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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFN230N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 220A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN230N20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN230N20T - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 220 A, 200 V, 7500 µohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.09kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.09kW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+79.77 EUR
5+70.22 EUR
10+61.26 EUR
50+57.7 EUR
100+54.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN23N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN23N100IXYSMOSFET Modules 23 Amps 1000V 0.43 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN240N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN240N15T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN240N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+97.87 EUR
10+74.11 EUR
100+65.64 EUR
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IXFN240N25X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 250V 240A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN24N100MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN24N100IXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 568W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN24N100IXYSMOSFET Modules 1KV 24A
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.8 EUR
10+78.85 EUR
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IXFN24N100
Produktcode: 101787
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Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
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IXFN24N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+148.32 EUR
5+116.66 EUR
10+98.51 EUR
50+85.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFN24N100FIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXFN24N100F 1000V 24A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IXFN24N100FIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN24N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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IXFN24N90QIXYSMOSFET Modules 24 Amps 900V 0.45W Rds
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN25N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN25N90IXYSMOSFET Modules 25 Amps 900V 0.33 Rds
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN260N17TGigaMOS POWER MOSFET, SOT-227 Транзистори
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IXFN260N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
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IXFN26N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN26N100PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 26 Amps 1000V 0.39 Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N100PIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 390mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 595W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N120PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 26 Amps 1200V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N120PIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 0.5Ω
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 695W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N90IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXFN26N90
Produktcode: 53753
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN26N90Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 900V 26A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N90IXYSDiscrete Semiconductor Modules 900V 26A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN27N120SKIXYSDescription: SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN27N120SKIXYSSiC MOSFETs SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+97.01 EUR
10+89.87 EUR
100+70.77 EUR
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IXFN27N80IXYSMOSFET Modules 800V 27A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN27N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN27N80IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN27N80
Produktcode: 91884
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN27N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN27N80QIXYSMOSFET Modules 27 Amps 800V 0.32 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN280N07IXYSMOSFET Modules 280 Amps 70V 0.006 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN280N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN280N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN280N085Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN280N085IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN280N085MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN280N085LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+51.75 EUR
10+49.42 EUR
25+47.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN280N085IXYSMOSFET Modules 280 Amps 85V 0.0044 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN280N085IXYSMODULE
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXFN280N085LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 85V 280A 4-Pin SOT-227B
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25+48.92 EUR
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IXFN300N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 318 Stücke:
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1+96.82 EUR
10+73.35 EUR
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IXFN300N10PIXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 295 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 23000 @ 25, Qg, нКл = 279, Rds = 5,5 мОм, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 1070, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-227-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IXFN300N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 295A 4-Pin SOT-227B
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IXFN300N10PIXYSMOSFET Modules Polar Power MOSFET HiPerFET
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IXFN300N10PТранзистори
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IXFN300N20X3IXYSMOSFET Modules MBLOC 200V 300A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 595 Stücke:
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1+93.12 EUR
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IXFN300N20X3IXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 200V; 300A; SOT227B; screw; Idm: 700A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 3.5mΩ
Pulsed drain current: 700A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Gate charge: 375nC
Reverse recovery time: 172ns
Kind of channel: enhancement
Case: SOT227B
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN300N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN300N20X3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 300 A, 200 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 695W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 260 Stücke:
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3+104.84 EUR
5+82.75 EUR
10+68.06 EUR
50+59.74 EUR
100+56.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFN300N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
auf Bestellung 360 Stücke:
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1+97.87 EUR
10+74.11 EUR
100+65.64 EUR
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IXFN300N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 300A 4-Pin SOT-227B
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IXFN30N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
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IXFN30N110PIXYS25A/1100V/MOS/1U
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IXFN30N120PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 30 Amps 1200V 0.35 Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN30N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN320N17T2IXYSDiscrete Semiconductor Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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10+95.57 EUR
30+91.57 EUR
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IXFN320N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 170V 260A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN320N17T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN32N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 25 V
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+69.51 EUR
10+51.69 EUR
100+46.37 EUR
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IXFN32N100PIXYSMOSFET Modules 32 Amps 1000V 0.32 Rds
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1+79.9 EUR
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IXFN32N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 27A 4-Pin SOT-227B
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IXFN32N100Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN32N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
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IXFN32N100Q3IXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 1kV; 28A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 780W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.32Ω
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 195nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
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IXFN32N120IXYSMOSFET Modules 32 Amps 1200V 0.550 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN32N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN32N120Транзистори
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IXFN32N120Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
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IXFN32N120IXYSSOP-8
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IXFN32N120PPolarHV™ HiPerFETs, N-Channel, 1200V,32A, 310 Ohm, 300ns, SOT-227B Транзистори
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IXFN32N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B
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IXFN32N120P
Produktcode: 219019
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IXFN32N120PIXYSMOSFET Modules 32 Amps 1200V
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IXFN32N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+136.3 EUR
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IXFN32N60IXYSDiscrete Semiconductor Modules 32 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 32A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520AW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN32N60IXYSMODULE
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN32N80P
Produktcode: 114602
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IXFN32N80PIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 800V; 29A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 625W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.27Ω
Reverse recovery time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN32N80PIXYSMOSFET Modules 29 Amps 800V 0.27 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN340N06IXYSMOSFET Modules 340 Amps 60V 0.003 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN340N06IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 600 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN340N07IXYSMOSFET Modules HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
auf Bestellung 1042 Stücke:
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10+106.6 EUR
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IXFN340N07Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 490 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN340N07miniBLOC, SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN340N07LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 70V 340A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN34N100IXYSMOSFET Modules 34 Amps 1000V 0.28 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN34N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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IXFN34N100IXYS34A/1000V/MOS/1U
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