Produkte > TK5
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| TK5-5 | TE Connectivity | Connector Terminal Block Flat Base Snap Track | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK500 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK500AE | TI | 09+ | auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK500E | auf Bestellung 3405 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK500EDX | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK500X | TOKO | 05+ | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK501EX | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK50A04K3 | Toshiba | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50E06K3(S1SS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50E06K3(S1SS-Q) | Toshiba | MOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50E06K3A,S1X(S | Toshiba | MOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50E06K3A,S1X(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50E08K3,S1X(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 75V 50A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50E08K3,S1X(S | Toshiba | MOSFET N-Ch MOS 50A 80V 25W 410pF 0.090 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50E10K3(S1SS-Q) | Toshiba | MOSFET N-Ch MOS 50A 100V 25W 410pF 0.092 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50E10K3(S1SS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50J30D,S1Q(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK50J30D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 410W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK50J30DS1Q(O | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50J60U | Toshiba | MOSFET Super Junction Power Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50J60U(HEV,Q) | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50J60U(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO-3PN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50J60U(Q) | Toshiba | MOSFET N-Ch MOS 50A 600V 400W 4050pF 0.065 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50J60U(STA1,Q) | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50P03M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 50A DP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50P03M1(T6RSS-Q) | Toshiba | MOSFETs N-ch 30V 50A DP | auf Bestellung 1949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK50P03M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 50A DP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50P04M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 50A DP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50P04M1(T6RSS-Q) | Toshiba | MOSFETs N-ch 40V 50A DP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50P04M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 50A DP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK50X15J1(TE24LQ) | Toshiba | Toshiba SIC N-CHAN MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK511PSF-A | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; orange Contact plating: gold-plated Core section: 0.5mm2 Number of cores: 1 Cable length: 1m Type of connection cable: RCA - RCA Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket Insulation colour: orange | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK511PSF-B | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2 Contact plating: gold-plated Core section: 0.5mm2 Number of cores: 1 Cable length: 1m Type of connection cable: RCA - RCA Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket Insulation colour: blue | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK511PSF-G | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; yellow Contact plating: gold-plated Core section: 0.5mm2 Number of cores: 1 Cable length: 1m Type of connection cable: RCA - RCA Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket Insulation colour: yellow | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK511PSF-TB | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; brown Contact plating: gold-plated Core section: 0.5mm2 Number of cores: 1 Cable length: 1m Type of connection cable: RCA - RCA Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket Insulation colour: brown | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK511PSF-V | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; green Contact plating: gold-plated Core section: 0.5mm2 Number of cores: 1 Cable length: 1m Type of connection cable: RCA - RCA Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket Insulation colour: green | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK5151 | 3M (TC) | Description: WOODWORKING TAPE KIT Tape Included: 17002, 2080, 2A25C, 4032, 8979, 9629PC, 9832, SJ3000, SJ3550, SJ4570, SJ6512 Packaging: Cardboard Box Tape Type: Woodwork Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (56) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK5210 | Interlight | Description: Replacement for Kenwood TK5210 R Part Status: Active Accessory Type: Replacement Battery For Use With/Related Products: Kenwood TK5210 Packaging: Retail Package | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK521PSF-A | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange Cable/adapter structure: both sides; RCA socket Contact plating: gold-plated Core section: 0.5mm2 Number of cores: 1 Cable length: 1m Type of connection cable: RCA - RCA Insulation colour: orange | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK521PSF-B | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue Cable/adapter structure: both sides; RCA socket Contact plating: gold-plated Core section: 0.5mm2 Number of cores: 1 Cable length: 1m Type of connection cable: RCA - RCA Insulation colour: blue | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK521PSF-G | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow Cable/adapter structure: both sides; RCA socket Contact plating: gold-plated Core section: 0.5mm2 Number of cores: 1 Cable length: 1m Type of connection cable: RCA - RCA Insulation colour: yellow | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK521PSF-TB | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown Cable/adapter structure: both sides; RCA socket Contact plating: gold-plated Core section: 0.5mm2 Number of cores: 1 Cable length: 1m Type of connection cable: RCA - RCA Insulation colour: brown | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK521PSF-V | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green Cable/adapter structure: both sides; RCA socket Contact plating: gold-plated Core section: 0.5mm2 Number of cores: 1 Cable length: 1m Type of connection cable: RCA - RCA Insulation colour: green | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK5283206QF | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK5283206QF-12 | TOKO | 9900+ | auf Bestellung 6200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK5310 | Interlight | Description: Replacement for Kenwood TK5310 R Part Status: Active Accessory Type: Replacement Battery For Use With/Related Products: Kenwood TK5310 Packaging: Retail Package | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK5401 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK5402 | auf Bestellung 30972 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK55 | 3M | Description: 3M PELTOR REMOTE RING FI | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK5530HM-232-PP | Microchip Technology | Description: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP Writable Memory: 128b (User) Technology: Passive Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: Read/Write Frequency: 125kHz Style: Encapsulated Size / Dimension: 0.492" L x 0.232" W (12.10mm x 5.90mm) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK5544 | TOKO | 2002 SMD | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK5550F-PP | auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK5551M | Microchip Technology | Microchip Technology ROOT PART NUMBER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK5551M-PP | Microchip Technology | RF Wireless Misc Universal R/W Transponder | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK5551M-PP | Microchip Technology | Description: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP Part Status: Obsolete Writable Memory: 224b (User) Technology: Passive Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: Read/Write Frequency: 125kHz Style: Encapsulated Size / Dimension: 0.492" L x 0.232" W (12.10mm x 5.90mm) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK5551M-PP | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK5552A-PP | Microchip Technology | Description: RFID TAG R/W 100-150KHZ Packaging: Bulk Frequency: 100kHz ~ 150kHz Memory Type: Read/Write Operating Temperature: -25°C ~ 75°C Technology: Passive Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK5561A-PP | Microchip Technology | Description: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK55D10J1(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK55S10N1 | Toshiba | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK55S10N1,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK55S10N1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK+ Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V | auf Bestellung 3920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK55S10N1,LQ | Toshiba | MOSFETs UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK | auf Bestellung 1937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK55S10N1,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK55S10N1,LQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 157W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm | auf Bestellung 5505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK55S10N1,LQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 157W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm | auf Bestellung 5505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK55S10N1,LXHQ | Toshiba | MOSFETs 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | auf Bestellung 6840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK55S10N1,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK+ Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 8742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK55S10N1,LXHQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK55S10N1,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK+ Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK55S10N1,LXHQ(O | Toshiba | TK55S10N1,LXHQ(O | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK560A60Y,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK560A60Y,S4X | Toshiba | MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK560A60Y,S4X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK560A60Y,S4X(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK560A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 30W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm | auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK560A65Y,S4X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK560A65Y,S4X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK560A65Y,S4X | Toshiba | MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK560A65Y,S4X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK560A65Y,S4X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK560A65Y,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK560A65Y,S4X(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK560A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 30W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK560P60Y,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK560P60Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK560P60Y,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK560P60Y,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TK560P60Y,RQ | Toshiba | MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A | auf Bestellung 3605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK560P60Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V | auf Bestellung 5557 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK560P60Y,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 60W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK560P60Y,RQ(S | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| TK560P60Y,RQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK560P60Y,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 60W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK560P60YRQ(S | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| TK560P65Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK560P65Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK560P65Y,RQ | Toshiba | MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A | auf Bestellung 1575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK560P65Y,RQ(S | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| TK560P65Y,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 60W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm | auf Bestellung 747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK560P65Y,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 60W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm | auf Bestellung 747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK560P65YRQ(S | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| TK56A12N1,S4X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
