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Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.35 EUR
23+	1.17 EUR
100+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 20

RQ5A020ZPTL

RQ5A020ZPTL SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5A020ZPTL

MOSFET -12V P-CHANNEL -2A

auf Bestellung 693 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

RQ5A020ZPTL

Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5A025ZPTL

Description: ROHM - RQ5A025ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5A025ZPTL

MOSFET RQ5A025ZP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

auf Bestellung 8520 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
47+	1.11 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.45 EUR
9000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 36

RQ5A030APTL

Description: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 5300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5A030APTL

Description: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm

auf Bestellung 5300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5A030APTL

Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.3 EUR
6000+	0.28 EUR
15000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5A030APTL

MOSFET -12V P-CHANNEL -3A

auf Bestellung 7495 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

53+	0.99 EUR
64+	0.82 EUR
100+	0.56 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.25 EUR
24000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 53

RQ5A030APTL

Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

auf Bestellung 26780 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
31+	0.84 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 25

RQ5A030APTL

RQ5A030APTL SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5A040ZPTL

Description: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5A040ZPTL

MOSFET RQ5A040ZP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

auf Bestellung 8942 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

28+	1.86 EUR
35+	1.53 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.71 EUR
6000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 28

RQ5A040ZPTL

Description: ROHM - RQ5A040ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm

auf Bestellung 2833 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5A040ZPTL

RQ5A040ZPTL SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5A040ZPTL

auf Bestellung 2833 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5C020TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V

auf Bestellung 3811 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.25 EUR
25+	1.07 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 21

RQ5C020TPTL

Description: ROHM - RQ5C020TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5C020TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5C020TPTL

MOSFET -20V P-CHANNEL -2A

auf Bestellung 2485 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

RQ5C020TPTL

Description: ROHM - RQ5C020TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2555 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5C025TPTL

MOSFET -20V P-CHANNEL -2.5A

auf Bestellung 1105 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

RQ5C025TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3

auf Bestellung 2427 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RQ5C025TPTL

Description: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 25725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5C025TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5C025TPTL

auf Bestellung 25725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5C030TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5C030TPTL

Description: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm

auf Bestellung 3816 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5C030TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RQ5C030TPTL

Description: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3816 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5C030TPTL

MOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO

auf Bestellung 10609 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.38 EUR
46+	1.13 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.53 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 38

RQ5C035BCTCL

RQ5C035BCTCL SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5C035BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.42 EUR
6000+	0.4 EUR
9000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5C035BCTCL

MOSFET Pch -20V -3.5A Si MOSFET

auf Bestellung 4851 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

45+	1.17 EUR
52+	1 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.46 EUR
3000+	0.43 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 45

RQ5C035BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V

auf Bestellung 17846 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.25 EUR
25+	1.07 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 21

RQ5C060BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.69 EUR
6000+	0.66 EUR
9000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5C060BCTCL

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R

auf Bestellung 2951 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

219+	0.71 EUR
250+	0.66 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.57 EUR
2500+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 219

RQ5C060BCTCL

MOSFET Pch -20V -6A Si MOSFET

auf Bestellung 15815 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.81 EUR
37+	1.44 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.78 EUR
3000+	0.7 EUR
6000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 29

RQ5C060BCTCL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5C060BCTCL

Description: ROHM - RQ5C060BCTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0161 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm

auf Bestellung 6569 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5C060BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V

auf Bestellung 9534 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.82 EUR
17+	1.58 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 15

RQ5C060BCTCL

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R

auf Bestellung 1215 Stücke:

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134+	1.17 EUR
274+	0.55 EUR
300+	0.48 EUR
301+	0.46 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 134

RQ5C060BCTCL

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RQ5C060BCTCL

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RQ5E015RPTL

RQ5E015RPTL SMD P channel transistors

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RQ5E015RPTL

MOSFET RQ5E015RP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

auf Bestellung 9749 Stücke:

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39+	1.35 EUR
45+	1.17 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 39

RQ5E020SPTL

Description: ROHM - RQ5E020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm

auf Bestellung 1258 Stücke:

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RQ5E020SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E020SPTL

MOSFET RQ5E020SP is a Small Signal MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching.

auf Bestellung 2693 Stücke:

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40+	1.33 EUR
45+	1.16 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.43 EUR
9000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 40

RQ5E020SPTL

auf Bestellung 1258 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5E020SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

auf Bestellung 2680 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.35 EUR
23+	1.15 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 20

RQ5E025ATTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.31 EUR
9000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5E025ATTCL

Description: ROHM - RQ5E025ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 1697 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5E025ATTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V

auf Bestellung 14664 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
29+	0.92 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 23

RQ5E025ATTCL

MOSFET Pch -30V -2.5A Si MOSFET

auf Bestellung 28816 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

45+	1.16 EUR
67+	0.78 EUR
113+	0.46 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.27 EUR
24000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 45

RQ5E025SNTL

MOSFET 30V N-CHANNEL 2.5A

auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

43+	1.22 EUR
49+	1.06 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 43

RQ5E025SNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5E025SNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.35 EUR
23+	1.17 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 20

RQ5E025SPTL

MOSFET -30V P-CHANNEL -2.5A

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.46 EUR
42+	1.27 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 36

RQ5E025SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3

auf Bestellung 341 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.59 EUR
20+	1.34 EUR
100+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 17

RQ5E025SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E025TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5E025TNTL

MOSFET 30V N-CHANNEL 2.5A

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.19 EUR
52+	1.01 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 44

RQ5E025TNTL

RQ5E025TNTL SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E025TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

auf Bestellung 5055 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.2 EUR
26+	1.03 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 22

RQ5E030AJTCL

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.34 EUR
9000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5E030AJTCL

MOSFET Nch 30V 3Ad Si MOSFET

auf Bestellung 5478 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
63+	0.84 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.34 EUR
9000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 48

RQ5E030AJTCL

Description: ROHM - RQ5E030AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.057 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5E030AJTCL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 6A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E030AJTCL

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

auf Bestellung 13933 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
29+	0.92 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 24

RQ5E030AJTCL

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E030RPTL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E030RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RQ5E030RPTL

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E030RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3

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RQ5E030RPTL

MOSFET -30V P-CHANNEL -3A

auf Bestellung 11366 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

37+	1.43 EUR
44+	1.19 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.53 EUR
3000+	0.48 EUR
9000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 37

RQ5E030RPTL

Description: ROHM - RQ5E030RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm

auf Bestellung 3784 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5E035ATTCL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -12A; 1W; TSMT3
Case: TSMT3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E035ATTCL

MOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET

auf Bestellung 31136 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

56+	0.94 EUR
70+	0.75 EUR
125+	0.42 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.24 EUR
9000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 56

RQ5E035ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

auf Bestellung 114000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.26 EUR
6000+	0.25 EUR
9000+	0.22 EUR
75000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5E035ATTCL

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E035ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

auf Bestellung 116255 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.96 EUR
36+	0.74 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 28

RQ5E035BNTCL

MOSFET Nch 30V 3.5A Power MOSET

auf Bestellung 13020 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

46+	1.14 EUR
66+	0.79 EUR
159+	0.33 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
24000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 46

RQ5E035BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V

auf Bestellung 21163 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
34+	0.79 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 24

RQ5E035BNTCL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E035BNTCL

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E035BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR
9000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5E035XNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.3 EUR
24+	1.1 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 20

RQ5E035XNTCL

MOSFET RQ5E035XN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

39+	1.35 EUR
47+	1.11 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 39

RQ5E035XNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.43 EUR
6000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5E040AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5E040AJTCL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 16A; 1W; TSMT3
Case: TSMT3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16A

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E040AJTCL

MOSFET NPN Low VCE(sat) Transistor

auf Bestellung 5018 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

43+	1.23 EUR
50+	1.05 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.41 EUR
9000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 43

RQ5E040AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V

auf Bestellung 8578 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

22+	1.22 EUR
26+	1.03 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 22

RQ5E040AJTCL

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E040RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E040RPTL

Description: ROHM - RQ5E040RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E040RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3

auf Bestellung 179 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.85 EUR
17+	1.62 EUR
100+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 15

RQ5E040RPTL

MOSFET RQ5E040RP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for DC/DC converters.

auf Bestellung 13686 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.59 EUR
38+	1.4 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.62 EUR
9000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 33

RQ5E040TNTL

MOSFET 30V N-CHANNEL 4A

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.48 EUR
41+	1.28 EUR
100+	0.75 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 36

RQ5E040TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.4 EUR
22+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 19

RQ5E040TNTL

RQ5E040TNTL SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E040TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E050ATTCL

MOSFET RQ5E050AT is a small signal MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.

auf Bestellung 6591 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.59 EUR
37+	1.42 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.62 EUR
9000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 33

RQ5E050ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V

auf Bestellung 14900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.72 EUR
18+	1.49 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 16

RQ5E050ATTCL

RQ5E050ATTCL SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E050ATTCL

Description: ROHM - RQ5E050ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 5285 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5E050ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.65 EUR
6000+	0.62 EUR
9000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5E065AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

auf Bestellung 5805 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.87 EUR
16+	1.63 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 14

RQ5E065AJTCL

MOSFET RQ5E065AJ is a Small Signal MOSFET for switching application that features Low on-resistance.

auf Bestellung 3027 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.83 EUR
33+	1.62 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.79 EUR
3000+	0.71 EUR
9000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 29

RQ5E065AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E070BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E070BNTCL

MOSFET Nch 30V 7Ad Si MOSFET

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

28+	1.88 EUR
33+	1.62 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.79 EUR
3000+	0.71 EUR
9000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 28

RQ5E070BNTCL

Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0124ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5E070BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

auf Bestellung 2774 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.72 EUR
18+	1.51 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 16

RQ5E070BNTCL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 18A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5E070BNTCL

auf Bestellung 2795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5E070BNTCL

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5H020SPTL

Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5H020SPTL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -2A; Idm: -8A; 1W; TSMT3
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2842 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

198+	0.36 EUR
272+	0.26 EUR
350+	0.2 EUR
371+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 198

RQ5H020SPTL

auf Bestellung 2842 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

198+	0.36 EUR
272+	0.26 EUR
350+	0.2 EUR
371+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 198

RQ5H020SPTL

Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

auf Bestellung 5493 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.35 EUR
23+	1.15 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 20

RQ5H020SPTL

MOSFET Pch -45V -2.0A Power MOSFET

auf Bestellung 10980 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

40+	1.33 EUR
45+	1.16 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.43 EUR
9000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 40

RQ5H020SPTL

Description: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5H020TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3

auf Bestellung 811 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.63 EUR
12+	2.36 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 10

RQ5H020TNTL

MOSFET RQ5H020TN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

auf Bestellung 16548 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.13 EUR
31+	1.68 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.89 EUR
6000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 25

RQ5H020TNTL

Description: ROHM - RQ5H020TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5H020TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5H020TNTL

RQ5H020TNTL SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5H025TNTL

MOSFET 45V N-CHANNEL 2.5A

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

37+	1.43 EUR
43+	1.22 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 37

RQ5H025TNTL

RQ5H025TNTL SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5H025TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V

auf Bestellung 10359 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.4 EUR
22+	1.2 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 19

RQ5H025TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.47 EUR
6000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5H030TNTL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Case: TSMT3
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 1W
Pulsed drain current: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 3A
On-state resistance: 95mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5H030TNTL

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5H030TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.58 EUR
6000+	0.55 EUR
9000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5H030TNTL

MOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO

auf Bestellung 67597 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
39+	1.36 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.6 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 34

RQ5H030TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V

auf Bestellung 13180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.33 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 17

RQ5L015SPTL

Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5L015SPTL

MOSFET Pch -60V -1.5A Middle Power MOSFET

auf Bestellung 111049 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

47+	1.11 EUR
58+	0.9 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.36 EUR
9000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 47

RQ5L015SPTL

Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3

auf Bestellung 4951 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RQ5L015SPTL

RQ5L015SPTL SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5L015SPTL

Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

RQ5L020SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.59 EUR
20+	1.35 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 17

RQ5L020SNTL

RQ5L020SNTL SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5L020SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

RQ5L020SNTL

Description: ROHM - RQ5L020SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

RQ5L020SNTL

MOSFET RQ5L020SN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for DC/DC Converter.

auf Bestellung 8561 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
47+	1.13 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.53 EUR
3000+	0.45 EUR
9000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 38

RQ5L030SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5L030SNTL

MOSFET RQ5L030SN is a Small Signal MOSFET with Low on - resistance, suitable for DC/DC converters.

auf Bestellung 1187 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
39+	1.36 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.6 EUR
6000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 34

RQ5L030SNTL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5L030SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V

auf Bestellung 4787 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.34 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 17

RQ5L030SNTL

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5L035GNTCL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 14A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5L035GNTCL

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5L035GNTCL

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5L035GNTCL

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5L035GNTCL

MOSFET RQ5L035GN is the high reliability transistor, suitable for switching applications.

auf Bestellung 3260 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.81 EUR
34+	1.57 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.77 EUR
3000+	0.68 EUR
6000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 29

RQ5P010SNTL

RQ5P010SNTL SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

RQ5P010SNTL

Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

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3000+	0.56 EUR
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RQ5P010SNTL

MOSFET RQ5P010SN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for DC/DC Converter.

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RQ5P010SNTL