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TK5-5TE ConnectivityConnector Terminal Block Flat Base Snap Track
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TK500
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TK500AETI09+
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TK500E
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TK500EDX
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TK500XTOKO05+
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TK500XTOKO05+
auf Bestellung 44 Stücke:
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TK501EX
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TK501PSF-ATASKERTAS-TK501PSF-A Audio - Video Cables
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6+12.91 EUR
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TK501PSF-BTASKERTAS-TK501PSF-B Audio - Video Cables
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4+20.74 EUR
6+12.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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TK501PSF-GTASKERTAS-TK501PSF-G Audio - Video Cables
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Mindestbestellmenge: 4
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TK501PSF-TBTASKERTAS-TK501PSF-TB Audio - Video Cables
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4+20.74 EUR
6+12.91 EUR
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TK501PSF-VTASKERTAS-TK501PSF-V Audio - Video Cables
auf Bestellung 7 Stücke:
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4+20.74 EUR
6+12.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50A04K3ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50E06K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50E06K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50E06K3A,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50E06K3A,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50E08K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 50A TO220-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50E08K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 80V 25W 410pF 0.090
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50E10K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 100V 25W 410pF 0.092
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50E10K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50F15J1(TE24L,Q)ToshibaLVMOS TO220SM(W),PRE-ACTIVE,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50J30D,S1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK50J30D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 159 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50J60U(HEV,Q)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50J60U(Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 600V 400W 4050pF 0.065
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50J60U(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50J60U(STA1,Q)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50P03M1(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-ch 30V 50A DP
auf Bestellung 1949 Stücke:
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2+1.44 EUR
10+1.25 EUR
100+0.86 EUR
250+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50P03M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50P03M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50P04M1(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50P04M1(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-ch 40V 50A DP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK50X15J1(TE24LQ)ToshibaToshiba SIC N-CHAN MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK511PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK511PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK511PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK511PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK511PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK511PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK511PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK511PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK511PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK511PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK51513M (TC)Description: WOODWORKING TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (56)
Tape Type: Woodwork
Tape Included: 17002, 2080, 2A25C, 4032, 8979, 9629PC, 9832, SJ3000, SJ3550, SJ4570, SJ6512
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5210InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK5210 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK5210
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK521PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK521PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK521PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK521PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK521PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK521PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK521PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK521PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK521PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK521PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5283206QF
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5283206QF-12INDONESIAQFP
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5283206QF-12TOKO9900+
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5310InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK5310 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK5310
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
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TK5401
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK5402
auf Bestellung 30972 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK553MDescription: 3M PELTOR REMOTE RING FI
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TK5530HM-232-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 0.492" L x 0.232" W (12.10mm x 5.90mm)
Style: Encapsulated
Frequency: 125kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: Passive
Writable Memory: 128b (User)
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TK5530HM-232-PPMicrochip TechnologyIC RFID 125KHZ READ ONLY TAG
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TK5544TOKO2002 SMD
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK5550F-PP
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK5551A-PPMicrochip TechnologySTANDARD READ/WRITE ID TRANSPONDER WITH ANTICOLLISION
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TK5551MMicrochip TechnologyMicrochip Technology ROOT PART NUMBER
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TK5551M-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 0.492" L x 0.232" W (12.10mm x 5.90mm)
Style: Encapsulated
Frequency: 125kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: Passive
Writable Memory: 224b (User)
Part Status: Obsolete
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TK5551M-PPMicrochip TechnologyRF Wireless Misc Universal R/W Transponder
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TK5551M-PPMicrochip TechnologyNFC/RFID Tag and Transponder Chip 120kHz to 130kHz 264bit Automotive
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TK5551M-PP
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK5552A-PPMicrochip TechnologyRead/Write Transponder
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TK5552A-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 100-150KHZ
Packaging: Bulk
Frequency: 100kHz ~ 150kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -25°C ~ 75°C
Technology: Passive
Part Status: Obsolete
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TK5561A-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
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TK55D10J1(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
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TK55S10N1ToshibaMOSFET
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TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.74 EUR
10+3.76 EUR
100+2.63 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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TK55S10N1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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TK55S10N1,LQToshibaMOSFETs UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.72 EUR
10+3.85 EUR
100+2.73 EUR
250+2.68 EUR
500+2.22 EUR
1000+2.08 EUR
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TK55S10N1,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TK55S10N1,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK55S10N1,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK55S10N1,LXHQToshibaMOSFETs 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 6840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.29 EUR
10+1.90 EUR
25+1.76 EUR
100+1.52 EUR
250+1.43 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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TK55S10N1,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.20 EUR
10+2.24 EUR
100+1.52 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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TK55S10N1,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK55S10N1,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK55S10N1,LXHQ(OToshibaTK55S10N1,LXHQ(O
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.10 EUR
100+1.94 EUR
250+1.79 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A60Y,S4XToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.90 EUR
100+1.52 EUR
500+1.23 EUR
1000+0.97 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.19 EUR
50+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A65Y,S4XToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.60 EUR
10+2.34 EUR
100+1.88 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.19 EUR
5000+1.14 EUR
10000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560A65Y,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P60Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.47 EUR
25+1.46 EUR
100+1.11 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.89 EUR
4000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 5557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.06 EUR
10+1.95 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P65Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.65 EUR
25+1.55 EUR
100+1.16 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 4878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.87 EUR
10+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK560P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56A12N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 171-175 Tag (e)
1+3.89 EUR
50+2.18 EUR
100+1.95 EUR
250+1.83 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.17 EUR
50+2.55 EUR
100+2.10 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56A12N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 56A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56E12N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.20 EUR
10+2.99 EUR
50+1.70 EUR
250+1.55 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK56E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 112 A, 0.0058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56E12N1,S1X(STOSHIBATK56E12N1 THT N channel transistors
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
40+1.80 EUR
42+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK56E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK57353M (TC)Description: CRAFTING TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (4), Strips (52)
Tape Type: Household
Tape Included: 17002, 3903, 4032, 4658F, 850, 9629PC, CM592, SJ3530, SJ3531
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK57V161610DTC-7
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK57V161610TC-7
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.18 EUR
10+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58A06N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 4.4ohm VGS10V10uAVDS60V
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.97 EUR
100+1.53 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.00 EUR
2500+0.93 EUR
10000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1,S1XTOSHIBATK58E06N1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1,S1XToshibaMOSFETs 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.13 EUR
10+2.16 EUR
100+1.72 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.18 EUR
5000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK58E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1S1X(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK58E06N1S1X(S-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK59593M (TC)Description: MRO TAPE KIT - STANDARD
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (42)
Tape Type: Maintenance Repair
Tape Included: 17002, 3900, 4032, 425, 4941, 5151, 610, 9629PC, SJ3000, SJ3550, SJ3560
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A50DToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A50D
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A50D (Q,M)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A50D(Q)
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A50D(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A50D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-CH 500V, 5A
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.69 EUR
100+1.40 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.81 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK5A50D(STA4,Q,M)
Produktcode: 135758
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TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK5A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM
Produkt ist nicht verfügbar
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TK5A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A60DToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+2.80 EUR
50+1.45 EUR
100+1.33 EUR
250+1.32 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+2.75 EUR
50+2.43 EUR
100+2.06 EUR
250+2.02 EUR
2500+1.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TK5A60W5,S5VXToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
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TK5A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK5A60W5,S5VX(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK5A60W5S5VX(MToshibaArray
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TK5A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
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TK5A65DToshibaToshiba
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TK5A65D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK5A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.85 EUR
10+2.22 EUR
50+1.90 EUR
100+1.69 EUR
250+1.52 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.11 EUR
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TK5A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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TK5A65D,S5Q(JToshibaTK5A65D,S5Q(J
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A65DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A65DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm
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TK5A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TK5A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
50+1.41 EUR
100+1.27 EUR
250+1.11 EUR
500+1.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.10 EUR
141+1.02 EUR
147+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TK5A80E,S4XToshibaMOSFET PWR MOS PD=40W F=1MHZ
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.20 EUR
10+1.63 EUR
100+1.31 EUR
500+1.18 EUR
1000+0.90 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A80E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A80ES4X(SToshibaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A90E,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.55 EUR
10+2.25 EUR
50+1.61 EUR
100+1.41 EUR
250+1.22 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A90E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A90E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A90E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A90E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5A90ES4X(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5E18N32MPN-SPCLITT CannonCircular MIL Spec Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P-3.5TraktronixDescription: 5 PIN 3.5MM PITCH CONNECTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P-3.81TraktronixDescription: 5PIN 3.81MM SPEAKR MIC CONNECTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P-5.00TraktronixDescription: 5PIN 5.00MM PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P-5.08TraktronixDescription: 5PIN 5.08MM/PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P-7.5TraktronixDescription: 5PIN 7.5 MM QUICK SPKR CONNECTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P50D
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P50D(T6RSS-Q)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 3871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.90 EUR
10+1.85 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P50D(T6RSS-Q)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P50D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P50D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.65 EUR
100+1.30 EUR
500+1.10 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.84 EUR
4000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P53D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 525V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P53D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 1713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.97 EUR
10+1.90 EUR
100+1.28 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60V,RVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.58 EUR
64+2.23 EUR
65+2.13 EUR
100+1.64 EUR
250+1.49 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.96 EUR
6000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W,RVQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.90 EUR
10+2.34 EUR
25+2.25 EUR
100+1.67 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.58 EUR
64+2.23 EUR
65+2.13 EUR
100+1.64 EUR
250+1.49 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.96 EUR
6000+0.95 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 7975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.85 EUR
10+2.37 EUR
100+1.88 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W5,RVQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.65 EUR
25+1.55 EUR
100+1.16 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.06 EUR
11+1.68 EUR
100+1.31 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W5,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60W5RVQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60WRVQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P60WRVQ(S-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P65W,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.13 EUR
10+1.67 EUR
25+1.57 EUR
100+1.18 EUR
250+1.17 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.64 EUR
10+2.33 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P65W,RQ
Produktcode: 184247
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P65W,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5P65WRQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5Q60W,S1VQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.85 EUR
10+3.73 EUR
25+3.71 EUR
75+1.71 EUR
525+1.49 EUR
1050+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.87 EUR
75+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.24 EUR
10+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5Q65W,S1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R0A15Q5,S4XToshibaMOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.51 EUR
10+5.47 EUR
25+5.16 EUR
50+4.56 EUR
100+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QM,S4XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+2.62 EUR
50+1.59 EUR
100+1.33 EUR
250+1.21 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.26 EUR
50+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QM,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 0.0041 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1P08QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
auf Bestellung 6841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.57 EUR
10+2.29 EUR
100+1.79 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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TK5R1P08QM,RQToshibaMOSFETs UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
auf Bestellung 25314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.24 EUR
10+2.08 EUR
100+1.37 EUR
500+1.14 EUR
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TK5R1P08QM,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK5R1P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK5R1P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK5R3A06PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 329 Stücke:
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2+2.60 EUR
10+2.41 EUR
50+1.37 EUR
100+1.33 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.85 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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TK5R3A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.50 EUR
50+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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TK5R3A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 0.0041 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK5R3A06PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK5R3E08QM,S1XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+2.52 EUR
50+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK5R3E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.38 EUR
50+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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TK5R3E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH