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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
FDG-E1-D01-0SDIVЛінза, для серії Golden Dragon, овал 11х20 градусів 35 deg
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+0.6 EUR
13+ 0.51 EUR
100+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDG-M1-D01-0SDIVЛінза, для серії Golden Dragon, 21 градус 35 deg
auf Bestellung 20 Stücke:
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100+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDG-W1-D01-0SDIVЛінза для серії Golden Dragon; Кут розс.,°= 35; 35 deg
auf Bestellung 621 Stücke:
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9+0.81 EUR
10+ 0.69 EUR
100+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDG.1B.110.CZZLEMODescription: CONN INSERT SHELL PLUG CABLE
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FDG.1B.155.LNNLEMODescription: MIDPIECE PAIR FOR FDG.1B.
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FDG.1B.304.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 4PIN SLD CUP
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FDG.1B.304.CLAD52LEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
auf Bestellung 5 Stücke:
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1+139.88 EUR
5+ 135.72 EUR
10+ 131.64 EUR
25+ 127.5 EUR
FDG.1B.306.CLAD62ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
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FDG.1B.306.CLAD72LEMOStandard Circular Connector LBP KeyG 6C CHR 7.2mm D
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+142.17 EUR
5+ 139.85 EUR
10+ 131.2 EUR
25+ 130 EUR
50+ 125.37 EUR
100+ 114.58 EUR
250+ 112.74 EUR
FDG.1B.306.CLAD76LEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
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FDG.1B.306.CLAD76LEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
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FDG.1B.307.CLAD42LEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
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FDG.1B.307.CLAD42ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
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FDG.1B.307.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
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FDG.1B.307.CLAD52ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP
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FDG.1B.307.CLAM27ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN
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FDG.1B.307.CYCD42ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 7PIN CRIMP
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FDG.1B.308.CYCD72ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 8PIN CRIMP
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FDG.1B.310.CLAD62LEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG.1B.310.CLAD62LEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
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FDG.1B.310.CLAD72ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
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FDG.1B.310.CYCD62LEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN CRIMP
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FDG.1B.310.CYCD72ZLEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
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FDG.1B.310.CYCD72ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN CRIMP
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FDG.1B.314.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 14PIN SLD CUP
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FDG.2B.110.CZZLEMODescription: CONN INSERT SHELL PLUG CABLE
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FDG.2B.155.LNNLEMODescription: MIDPIECE PAIR FOR FDG.2B.
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FDG.2B.306.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
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FDG.2B.306.CLAZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP
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FDG.2B.306.CYCD52ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 6PIN CRIMP
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FDG.2B.308.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 8PIN SLD CUP
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FDG.2B.310.CLAD62ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
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FDG.2B.310.CLAD62ZLEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION
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FDG.2B.310.CLAD82LEMODescription: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP
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FDG.2B.312.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP
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FDG.2B.312.CLAD52ZLEMODescription: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP
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FDG.2B.312.CLAD62LEMODescription: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP
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FDG.2B.319.CLAD52LEMODescription: CONN INLINE PLUG 19PIN SLD CUP
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FDG.2B.326.CLAD82LEMODescription: CONN INLINE PLUG 26PIN SLD CUP
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FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
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FDG1024NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 10076 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.51 EUR
20+ 1.31 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 18
FDG1024NZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 389mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDG1024NZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 389mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
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FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.06 EUR
168+ 0.9 EUR
171+ 0.85 EUR
217+ 0.64 EUR
250+ 0.61 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.35 EUR
3000+ 0.33 EUR
6000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 148
FDG1024NZonsemi / FairchildMOSFET Dual PT4 N 20/8V
auf Bestellung 12321 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
35+1.52 EUR
40+ 1.32 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.65 EUR
3000+ 0.57 EUR
6000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 35
FDG1024NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.57 EUR
6000+ 0.54 EUR
9000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 146
FDG1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R
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FDG30014EUPECMODULE
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG311NON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 20V
auf Bestellung 5592 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG311NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.9A 6-Pin SC-88 T/R
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FDG311NFAI0452+
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG311NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
auf Bestellung 65140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1466+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1466
FDG311NFSC
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG311N_QON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 20V
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FDG312PFAIRCHILDSOT-6
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG312PNAS12/363
auf Bestellung 7580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG312PON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 P-CH -20V
auf Bestellung 3578 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG312PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 140570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1787+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1787
FDG312PFAI2002 TO23-6
auf Bestellung 25675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG312PFAIRCHILDSOT363
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG313NFairchild
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG313NFAIRCHILDSOT363
auf Bestellung 471000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG313NFAI09+
auf Bestellung 60018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG313NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
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FDG313NFAIRCHILD02+ SOT-323-6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG313NNAS12/363
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG313NFAI0701+P
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG313NON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
auf Bestellung 4092 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG313NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
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FDG313N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG313N_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDG314PFAIRCHILDSOT23-6
auf Bestellung 22380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG314PFSCSOT23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG314PRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
auf Bestellung 335960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG314PFairchildSOT363
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG314PON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
Produkt ist nicht verfügbar
FDG314P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG315NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG315NON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 30V
auf Bestellung 7813 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG315NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG315NFairchild SemiconductorDescription: 2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
auf Bestellung 15935 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1075+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1075
FDG316PON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 P-CH -30V
auf Bestellung 4038 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG316PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.6A; 0.75W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.75W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDG316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG316PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 15 V
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1466+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1466
FDG316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG316PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.6A; 0.75W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.75W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDG316P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG318P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG326PRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 690814 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG326PFSCSOT23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG326PFAIRCH0349+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG326PFAIRCHILD09+
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG326PFAIRCHILDSOT363
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG326PFAIRCHILD
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG326PFAIRCHILDSOT23-6
auf Bestellung 32193 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG326P-NL
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG327NON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDG327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDG327NON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
Produkt ist nicht verfügbar
FDG327NON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG327N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG327NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 7573 Stücke:
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FDG327NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG327NZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
auf Bestellung 18460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG327NZ-NLFAIRCHILDSOT-363 09+
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG328PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R
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FDG328PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88
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FDG328PON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG328P-NL
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG329NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
auf Bestellung 389160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG329N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG330PonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V
auf Bestellung 30250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
807+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 807
FDG330P
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG330PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG330Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
FDG330PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V
auf Bestellung 219496 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
807+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 807
FDG330PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG330P - MOSFET, P, SMD, SC70-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 219496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG330PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDG330PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG330P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG330P_Qonsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
FDG332PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDG332PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDG332PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
auf Bestellung 2618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1665+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1665
FDG332PZonsemi / FairchildMOSFET -20V P-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
FDG332PZ-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG332PZ_Gonsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDG361NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 600MA SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 50 V
auf Bestellung 98273 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
683+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 683
FDG361NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG361N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 98273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG361N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDG410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDG410NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 13975 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+ 0.19 EUR
9000+ 0.18 EUR
15000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6301NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 155
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6301Nonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
auf Bestellung 98769 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
61+ 0.86 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 52
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
auf Bestellung 69579 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
31+ 0.86 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 26
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+ 0.35 EUR
12000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6301NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
155+0.46 EUR
188+ 0.39 EUR
3000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 155
FDG6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
auf Bestellung 69224 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.34 EUR
6000+ 0.32 EUR
9000+ 0.3 EUR
30000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6301N-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive
auf Bestellung 251908 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG6301N-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6301N-F085ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6301N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6301N-F085ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6301N-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6301N-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6301N-F085PonsemiDescription: DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6301N-F085PON SemiconductorMOSFET N-Channel Power Mosfet
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG6301N-Gonsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6301N-GON SemiconductorDUAL N-CHANNEL, DIGITAL FET
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6301N-NLFSC
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6301N-NLFAIRCHIL09+ LQFP64
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6301N/01FAIR
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FDG6301NSOT363-01PB-FREEFAIRCHLD
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDG6301N_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6301N_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.8 EUR
250+ 0.6 EUR
260+ 0.56 EUR
418+ 0.33 EUR
422+ 0.32 EUR
500+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 195
FDG6301N_F085
auf Bestellung 8800 Stücke:
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FDG6301N_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6301N_Qonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6302PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 416384 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1312+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1312
FDG6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.14A 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6302PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6302P
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6302PNLFAIRCHILD
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FDG6303/03FAIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
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FDG6303H07+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6303H07+
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
auf Bestellung 38610 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
31+ 0.86 EUR
100+ 0.52 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDG6303NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+0.48 EUR
270+ 0.27 EUR
370+ 0.19 EUR
390+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 150
FDG6303Nonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 N-CH 25V
auf Bestellung 64553 Stücke:
Lieferzeit 415-429 Tag (e)
46+1.14 EUR
58+ 0.91 EUR
100+ 0.58 EUR
1000+ 0.35 EUR
3000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 46
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
auf Bestellung 37650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+ 0.29 EUR
9000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.45 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 500
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6303NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.48 EUR
270+ 0.27 EUR
370+ 0.19 EUR
390+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 150
FDG6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6303N-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6303N-F169onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6303N-NL
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6303N_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6303N_GonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6303N_NLFSC07+;
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
auf Bestellung 9775 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.33 EUR
24+ 1.13 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDG6304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6304PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
178+ 0.4 EUR
269+ 0.27 EUR
284+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 152
FDG6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6304PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6304PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
178+ 0.4 EUR
269+ 0.27 EUR
284+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 152
FDG6304Ponsemi / FairchildMOSFET SC70-6 P-CH -25V
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
40+1.31 EUR
46+ 1.13 EUR
100+ 0.79 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.5 EUR
3000+ 0.42 EUR
9000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 40
FDG6304P(PBF)Fairchild
auf Bestellung 201000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6304P-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6304P-F169ON SemiconductorP-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6304P-F169onsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6304P-XonsemiDescription: INTEGRATED CIRCUIT
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6304P/.04FAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6304P_D87ZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6306Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
auf Bestellung 113789 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6306PonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SC-70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 300mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 111530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6308PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
auf Bestellung 5928 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6308Ponsemi / FairchildMOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 329-343 Tag (e)
42+1.26 EUR
44+ 1.21 EUR
3000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 42
FDG6308PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 2.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -0.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6308PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6308PONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 2.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -0.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6308P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.27 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 600
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6308P_NL
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6313NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-70
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6313NFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6314PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6316PONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6316P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 700
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.221
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6316PFAIRCHIL09+ SOP
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6316PFAIRCHILDSOT363
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6316PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
auf Bestellung 3620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6316PON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6316PFAISOT-363 2010+
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6316PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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FDG6316PFAIRCHILD09+
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FDG6316Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
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53+0.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 53
FDG6316PON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
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FDG6316PFSCSOT
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FDG6316P-NL
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FDG6316P/16FAIRCHIL09+
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FDG6316P\16FAIRCHILSOT-363
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FDG6317NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
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3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6317NZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.56Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6317NZonsemi / FairchildMOSFET Dual 20V N-Channel PowerTrench
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50+1.04 EUR
65+ 0.8 EUR
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1000+ 0.26 EUR
3000+ 0.23 EUR
9000+ 0.2 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDG6317NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
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25+1.07 EUR
35+ 0.75 EUR
100+ 0.38 EUR
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1000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDG6317NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SC-70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 300mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6317NZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.56Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6317NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
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FDG6318PFAIRCHILDSOT-363 0245+
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FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
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FDG6318PFAIRCHILD05+
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FDG6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R
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FDG6318PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
auf Bestellung 2312 Stücke:
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FDG6318PON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual PCh Digital
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FDG6318P/.38FAIR
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FDG6318PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6318PZON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual PCh Digital
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FDG6318PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
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FDG6318PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12 Stücke:
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FDG6318PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
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FDG6318PZ-NLFairchild
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FDG6320CFAIRCHLDSOT-363
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FDG6320CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R
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FDG6320CON Semiconductor / FairchildMOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
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FDG6320CON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6320CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6320C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 220
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6320CON SemiconductorDescription: DUAL N & P CHANNEL DIGITAL FET 2
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6320CFAIRCHILD2004
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FDG6320CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6320CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6320CON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6320CFAIRCHILD09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
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FDG6320C-NLFairchild
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FDG6320C_D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6321ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
auf Bestellung 33244 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
21+1.25 EUR
25+ 1.08 EUR
100+ 0.75 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 21
FDG6321CONSEMIFDG6321C Multi channel transistors
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
121+0.59 EUR
259+ 0.28 EUR
274+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 121
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6321ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+ 0.4 EUR
9000+ 0.38 EUR
30000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6321CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6321Consemi / FairchildMOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
41+1.28 EUR
48+ 1.1 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.49 EUR
3000+ 0.41 EUR
9000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 41
FDG6321C-F169onsemiDescription: DUAL N & P CHANNEL DIGITAL FET 2
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6321C_NLFairchild
auf Bestellung 1270000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6322FAIRCHILD00+
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FDG6322C
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+ 0.24 EUR
9000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6322ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+ 0.34 EUR
9000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6322Consemi / FairchildMOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
auf Bestellung 90432 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
49+1.06 EUR
59+ 0.89 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.4 EUR
3000+ 0.34 EUR
9000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 49
FDG6322CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+0.64 EUR
285+ 0.53 EUR
287+ 0.51 EUR
372+ 0.38 EUR
375+ 0.36 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 246
FDG6322CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.4/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.22/0.41A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
On-state resistance: 7/1.9Ω
Gate-source voltage: ±8/±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
118+0.61 EUR
200+ 0.36 EUR
285+ 0.25 EUR
302+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 118
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.61 EUR
339+ 0.44 EUR
343+ 0.42 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.24 EUR
3000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 257
FDG6322CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.4/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.22/0.41A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
On-state resistance: 7/1.9Ω
Gate-source voltage: ±8/±8V
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+0.61 EUR
200+ 0.36 EUR
285+ 0.25 EUR
302+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 118
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6322ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 31812 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.07 EUR
29+ 0.91 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDG6322CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6322CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6322C-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
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FDG6322C/22FAIRCHIL09+
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6322C_D87ZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
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FDG6322C_Qonsemi / FairchildMOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
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FDG6323fairchild04+ SOT363
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FDG6323LFSC
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FDG6323LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R
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FDG6323LON SemiconductorDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
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FDG6323LFairchildSO363
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FDG6323LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 2.5-8V
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FDG6323LFSC0345+ SOT
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FDG6323LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R
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FDG6323LON SemiconductorDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
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FDG6323L-F169ON SemiconductorDescription: IC PWR DRIVER P-CHANNEL 1:1 SC88
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FDG6323L_D87ZON SemiconductorDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
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FDG6324LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 3-20V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG6324LFAI05+
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FDG6324LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R
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FDG6324LFairchild SemiconductorDescription: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL
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FDG6331LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6331LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6
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FDG6331LFSC05+ LF SO-6
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FDG6331LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6
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FDG6331LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution Integ. Load Switch
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG6331LFAIRCHILD
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FDG6331LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 0.8A 0.38Ohm 6-Pin SC-70 T/R
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FDG6331LFSCSO-6 05+ LF
auf Bestellung 1851 Stücke:
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FDG6331L/.31FAIR
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FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
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FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
9000+ 0.2 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6332CONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6332C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6332Consemi / FairchildMOSFET 20V N&P-Channel Power Trench
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39+1.35 EUR
55+ 0.96 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.48 EUR
3000+ 0.41 EUR
9000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 39
FDG6332ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 13373 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.14 EUR
27+ 0.99 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
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FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
9000+ 0.22 EUR
24000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6332ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.39 EUR
6000+ 0.37 EUR
9000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6332CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6332C-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6332C-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FDG6332C-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6332C-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 700
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1
Bauform - Transistor: SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FDG6332C-F085onsemi / FairchildMOSFET 20V N&P Chan PowerTrench
auf Bestellung 17960 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG6332C-F085PON SemiconductorP Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6332C-F085PON SemiconductorMOSFET DUAL NP MOS SC70-6 20V
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6332C-F085PonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6332C-PGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6332C-PGON Semiconductor20V/12V 300/400/420/630MO
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6332C_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6332C_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6335Nonsemi / FairchildMOSFET FDG6335N
auf Bestellung 2653 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
40+1.33 EUR
46+ 1.13 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.54 EUR
3000+ 0.47 EUR
9000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 40
FDG6335NONSEMIFDG6335N Multi channel transistors
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
169+0.42 EUR
232+ 0.31 EUR
246+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 169
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 210
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+ 0.26 EUR
9000+ 0.23 EUR
24000+ 0.22 EUR
30000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6335NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.51 EUR
21+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 18
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.74 EUR
241+ 0.63 EUR
256+ 0.57 EUR
330+ 0.42 EUR
333+ 0.4 EUR
500+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 210
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
18000+ 0.33 EUR
36000+ 0.29 EUR
54000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG6335NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6335N/35FAIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6342LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6342LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6
auf Bestellung 20237 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6342LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1.5A 3.3Ohm 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG6342LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6
auf Bestellung 20237 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG6342LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution Integ Load Switch
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDG8842CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG8842CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG8842CZonsemi / FairchildMOSFET Q1:30V/Q2: -25V Cmpl PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 600-614 Tag (e)
37+1.43 EUR
3000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 37
FDG8842CZON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
FDG8842CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDG8842CZON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
FDG8850NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG8850NZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.75A; 0.36W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.44nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
FDG8850NZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.75A; 0.36W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.44nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDG8850NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG8850NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
auf Bestellung 24305 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.33 EUR
24+ 1.12 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDG8850NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG8850NZonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 131557 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
40+1.33 EUR
50+ 1.05 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.49 EUR
3000+ 0.42 EUR
9000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 40
FDG8850NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.44 EUR
6000+ 0.42 EUR
9000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDG901DFAIRCHILD09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG901DFairchild SemiconductorDescription: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
Produkt ist nicht verfügbar
FDG901DFairchild SemiconductorDescription: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
Produkt ist nicht verfügbar
FDG901DFAIRCHILD06+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDG901DFairchild SemiconductorDescription: IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
Produkt ist nicht verfügbar
FDG901DFairchild
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)