Produkte > tp6
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| TP65H035G4WS | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H035G4WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 22nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm | auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H035G4WSQA | Renesas Electronics | GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247 | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H035G4WSQA | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H035G4WSQA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 22nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H035G4WSQA | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 46.5 GAN FET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H035G4YS | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H035G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 42.7nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm | auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H035G4YS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 35MOHM GAN FET IN TO247-4L | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H035G4YS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H035WS | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H035WS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 35mOhm | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H035WSQA | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H035WSQA | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 35mOhm | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H050G4BS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 34 A GAN FET Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V | auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H050G4BS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mOhm | auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H050G4BS | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H050G4BS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 16nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H050G4PQS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H050G4PQS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 50MOHM GAN FET IN TOLL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H050G4PRS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 50MOHM GAN FET IN TOLT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H050G4PRS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H050G4PWS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 50MOHM GAN FET IN TO247-3L | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 960 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H050G4PWS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 960 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H050G4PYS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 50MOHM GAN FET IN TO247-4L | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 960 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H050G4PYS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 960 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H050G4QS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 34 A GAN FET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H050G4QS-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H050G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 16nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | auf Bestellung 1646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H050G4QS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H050G4QS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 34 A GAN FET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V | auf Bestellung 1343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H050G4QS-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H050G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 16nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | auf Bestellung 1646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H050G4WS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L | auf Bestellung 708 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H050G4WS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 34 A GAN FET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H050G4WS | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H050G4WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 16nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H050G4YS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V | auf Bestellung 1276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H050G4YS | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H050G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 16nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H050G4YS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H050WS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mOhm | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H050WS | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 | auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H050WSQA | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H050WSQA | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 50mOhm | auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H065G4PLSG-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H065G4PLSG-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 65MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H065G4PLSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 65MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H065G4PLSGB-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H065G4PPS | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 65MOHM GAN FET IN TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H065G4PPS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H065G4PQS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in TOLL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H065G4PQS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 65MOHM GAN FET IN TOLL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H065G4PRS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 65MOHM GAN FET IN TOLT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H065G4PRS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 65mohm GaN FET in TOLT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070G4LSG-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSG-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN | auf Bestellung 2662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSG-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | auf Bestellung 1509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSG-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSG-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070G4LSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070G4LSGB-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | auf Bestellung 2237 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSGB-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSGB-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN | auf Bestellung 2446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSGBA-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070G4LSGBA-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070G4LSGBEA-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSGBEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 11.9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSGBEA-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070G4LSGBEA-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 12V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 400 V | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSGBEA-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSGBEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 11.9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSGBEA-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 12V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070G4LSGEA-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070G4LSGEA-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSGEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 11.9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 2415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSGEA-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN | auf Bestellung 2917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSGEA-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070G4LSGEA-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4LSGEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 11.9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 2415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H070G4PS | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 29A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V | auf Bestellung 756 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070G4PS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220 | auf Bestellung 958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070G4PS | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 626 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H070G4QS-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 1879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H070G4QS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 29 A GAN FET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | auf Bestellung 1165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070G4QS-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 1879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H070G4QS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 29 A GAN FET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070G4QS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070G4RS-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4RS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLT Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 1112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H070G4RS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT | auf Bestellung 1669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070G4RS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 29 A GAN FET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070G4RS-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H070G4RS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLT Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 1112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H070G4RS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 29 A GAN FET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070LDG | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN Packaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070LDG-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 227-TP65H070LSG-TR | auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070LDG-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 25 A GAN FET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070LDG-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650 V 25 A GAN FET Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070LSG | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN Packaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070LSG-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070LSG-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H070LSG-TR | Renesas Electronics | GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88 | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H085G4QS-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 85mohm GaN FET in TOLL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H085G4QS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 85MOHM GAN FET IN TOLL | auf Bestellung 1958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H085G4QS-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: 650V, 85MOHM GAN FET IN TOLL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H100G4LSGB-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H100G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 14.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | auf Bestellung 2941 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H100G4LSGB-TR | RENESAS | Description: RENESAS - TP65H100G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 14.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 650V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id: 18.9A | auf Bestellung 2941 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP65H100G4LSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: Hi Volt FETs Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V | auf Bestellung 2870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H100G4LSGB-TR | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H100G4LSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | Description: Hi Volt FETs Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| TP65H100G4PS | Renesas Electronics Corporation | Description: Hi Volt FETs Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V | auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H100G4PS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220 | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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