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FGA25N120ANTD FGA25N120ANTD
Produktcode: 34959
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FAIR FGA25N120ANTD FAIR IGPT.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 1200
Vce: 2
Ic 25: 50
Ic 100: 25
Pd 25: 312
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190
auf Bestellung 185 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
25N120
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF65219119111BF&compId=IGW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=9258e69204c2cff897bd1a4684199a4b9a1e5ab7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5 EUR
17+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 Infineon DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+13.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF65219119111BF&compId=IGW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=9258e69204c2cff897bd1a4684199a4b9a1e5ab7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5 EUR
17+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.55 EUR
30+4.22 EUR
120+3.49 EUR
510+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW25N120H3-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.57 EUR
10+4.24 EUR
100+3.5 EUR
480+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3XK IGW25N120H3XK Infineon Technologies Infineon-IGW25N120H3-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.66 EUR
10+5.09 EUR
100+4.05 EUR
480+3.57 EUR
1200+3.06 EUR
2640+2.96 EUR
5040+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC709B02919820&compId=IHW25N120E1.pdf?ci_sign=044805b42bcb3062c7f87ce990fa46fd76a11e9d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.52 EUR
24+2.99 EUR
30+2.57 EUR
60+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC709B02919820&compId=IHW25N120E1.pdf?ci_sign=044805b42bcb3062c7f87ce990fa46fd76a11e9d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.52 EUR
24+2.99 EUR
30+2.57 EUR
60+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW25N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2acb89b20c1 Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 800µJ (off)
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 231 W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW25N120E1-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.26 EUR
10+3.43 EUR
100+2.62 EUR
480+2.2 EUR
1200+1.88 EUR
2640+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3 IKW25N120H3 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.87 EUR
10+6.2 EUR
100+5.02 EUR
480+4.45 EUR
1200+3.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4AFA32A35D1CC&compId=IKW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=a514e131da34fbe6b92466a983691a3367199936 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.21 EUR
13+5.92 EUR
14+5.13 EUR
16+4.66 EUR
20+4 EUR
30+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4AFA32A35D1CC&compId=IKW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=a514e131da34fbe6b92466a983691a3367199936 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.21 EUR
13+5.92 EUR
14+5.13 EUR
16+4.66 EUR
20+4 EUR
30+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+8.89 EUR
30+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.73 EUR
10+5.02 EUR
100+4.21 EUR
480+3.89 EUR
1200+3.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3XK IKW25N120H3XK Infineon Technologies Infineon-IKW25N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.87 EUR
10+5.68 EUR
100+4.77 EUR
480+4.33 EUR
1200+3.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2 IKW25N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW25N120T2_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+5.21 EUR
100+4.33 EUR
480+3.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B445A567FCC469&compId=IKW25N120T2.pdf?ci_sign=f5d440dc422e32eecd5cb390c0ed98526ec247c5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.29 EUR
13+5.51 EUR
20+4.89 EUR
30+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B445A567FCC469&compId=IKW25N120T2.pdf?ci_sign=f5d440dc422e32eecd5cb390c0ed98526ec247c5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.29 EUR
13+5.51 EUR
20+4.89 EUR
30+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 Infineon IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.13 EUR
30+5.18 EUR
120+4.32 EUR
510+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P25N120KD-EPBF IRG8P25N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 40A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 9825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
64+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P25N120KDPBF IRG8P25N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 40A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 13743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
76+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ25N120R1 IXSJ25N120R1 IXYS Littelfuse_05-29-2025_Power-Semiconductor-SiC-MOSFET-IXSJ25N120R1-Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.8 EUR
10+15.52 EUR
120+13.43 EUR
510+12.71 EUR
1020+10.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ25N120R1 IXSJ25N120R1 IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsj25n120r1-datasheet?assetguid=41aa58a1-83ff-4308-9387-9a356004e0b6 Description: 1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 75.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.3mA
Supplier Device Package: ISO247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1435 pF @ 800 V
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.5 EUR
30+12.45 EUR
120+10.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JNG25N120HS JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 30V; 45A; 80A; 220W; 4,5V~5,5V; 130nC; -55°C~150°C; JNG25N120HS JIAENSEMI TJNG25n120hs
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 460ns
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.7 EUR
30+2.43 EUR
34+2.14 EUR
36+2 EUR
120+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 460ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.7 EUR
30+2.43 EUR
34+2.14 EUR
36+2 EUR
120+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MIW25N120FA-BP MIW25N120FA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW25N120FA(TO-247AB).pdf IGBTs
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.1 EUR
10+6.34 EUR
100+4.58 EUR
500+4.26 EUR
1000+4.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WAG NGTB25N120FL2WAG onsemi ngtb25n120fl2wa-d.pdf Description: IGBT FS 1200V 100A TO-247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 8762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
104+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG onsemi ngtb25n120fl2w-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.92 EUR
30+7.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WG onsemi NGTB25N120FL2W-D.PDF IGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.92 EUR
10+7.57 EUR
120+6.37 EUR
540+5.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG onsemi NGTB25N120FL3W-D.PDF IGBTs IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.49 EUR
10+6.37 EUR
120+5.81 EUR
540+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG onsemi ngtb25n120fl3w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 299978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.48 EUR
30+6.64 EUR
120+5.57 EUR
510+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG25N120FL2WG NGTG25N120FL2WG onsemi ONSMS38797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 48084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
99+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H-BP SICW025N120H-BP Micro Commercial Components (MCC) SICW025N120H(TO-247AB).pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26 EUR
10+20.82 EUR
100+18.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H-BP SICW025N120H-BP MCC (Micro Commercial Components) SICW025N120H(TO-247AB).pdf Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.73 EUR
10+19.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H4-BP SICW025N120H4-BP MCC (Micro Commercial Components) SICW025N120H4(TO-247-4).pdf Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.89 EUR
10+19.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H4-BP SICW025N120H4-BP Micro Commercial Components (MCC) SICW025N120H4_TO_247_4_.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.22 EUR
10+21 EUR
100+19.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120Y-BP SICW025N120Y-BP MCC (Micro Commercial Components) SICW025N120Y(TO-247AB).pdf Description: SIC N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 800 V
Packaging: Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.71 EUR
10+17.49 EUR
360+13.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IKW25N120T2FKSA1 Infineon Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=50A; Pdmax=349W
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+33.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6MBI25N-120 FUJI MODULE
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120AN
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor fga25n120antdtu-d.pdf
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120D FAIRCHILD 2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25N120FTDS ON Semiconductor fgh25n120ftds-d.pdf
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA25N120D XI.M.Z 2002 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G25N120 TOSHIBA 2002 TO-3PL
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G25N120CND FAIR ZIP-3;
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 Infineon DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120 MODULE
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120R2 Infineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGY25N120CX
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120SWG ON Semiconductor ngtb25n120sw-d.pdf
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SDH25N120P SW 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SDL25N120P SW 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGA25N120ANTD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120ANTD
Produktcode: 34959
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FGA25N120ANTD FAIR IGPT.pdf
FGA25N120ANTD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 1200
Vce: 2
Ic 25: 50
Ic 100: 25
Pd 25: 312
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190
auf Bestellung 185 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
25N120
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF65219119111BF&compId=IGW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=9258e69204c2cff897bd1a4684199a4b9a1e5ab7
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5 EUR
17+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+13.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF65219119111BF&compId=IGW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=9258e69204c2cff897bd1a4684199a4b9a1e5ab7
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5 EUR
17+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.55 EUR
30+4.22 EUR
120+3.49 EUR
510+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 Infineon-IGW25N120H3-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
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1+7.57 EUR
10+4.24 EUR
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480+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3XK Infineon-IGW25N120H3-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IGW25N120H3XK
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
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480+3.57 EUR
1200+3.06 EUR
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5040+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC709B02919820&compId=IHW25N120E1.pdf?ci_sign=044805b42bcb3062c7f87ce990fa46fd76a11e9d
IHW25N120E1XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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16+4.52 EUR
24+2.99 EUR
30+2.57 EUR
60+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC709B02919820&compId=IHW25N120E1.pdf?ci_sign=044805b42bcb3062c7f87ce990fa46fd76a11e9d
IHW25N120E1XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
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Anzahl Preis
16+4.52 EUR
24+2.99 EUR
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IHW25N120E1XKSA1 Infineon-IHW25N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2acb89b20c1
IHW25N120E1XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 800µJ (off)
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 231 W
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120E1XKSA1 Infineon-IHW25N120E1-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
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1+5.26 EUR
10+3.43 EUR
100+2.62 EUR
480+2.2 EUR
1200+1.88 EUR
2640+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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Anzahl Preis
5+11.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3 Infineon-IKW25N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW25N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
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1+8.87 EUR
10+6.2 EUR
100+5.02 EUR
480+4.45 EUR
1200+3.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4AFA32A35D1CC&compId=IKW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=a514e131da34fbe6b92466a983691a3367199936
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.21 EUR
13+5.92 EUR
14+5.13 EUR
16+4.66 EUR
20+4 EUR
30+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4AFA32A35D1CC&compId=IKW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=a514e131da34fbe6b92466a983691a3367199936
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.21 EUR
13+5.92 EUR
14+5.13 EUR
16+4.66 EUR
20+4 EUR
30+3.99 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+8.89 EUR
30+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 Infineon-IKW25N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 754 Stücke:
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Anzahl Preis
1+8.73 EUR
10+5.02 EUR
100+4.21 EUR
480+3.89 EUR
1200+3.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3XK Infineon-IKW25N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW25N120H3XK
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.87 EUR
10+5.68 EUR
100+4.77 EUR
480+4.33 EUR
1200+3.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2 Infineon_IKW25N120T2_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IKW25N120T2
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.13 EUR
10+5.21 EUR
100+4.33 EUR
480+3.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B445A567FCC469&compId=IKW25N120T2.pdf?ci_sign=f5d440dc422e32eecd5cb390c0ed98526ec247c5
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.29 EUR
13+5.51 EUR
20+4.89 EUR
30+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B445A567FCC469&compId=IKW25N120T2.pdf?ci_sign=f5d440dc422e32eecd5cb390c0ed98526ec247c5
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.29 EUR
13+5.51 EUR
20+4.89 EUR
30+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.13 EUR
30+5.18 EUR
120+4.32 EUR
510+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P25N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P25N120KD-EPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 40A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 9825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P25N120KDPBF IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P25N120KDPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 40A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 13743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ25N120R1 Littelfuse_05-29-2025_Power-Semiconductor-SiC-MOSFET-IXSJ25N120R1-Datasheet.pdf
IXSJ25N120R1
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.8 EUR
10+15.52 EUR
120+13.43 EUR
510+12.71 EUR
1020+10.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ25N120R1 power-semiconductor-sic-mosfet-ixsj25n120r1-datasheet?assetguid=41aa58a1-83ff-4308-9387-9a356004e0b6
IXSJ25N120R1
Hersteller: IXYS
Description: 1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 75.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.3mA
Supplier Device Package: ISO247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1435 pF @ 800 V
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.5 EUR
30+12.45 EUR
120+10.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JNG25N120HS
Hersteller: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 30V; 45A; 80A; 220W; 4,5V~5,5V; 130nC; -55°C~150°C; JNG25N120HS JIAENSEMI TJNG25n120hs
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW25N120S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf
LGEGW25N120S
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 460ns
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.7 EUR
30+2.43 EUR
34+2.14 EUR
36+2 EUR
120+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW25N120S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf
LGEGW25N120S
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 460ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.7 EUR
30+2.43 EUR
34+2.14 EUR
36+2 EUR
120+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MIW25N120FA-BP MIW25N120FA(TO-247AB).pdf
MIW25N120FA-BP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
auf Bestellung 894 Stücke:
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1+9.1 EUR
10+6.34 EUR
100+4.58 EUR
500+4.26 EUR
1000+4.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WAG ngtb25n120fl2wa-d.pdf
NGTB25N120FL2WAG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FS 1200V 100A TO-247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 8762 Stücke:
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Anzahl Preis
104+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WG ngtb25n120fl2w-d.pdf
NGTB25N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.92 EUR
30+7.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2W-D.PDF
Hersteller: onsemi
IGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.92 EUR
10+7.57 EUR
120+6.37 EUR
540+5.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3W-D.PDF
NGTB25N120FL3WG
Hersteller: onsemi
IGBTs IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.49 EUR
10+6.37 EUR
120+5.81 EUR
540+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WG ngtb25n120fl3w-d.pdf
NGTB25N120FL3WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 299978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.48 EUR
30+6.64 EUR
120+5.57 EUR
510+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG25N120FL2WG ONSMS38797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NGTG25N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 48084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H-BP SICW025N120H(TO-247AB).pdf
SICW025N120H-BP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
auf Bestellung 357 Stücke:
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1+26 EUR
10+20.82 EUR
100+18.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H-BP SICW025N120H(TO-247AB).pdf
SICW025N120H-BP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.73 EUR
10+19.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H4-BP SICW025N120H4(TO-247-4).pdf
SICW025N120H4-BP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.89 EUR
10+19.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H4-BP SICW025N120H4_TO_247_4_.pdf
SICW025N120H4-BP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.22 EUR
10+21 EUR
100+19.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120Y-BP SICW025N120Y(TO-247AB).pdf
SICW025N120Y-BP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: SIC N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 800 V
Packaging: Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.71 EUR
10+17.49 EUR
360+13.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=50A; Pdmax=349W
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+33.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6MBI25N-120
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120AN
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120ANTDTU-F109 fga25n120antdtu-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120D
Hersteller: FAIRCHILD
2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25N120FTDS fgh25n120ftds-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA25N120D
Hersteller: XI.M.Z
2002 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G25N120
Hersteller: TOSHIBA
2002 TO-3PL
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G25N120CND
Hersteller: FAIR
ZIP-3;
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120
MODULE
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120R2
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGY25N120CX
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120SWG ngtb25n120sw-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SDH25N120P
Hersteller: SW
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SDL25N120P
Hersteller: SW
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGA25N120ANTD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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