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WMJ020N10HGS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 347.2W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 228 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

21+	3.42 EUR
23+	3.25 EUR
26+	2.85 EUR
30+	2.57 EUR
90+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 21

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ020N10HGS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 347.2W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Case: TO247-3
Kind of package: tube

auf Bestellung 228 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ028N10HGS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 228A
Pulsed drain current: 912A
Power dissipation: 320.5W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 262 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	2.7 EUR
29+	2.55 EUR
32+	2.25 EUR
36+	2.02 EUR
90+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ028N10HGS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 228A
Pulsed drain current: 912A
Power dissipation: 320.5W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 262 Stücke:

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WMJ10N80D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 218 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	1.83 EUR
50+	1.46 EUR
66+	1.09 EUR
73+	0.99 EUR
120+	0.92 EUR
300+	0.87 EUR
900+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ10N80D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 33nC

auf Bestellung 218 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	1.83 EUR
50+	1.46 EUR
66+	1.09 EUR
73+	0.99 EUR
120+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 40

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WMJ11N150D1

WMJ11N150D1-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 293 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

8+	9.4 EUR
11+	6.52 EUR
900+	6.46 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ12N120D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1

auf Bestellung 234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	4.93 EUR
19+	3.95 EUR
34+	2.14 EUR
36+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ12N120D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 234 Stücke:

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15+	4.93 EUR
19+	3.95 EUR
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ130N20JN

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 117A; Idm: 620A; 416W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 188nC
Reverse recovery time: 196ns
On-state resistance: 5.2mΩ
Power dissipation: 416W
Drain current: 117A
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 620A
Kind of package: tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ15N80M3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 207 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.55 EUR
14+	5.23 EUR
19+	3.92 EUR
30+	3.53 EUR
120+	3.27 EUR
300+	3.12 EUR
900+	2.97 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ15N80M3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 207 Stücke:

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11+	6.55 EUR
14+	5.23 EUR
19+	3.92 EUR
30+	3.53 EUR
120+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ18N50D1B

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	1.63 EUR
56+	1.29 EUR
74+	0.97 EUR
83+	0.87 EUR
120+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 44

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ18N50D1B

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

44+	1.63 EUR
56+	1.29 EUR
74+	0.97 EUR
83+	0.87 EUR
120+	0.8 EUR
300+	0.77 EUR
900+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 44

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ20N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ220N20HG3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 82A; Idm: 328A; 329W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 82A
Power dissipation: 329W
Pulsed drain current: 328A
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ25N50D1B

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 384 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

42+	1.73 EUR
52+	1.39 EUR
69+	1.04 EUR
77+	0.93 EUR
120+	0.87 EUR
300+	0.83 EUR
900+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ25N50D1B

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 384 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	1.73 EUR
52+	1.39 EUR
69+	1.04 EUR
77+	0.93 EUR
120+	0.87 EUR
300+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ25N80M3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.39 EUR
13+	5.91 EUR
17+	4.42 EUR
30+	3.99 EUR
120+	3.69 EUR
300+	3.52 EUR
900+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ25N80M3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.39 EUR
13+	5.91 EUR
17+	4.42 EUR
30+	3.99 EUR
120+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ26N65FD

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ26N65SR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N50C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 296 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.46 EUR
21+	3.56 EUR
27+	2.67 EUR
30+	2.4 EUR
120+	2.23 EUR
300+	2.12 EUR
900+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 296 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	4.46 EUR
21+	3.56 EUR
27+	2.67 EUR
30+	2.4 EUR
120+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

13+	5.62 EUR
16+	4.5 EUR
22+	3.39 EUR
30+	3.05 EUR
120+	2.82 EUR
300+	2.69 EUR
900+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	5.62 EUR
16+	4.5 EUR
22+	3.39 EUR
30+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ30N65EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ36N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 293 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.68 EUR
12+	6.15 EUR
16+	4.6 EUR
30+	4.15 EUR
120+	3.85 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ36N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 293 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.68 EUR
12+	6.15 EUR
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300+	3.66 EUR
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ36N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 23 Stücke:

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11+	6.91 EUR
13+	5.53 EUR
18+	4.15 EUR
30+	3.73 EUR
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300+	3.3 EUR
900+	3.22 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ36N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 23 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ36N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ38N60FD

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ38N65C2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ38N65FD

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ3N120D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 156.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 261 Stücke:

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50+	1.46 EUR
65+	1.1 EUR
84+	0.86 EUR
88+	0.82 EUR
900+	0.79 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ3N120D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 156.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1

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WMJ3N150D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1

auf Bestellung 207 Stücke:

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28+	2.62 EUR
35+	2.09 EUR
46+	1.57 EUR
52+	1.4 EUR
120+	1.32 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ3N150D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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35+	2.09 EUR
46+	1.57 EUR
52+	1.4 EUR
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WMJ40N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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900+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ40N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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12+	5.98 EUR
15+	4.78 EUR
20+	3.59 EUR
30+	3.23 EUR

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WMJ4N150D1

WMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors

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25+	2.97 EUR
54+	1.33 EUR
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ53N60C2
Produktcode: 183673

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ53N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 288 Stücke:

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11+	7.14 EUR
14+	5.35 EUR
30+	4.8 EUR
120+	4.46 EUR
300+	4.26 EUR
900+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ53N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 288 Stücke:

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9+	8.91 EUR
11+	7.14 EUR
14+	5.35 EUR
30+	4.8 EUR
120+	4.46 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ53N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	4.58 EUR
17+	4.25 EUR
18+	4.15 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ53N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

16+	4.58 EUR
17+	4.25 EUR
18+	4.15 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ53N65C4

WMJ53N65C4-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	23.84 EUR
4+	17.88 EUR
11+	6.51 EUR
900+	4.8 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ53N65F2

WMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 10 Stücke:

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7+	10.9 EUR
10+	7.15 EUR
11+	6.51 EUR
900+	4.68 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ60N60EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	35.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ60N60EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	35.75 EUR
3+	23.84 EUR
10+	12.05 EUR
30+	10.8 EUR
120+	10 EUR
300+	9.54 EUR
900+	9.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ69N30DMH

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 65A; Idm: 260A; 568W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 383nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	71.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ69N30DMH

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 65A; Idm: 260A; 568W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 383nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	71.5 EUR
3+	23.84 EUR
10+	7.15 EUR
30+	4.52 EUR
90+	4.4 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	12.64 EUR
8+	10.14 EUR
10+	7.61 EUR
30+	6.84 EUR
120+	6.33 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

6+	12.64 EUR
8+	10.14 EUR
10+	7.61 EUR
30+	6.84 EUR
120+	6.33 EUR
300+	6.03 EUR
900+	5.43 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N60EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	24.41 EUR
4+	19.66 EUR
10+	14.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N60EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	24.41 EUR
4+	19.66 EUR
10+	14.59 EUR
30+	13.18 EUR
120+	12.21 EUR
300+	11.67 EUR
900+	11.14 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	17.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	17.88 EUR
10+	10.07 EUR
30+	9.07 EUR
120+	8.39 EUR
300+	8.01 EUR
900+	7.66 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N65C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	15.97 EUR
6+	12.81 EUR
10+	9.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N65C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	15.97 EUR
6+	12.81 EUR
10+	9.61 EUR
30+	8.65 EUR
120+	8.01 EUR
300+	7.64 EUR
900+	6.86 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns

auf Bestellung 312 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	12.17 EUR
8+	9.74 EUR
10+	7.31 EUR
30+	6.58 EUR
120+	6.08 EUR
300+	5.81 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 312 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

6+	12.17 EUR
8+	9.74 EUR
10+	7.31 EUR
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120+	6.08 EUR
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900+	5.58 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80R350S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 183W
Drain-source voltage: 800V

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	6.52 EUR
14+	5.22 EUR
23+	3.2 EUR
24+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80R350S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 183W
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.52 EUR
14+	5.22 EUR
23+	3.2 EUR
24+	3.03 EUR
900+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ83N25JN

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 31A; Idm: 145A; 92W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 92W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ85N20JN

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 240A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 160ns

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	18.08 EUR
9+	7.97 EUR
900+	7.79 EUR

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WMJ90N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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4+	18.08 EUR
9+	7.97 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

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9+	8.41 EUR
900+	8.22 EUR

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WMJ90N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	19.23 EUR
9+	8.41 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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WMJ90N65C4

WMJ90N65C4-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 20 Stücke:

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4+	23.25 EUR
8+	8.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65F2

WMJ90N65F2-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	24.48 EUR
8+	9.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65SR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	9.74 EUR
10+	7.54 EUR
11+	7.12 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65SR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

8+	9.74 EUR
10+	7.54 EUR
11+	7.12 EUR
300+	6.95 EUR
900+	6.85 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ93N25JN

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 42A; Idm: 280A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ99N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	18.15 EUR
10+	13.61 EUR
30+	12.31 EUR
120+	11.34 EUR
300+	10.8 EUR
900+	10.35 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ99N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	18.15 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ99N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	25.07 EUR
4+	20.09 EUR
10+	15.02 EUR
30+	13.5 EUR
120+	12.53 EUR
300+	12 EUR
900+	11.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ99N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	25.07 EUR
4+	20.09 EUR
10+	15.02 EUR
30+	13.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ9N150D1

WMJ9N150D1-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

6+	12.56 EUR
13+	5.53 EUR
14+	5.23 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJP32N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	5.76 EUR
16+	4.62 EUR
21+	3.46 EUR
25+	3.12 EUR
125+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJP32N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

13+	5.76 EUR
16+	4.62 EUR
21+	3.46 EUR
25+	3.12 EUR
125+	2.89 EUR
300+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH