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TK500
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TK500E
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TK500EDX
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TK500XTOKO05+
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TK500XTOKO05+
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TK501EX
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TK501PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 9 Stücke:
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4+19.69 EUR
6+ 12.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK501PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK501PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: blue
Contact plating: gold-plated
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.74 EUR
6+ 12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK501PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: blue
Contact plating: gold-plated
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+20.74 EUR
6+ 12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK501PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Insulation colour: yellow
Contact plating: gold-plated
Core section: 0.5mm2
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+20.74 EUR
6+ 12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK501PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Insulation colour: yellow
Contact plating: gold-plated
Core section: 0.5mm2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.74 EUR
6+ 12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK501PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Cable length: 1m
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: brown
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Type of connection cable: RCA - RCA
Contact plating: gold-plated
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+20.74 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
TK501PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Cable length: 1m
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: brown
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Type of connection cable: RCA - RCA
Contact plating: gold-plated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.74 EUR
6+ 12.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK501PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
TK501PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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TK50A04K3ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK50E06K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
TK50E06K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
Produkt ist nicht verfügbar
TK50E06K3A,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
TK50E06K3A,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
Produkt ist nicht verfügbar
TK50E08K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 80V 25W 410pF 0.090
Produkt ist nicht verfügbar
TK50E08K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 50A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
TK50E10K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
TK50E10K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 100V 25W 410pF 0.092
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TK50F15J1(TE24L,Q)ToshibaLVMOS TO220SM(W),PRE-ACTIVE,
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TK50J30D,S1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK50J30D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 190 Stücke:
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TK50J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
TK50J60U(HEV,Q)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK50J60U(Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 600V 400W 4050pF 0.065
Produkt ist nicht verfügbar
TK50J60U(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
TK50J60U(STA1,Q)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK50P03M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK50P03M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK50P03M1(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-ch 30V 50A DP
auf Bestellung 1999 Stücke:
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25+2.15 EUR
28+ 1.9 EUR
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500+ 1.15 EUR
1000+ 0.92 EUR
2000+ 0.83 EUR
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TK50P04M1(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-ch 40V 50A DP
Produkt ist nicht verfügbar
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: D-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: D-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
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TK50P04M1(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK50X15J1(TE24LQ)ToshibaToshiba SIC N-CHAN MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK511PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Number of cores: 1
Cable length: 1m
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK511PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK511PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK511PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Number of cores: 1
Cable length: 1m
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK511PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Number of cores: 1
Cable length: 1m
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK511PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK511PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Number of cores: 1
Cable length: 1m
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK511PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK511PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Number of cores: 1
Cable length: 1m
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK511PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK51513M (TC)Description: WOODWORKING TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (56)
Tape Type: Woodwork
Tape Included: 17002, 2080, 2A25C, 4032, 8979, 9629PC, 9832, SJ3000, SJ3550, SJ4570, SJ6512
Produkt ist nicht verfügbar
TK5210InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK5210 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK5210
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
TK521PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK521PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK521PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK521PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK521PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK521PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK521PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK521PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK521PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK521PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.69 EUR
6+ 12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK5283206QF
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK5283206QF-12INDONESIAQFP
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK5283206QF-12TOKO9900+
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK5310InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK5310 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK5310
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
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TK5401
auf Bestellung 100 Stücke:
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TK5402
auf Bestellung 30972 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK553MDescription: 3M PELTOR REMOTE RING FI
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TK5530HM-232-PPAtmelDescription: IC RFID 125KHZ READ ONLY TAG
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TK5544TOKO2002 SMD
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK5550F-PP
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK5551A-PPMicrochip TechnologySTANDARD READ/WRITE ID TRANSPONDER WITH ANTICOLLISION
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TK5551MMicrochip TechnologyMicrochip Technology ROOT PART NUMBER
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TK5551M-PPMicrochip TechnologyRF Wireless Misc Universal R/W Transponder
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TK5551M-PPMicrochip TechnologyNFC/RFID Tag and Transponder Chip 120kHz to 130kHz 264bit Automotive
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TK5551M-PP
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK5551M-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 0.492" L x 0.232" W (12.10mm x 5.90mm)
Style: Encapsulated
Frequency: 125kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: Passive
Writable Memory: 224b (User)
Part Status: Obsolete
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TK5552A-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 100-150KHZ
Packaging: Bulk
Frequency: 100kHz ~ 150kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -25°C ~ 75°C
Technology: Passive
Part Status: Obsolete
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TK5552A-PPMicrochip TechnologyRead/Write Transponder
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TK5561A-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
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TK55D10J1(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
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TK55S10N1ToshibaMOSFET
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TK55S10N1,LQToshibaMOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
auf Bestellung 2711 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.86 EUR
10+ 5.72 EUR
100+ 4.55 EUR
250+ 4.21 EUR
500+ 3.82 EUR
1000+ 3.28 EUR
2000+ 3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
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TK55S10N1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
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TK55S10N1,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK55S10N1,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TK55S10N1,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK55S10N1,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
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TK55S10N1,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TK55S10N1,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK55S10N1,LXHQToshibaMOSFET 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 10097 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.93 EUR
17+ 3.22 EUR
100+ 2.49 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.72 EUR
2000+ 1.61 EUR
4000+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TK55S10N1,LXHQ(OToshibaTK55S10N1,LXHQ(O
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.22 EUR
100+ 2.05 EUR
250+ 1.89 EUR
500+ 1.75 EUR
1000+ 1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 71
TK560A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK560A60Y,S4XToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 415-429 Tag (e)
14+3.74 EUR
16+ 3.38 EUR
100+ 2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TK560A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
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TK560A65Y,S4XToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.85 EUR
16+ 3.46 EUR
100+ 2.78 EUR
500+ 2.27 EUR
1000+ 1.75 EUR
5000+ 1.69 EUR
10000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK560A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK560A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK560A65Y,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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TK560P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 2819 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.82 EUR
10+ 3.42 EUR
100+ 2.67 EUR
500+ 2.2 EUR
1000+ 1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK560P60Y,RQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
auf Bestellung 3977 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.7 EUR
23+ 2.3 EUR
100+ 1.88 EUR
500+ 1.57 EUR
1000+ 1.4 EUR
2000+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20
TK560P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK560P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK560P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TK560P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK560P65Y,RQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.07 EUR
21+ 2.51 EUR
100+ 1.97 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.36 EUR
2000+ 1.28 EUR
4000+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 3891 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.46 EUR
10+ 3.1 EUR
100+ 2.42 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK560P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK56A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK56A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK56A12N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.67 EUR
11+ 5.12 EUR
50+ 4.81 EUR
100+ 4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK56A12N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK56E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK56E12N1,S1XToshibaMOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.93 EUR
16+ 3.38 EUR
100+ 2.56 EUR
250+ 2.47 EUR
500+ 2.16 EUR
1000+ 1.79 EUR
2500+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TK56E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK56E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 56A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
TK56E12N1,S1X(STOSHIBATK56E12N1 THT N channel transistors
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
40+ 1.79 EUR
43+ 1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27
TK56E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK56E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK56E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 112 A, 0.0058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK57353M (TC)Description: CRAFTING TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (4), Strips (52)
Tape Type: Household
Tape Included: 17002, 3903, 4032, 4658F, 850, 9629PC, CM592, SJ3530, SJ3531
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TK57V161610DTC-7
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK57V161610TC-7
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK58A06N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 4.4ohm VGS10V10uAVDS60V
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.22 EUR
18+ 2.91 EUR
100+ 2.26 EUR
500+ 1.87 EUR
1000+ 1.48 EUR
2500+ 1.38 EUR
10000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TK58A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.22 EUR
10+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TK58E06N1ToshibaToshiba
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TK58E06N1,S1XTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 58A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK58E06N1,S1XToshibaMOSFET 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 415-429 Tag (e)
15+3.48 EUR
17+ 3.12 EUR
100+ 2.42 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.42 EUR
2500+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TK58E06N1,S1XTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 58A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK58E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK58E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK58E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK58E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK58E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK58E06N1S1X(SToshibaMOSFET
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TK58E06N1S1X(S-XToshibaMOSFET
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TK59593M (TC)Description: MRO TAPE KIT - STANDARD
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (42)
Tape Type: Maintenance Repair
Tape Included: 17002, 3900, 4032, 425, 4941, 5151, 610, 9629PC, SJ3000, SJ3550, SJ3560
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75
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TK5A50DToshibaToshiba
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TK5A50D
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK5A50D (Q,M)ToshibaMOSFET
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TK5A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK5A50D(Q)
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK5A50D(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A50D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A50D(STA4,Q,M)
Produktcode: 135758		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-CH 500V, 5A
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.63 EUR
21+ 2.49 EUR
100+ 2.07 EUR
500+ 1.53 EUR
1000+ 1.22 EUR
2500+ 1.19 EUR
5000+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TK5A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A TO220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A60DToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.64 EUR
17+ 3.12 EUR
100+ 2.42 EUR
500+ 2.04 EUR
1000+ 1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.59 EUR
50+ 2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.02 EUR
13+ 4.16 EUR
100+ 3.3 EUR
250+ 3.09 EUR
500+ 2.63 EUR
1000+ 2.21 EUR
5000+ 2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TK5A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A60W5,S5VXToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A60W5,S5VX(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A60W5S5VX(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A60WS4VX(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A65DToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A65D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.74 EUR
10+ 3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK5A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.87 EUR
16+ 3.46 EUR
100+ 2.78 EUR
500+ 2.08 EUR
1000+ 1.72 EUR
5000+ 1.66 EUR
10000+ 1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TK5A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK5A65D,S5Q(JToshibaTK5A65D,S5Q(J
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK5A65DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.67 EUR
10+ 3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK5A65DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.17 EUR
141+ 1.07 EUR
147+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 134
TK5A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK5A65W,S5XToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.82 EUR
16+ 3.41 EUR
100+ 2.65 EUR
500+ 1.91 EUR
1000+ 1.57 EUR
2500+ 1.54 EUR
5000+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TK5A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.3 EUR
50+ 2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK5A80E,S4XToshibaMOSFET PWR MOS PD=40W F=1MHZ
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.33 EUR
23+ 2.26 EUR
100+ 1.93 EUR
500+ 1.75 EUR
1000+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TK5A80E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK5A80ES4X(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A90E,S4XToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.38 EUR
19+ 2.78 EUR
100+ 2.15 EUR
500+ 1.78 EUR
1000+ 1.47 EUR
2500+ 1.38 EUR
5000+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TK5A90E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK5A90E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK5A90E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK5A90E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK5A90ES4X(SToshibaMOSFET
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TK5E18N32MPN-SPCLITT CannonCircular MIL Spec Connector
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TK5P-3.5TraktronixDescription: 5 PIN 3.5MM PITCH CONNECTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK5P-3.81TraktronixDescription: 5PIN 3.81MM SPEAKR MIC CONNECTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK5P-5.00TraktronixDescription: 5PIN 5.00MM PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK5P-5.08TraktronixDescription: 5PIN 5.08MM/PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TK5P-7.5TraktronixDescription: 5PIN 7.5 MM QUICK SPKR CONNECTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+16.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK5P50D
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TK5P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 1982 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+2.99 EUR
11+ 2.44 EUR
100+ 1.9 EUR
500+ 1.61 EUR
1000+ 1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TK5P50D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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TK5P50D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.96 EUR
22+ 2.44 EUR
100+ 1.91 EUR
500+ 1.62 EUR
1000+ 1.32 EUR
2000+ 1.24 EUR
4000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 18
TK5P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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TK5P53D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
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TK5P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.07 EUR
11+ 2.5 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.64 EUR
1000+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TK5P53D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 525V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK5P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
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TK5P60V,RVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.73 EUR
64+ 2.36 EUR
65+ 2.25 EUR
100+ 1.73 EUR
250+ 1.57 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.06 EUR
3000+ 1.01 EUR
6000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 58
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 9825 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.24 EUR
10+ 3.53 EUR
100+ 2.81 EUR
500+ 2.37 EUR
1000+ 2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.73 EUR
64+ 2.36 EUR
65+ 2.25 EUR
100+ 1.73 EUR
250+ 1.57 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.06 EUR
3000+ 1.01 EUR
6000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 58
TK5P60W,RVQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.32 EUR
15+ 3.59 EUR
100+ 2.86 EUR
250+ 2.63 EUR
500+ 2.4 EUR
1000+ 2.05 EUR
2000+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.91 EUR
6000+ 1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK5P60W5,RVQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.46 EUR
17+ 3.09 EUR
100+ 2.42 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.58 EUR
2000+ 1.47 EUR
10000+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TK5P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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TK5P60W5,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A
Produkt ist nicht verfügbar
TK5P60W5RVQ(SToshibaMOSFET
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TK5P60WRVQ(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK5P60WRVQ(S-XToshibaMOSFET
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TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK5P65W,RQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.15 EUR
21+ 2.59 EUR
100+ 2.01 EUR
500+ 1.7 EUR
1000+ 1.39 EUR
2000+ 1.3 EUR
4000+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.12 EUR
11+ 2.56 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.69 EUR
1000+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TK5P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK5P65W,RQ
Produktcode: 184247		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
TK5P65W,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK5P65WRQ(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TK5Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
TK5Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK5Q60W,S1VQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.32 EUR
16+ 3.41 EUR
75+ 2.81 EUR
300+ 2.68 EUR
525+ 2.4 EUR
1050+ 1.95 EUR
5025+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TK5Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK5Q65W,S1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
TK5Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.3 EUR
10+ 2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TK5R1A08QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK5R1A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.13 EUR
10+ 3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK5R1A08QM,S4XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.35 EUR
18+ 3.04 EUR
100+ 2.41 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.53 EUR
5000+ 1.46 EUR
10000+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TK5R1A08QM,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK5R1A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 0.0041 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK5R1E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK5R1P08QMToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
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7+3.8 EUR
10+ 3.38 EUR
100+ 2.64 EUR
500+ 2.18 EUR
1000+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK5R1P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R
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TK5R1P08QM,RQToshibaMOSFET UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
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16+3.38 EUR
19+ 2.78 EUR
100+ 2.16 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.49 EUR
2500+ 1.4 EUR
5000+ 1.33 EUR
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TK5R1P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
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2500+1.61 EUR
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TK5R1P08QM,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK5R3A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V
auf Bestellung 60 Stücke:
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9+3.07 EUR
50+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TK5R3A06PL,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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17+3.09 EUR
20+ 2.6 EUR
100+ 2.02 EUR
500+ 1.59 EUR
1000+ 1.28 EUR
5000+ 1.22 EUR
10000+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TK5R3A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 0.0041 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
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TK5R3A06PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
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TK5R3E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
TK5R3E08QM,S1XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
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14+3.93 EUR
15+ 3.51 EUR
100+ 2.83 EUR
500+ 2.32 EUR
1000+ 2.1 EUR
5000+ 2.02 EUR
10000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TK5R3E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 40 Stücke:
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