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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IGB01N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
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IGB01N120H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
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IGB01N120H2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIGB01N120H2ATMA1 SMD IGBT transistors
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IGB03N120H2INFTO-to-263
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IGB03N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
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IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
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IGB03N120H2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIGB03N120H2ATMA1 SMD IGBT transistors
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IGB03N120H2ATMA1616Infineon TechnologiesDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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IGB03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+2.25 EUR
100+1.80 EUR
250+1.65 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IGB03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGB03N120S7ATMA1
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IGB070S10S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-4-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
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IGB10N60T
Produktcode: 167667
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IGB10N60TInfineon TechnologiesIGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.80 EUR
100+1.40 EUR
500+1.18 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.91 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 3623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.99 EUR
10+1.90 EUR
100+1.28 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+0.75 EUR
350+0.41 EUR
356+0.39 EUR
361+0.37 EUR
367+0.35 EUR
373+0.33 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 198
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IGB10N60TATMA1
Produktcode: 191421
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.42 EUR
361+0.40 EUR
367+0.37 EUR
373+0.35 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 110W
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.80 EUR
50+1.46 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
250+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
auf Bestellung 3072 Stücke:
Lieferzeit 143-147 Tag (e)
1+2.90 EUR
10+1.85 EUR
100+1.30 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.88 EUR
5000+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
610+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 610
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.93 EUR
2000+0.85 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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IGB10N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.80 EUR
200+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 178
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IGB10N60TATMA1InfineonIGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 110W
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.80 EUR
50+1.46 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB110S10S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TSON-4-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V
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IGB15N120S7Infineon TechnologiesInfineon SMD IGBT series IGB
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IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.50 EUR
10+6.28 EUR
25+5.93 EUR
100+5.09 EUR
250+4.80 EUR
500+4.52 EUR
1000+3.87 EUR
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IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGB15N120S7ATMA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.17 EUR
10+5.44 EUR
100+3.89 EUR
500+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+2.22 EUR
100+1.71 EUR
250+1.47 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.25 EUR
2000+1.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60T транзистор
Produktcode: 202831
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.82 EUR
10+2.45 EUR
100+1.67 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+2.25 EUR
100+1.60 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
35+2.07 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.49 EUR
35+2.07 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.08 EUR
10+2.64 EUR
100+1.81 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.82 EUR
10+2.64 EUR
100+1.85 EUR
500+1.50 EUR
1000+1.39 EUR
2000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3
Produktcode: 108573
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3Infineon TechnologiesIGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.78 EUR
10+2.38 EUR
100+1.80 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.89 EUR
10+2.50 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 137ns
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 137ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.38 EUR
10+2.62 EUR
100+1.90 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.50 EUR
2000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.40 EUR
10+2.85 EUR
100+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3Infineon TechnologiesIGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.44 EUR
10+3.80 EUR
100+2.76 EUR
250+2.59 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.08 EUR
2000+2.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3
Produktcode: 114099
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.57 EUR
65+2.21 EUR
100+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.32 EUR
10+3.48 EUR
100+2.42 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH SPEED 600V, 30A IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 730µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60TInfineon TechnologiesDescription: IGB30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.54 EUR
10+3.38 EUR
100+2.45 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 187W
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.23 EUR
10+3.41 EUR
100+2.37 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 187W
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.18 EUR
10+6.02 EUR
25+5.68 EUR
100+4.86 EUR
250+4.59 EUR
500+4.33 EUR
1000+3.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.87 EUR
10+5.95 EUR
25+5.93 EUR
100+4.26 EUR
500+3.54 EUR
1000+3.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.29 EUR
10+5.51 EUR
100+3.94 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.69 EUR
10+4.40 EUR
100+3.10 EUR
500+2.80 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.86 EUR
10+4.68 EUR
25+4.66 EUR
100+3.34 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.36 EUR
2000+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.69 EUR
10+4.40 EUR
100+3.10 EUR
500+2.80 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.35 EUR
10+4.19 EUR
25+4.17 EUR
100+3.06 EUR
500+2.66 EUR
1000+2.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRB1000BJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRB1000BJANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% NI 1Kppm Back Contact
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.04 EUR
10+6.28 EUR
50+5.14 EUR
100+4.66 EUR
500+3.63 EUR
1000+3.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRB1000BJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.28 EUR
10+6.82 EUR
50+5.10 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRB1000BJAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% PD 1Kppm Back Contact
auf Bestellung 1007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.35 EUR
10+7.00 EUR
25+6.42 EUR
50+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRB1000BJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.21 EUR
10+7.70 EUR
50+5.52 EUR
100+5.40 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRB1000BJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+5.29 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRB5000CJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.00 EUR
10+6.63 EUR
50+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRB5000CJANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% NI 1Kppm Back Contact
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.59 EUR
10+5.72 EUR
25+5.23 EUR
50+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRB5000CJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRB5000CJAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% PD 1Kppm Back Contact
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.35 EUR
10+6.99 EUR
25+6.42 EUR
50+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRB5000CJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.45 EUR
10+7.06 EUR
50+5.18 EUR
100+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRB5000CJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1000BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1000BJJNCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 10ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 500ppm/C
Produktlänge: 1.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1000BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.26 EUR
10+9.33 EUR
50+8.24 EUR
100+7.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1000BJJNCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 10ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 500ppm/C
Produktlänge: 1.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1000BJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% NI 500ppm Back Contact
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1000BJJPCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJPCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
Qualifikation: -
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Nennleistung: 4
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5
Produktpalette: IGBR
Nennspannung: 75
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktbreite: 1.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1000BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1000BJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% PD 500ppm Back Contact
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.23 EUR
10+7.57 EUR
25+7.11 EUR
50+5.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1000BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.26 EUR
10+8.35 EUR
50+6.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1500BJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% NI 500ppm Back Contact
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.67 EUR
10+5.14 EUR
25+4.82 EUR
50+3.80 EUR
100+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1500BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.44 EUR
10+9.29 EUR
50+8.04 EUR
100+6.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1500BJJNCT5VishayIGBRC 5% 500 PPM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1500BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1500BJJNCT5VishayIGBRC 5% 500 PPM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1500BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.44 EUR
10+9.29 EUR
50+8.04 EUR
100+6.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1500BJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% PD 500ppm Back Contact
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1500BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+5.86 EUR
1000+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1800CKANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
auf Bestellung 1086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.23 EUR
10+9.29 EUR
50+8.21 EUR
100+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+7.05 EUR
1000+6.78 EUR
1500+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1800CKAPCT5VishayIGBRC 10% 1000 PPM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
auf Bestellung 1658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.23 EUR
10+9.29 EUR
50+8.21 EUR
100+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1800CKAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC1800CKAPCT5VishayIGBRC 10% 1000 PPM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC3000CJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.07 EUR
10+7.35 EUR
50+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.35 EUR
10+7.64 EUR
50+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC3000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.23 EUR
10+7.57 EUR
25+7.11 EUR
50+5.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC3000CJJPHWSVishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Class H
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC5000CJJNCT5Vishay / Thin FilmThin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% NI 500ppm Back Contact
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.70 EUR
10+7.78 EUR
25+7.11 EUR
50+6.02 EUR
500+5.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC5000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC5000CJJNCWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC5000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.74 EUR
10+7.79 EUR
50+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC5000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC5000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% PD 500ppm Back Contact
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.70 EUR
10+7.78 EUR
25+7.11 EUR
50+5.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC5000CJJPCWSVishayThin Film Resistors - SMD 50 OHM 5% 500PPM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC5000CJJPCWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRC5000CJJPHWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1000BJONCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% NI 300ppm Back Contact
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1000BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+8.82 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1000BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
auf Bestellung 1094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.16 EUR
10+10.76 EUR
50+8.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1000BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+8.89 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1000BJOPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% PD 300ppm Back Contact
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1000BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.30 EUR
10+10.84 EUR
50+8.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1500BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
auf Bestellung 1343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.14 EUR
10+14.21 EUR
50+12.58 EUR
100+11.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1500BJONCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% NI 300ppm Back Contact
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1500BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1500BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.14 EUR
10+14.21 EUR
50+12.58 EUR
100+11.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1500BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+10.86 EUR
1000+8.83 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1500BJOPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% PD 300ppm Back Contact
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1800CKANCT5Vishay / TechnoThin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.87 EUR
10+7.13 EUR
25+7.00 EUR
50+6.90 EUR
100+5.32 EUR
250+5.23 EUR
500+4.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.02 EUR
10+7.93 EUR
50+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1800CKANCT5Vishay / Thin FilmThin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.65 EUR
10+7.08 EUR
25+6.46 EUR
50+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD1800CKAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact
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IGBRD1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.02 EUR
10+9.94 EUR
50+8.79 EUR
100+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IGBRD3000CJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.04 EUR
10+7.34 EUR
25+6.71 EUR
50+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.41 EUR
10+8.32 EUR
50+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IGBRD3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBRD3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IGBRD3000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact
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IGBRD5000CJWNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±350ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.87 EUR
10+9.28 EUR
50+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IGBRD5000CJWNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 5ohm 5% NI 350ppm Back Contact
auf Bestellung 905 Stücke:
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1+12.06 EUR
10+7.94 EUR
25+7.53 EUR
50+6.53 EUR
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IGBRD5000CJWNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±350ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IGBRD5000CJWPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 350
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2+11.83 EUR
10+11.08 EUR
100+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IGBRD5000CJWPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 350
auf Bestellung 500 Stücke:
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500+6.98 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IGBRD5000CJWPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 5ohm 5% PD 350ppm Back Contact
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IGBT A50L-1-0212 100ATOSHIBAC3-5
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IGBT A50L-1-0221 150ATOSHIBAJ4-2
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IGBT A50L-1-0222 200ATOSHIBAJ4-2
auf Bestellung 19 Stücke:
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IGBT A50L-1-0230 50ATOSHIBAC3-5
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IGBT IKW50N60H3
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IGBT(30A)-0233TOSHIBAF1-5
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IGBT-4/DDIODE-3SZE
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IGBT150Amodule
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IGBT25A-0233TOSHIBA
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IGBT30A-0233TOSHIBA
auf Bestellung 1 Stücke:
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IGBT50Amodule
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IGBTA50L-1-0221TOSHIBA
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGBTA50L-1-0222TOSHIBA
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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