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MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A

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DMN1017UCP3-7

Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V
Power Dissipation (Max): 1.47W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V

auf Bestellung 225608 Stücke:

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DMN1017UCP3-7

Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V
Power Dissipation (Max): 1.47W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V

auf Bestellung 225000 Stücke:

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3000+	0.44 EUR
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DMN1017UCP3-7

MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

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DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN1019UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5A; 0.69W; U-DFN2020-6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5A
Power dissipation: 0.69W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

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DMN1019UFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 7000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 25 Stücke:

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DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R

auf Bestellung 215 Stücke:

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DMN1019UFDE-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

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DMN1019UFDE-7

Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V

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12+	1.8 EUR
19+	1.12 EUR
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DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R

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DMN1019UFDE-7

Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V

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DMN1019UFDE-7

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DMN1019USN

MOSFETs

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DMN1019USN-13

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

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DMN1019USN-13

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
Verlustleistung: 680mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm

auf Bestellung 19062 Stücke:

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154+	1.62 EUR
249+	0.93 EUR
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DMN1019USN-13
Produktcode: 121899

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Transistoren > MOSFET N-CH

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DMN1019USN-13

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
Verlustleistung: 680mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm

auf Bestellung 19062 Stücke:

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154+	1.62 EUR
249+	0.93 EUR
388+	0.55 EUR
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DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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DMN1019USN-13

MOSFETs 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W

auf Bestellung 33929 Stücke:

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3+	1.13 EUR
10+	0.7 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USN-13

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)

auf Bestellung 10457 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.26 EUR
28+	0.77 EUR
33+	0.64 EUR
50+	0.56 EUR
100+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USN-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.83W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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DMN1019USN-7

Diodes

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC-59 Транзистори

auf Bestellung 357 Stücke:

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14+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USN-7

MOSFETs 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC

auf Bestellung 37147 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.13 EUR
10+	0.7 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USN-7

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
9000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1177 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

188+	1.33 EUR
304+	0.76 EUR
625+	0.35 EUR
658+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 188 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USN-7

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V

auf Bestellung 14765 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.24 EUR
28+	0.77 EUR
33+	0.64 EUR
50+	0.56 EUR
100+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1177 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

188+	1.33 EUR
304+	0.76 EUR
625+	0.35 EUR
658+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 188 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USNQ-13

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USNQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USNQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SC59 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USNQ-7

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USNQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019USNQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SC59 T&R 3K

auf Bestellung 2880 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.98 EUR
10+	1.37 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMN1019UVT

MOSFETs

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DMN1019UVT-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.11W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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DMN1019UVT-13

MOSFETs 12V Enh Mode FET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019UVT-13

Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019UVT-7

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019UVT-7

Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 7000 µohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
Verlustleistung: 1.73W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm

auf Bestellung 445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

137+	1.82 EUR
223+	1.05 EUR
290+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 137 Stücke

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DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN1019UVT-7

MOSFETs 12V Enh Mode FET

auf Bestellung 32068 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.3 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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DMN1019UVT-7

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019UVT-7

Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 7000 µohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
Verlustleistung: 1.73W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm

auf Bestellung 445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

137+	1.82 EUR
223+	1.05 EUR
290+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 137 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1019UVT-7

Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1023UCB4-7

Description: MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 6 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1023UCB4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

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DMN1025UFDB-7

MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W

auf Bestellung 1508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.28 EUR
10+	1.57 EUR
100+	1 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.33 EUR
6000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1025UFDB-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 38mΩ
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 23.1nC
Polarisation: unipolar

auf Bestellung 1533 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	0.35 EUR
309+	0.27 EUR
374+	0.23 EUR
414+	0.2 EUR
550+	0.15 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1029UFDB-13

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1029UFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1029UFDB-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active

auf Bestellung 60742 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.34 EUR
26+	0.83 EUR
31+	0.69 EUR
50+	0.61 EUR
100+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1029UFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

262+	0.95 EUR
374+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 262 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1029UFDB-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC

auf Bestellung 8359 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.94 EUR
10+	0.67 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.21 EUR
6000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1029UFDB-7

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.31 EUR
9000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1029UFDB-7

auf Bestellung 585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

262+	0.95 EUR
374+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 262 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1032UCB4-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W

auf Bestellung 16939 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

169+	1.05 EUR
197+	0.87 EUR
212+	0.77 EUR
262+	0.61 EUR
264+	0.57 EUR
500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 169 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1032UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1032UCP4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1032UCP4-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DSN1010-4 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1033UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 5.5A 4-Pin UWLP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1033UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH U-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: U-WLB1818-4

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1033UCB4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A

auf Bestellung 1330 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1045UFR4-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss

auf Bestellung 8043 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.08 EUR
10+	0.67 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1045UFR4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V

auf Bestellung 161663 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.99 EUR
35+	0.61 EUR
42+	0.5 EUR
50+	0.44 EUR
100+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1045UFR4-7

Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	1.12 EUR
363+	0.64 EUR
572+	0.38 EUR
764+	0.29 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1045UFR4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V

auf Bestellung 161000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.21 EUR
9000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1045UFR4-7

Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	1.12 EUR
363+	0.64 EUR
572+	0.38 EUR
764+	0.29 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1053UCP4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.34W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)

auf Bestellung 113990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	1.13 EUR
28+	0.75 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1053UCP4-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

auf Bestellung 35980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.8 EUR
10+	0.69 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1053UCP4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.34W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 111000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.3 EUR
6000+	0.27 EUR
9000+	0.25 EUR
15000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1054UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1054UCB4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A

auf Bestellung 5976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1054UCB4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB0808-4
Power dissipation: 1.34W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 8V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±5V
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.11Ω
Pulsed drain current: 8A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1054UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN1057UCA3-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-3 T&R 10K

auf Bestellung 3886 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.7 EUR
10+	0.43 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.17 EUR
5000+	0.14 EUR
10000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H099SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H099SFG-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

auf Bestellung 7930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.98 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H099SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H099SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 11990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.34 EUR
18+	1.18 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H099SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H099SFG-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

auf Bestellung 1521 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.77 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.55 EUR
2000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H099SK3-13

Description: DIODES INC. - DMN10H099SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	2.18 EUR
183+	1.27 EUR
280+	0.76 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 115 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H099SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

auf Bestellung 71708 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.49 EUR
22+	0.99 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H099SK3-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC

auf Bestellung 7827 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.82 EUR
10+	1.14 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR
2500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H099SK3-13

Description: DIODES INC. - DMN10H099SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	2.18 EUR
183+	1.27 EUR
280+	0.76 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 115 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H099SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

auf Bestellung 70000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.44 EUR
5000+	0.4 EUR
7500+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H100SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H100SK3-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V

auf Bestellung 2658 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.43 EUR
10+	1.24 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR
2500+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H100SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active

auf Bestellung 7450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.71 EUR
19+	1.15 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H120SE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 975000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H120SE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 905000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.4 EUR
5000+	0.38 EUR
12500+	0.36 EUR
25000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN10H120SE-13