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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXYN110N120B4H1IXYSIGBT Modules IXYN110N120B4H1
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.65 EUR
10+58.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN110N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN110N120C4 - IGBT-Modul, Einfach, 220 A, 1.9 V, 830 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Dauer-Kollektorstrom: 220A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Produktpalette: XPT Gen4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+83.62 EUR
5+67.59 EUR
10+53.12 EUR
50+52.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN110N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT SOT227B
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.51 EUR
10+45.47 EUR
100+41.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN110N120C4IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 220A 830W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.42 nF @ 25 V
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.33 EUR
10+55.31 EUR
100+46.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN110N120C4H1IXYSDescription: 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5420 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Power - Max: 830 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.09 EUR
10+60.07 EUR
100+55.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN110N120C4H1IXYSIGBT Modules IXYN110N120C4H1
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.6 EUR
10+58.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN120N120C3IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.41 EUR
10+49.29 EUR
100+43.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN120N120C3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN120N120C3IXYSIGBTs SOT227 1200V 120A XPT
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.41 EUR
10+58.6 EUR
100+58.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN120N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN120N65B3D1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 650V 250A 830000mW
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+105.64 EUR
10+95.9 EUR
25+88.1 EUR
50+79.43 EUR
100+72.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN120N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 250A SOT227B
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 770 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Gate Charge: 250 nC
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: SOT-227B
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN120N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 190A SOT-227B
Packaging: Tube
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 620 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 190 A
Gate Charge: 265 nC
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 1.25mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/127ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: SOT-227B
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN120N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN140N120A4IXYSIGBTs SOT227 1200V 140A XPT
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+103.98 EUR
10+82.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN140N120A4IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 380A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1070 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.3 nF @ 25 V
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+105.98 EUR
10+80.54 EUR
100+72.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN140N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN140N120A4 - IGBT-MODUL, 1.2KV, 380A, 1.07KW, SOT227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.34V
Verlustleistung Pd: 1.07kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.07kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 380A
Dauerkollektorstrom: 380A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 380A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+116.68 EUR
5+95.33 EUR
10+75.96 EUR
50+75.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN150N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 250A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/167ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 2.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 830 W
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.68 EUR
10+42.28 EUR
100+34.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN150N60B3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 750A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN150N60B3IXYSIGBTs SOT227 600V 140A GENX3
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.6 EUR
10+41.5 EUR
100+40.21 EUR
500+38.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN180N65A5IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 180A; SOT227B; tube; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN180N65A5IXYSIGBTs 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.69 EUR
10+49.35 EUR
500+47.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN180N65A5IXYSDescription: IGBT MOD 650V 340A 940W SOT-227B
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8640 pF @ 25 V
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.96 EUR
10+50.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN200N65B5IXYSIGBTs 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in SOT-227
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.43 EUR
10+48.53 EUR
500+44.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN200N65B5IXYSDescription: 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 390 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1.2 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11700 pF @ 25 V
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.64 EUR
10+48.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN220N65A5IXYSDescription: IGBT MODULE 650V 510A SOT-227B
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.06 EUR
10+59.06 EUR
100+50.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN220N65A5IXYSIGBTs 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.58 EUR
10+57.95 EUR
100+57.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN300N65A3IXYSIGBTs SOT227 650V 270A GENX3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN300N65A3IXYSDescription: IGBT PT 650V 470A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/190ns
Switching Energy: 7.8mJ (on), 4.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 565 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 470 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1600 A
Power - Max: 1500 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN30N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 88A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 275 A
Power - Max: 680 W
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+85.13 EUR
10+64.24 EUR
100+60.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN30N170CV1IXYSIGBT Modules 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+99.84 EUR
10+81.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN50N170CV1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V 120A 880000mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN50N170CV1IXYSIGBTs 1700V/120A High Volt
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+126.79 EUR
10+104.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN50N170CV1IXYSDescription: IGBT 1700V 120A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A
Power - Max: 880 W
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+103.7 EUR
10+79.16 EUR
100+76.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN75N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/93ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN75N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN80N90C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 900V 115A 500W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXYN80N90C3H1IXYSIGBT Modules 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN80N90C3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 70A; SOT227B; 500W
Collector current: 70A
Power dissipation: 500W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 340A
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 900V
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN82N120C3IXYSIGBT Transistors 1200V XPT IGBT GenX3
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+76.22 EUR
10+67.93 EUR
20+63.86 EUR
50+61.73 EUR
100+59.61 EUR
200+57.47 EUR
500+55.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN82N120C3IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 500 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.58 EUR
10+43.11 EUR
100+37.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN82N120C3H1IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 105A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.06 nF @ 25 V
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.98 EUR
10+45.09 EUR
100+39.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN82N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 105A 500000mW
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN82N120C3H1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/105A; Copack
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.93 EUR
10+45.72 EUR
100+43.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN85N120C4H1IXYSIGBT Modules IXYN85N120C4H1
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.83 EUR
10+54.98 EUR
100+54.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN85N120C4H1IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4030 pF @ 25 V
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.12 EUR
10+45.21 EUR
100+39.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 32A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/125ns
Switching Energy: 300µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 20 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 160 W
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 30A TO-220-3
Power - Max: 160 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 18 nC
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Switching Energy: 240µJ (on), 110µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 128ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Pulsed collector current: 54A
Turn-on time: 44ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
Switching Energy: 240µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Power - Max: 160 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3D1MIXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
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IXYP10N65C3D1MIXYSDescription: IGBT 650V 15A TO220 ISOLATED TAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
Switching Energy: 240µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 53 W
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65B3D1IXYSDescription: IGBT TO220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 122ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 36ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3IXYSIGBTs TO220 650V 15A GENX3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 38A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 38A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 36ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1IXYSIGBTs TO220 650V 15A DIODE
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 122ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 36ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1MIXYSIGBTs 650V/16A XPT IGBT C3 Copacked TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1MIXYSDescription: IGBT PT 650V 16A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 48 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120A4IXYSIGBTs TO263 1200V 20A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 80A TO-220
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 135 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.6mJ (on), 2.75mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/275ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120A4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 135A
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 76A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 130A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120B4IXYSIGBTs TO220 1200V 20A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 76A TO-220
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Part Status: Active
Gate Charge: 44 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.9mJ (on), 1.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/200ns
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.77 EUR
26+6.45 EUR
50+5.63 EUR
100+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C3Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-220-3
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.34 EUR
50+7.14 EUR
100+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C3IXYS/LittelfuseТранзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 40 А, tз, мс = 0,02, Р, Вт = 278, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 90,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C3 Transistor
Produktcode: 203199
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 68A TO-220
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Part Status: Active
Gate Charge: 44 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 68A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
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IXYP20N120C4IXYSIGBTs TO247 1200V 20A IGBT
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IXYP20N65B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 39ns
Gate charge: 29nC
Turn-off time: 271ns
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IXYP20N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
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IXYP20N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 58A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/103ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 29 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 230 W
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IXYP20N65C3IXYSIGBTs TO220 650V 20A GENX3
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IXYP20N65C3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
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IXYP20N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYP20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.63 EUR
54+3.18 EUR
59+2.87 EUR
100+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IXYP20N65C3D1Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A TO-220AB Транзистори
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IXYP20N65C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYP20N65C3D1 - IGBT, 50 A, 2.27 V, 200 W, 650 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.27V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.27 EUR
34+7.03 EUR
100+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXYP20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYP20N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+6.05 EUR
21+4.08 EUR
50+3.2 EUR
100+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IXYP20N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.59 EUR
55+3.08 EUR
60+2.74 EUR
100+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IXYP20N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+4.44 EUR
100+3.71 EUR
500+3.2 EUR
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IXYP20N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 50A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
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IXYP20N65C3D1MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
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IXYP20N65C3D1MIXYSIGBTs 650V/18A XPT IGBT C3 Copacked TO-220
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IXYP20N65C3D1MIXYSDescription: IGBT PT 650V 18A TO-220-3
Power - Max: 50 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Gate Charge: 30 nC
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP24N100A4IXYSDescription: IGBT PT 1000V 85A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/216ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 800V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 145 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
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