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WMJ020N10HGS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 347.2W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

22+	3.4 EUR
23+	3.22 EUR
26+	2.83 EUR
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Mindestbestellmenge: 22

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WMJ020N10HGS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 347.2W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Case: TO247-3
Kind of package: tube

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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WMJ023N08HGS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 280A; Idm: 1120A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 320.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 280A
Pulsed drain current: 1120A
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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WMJ028N10HGS

WMJ028N10HGS-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

24+	3.05 EUR
34+	2.13 EUR
36+	2 EUR
900+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 24

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WMJ10N80D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	1.84 EUR
49+	1.47 EUR
65+	1.1 EUR
72+	1 EUR
120+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 39

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WMJ10N80D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 216 Stücke:

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WMJ11N150D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 293 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

9+	8.21 EUR
10+	7.25 EUR
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120+	6.31 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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WMJ11N150D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 293 Stücke:

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WMJ12N120D1

WMJ12N120D1-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 203 Stücke:

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34+	2.16 EUR
36+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ130N20JN

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 117A; Idm: 620A; 416W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 188nC
Reverse recovery time: 196ns
On-state resistance: 5.2mΩ
Power dissipation: 416W
Drain current: 117A
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 620A
Kind of package: tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ130N25JN

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 96A; Idm: 435A; 312W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 435A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ15N80M3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 207 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	6.55 EUR
14+	5.23 EUR
19+	3.92 EUR
30+	3.53 EUR
120+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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WMJ15N80M3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 207 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.55 EUR
14+	5.23 EUR
19+	3.92 EUR
30+	3.53 EUR
120+	3.27 EUR
300+	3.12 EUR
900+	2.97 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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WMJ18N50D1B

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	1.6 EUR
56+	1.28 EUR
75+	0.96 EUR
84+	0.86 EUR
120+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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WMJ18N50D1B

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 167 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

45+	1.6 EUR
56+	1.28 EUR
75+	0.96 EUR
84+	0.86 EUR
120+	0.8 EUR
300+	0.76 EUR
900+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 45

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ20N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ220N20HG3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 82A; Idm: 328A; 329W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 329W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ25N50D1B

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	1.73 EUR
53+	1.37 EUR
70+	1.03 EUR
77+	0.93 EUR
120+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ25N50D1B

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

42+	1.73 EUR
53+	1.37 EUR
70+	1.03 EUR
77+	0.93 EUR
120+	0.86 EUR
300+	0.82 EUR
900+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ25N80M3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.39 EUR
13+	5.91 EUR
17+	4.42 EUR
30+	3.99 EUR
120+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ25N80M3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.39 EUR
13+	5.91 EUR
17+	4.42 EUR
30+	3.99 EUR
120+	3.69 EUR
300+	3.52 EUR
900+	3.16 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ26N65FD

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ26N65SR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N50C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 289 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.4 EUR
21+	3.53 EUR
28+	2.65 EUR
31+	2.37 EUR
120+	2.2 EUR
300+	2.1 EUR
900+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 289 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	4.4 EUR
21+	3.53 EUR
28+	2.65 EUR
31+	2.37 EUR
120+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	5.56 EUR
17+	4.45 EUR
22+	3.35 EUR
30+	3 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

13+	5.56 EUR
17+	4.45 EUR
22+	3.35 EUR
30+	3 EUR
120+	2.79 EUR
300+	2.66 EUR
900+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ28N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ30N65EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ36N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 293 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.61 EUR
12+	6.08 EUR
16+	4.56 EUR
30+	4.1 EUR
120+	3.8 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ36N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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WMJ36N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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WMJ36N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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WMJ36N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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WMJ38N60FD

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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WMJ38N65C2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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WMJ38N65FD

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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WMJ3N120D1

WMJ3N120D1-CYG THT N channel transistors

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WMJ3N150D1

WMJ3N150D1-CYG THT N channel transistors

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WMJ40N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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WMJ40N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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WMJ4N150D1

WMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors

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WMJ53N60C2
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WMJ53N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
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Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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WMJ53N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
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Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
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WMJ53N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
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WMJ53N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
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Mounting: THT
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Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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WMJ53N65C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
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Case: TO247-3
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On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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10+	7.15 EUR
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900+	4.25 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ53N65C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	23.84 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ53N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	9.65 EUR
10+	7.15 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ53N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
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Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ60N60EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ60N60EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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WMJ69N30DMH

WMJ69N30DMH-CYG THT N channel transistors

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4+	17.88 EUR
10+	7.15 EUR
900+	4.48 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	12.64 EUR
8+	10.14 EUR
10+	7.61 EUR
30+	6.84 EUR
120+	6.33 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

6+	12.64 EUR
8+	10.14 EUR
10+	7.61 EUR
30+	6.84 EUR
120+	6.33 EUR
300+	6.03 EUR
900+	5.43 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N60EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	24.42 EUR
4+	19.66 EUR
10+	14.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N60EM

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	24.42 EUR
4+	19.66 EUR
10+	14.59 EUR
30+	13.18 EUR
120+	12.21 EUR
300+	11.67 EUR
900+	11.14 EUR

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WMJ80N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	17.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ80N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4 Stücke:

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4+	17.88 EUR
10+	10.07 EUR
30+	9.07 EUR
120+	8.39 EUR
300+	8.01 EUR
900+	7.66 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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WMJ80N65C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	15.99 EUR
6+	12.84 EUR
10+	9.62 EUR

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WMJ80N65C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	15.99 EUR
6+	12.84 EUR
10+	9.62 EUR
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120+	8.02 EUR
300+	7.65 EUR
900+	6.88 EUR

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WMJ80N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns

auf Bestellung 308 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	12.18 EUR
8+	9.75 EUR
10+	7.31 EUR
30+	6.58 EUR
120+	6.09 EUR
300+	5.81 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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WMJ80N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 308 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

6+	12.18 EUR
8+	9.75 EUR
10+	7.31 EUR
30+	6.58 EUR
120+	6.09 EUR
300+	5.81 EUR
900+	5.58 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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WMJ80R350S

WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.94 EUR
23+	3.22 EUR
24+	3.05 EUR
900+	2.97 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N60C4

WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	19.19 EUR
9+	8.01 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	18.09 EUR
5+	14.39 EUR
10+	10.83 EUR
30+	9.75 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	18.09 EUR
5+	14.39 EUR
10+	10.83 EUR
30+	9.75 EUR
120+	9.02 EUR
300+	8.61 EUR
900+	8.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	20.59 EUR
5+	16.44 EUR
10+	12.31 EUR
30+	11.11 EUR
120+	10.27 EUR
300+	9.81 EUR
900+	8.81 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	20.59 EUR
5+	16.44 EUR
10+	12.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	21.68 EUR
5+	17.32 EUR
10+	12.97 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	21.68 EUR
5+	17.32 EUR
10+	12.97 EUR
30+	11.65 EUR
120+	10.81 EUR
300+	10.31 EUR
900+	9.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65SR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 187 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	9.12 EUR
9+	8.44 EUR
10+	8.07 EUR
30+	7.25 EUR
120+	6.88 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ90N65SR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 187 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

8+	9.12 EUR
9+	8.44 EUR
10+	8.07 EUR
30+	7.25 EUR
120+	6.88 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ99N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	18.26 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ99N60C4

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	18.26 EUR
10+	13.7 EUR
30+	12.4 EUR
120+	11.41 EUR
300+	10.87 EUR
900+	10.34 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ99N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	25.23 EUR
4+	20.22 EUR
10+	15.12 EUR
30+	13.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ99N60F2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	25.23 EUR
4+	20.22 EUR
10+	15.12 EUR
30+	13.58 EUR
120+	12.61 EUR
300+	12.07 EUR
900+	11.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ9N150D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

7+	11.1 EUR
9+	8.87 EUR
11+	6.65 EUR
30+	5.98 EUR
120+	5.53 EUR
300+	5.29 EUR
900+	5.03 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJ9N150D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	11.1 EUR
9+	8.87 EUR
11+	6.65 EUR
30+	5.98 EUR
120+	5.53 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJP32N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	5.71 EUR
16+	4.56 EUR
21+	3.42 EUR
25+	3.07 EUR
125+	2.85 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

WMJP32N50D1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

13+	5.71 EUR
16+	4.56 EUR
21+	3.42 EUR
25+	3.07 EUR
125+	2.85 EUR
300+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH