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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGA25N120ANTD (FGA25N120ANTDTU_F109) FGA25N120ANTD (FGA25N120ANTDTU_F109)
Produktcode: 34959
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ON FGA25N120ANTD FAIR IGPT.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,0 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 50 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 25 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 312 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 50/190
auf Bestellung: 113 St.
  • 113 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+8.38 EUR
100+8.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
25N120
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGBG25N120S7ATMA1 AIGBG25N120S7ATMA1 Infineon Technologies AIGBG25N120S7ATMA1.pdf Description: AIGBG25N120S7ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12.9ns/120ns
Switching Energy: 200µJ (on), 1.47mJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 4.5Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
10+5.64 EUR
100+3.99 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGBG25N120S7ATMA1 AIGBG25N120S7ATMA1 Infineon Technologies AIGBG25N120S7ATMA1.pdf Description: AIGBG25N120S7ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12.9ns/120ns
Switching Energy: 200µJ (on), 1.47mJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 4.5Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGBG25N120S7ATMA1 AIGBG25N120S7ATMA1 Infineon Technologies infineon_aigbg25n120s7_datasheet_en.pdf IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.92 EUR
10+5.84 EUR
100+4.36 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.39 EUR
2000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKWH25N120CS7XKSA1 AIKWH25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon_aikwh25n120cs7_datasheet_en.pdf IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.55 EUR
10+9.72 EUR
100+7.81 EUR
480+6.95 EUR
1200+5.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKWH25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw25n120cs7-datasheet-en.pdf Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.37 EUR
10+7.13 EUR
25+6.58 EUR
240+5.69 EUR
480+5.51 EUR
720+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKZH25N120CS7XKSA1 AIKZH25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon_aikzh25n120cs7_datasheet_en.pdf IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.04 EUR
10+10.08 EUR
100+8.08 EUR
480+7.19 EUR
1200+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKZH25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw25n120cs7-datasheet-en.pdf Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.75 EUR
10+8.22 EUR
25+7.59 EUR
240+6.59 EUR
480+6.39 EUR
720+6.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.53 EUR
16+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon info-tigw25n120h3.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+12.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW25N120H3-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 3584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.94 EUR
10+7.14 EUR
100+5.26 EUR
480+4.69 EUR
1200+4.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.02 EUR
30+6.22 EUR
120+5.16 EUR
510+4.39 EUR
1020+4.11 EUR
2010+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3XK IGW25N120H3XK Infineon Technologies Infineon-IGW25N120H3-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.64 EUR
10+6.97 EUR
100+5.21 EUR
480+4.33 EUR
1200+4.05 EUR
2640+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW25N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120CS7.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 490ns
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 38ns
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.82 EUR
19+4.52 EUR
30+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97da3d005a3 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.94 EUR
30+6.78 EUR
120+5.65 EUR
510+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3 IKW25N120H3 Infineon info-tikw25n120h3.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3 IKW25N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.52 EUR
10+8.19 EUR
100+6.03 EUR
480+5.34 EUR
1200+4.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.88 EUR
12+7.37 EUR
14+6.26 EUR
15+5.71 EUR
20+5 EUR
30+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.17 EUR
10+6.95 EUR
100+5.81 EUR
480+4.94 EUR
1200+4.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.38 EUR
30+7.06 EUR
120+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3XK IKW25N120H3XK Infineon Technologies Infineon_IKW25N120H3_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.29 EUR
10+8.07 EUR
100+5.95 EUR
480+4.99 EUR
1200+4.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2 IKW25N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW25N120T2_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.04 EUR
10+8.73 EUR
100+6.14 EUR
480+6.12 EUR
1200+5.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Collector current: 50A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 349W
Gate charge: 0.12µC
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.27 EUR
14+6.16 EUR
20+5.5 EUR
30+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Infineon info-tikw25n120t2.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.9 EUR
30+7.37 EUR
120+6.15 EUR
510+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P25N120KD-EPBF IRG8P25N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 40A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 9825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
64+8.6 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P25N120KDPBF IRG8P25N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 40A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 13743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
76+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ25N120R1 IXSJ25N120R1 IXYS Littelfuse_05-29-2025_Power-Semiconductor-SiC-MOSFET-IXSJ25N120R1-Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.16 EUR
10+17.89 EUR
120+16.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ25N120R1 IXSJ25N120R1 IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsj25n120r1-datasheet?assetguid=41aa58a1-83ff-4308-9387-9a356004e0b6 Description: 1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 75.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.3mA
Supplier Device Package: ISO247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1435 pF @ 800 V
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.71 EUR
30+18.22 EUR
120+15.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JNG25N120HS JNG25N120HS JIAENSEMI TJNG25n120hs_JIAENSEMI_0001.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 30V; 45A; 80A; 220W; 4,5V~5,5V; 130nC; -55°C~150°C; JNG25N120HS JIAENSEMI TJNG25n120hs
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC LGEGW25N120S.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Turn-off time: 460ns
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 100W
Gate charge: 130nC
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 57ns
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.44 EUR
28+3.08 EUR
32+2.73 EUR
34+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WAG NGTB25N120FL2WAG onsemi ngtb25n120fl2wa-d.pdf Description: IGBT FS 1200V 100A TO-247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 8762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
104+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG onsemi ngtb25n120fl2w-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG onsemi ngtb25n120fl2w-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
auf Bestellung 66548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
61+9.07 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WG onsemi ngtb25n120fl2w-d.pdf IGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.41 EUR
10+9.01 EUR
120+7.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG onsemi ngtb25n120fl3w-d.pdf IGBTs IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.7 EUR
10+7.91 EUR
120+6.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG onsemi ngtb25n120fl3w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG25N120FL2WG NGTG25N120FL2WG onsemi ONSMS38797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 48084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
104+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTCL0625N120RY5 PTCL0625N120RY5 C&B/RESI PTCL.pdf Description: ICL 120 OHM 30% 14MM 625VDC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±30%
Diameter: 0.551" (14.00mm)
Lead Spacing: 0.709" (18.00mm)
R @ 25°C: 120 Ohms
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
200+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YGW25N120TMB1 LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 273W; 4,4V~6,0V; 97nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW25N120H3FKSA1; IKW25N120T2FKSA1; YGW25N120TMB1 LUXIN-SEMI TYGW25n120tmb1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6MBI25N-120 FUJI MODULE
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120AN
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120ANTDTU ONN fga25n120antdtu-d.pdf
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor fga25n120antdtu-d.pdf
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120D FAIRCHILD 2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25N120FTDS ON Semiconductor fgh25n120ftds-d.pdf
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA25N120D XI.M.Z 2002 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G25N120 TOSHIBA 2002 TO-3PL
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G25N120CND FAIR ZIP-3;
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 Infineon DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120 MODULE
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120R2 Infineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGY25N120CX
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120SWG ON Semiconductor ngtb25n120sw-d.pdf
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SDH25N120P SW 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SDL25N120P SW 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGA25N120ANTD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGH25N120RUF
auf Bestellung 6491 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120ANTD (FGA25N120ANTDTU_F109)
Produktcode: 34959
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FGA25N120ANTD FAIR IGPT.pdf
FGA25N120ANTD (FGA25N120ANTDTU_F109)
Hersteller: ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,0 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 50 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 25 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 312 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 50/190
auf Bestellung: 113 St.
  • 113 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.82 EUR
10+8.38 EUR
100+8.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
25N120
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGBG25N120S7ATMA1 AIGBG25N120S7ATMA1.pdf
AIGBG25N120S7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: AIGBG25N120S7ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12.9ns/120ns
Switching Energy: 200µJ (on), 1.47mJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 4.5Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.54 EUR
10+5.64 EUR
100+3.99 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGBG25N120S7ATMA1 AIGBG25N120S7ATMA1.pdf
AIGBG25N120S7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: AIGBG25N120S7ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12.9ns/120ns
Switching Energy: 200µJ (on), 1.47mJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 4.5Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGBG25N120S7ATMA1 infineon_aigbg25n120s7_datasheet_en.pdf
AIGBG25N120S7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.92 EUR
10+5.84 EUR
100+4.36 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.39 EUR
2000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKWH25N120CS7XKSA1 infineon_aikwh25n120cs7_datasheet_en.pdf
AIKWH25N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.55 EUR
10+9.72 EUR
100+7.81 EUR
480+6.95 EUR
1200+5.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKWH25N120CS7XKSA1 infineon-ikw25n120cs7-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.37 EUR
10+7.13 EUR
25+6.58 EUR
240+5.69 EUR
480+5.51 EUR
720+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKZH25N120CS7XKSA1 infineon_aikzh25n120cs7_datasheet_en.pdf
AIKZH25N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.04 EUR
10+10.08 EUR
100+8.08 EUR
480+7.19 EUR
1200+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKZH25N120CS7XKSA1 infineon-ikw25n120cs7-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.75 EUR
10+8.22 EUR
25+7.59 EUR
240+6.59 EUR
480+6.39 EUR
720+6.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3-DTE.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+6.53 EUR
16+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 info-tigw25n120h3.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+12.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 Infineon-IGW25N120H3-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 3584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.94 EUR
10+7.14 EUR
100+5.26 EUR
480+4.69 EUR
1200+4.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.02 EUR
30+6.22 EUR
120+5.16 EUR
510+4.39 EUR
1020+4.11 EUR
2010+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3XK Infineon-IGW25N120H3-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IGW25N120H3XK
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.64 EUR
10+6.97 EUR
100+5.21 EUR
480+4.33 EUR
1200+4.05 EUR
2640+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7.pdf
IKW25N120CS7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 490ns
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 38ns
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+5.82 EUR
19+4.52 EUR
30+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120CS7XKSA1 Infineon-IKW25N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97da3d005a3
IKW25N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.94 EUR
30+6.78 EUR
120+5.65 EUR
510+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3 info-tikw25n120h3.pdf
IKW25N120H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+14.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3 Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW25N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.52 EUR
10+8.19 EUR
100+6.03 EUR
480+5.34 EUR
1200+4.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+7.88 EUR
12+7.37 EUR
14+6.26 EUR
15+5.71 EUR
20+5 EUR
30+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 Infineon-IKW25N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.17 EUR
10+6.95 EUR
100+5.81 EUR
480+4.94 EUR
1200+4.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3FKSA1 Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.38 EUR
30+7.06 EUR
120+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120H3XK Infineon_IKW25N120H3_DS_v02_01_EN.pdf
IKW25N120H3XK
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.29 EUR
10+8.07 EUR
100+5.95 EUR
480+4.99 EUR
1200+4.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2 Infineon_IKW25N120T2_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IKW25N120T2
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.04 EUR
10+8.73 EUR
100+6.14 EUR
480+6.12 EUR
1200+5.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Collector current: 50A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 349W
Gate charge: 0.12µC
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+7.27 EUR
14+6.16 EUR
20+5.5 EUR
30+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 info-tikw25n120t2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+14.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.9 EUR
30+7.37 EUR
120+6.15 EUR
510+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P25N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P25N120KD-EPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 40A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 9825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+8.6 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P25N120KDPBF IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P25N120KDPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 40A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 13743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ25N120R1 Littelfuse_05-29-2025_Power-Semiconductor-SiC-MOSFET-IXSJ25N120R1-Datasheet.pdf
IXSJ25N120R1
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+29.16 EUR
10+17.89 EUR
120+16.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSJ25N120R1 power-semiconductor-sic-mosfet-ixsj25n120r1-datasheet?assetguid=41aa58a1-83ff-4308-9387-9a356004e0b6
IXSJ25N120R1
Hersteller: IXYS
Description: 1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 75.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.3mA
Supplier Device Package: ISO247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1435 pF @ 800 V
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+29.71 EUR
30+18.22 EUR
120+15.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JNG25N120HS TJNG25n120hs_JIAENSEMI_0001.pdf
JNG25N120HS
Hersteller: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 30V; 45A; 80A; 220W; 4,5V~5,5V; 130nC; -55°C~150°C; JNG25N120HS JIAENSEMI TJNG25n120hs
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW25N120S LGEGW25N120S.pdf
LGEGW25N120S
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Turn-off time: 460ns
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 100W
Gate charge: 130nC
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 57ns
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+3.44 EUR
28+3.08 EUR
32+2.73 EUR
34+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WAG ngtb25n120fl2wa-d.pdf
NGTB25N120FL2WAG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FS 1200V 100A TO-247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 8762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WG ngtb25n120fl2w-d.pdf
NGTB25N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WG ngtb25n120fl2w-d.pdf
NGTB25N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
auf Bestellung 66548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+9.07 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL2WG ngtb25n120fl2w-d.pdf
Hersteller: onsemi
IGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.41 EUR
10+9.01 EUR
120+7.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WG ngtb25n120fl3w-d.pdf
NGTB25N120FL3WG
Hersteller: onsemi
IGBTs IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.7 EUR
10+7.91 EUR
120+6.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB25N120FL3WG ngtb25n120fl3w-d.pdf
NGTB25N120FL3WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTG25N120FL2WG ONSMS38797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NGTG25N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 48084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTCL0625N120RY5 PTCL.pdf
PTCL0625N120RY5
Hersteller: C&B/RESI
Description: ICL 120 OHM 30% 14MM 625VDC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±30%
Diameter: 0.551" (14.00mm)
Lead Spacing: 0.709" (18.00mm)
R @ 25°C: 120 Ohms
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YGW25N120TMB1
Hersteller: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 273W; 4,4V~6,0V; 97nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW25N120H3FKSA1; IKW25N120T2FKSA1; YGW25N120TMB1 LUXIN-SEMI TYGW25n120tmb1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6MBI25N-120
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120AN
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120ANTDTU fga25n120antdtu-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120ANTDTU-F109 fga25n120antdtu-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA25N120D
Hersteller: FAIRCHILD
2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH25N120FTDS fgh25n120ftds-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA25N120D
Hersteller: XI.M.Z
2002 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G25N120
Hersteller: TOSHIBA
2002 TO-3PL
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G25N120CND
Hersteller: FAIR
ZIP-3;
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120
MODULE
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW25N120R2
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGY25N120CX
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NGTB25N120SWG ngtb25n120sw-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SDH25N120P
Hersteller: SW
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SDL25N120P
Hersteller: SW
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGA25N120ANTD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGH25N120RUF
auf Bestellung 6491 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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