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 21A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 87A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.1W (Ta), 33W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8440LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 21A PWR 3.3X5
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.1W (Ta), 33W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power 3.3x5
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 21A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 87A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
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FDMD8440LonsemiMOSFET FET 40V 87A 2.6 mOhm
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 384-388 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+3.72 EUR
100+2.95 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.12 EUR
3000+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD85100Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD85100ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 100V 48A, 9.9m
auf Bestellung 7350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD85100Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V
auf Bestellung 656218000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMD8530onsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 26900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMD8530
Produktcode: 165563
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8530onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 35A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8530ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8530ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8530onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 35A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8540LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 33A 8PWR 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A, 156A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7940pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8540Lonsemi / FairchildMOSFET 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 8990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8560LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6
Part Status: Obsolete
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8560LON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8560LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.61 EUR
36+6.54 EUR
100+4.99 EUR
500+4.12 EUR
1000+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8560LON Semiconductor
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8560LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.04 EUR
10+6.01 EUR
100+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8560LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.99 EUR
500+4.12 EUR
1000+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8580onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 16A/82A PWR56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 82A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8580ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual NChnl Power Trench MOSFET
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD86100onsemi / FairchildMOSFET FET 100V 10.5 MOHM PQFN56
auf Bestellung 2089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+5.99 EUR
100+5.13 EUR
250+5.09 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.24 EUR
3000+4.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD86100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
auf Bestellung 476 Stücke:
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2+10.52 EUR
10+7.01 EUR
100+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD86100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8630onsemiStepper Motors PANdrive / Smart Stepper Motor, Magnetic Encoder, 24/48V, 7Nm, NEMA34/86mm, CAN, TMCL Firmware
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 66A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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