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WMJ020N10HGS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

22+	3.35 EUR
23+	3.17 EUR
26+	2.79 EUR
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90+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 22

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WMJ020N10HGS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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WMJ028N10HGS

WMJ028N10HGS-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 242 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

24+	2.99 EUR
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37+	1.97 EUR
900+	1.93 EUR

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WMJ10N80D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A

auf Bestellung 191 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	1.8 EUR
50+	1.44 EUR
67+	1.07 EUR
74+	0.97 EUR
120+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ10N80D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 191 Stücke:

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WMJ11N150D1

WMJ11N150D1-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 293 Stücke:

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8+	9.27 EUR
11+	6.55 EUR
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WMJ12N120D1

WMJ12N120D1-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 173 Stücke:

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14+	5.18 EUR
34+	2.16 EUR
35+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ130N20JN

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 117A; Idm: 620A; 416W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 196ns

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WMJ15N80M3

WMJ15N80M3-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 207 Stücke:

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22+	3.27 EUR
24+	3.1 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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WMJ18N50D1B

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ18N50D1B
Produktcode: 216672

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ18N50D1B

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ20N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ25N50D1B

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 422 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

42+	1.72 EUR
53+	1.37 EUR
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79+	0.92 EUR
120+	0.86 EUR
300+	0.82 EUR
900+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ25N50D1B

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 422 Stücke:

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53+	1.37 EUR
70+	1.03 EUR
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WMJ25N80M3

WMJ25N80M3-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 137 Stücke:

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21+	3.45 EUR
22+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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WMJ26N65SR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N50C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 289 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	4.38 EUR
21+	3.5 EUR
28+	2.63 EUR
31+	2.36 EUR
120+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 289 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.38 EUR
21+	3.5 EUR
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900+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	5.49 EUR
17+	4.39 EUR
22+	3.3 EUR
30+	2.97 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

14+	5.49 EUR
17+	4.39 EUR
22+	3.3 EUR
30+	2.97 EUR
120+	2.75 EUR
300+	2.62 EUR
900+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ30N65EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ36N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 293 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.56 EUR
12+	6.05 EUR
16+	4.53 EUR
30+	4.09 EUR
120+	3.79 EUR
300+	3.6 EUR
900+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ36N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 293 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.56 EUR
12+	6.05 EUR
16+	4.53 EUR
30+	4.09 EUR
120+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ36N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.81 EUR
14+	5.45 EUR
18+	4.09 EUR
30+	3.68 EUR
120+	3.42 EUR
300+	3.25 EUR
900+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ36N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	6.81 EUR
14+	5.45 EUR
18+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ36N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ38N65C2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ3N120D1

WMJ3N120D1-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 253 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

38+	1.92 EUR
84+	0.86 EUR
88+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 38

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ3N150D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 206 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	2.59 EUR
35+	2.07 EUR
46+	1.56 EUR
52+	1.39 EUR
120+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ3N150D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 206 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

28+	2.59 EUR
35+	2.07 EUR
46+	1.56 EUR
52+	1.39 EUR
120+	1.3 EUR
300+	1.23 EUR
900+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ40N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 296 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	5.88 EUR
16+	4.7 EUR
21+	3.53 EUR
30+	3.17 EUR
120+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ40N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 296 Stücke:

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13+	5.88 EUR
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WMJ4N150D1

WMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors

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WMJ53N60C2
Produktcode: 183673

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WMJ53N60C4

WMJ53N60C4-CYG THT N channel transistors

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WMJ53N60F2

WMJ53N60F2-CYG THT N channel transistors

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WMJ53N65C4

WMJ53N65C4-CYG THT N channel transistors

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WMJ53N65F2

WMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 10 Stücke:

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11+	6.51 EUR
900+	4.6 EUR

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WMJ60N60EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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WMJ80N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

6+	12.5 EUR
8+	10.02 EUR
10+	7.52 EUR
30+	6.76 EUR
120+	6.26 EUR
300+	5.98 EUR
900+	5.38 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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WMJ80N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	12.5 EUR
8+	10.02 EUR
10+	7.52 EUR
30+	6.76 EUR
120+	6.26 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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WMJ80N60EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	24.15 EUR
4+	19.45 EUR
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30+	13.04 EUR
120+	12.07 EUR
300+	11.54 EUR
900+	11.15 EUR

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WMJ80N60EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	24.15 EUR
4+	19.45 EUR
10+	14.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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WMJ80N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 4 Stücke:

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4+	17.88 EUR

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WMJ80N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	17.88 EUR
10+	9.95 EUR
30+	8.97 EUR
120+	8.31 EUR
300+	7.92 EUR
900+	7.68 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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WMJ80N65C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	15.63 EUR
6+	12.54 EUR
10+	9.4 EUR
30+	8.47 EUR
120+	7.84 EUR
300+	7.48 EUR
900+	6.72 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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WMJ80N65C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	15.63 EUR
6+	12.54 EUR
10+	9.4 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns

auf Bestellung 308 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	11.9 EUR
8+	9.52 EUR
10+	7.15 EUR
30+	6.44 EUR
120+	5.95 EUR
300+	5.68 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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WMJ80N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 308 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

7+	11.9 EUR
8+	9.52 EUR
10+	7.15 EUR
30+	6.44 EUR
120+	5.95 EUR
300+	5.68 EUR
900+	5.62 EUR

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WMJ80R350S

WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 295 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

9+	7.98 EUR
23+	3.25 EUR
24+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N60C4

WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	18.9 EUR
9+	8.04 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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WMJ90N60F2

WMJ90N60F2-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	20.12 EUR
8+	8.98 EUR
9+	8.48 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	20.41 EUR
5+	16.3 EUR
10+	12.21 EUR
30+	11.01 EUR
120+	10.18 EUR
300+	9.72 EUR
900+	8.74 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	20.41 EUR
5+	16.3 EUR
10+	12.21 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	21.49 EUR
5+	17.17 EUR
10+	12.86 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	21.49 EUR
5+	17.17 EUR
10+	12.86 EUR
30+	11.55 EUR
120+	10.71 EUR
300+	10.22 EUR
900+	9.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65SR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	8.25 EUR
10+	7.88 EUR
30+	7.08 EUR
120+	6.91 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65SR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

9+	8.25 EUR
10+	7.88 EUR
30+	7.08 EUR
120+	6.91 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ99N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	22.27 EUR
5+	17.8 EUR
10+	13.36 EUR
30+	12.08 EUR
120+	11.13 EUR
300+	10.6 EUR
900+	10.4 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ99N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	22.27 EUR
5+	17.8 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ99N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	24.6 EUR
4+	19.71 EUR
10+	14.73 EUR
30+	13.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ99N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	24.6 EUR
4+	19.71 EUR
10+	14.73 EUR
30+	13.24 EUR
120+	12.3 EUR
300+	11.77 EUR
900+	11.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ9N150D1

WMJ9N150D1-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

6+	12.37 EUR
13+	5.56 EUR
14+	5.26 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJP32N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 283 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	5.69 EUR
16+	4.55 EUR
22+	3.4 EUR
25+	3.06 EUR
125+	2.85 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJP32N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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