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80V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008LFG-7

Description: MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V

auf Bestellung 10980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.88 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008LFG-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

auf Bestellung 5276 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.56 EUR
10+	2.28 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.13 EUR
2000+	1.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008LFG-7

Description: DIODES INC. - DMT8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5300 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

auf Bestellung 1367 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	6.22 EUR
63+	3.74 EUR
101+	2.14 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008LFG-7

Description: MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.12 EUR
4000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DMT8008LK3-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMT8008LK3-13

Diodes

MOSFET Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008LK3-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2345 pF @ 40 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008LPS-13

Description: MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2345 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008LPS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMT8008LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008LSS-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMT8008LSS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMT8008SCT

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB TUBE 50PCS

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.55 EUR
10+	2.26 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.69 EUR
2500+	1.65 EUR
5000+	1.64 EUR

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DMT8008SCT

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 8350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008SK3-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008SK3-13

Diodes

MOSFET Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008SK3-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008SPS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008SPS-13

Description: MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8008SPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LFG-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 80A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LFG-13

Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LFG-13

MOSFETs 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LFG-7

auf Bestellung 34000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.73 EUR
6000+	0.69 EUR
10000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LFG-7

Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1488 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

123+	2.03 EUR
152+	1.54 EUR
209+	1.02 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 123 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LFG-7

MOSFETs 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF

auf Bestellung 2618 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.84 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.86 EUR
2000+	0.79 EUR
4000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LFG-7

auf Bestellung 1488 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

123+	2.03 EUR
152+	1.54 EUR
209+	1.02 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 123 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LFG-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 30A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LFG-7

Description: MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V

auf Bestellung 36930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.76 EUR
15+	1.43 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LK3-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 28A; Idm: 80A; 2.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LK3-13

Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V

auf Bestellung 207500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.74 EUR
5000+	0.67 EUR
7500+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LK3-13

Description: DIODES INC. - DMT8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.89 EUR
149+	1.57 EUR
204+	1.06 EUR
500+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 133 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LK3-13

Description: DIODES INC. - DMT8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 972 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.89 EUR
149+	1.57 EUR
204+	1.06 EUR
500+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 133 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LK3-13

Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 210863 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.9 EUR
13+	1.62 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

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DMT8012LK3-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

auf Bestellung 1946 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.83 EUR
10+	1.65 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.84 EUR
2500+	0.75 EUR
5000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LPS-13

Description: MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V

auf Bestellung 227500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.77 EUR
5000+	0.73 EUR
12500+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMT8012LPS-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

auf Bestellung 1152 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.78 EUR
10+	1.76 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.84 EUR
2500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMT8012LPS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.2A; Idm: 80A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.1W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMT8012LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LSS-13

Description: MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.67 EUR
5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMT8012LSS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.8A; Idm: 80A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8012LSS-13

Description: MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 28247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.32 EUR
15+	1.49 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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DMT8012LSS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

auf Bestellung 1695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.75 EUR
10+	1.73 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.9 EUR
2500+	0.73 EUR
5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMT8020LDG-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8030LFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8030LFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V U-DFN2020-6 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8030LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMT8030LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.5 A, 0.0238 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0238ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2997 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

146+	1.73 EUR
206+	1.13 EUR
269+	0.8 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 146 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMT8030LFDF-7

TE Connectivity / Alcoswitch

Description: DIODES INC. - DMT8030LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.5 A, 0.0238 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0238ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2997 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

146+	1.73 EUR
206+	1.13 EUR
269+	0.8 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 146 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTB911

Tripp Lite

Mounting Fixings DMTB911

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTBD413

Tripp Lite

Mounting Fixings DMTBD413

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTBS13

Tripp Lite

Mounting Fixings DMTBS13

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTD2T4B4TPVS05

Toggle Switches DMT 5A DPDT ON OFF ON T V S

auf Bestellung 997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.08 EUR
10+	7.2 EUR
25+	6.81 EUR
50+	6.58 EUR
100+	6.24 EUR
250+	5.99 EUR
500+	5.46 EUR

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DMTD3T2B2PPRG05

ALCOSWITCH - TE CONNECTIVITY

Description: ALCOSWITCH - TE CONNECTIVITY - DMTD3T2B2PPRG05 - Kippschalter, Ein-Ein-Ein, DP3T, Nicht beleuchtet, DMT Series, Durchsteckmontage
tariffCode: 85365080
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schalteranschlüsse: Leiterplattenstift, abgewinkelt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kontaktstrom, max.: -
Schalterfunktion: Ein-Ein-Ein
isCanonical: Y
AC-Kontaktspannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
DC-Kontaktspannung, nom.: 20V
Beleuchtung: Nicht beleuchtet
Schaltermontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: DMT Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kontaktkonfiguration: DP3T

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	9.17 EUR
30+	7.96 EUR
32+	6.81 EUR
33+	6.66 EUR
50+	6.49 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTD3T2B2PPRG05

TE Connectivity / Alcoswitch

Toggle Switches DMT 0.4VA DP3T ON ON ON P R G

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.94 EUR
10+	7.03 EUR
25+	6.68 EUR
50+	6.43 EUR
100+	6.12 EUR
250+	5.87 EUR
500+	5.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTF250

MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - DMTF250 - Steckhülse, Flachstecker, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032"
tariffCode: 85369010
euEccn: NLR
Isoliermaterial: Vinyl
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
isCanonical: Y
Leiterstärke (AWG), max.: -
Leiterquerschnitt CSA: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Klemmentyp: Flachstecker
Isolatorfarbe: Transparent
Leiterstärke (AWG), min.: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anschlussmaterial: Messing

auf Bestellung 112 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	31.04 EUR
11+	21.52 EUR
12+	18.48 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H003SPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

auf Bestellung 1684 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.28 EUR
10+	3.62 EUR
100+	2.51 EUR
500+	2.12 EUR
2500+	1.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H003SPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H003SPSW-13

100V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	2.76 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.44 EUR
2500+	1.37 EUR
5000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H003SPSW-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

auf Bestellung 588 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.32 EUR
54+	4.34 EUR
100+	3.53 EUR
500+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H003SPSW-13

100V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H003SPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V

auf Bestellung 1840 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.93 EUR
10+	3.84 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H003SPSW-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1318 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.3 EUR
500+	3.05 EUR
1000+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H005LCT

Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3688 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 354 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.96 EUR
10+	4.12 EUR
100+	3.28 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H005LCT

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H005LCT

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

auf Bestellung 184 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.81 EUR
10+	2.92 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.15 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H005LCT

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H005SCT

Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8474 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.18 EUR
10+	4.3 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H005SCT

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 41200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H005SCT

MOSFETs MOSFETBVDSS: 61V-100V

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.34 EUR
10+	2.78 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.26 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H005SCT

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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DMTH10H009LFG-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI3333-8 T&R 3K

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMTH10H009LFG-7

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 7082 Stücke:

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6+	3.58 EUR
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DMTH10H009LFG-7

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2361 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

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2000+	1.02 EUR
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DMTH10H009LPS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

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DMTH10H009LPS-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

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DMTH10H009LPSQ-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 360A; 3.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 3.1W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

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DMTH10H009LPSQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

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DMTH10H009LPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H009LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 6000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1905 Stücke:

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DMTH10H009LPSQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101

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DMTH10H009LPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H009LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 6000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1905 Stücke:

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DMTH10H009SPS-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

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DMTH10H009SPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 6700 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm

auf Bestellung 2407 Stücke:

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DMTH10H009SPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 6700 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm

auf Bestellung 2407 Stücke:

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100+	2.3 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.56 EUR

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DMTH10H010LCT

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

auf Bestellung 250 Stücke:

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10+	2.53 EUR
100+	2.26 EUR
250+	1.86 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.46 EUR

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DMTH10H010LCT

Description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

auf Bestellung 1308 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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DMTH10H010LCTB-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

auf Bestellung 687 Stücke:

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2+	2.95 EUR
10+	2.48 EUR
100+	1.96 EUR
800+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMTH10H010LCTB-13

Trans MOSFET N-CH 100V 108A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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DMTH10H010LCTB-13

Description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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DMTH10H010LCTB-13

Trans MOSFET N-CH 100V 108A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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DMTH10H010LPS-13

Trans MOSFET N-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.83 EUR

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DMTH10H010LPS-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 98.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W, 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H010LPS-13

Trans MOSFET N-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMTH10H010LPS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

auf Bestellung 2434 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.58 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.08 EUR
2500+	0.92 EUR
5000+	0.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H010SCT

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.75 EUR
10+	2.23 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H010SCT

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H010SCT

Description: DIODES INC. - DMTH10H010SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 7400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H010SPS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

auf Bestellung 7025 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.53 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.12 EUR
2500+	1.01 EUR
5000+	1 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H010SPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 123 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm

auf Bestellung 2347 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.34 EUR
112+	1.92 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMTH10H010SPS-13