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IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A

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IGB01N120H2ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 1.3A; 28W; D2PAK; single transistor
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Pulsed collector current: 3.5A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 20.9ns
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single transistor
Case: D2PAK
Turn-off time: 493ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.3A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 28W

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IGB01N120H2ATMA1

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IGB01N120H2ATMA1

Description: IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2

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IGB03N120H2

IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

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IGB03N120H2

INF

TO-to-263

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IGB03N120H2ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB03N120H2ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB03N120H2ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3.9A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 3.9A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9.9A
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 16.1ns
Turn-off time: 403ns
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

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IGB03N120H2ATMA1

Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

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IGB03N120H2ATMA1

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IGB03N120H2ATMA1616

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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IGB10N60T

IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech

auf Bestellung 878 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.64 EUR
18+	2.99 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.61 EUR
2000+	1.52 EUR
5000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IGB10N60T
Produktcode: 167667

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IGB10N60TATMA1

IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech

auf Bestellung 1345 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.46 EUR
19+	2.86 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.61 EUR
2000+	1.52 EUR
5000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IGB10N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 670 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

46+	1.57 EUR
51+	1.42 EUR
64+	1.13 EUR
68+	1.06 EUR
250+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 46

IGB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB10N60TATMA1

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

auf Bestellung 4037 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.64 EUR
10+	2.98 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IGB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IGB10N60TATMA1

auf Bestellung 670 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	1.57 EUR
51+	1.42 EUR
64+	1.13 EUR
68+	1.06 EUR
250+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 46

IGB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.45 EUR
71+	2.15 EUR
100+	1.7 EUR
200+	1.53 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 64

IGB10N60TATMA1
Produktcode: 191421

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IGB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 835 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	1.51 EUR
115+	1.27 EUR
130+	1.08 EUR
250+	1.04 EUR
500+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 104

IGB10N60TATMA1

Infineon

IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IGB10N60TATMA1

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	1.6 EUR
2000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IGB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 835 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	1.32 EUR
130+	1.12 EUR
250+	1.08 EUR
500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 115

IGB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB10N60TATMA1

Description: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IGB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IGB15N120S7

Infineon SMD IGBT series IGB

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IGB15N60T

IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A

auf Bestellung 1252 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.6 EUR
14+	3.82 EUR
100+	3.04 EUR
250+	2.81 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.18 EUR
2000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IGB15N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube

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IGB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB15N60TATMA1

IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A

auf Bestellung 252 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.6 EUR
14+	3.82 EUR
100+	3.04 EUR
250+	2.94 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.18 EUR
2000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IGB15N60TATMA1

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IGB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

auf Bestellung 1384 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.55 EUR
10+	3.79 EUR
100+	3.01 EUR
500+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IGB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	2.16 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IGB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB15N65S5ATMA1

Description: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IGB15N65S5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IGB15N65S5ATMA1

Description: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IGB15N65S5ATMA1

5 high speed soft switching IGBT

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IGB15N65S5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 23A
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns

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IGB15N65S5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.63 EUR
10+	3.85 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IGB15N65S5ATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 156 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.65 EUR
14+	3.9 EUR
100+	3.09 EUR
250+	2.94 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.22 EUR
2000+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IGB15N65S5ATMA1

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IGB20N60H3
Produktcode: 108573

Infineon

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IGB20N60H3

IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT

auf Bestellung 911 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.32 EUR
15+	3.59 EUR
100+	2.89 EUR
250+	2.65 EUR
500+	2.4 EUR
1000+	2.06 EUR
2000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IGB20N60H3ATMA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

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IGB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 124 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.67 EUR
100+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 94

IGB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB20N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IGB20N60H3ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube

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IGB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IGB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB20N60H3ATMA1

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IGB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 943 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	2.93 EUR
66+	2.29 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 54

IGB20N60H3ATMA1

auf Bestellung 280 Stücke:

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IGB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

auf Bestellung 1956 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.29 EUR
10+	3.58 EUR
100+	2.84 EUR
500+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IGB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB20N65S5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W

auf Bestellung 930 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	5.12 EUR
10+	4.25 EUR
100+	3.39 EUR
500+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IGB20N65S5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 137ns
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

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IGB20N65S5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W

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IGB20N65S5ATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	5.15 EUR
13+	4.32 EUR
100+	3.43 EUR
500+	2.91 EUR
1000+	2.44 EUR
2000+	2.32 EUR
5000+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IGB20N65S5ATMA1

5 high speed soft switching IGBT

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IGB20N65S5ATMA1

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IGB30N60H3

IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.07 EUR
10+	5.95 EUR
100+	4.73 EUR
250+	4.52 EUR
500+	3.98 EUR
1000+	3.38 EUR
2000+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IGB30N60H3

IGBT 600V 60A 187W TO263-3 (D2PAK)

auf Bestellung 10 Stücke:

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IGB30N60H3
Produktcode: 114099

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IGB30N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W

auf Bestellung 1502 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.07 EUR
10+	5.88 EUR
100+	4.68 EUR
500+	3.96 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IGB30N60H3ATMA1

Infineon

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IGB30N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB30N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB30N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IGB30N60H3ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube

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IGB30N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IGB30N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB30N60H3ATMA1

auf Bestellung 3942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IGB30N60H3ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

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IGB30N60H3ATMA1

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IGB30N60H3XKSA1

Description: HIGH SPEED 600V, 30A IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 730µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W

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IGB30N60T

IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A

auf Bestellung 1009 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.73 EUR
10+	5.64 EUR
25+	5.33 EUR
100+	4.58 EUR
250+	4.32 EUR
500+	4.06 EUR
1000+	3.46 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IGB30N60T

Description: IGB30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W

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IGB30N60TATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

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IGB30N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	3.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IGB30N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs

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IGB30N60TATMA1

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IGB30N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.68 EUR
10+	5.6 EUR
100+	4.53 EUR
500+	4.02 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IGB30N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB50N60T

IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

auf Bestellung 564 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.75 EUR
10+	9.85 EUR
25+	9.33 EUR
100+	7.98 EUR
250+	7.54 EUR
500+	7.12 EUR
1000+	6.06 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IGB50N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IGB50N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4.07 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IGB50N60TATMA1

IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.75 EUR
10+	9.85 EUR
25+	9.49 EUR
100+	7.98 EUR
250+	7.54 EUR
500+	7.1 EUR
1000+	6.06 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IGB50N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	6.03 EUR
2000+	5.68 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IGB50N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.91 EUR
18+	8.38 EUR
50+	7.16 EUR
100+	6.46 EUR
200+	5.86 EUR
500+	5.22 EUR
1000+	4.7 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IGB50N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IGB50N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IGB50N60TATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IGB50N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IGB50N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

auf Bestellung 3083 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.67 EUR
10+	9.79 EUR
100+	7.92 EUR
500+	7.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IGB50N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IGB50N65H5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.11 EUR
10+	6.81 EUR
100+	5.51 EUR
500+	4.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IGB50N65H5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB50N65H5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns

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IGB50N65H5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	4.19 EUR
2000+	3.95 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IGB50N65H5ATMA1

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IGB50N65H5ATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.16 EUR
10+	6.86 EUR
25+	6.47 EUR
100+	5.56 EUR
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500+	4.94 EUR
1000+	4.21 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IGB50N65H5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IGB50N65S5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W

auf Bestellung 3437 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	8.11 EUR
10+	6.81 EUR
100+	5.51 EUR
500+	4.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IGB50N65S5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IGB50N65S5ATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 1983 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.16 EUR
10+	6.86 EUR
25+	6.47 EUR
100+	5.56 EUR
250+	5.25 EUR
500+	4.94 EUR
1000+	4.21 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IGB50N65S5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	4.19 EUR
2000+	3.95 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IGB50N65S5ATMA1

5 high speed soft switching IGBT

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IGB50N65S5ATMA1

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IGBRB1000BJANCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms

auf Bestellung 161 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.18 EUR
10+	10.08 EUR
50+	7.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRB1000BJANCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRB1000BJANCT5

Thin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% NI 1Kppm Back Contact

auf Bestellung 399 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.4 EUR
10+	9.28 EUR
50+	7.59 EUR
100+	6.89 EUR
500+	5.36 EUR
1000+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IGBRB1000BJAPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10

auf Bestellung 967 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.34 EUR
10+	12.04 EUR
100+	8.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRB1000BJAPCT5

Thin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% PD 1Kppm Back Contact

auf Bestellung 973 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.77 EUR
10+	11.54 EUR
50+	9.83 EUR
100+	8.61 EUR
500+	6.73 EUR
1000+	6.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IGBRB1000BJAPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

500+	7.4 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRB5000CJANCT5

Thin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% NI 1Kppm Back Contact

auf Bestellung 1063 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	13.05 EUR
10+	11.8 EUR
25+	11.26 EUR
50+	10.84 EUR
100+	8.79 EUR
250+	8.11 EUR
500+	6.89 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IGBRB5000CJANCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

500+	7.53 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRB5000CJANCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.18 EUR
10+	10.08 EUR
50+	7.53 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRB5000CJAPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms

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IGBRB5000CJAPCT5

Thin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% PD 1Kppm Back Contact

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IGBRB5000CJAPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	13.03 EUR
10+	11.76 EUR
50+	10.01 EUR
100+	8.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRC1000BJJNCT5

VISHAY

Description: VISHAY - IGBRC1000BJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
Qualifikation: -
Nennleistung: 4
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5
Produktpalette: IGBR
Nennspannung: 75
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktbreite: 1.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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IGBRC1000BJJNCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms

auf Bestellung 896 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.8 EUR
10+	11.16 EUR
50+	8.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRC1000BJJNCT5

Thin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% NI 500ppm Back Contact

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRC1000BJJNCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

500+	8.34 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRC1000BJJPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.8 EUR
10+	11.16 EUR
50+	8.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRC1000BJJPCT5

VISHAY

Description: VISHAY - IGBRC1000BJJPCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
Qualifikation: -
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Nennleistung: 4
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5
Produktpalette: IGBR
Nennspannung: 75
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktbreite: 1.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRC1000BJJPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

500+	8.34 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRC1000BJJPCT5

Thin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% PD 500ppm Back Contact

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IGBRC1500BJJNCT5

IGBRC 5% 500 PPM

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRC1500BJJNCT5

IGBRC 5% 500 PPM

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRC1500BJJNCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.42 EUR
10+	13.73 EUR
50+	11.87 EUR
100+	9.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRC1500BJJNCT5

Thin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% NI 500ppm Back Contact

auf Bestellung 337 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.36 EUR
10+	11 EUR
50+	9.62 EUR
100+	7.51 EUR
500+	5.88 EUR
1000+	5.2 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IGBRC1500BJJNCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

500+	8.66 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRC1500BJJPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

500+	8.66 EUR
1000+	8.02 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRC1500BJJPCT5

Thin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% PD 500ppm Back Contact

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IGBRC1500BJJPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.42 EUR
10+	13.73 EUR
50+	11.87 EUR
100+	9.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRC1800CKANCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

500+	8.34 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRC1800CKANCT5

Thin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IGBRC1800CKANCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms

auf Bestellung 1141 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.8 EUR
10+	11.16 EUR
50+	8.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRC1800CKAPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IGBRC1800CKAPCT5

IGBRC 10% 1000 PPM

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRC1800CKAPCT5

Thin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRC1800CKAPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IGBRC1800CKAPCT5

IGBRC 10% 1000 PPM

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRC3000CJJNCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.8 EUR
10+	11.16 EUR
50+	8.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRC3000CJJNCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms

auf Bestellung 1000 Stücke:

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500+	8.34 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRC3000CJJNCT5

Thin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRC3000CJJPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.8 EUR
10+	11.16 EUR
50+	8.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRC3000CJJPCT5

Thin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.73 EUR
10+	13.99 EUR
50+	12.09 EUR
100+	9.91 EUR
500+	8.81 EUR
1000+	8.42 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IGBRC3000CJJPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

500+	8.34 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRC3000CJJPHWS

Thin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Class H

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRC5000CJJNCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRC5000CJJNCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRC5000CJJNCT5

Vishay / Thin Film

Thin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% NI 500ppm Back Contact

auf Bestellung 860 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	17 EUR
10+	15.37 EUR
50+	13.08 EUR
100+	11.44 EUR
500+	9 EUR
1000+	8.42 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IGBRC5000CJJPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

500+	8.34 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRC5000CJJPCT5

Thin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% PD 500ppm Back Contact

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRC5000CJJPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.8 EUR
10+	11.16 EUR
50+	8.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRC5000CJJPCWS

Thin Film Resistors - SMD 50 OHM 5% 500PPM

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRD1000BJONCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms

auf Bestellung 1304 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	24.28 EUR
10+	16 EUR
50+	13.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRD1000BJONCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

500+	13.1 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRD1000BJONCT5

Thin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% NI 300ppm Back Contact

auf Bestellung 253 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	23.5 EUR
10+	16.12 EUR
50+	13.21 EUR
500+	12.4 EUR
1000+	11.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IGBRD1000BJOPCT5

Thin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% PD 300ppm Back Contact

auf Bestellung 1485 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.78 EUR
10+	14.82 EUR
25+	14.53 EUR
50+	14.04 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IGBRD1000BJOPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30

auf Bestellung 985 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IGBRD1000BJOPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IGBRD1500BJONCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms

auf Bestellung 1370 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	24.28 EUR
10+	16 EUR
50+	13.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRD1500BJONCT5

Thin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% NI 300ppm Back Contact

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRD1500BJONCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

500+	13.1 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRD1500BJOPCT5

Thin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% PD 300ppm Back Contact

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRD1500BJOPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	24.28 EUR
10+	16 EUR
50+	13.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRD1500BJOPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

500+	13.1 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRD1800CKANCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

500+	8.96 EUR

Mindestbestellmenge: 500

IGBRD1800CKANCT5

Vishay / Thin Film

Thin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact

auf Bestellung 1008 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.73 EUR
10+	10.45 EUR
25+	9.54 EUR
50+	7.85 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IGBRD1800CKANCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms

auf Bestellung 878 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	18.04 EUR
10+	11.99 EUR
50+	8.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRD1800CKANCT5

Vishay / Techno

Thin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.62 EUR
10+	10.53 EUR
25+	10.35 EUR
50+	10.19 EUR
100+	7.85 EUR
250+	7.72 EUR
500+	6.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IGBRD1800CKAPCT5

Thin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRD1800CKAPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRD1800CKAPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%

auf Bestellung 275 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	17.52 EUR
10+	15.86 EUR
100+	11.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IGBRD3000CJJNCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IGBRD3000CJJNCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IGBRD3000CJJNCT5

Thin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact

auf Bestellung 494 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.75 EUR
10+	10.66 EUR
25+	10.45 EUR
50+	10.32 EUR
100+	7.93 EUR
250+	7.8 EUR
500+	6.19 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IGBRD3000CJJPCT5

Thin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRD3000CJJPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IGBRD3000CJJPCT5

Description: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IGBRD5000CJWNCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±350ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Part Status: Active
Resistance: 5 Ohms

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRD5000CJWNCT5

Thin Film Resistors - SMD 0808 5ohm 5% NI 350ppm Back Contact

auf Bestellung 469 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IGBRD5000CJWNCT5

Description: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±350ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Part Status: Active
Resistance: 5 Ohms

Produkt ist nicht verfügbar

IGBRD5000CJWPCT5