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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SCTW40N120G2VAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTW40N120G2VAG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.47 EUR
10+32.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.56 EUR
10+20.56 EUR
100+17.83 EUR
600+17.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 290W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+17.34 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2VAGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.18 EUR
10+31.07 EUR
50+30.19 EUR
600+26.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW60N120G2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW60N120G2STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 389W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.99 EUR
10+23.51 EUR
100+18.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW60N120G2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW60N120G2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTW60N120G2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 389W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.23 EUR
7+37.57 EUR
10+33.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW60N120G2STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247 package
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.83 EUR
10+22.6 EUR
100+19.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 547W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.87 EUR
5+66.04 EUR
10+56.76 EUR
50+52.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.62 EUR
10+39.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+38.75 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsDescription: TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 547W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.94 EUR
30+41.94 EUR
120+38.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+38.91 EUR
3000+37.37 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW70N120G2VSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: tube
Case: HIP247™
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 547W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 91A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2VSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.12 EUR
10+36.37 EUR
25+34.87 EUR
250+33.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTW90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+73.72 EUR
5+63.7 EUR
10+54.41 EUR
50+50.02 EUR
100+47.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.73 EUR
10+34.47 EUR
100+33.7 EUR
600+32.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW90N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.12 EUR
10+35.57 EUR
25+33.58 EUR
250+32.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA10N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.71 EUR
22+8.04 EUR
50+7.65 EUR
100+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA10N120STMicroelectronicsMOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 550 mOhm
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.18 EUR
10+23.15 EUR
25+22.18 EUR
100+19.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA10N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA10N120STMicroelectronicsDescription: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA20N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an HiP247 long leads
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.1 EUR
10+16.95 EUR
100+14.58 EUR
600+13.74 EUR
1200+13.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.58 EUR
13+13.83 EUR
30+12.85 EUR
120+12.02 EUR
270+11.38 EUR
510+10.69 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA20N120STMicroelectronicsDescription: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA30N120STMicroelectronicsDescription: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA30N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.74 EUR
10+34.97 EUR
100+30.98 EUR
600+30.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.34 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs 650 V 45 A 75 mOhm
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.46 EUR
10+13.78 EUR
600+12.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247LL
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 45
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.72 EUR
10+36.93 EUR
50+36.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsDescription: TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.22 EUR
30+14.67 EUR
120+12.59 EUR
510+12.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.34 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.94 EUR
10+24.5 EUR
12+18.69 EUR
50+17.2 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.01 EUR
10+18.27 EUR
100+13.9 EUR
600+13.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.32 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronics
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.61 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.91 EUR
10+17.14 EUR
100+13.84 EUR
600+13.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VAGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ TJ = 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA35N65G2VAGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A TO247
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2VSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2V-4STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247LL
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 45
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchFET Gen II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N120G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247-4 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N12G24AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N12G24AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.98 EUR
7+34.27 EUR
10+27.26 EUR
50+26.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N12G24AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.63 EUR
10+23.98 EUR
100+22.22 EUR
600+17.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA40N12G24AGSTMicroelectronicsDescription: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.84 EUR
10+26.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA50N120STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 318W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.73 EUR
10+41.75 EUR
25+39.25 EUR
100+36.5 EUR
250+35.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA50N120STMMOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA50N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA50N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA50N120-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+63.2 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.83 EUR
10+23.37 EUR
100+20.5 EUR
600+20.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.46 EUR
10+25 EUR
30+23.12 EUR
120+21.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA60N120G2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA60N120G2-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 389W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+89.64 EUR
5+72.82 EUR
10+55.69 EUR
50+49.93 EUR
100+46.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.17 EUR
10+42.19 EUR
100+39.27 EUR
600+39.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+65.38 EUR
5+60.99 EUR
10+56.72 EUR
25+53.31 EUR
50+50.05 EUR
100+47.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+56.63 EUR
5+54.05 EUR
10+48.35 EUR
25+42.98 EUR
50+39.59 EUR
100+36.06 EUR
250+33.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 547W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.37 EUR
30+38.26 EUR
120+37.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA70N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 547W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+65.38 EUR
5+62.33 EUR
10+58.9 EUR
25+56.3 EUR
50+54.22 EUR
100+53.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
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5+42.42 EUR
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SCTWA90N65G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 165 Stücke:
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4+73.82 EUR
5+68.52 EUR
10+63.24 EUR
50+54.88 EUR
100+50.08 EUR
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SCTWA90N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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SCTWA90N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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SCTWA90N65G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
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SCTWA90N65G2VSTMicroelectronics
auf Bestellung 100 Stücke:
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SCTWA90N65G2VSTMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 565W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.15 EUR
30+32.49 EUR
120+31.08 EUR
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SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+36.35 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.05 EUR
10+39.66 EUR
100+36.6 EUR
600+32.88 EUR
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SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsDescription: TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 565W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SCTWA90N65G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 565W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+93.81 EUR
5+83.73 EUR
10+74.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
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600+36.35 EUR
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SCTX-2
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SCTX1-83-2W+Mini-CircuitsAudio Transformers / Signal Transformers 1:1 Core & Wire Transformer, 10 - 8000 MHz, 50ohm
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1+137.85 EUR
10+129.39 EUR
20+126.6 EUR
50+123.78 EUR
100+118.12 EUR
200+114.34 EUR
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SCTX2-93-2W+Mini-CircuitsDescription: 1:2 XFMR, 10 - 9000 MHZ, 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 10MHz ~ 9GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 1:2
Insertion Loss (Max): 5.9dB
Phase Difference: 9°
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+117.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SCTX2-93-2W+Mini-CircuitsAudio Transformers / Signal Transformers 1:2 CORE & WIRE Transformer, 10 - 9000 MHz, 50?
auf Bestellung 13 Stücke:
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1+147.85 EUR
10+138.75 EUR
30+138.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2-93-2W+Mini-CircuitsDescription: 1:2 XFMR, 10 - 9000 MHZ, 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 10MHz ~ 9GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 1:2
Insertion Loss (Max): 5.9dB
Phase Difference: 9°
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+138.12 EUR
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SCTX2B
auf Bestellung 23 Stücke:
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SCTX2B/SCDRX2DS
auf Bestellung 10000 Stücke:
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SCTX2B/SCRX2B
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SCTX2B/SCRX2BC
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SCTX2B/SCRX2BS
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTX2B/SDRX2BD
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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