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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 83 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 164 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50 STP20NM50
Produktcode: 2175
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ST STP20NM50.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 32 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.46 EUR
10+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20N02LS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20N06
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NK60Z
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM50
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM50FP
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM50FP(STP20NM50F
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM60 ST 09+
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM60FP
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0402HP-20NXGRW Coilcraft 0402hp.pdf RF Inductors - SMD 1005 20nH Unshld 2% 780mA 155mOhms
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.02 EUR
10+1.72 EUR
25+1.57 EUR
100+1.22 EUR
250+1.13 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0402HP-20NXJRW Coilcraft 0402hp.pdf RF Inductors - SMD 1005 20nH Unshld 5% 780mA 155mOhms
auf Bestellung 1255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+1.35 EUR
25+1.22 EUR
100+0.96 EUR
250+0.88 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 32ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 241ns
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5 EUR
17+4.43 EUR
18+3.98 EUR
50+3.7 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 32ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 241ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5 EUR
17+4.43 EUR
18+3.98 EUR
50+3.7 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DP 20 N PIERGIACOMI PG-DP-20-N Special Pliers
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.15 EUR
4+23.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.96 EUR
16+4.65 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.96 EUR
16+4.65 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 onsemi / Fairchild 3B10EF980FCEF77A9F6DE91565C6C400E1F61CD71A63844A2451F8C432B505F0.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.44 EUR
10+4.38 EUR
100+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDP20N50F ONSEMI FDPF20N50FT-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 65nC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.83 EUR
23+3.12 EUR
50+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDP20N50F onsemi / Fairchild F088C4037C4435EBED33506CF6152B29A56D76EA9FF6FC50D1DE27030A90E18F.pdf MOSFETs 500V N-Channel
auf Bestellung 9221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.72 EUR
10+2.6 EUR
100+2.55 EUR
500+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP20N06L Fairchild fqp20n06l-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55°C ~ 175°C; FQP20N06L TFQP20n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3 IGP20N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGP20N60H3-DS-v02_02-en.pdf IGBTs IGBT 600V
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+1.5 EUR
100+1.24 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.77 EUR
31+2.37 EUR
36+2.02 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
31+2.37 EUR
36+2.02 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65F5 IGP20N65F5 Infineon Technologies Infineon-IGP20N65F5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.48 EUR
10+1.71 EUR
100+1.53 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.19 EUR
5000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF45CC1373491CC&compId=IGP20N65F5-DTE.pdf?ci_sign=3da43c893a5e6f0f6715adc8e1d051dfed694190 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.33 EUR
31+2.37 EUR
50+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF45CC1373491CC&compId=IGP20N65F5-DTE.pdf?ci_sign=3da43c893a5e6f0f6715adc8e1d051dfed694190 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.33 EUR
31+2.37 EUR
50+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65H5 IGP20N65H5 Infineon Technologies Infineon-IGP20N65H5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.48 EUR
10+1.71 EUR
100+1.53 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.03 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3 IKP20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.01 EUR
10+2.11 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.27 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T Infineon INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T IKP20N60T Infineon Technologies Infineon-IKP20N60T-DS-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+2.34 EUR
100+1.87 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 299ns
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.53 EUR
25+2.97 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 299ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
25+2.97 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65F5 IKP20N65F5 Infineon Technologies Infineon-IKP20N65F5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.7 EUR
10+2.34 EUR
100+2.11 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.85 EUR
2500+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65H5 IKP20N65H5 Infineon Technologies Infineon-IKP20N65H5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
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IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
auf Bestellung 426 Stücke:
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IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 426 Stücke:
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IXFP20N85X IXFP20N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
auf Bestellung 20 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 20
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IXFP20N85X IXFP20N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
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IXFP20N85X IXFP20N85X IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_20N85X_Datasheet.PDF MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
auf Bestellung 26 Stücke:
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IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
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8+9.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
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IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_20N120A3_Datasheet.PDF IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
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IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
auf Bestellung 37 Stücke:
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IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
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Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYP20N120C3 IXYP20N120C3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_20N120C3_Datasheet.PDF IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
auf Bestellung 36 Stücke:
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100+4.75 EUR
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IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.08 EUR
21+3.43 EUR
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IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
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IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_20N65C3D1_Datasheet.PDF IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
auf Bestellung 568 Stücke:
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LMV1012UP-20/NOPB LMV1012UP-20/NOPB Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flmv1012 Microphone Preamplifiers Analog input microph one preamplifier for
auf Bestellung 396 Stücke:
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250+0.83 EUR
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MHQ0603P20NHT000 MHQ0603P20NHT000 TDK inductor_commercial_high-frequency_mhq0603p_en.pdf RF Inductors - SMD IND 0201 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 1767 Stücke:
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11+0.26 EUR
20+0.14 EUR
25+0.13 EUR
100+0.11 EUR
250+0.1 EUR
1000+0.086 EUR
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MHQ0603P20NHTD25 MHQ0603P20NHTD25 TDK inductor_commercial_high-frequency_mhq0603p_en.pdf RF Inductors - SMD 0201 20nH Tol 3% AEC-Q200
auf Bestellung 2020 Stücke:
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11+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
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5000+0.099 EUR
10000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MHQ0603P20NJT000 MHQ0603P20NJT000 TDK inductor_commercial_high-frequency_mhq0603p_en.pdf RF Inductors - SMD IND 0201 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 14940 Stücke:
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7+0.42 EUR
13+0.23 EUR
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250+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
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MHQ1005P20NGT000 MHQ1005P20NGT000 TDK inductor_commercial_high-frequency_mhq1005p_en.pdf RF Inductors - SMD IND 0402 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 7571 Stücke:
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11+0.27 EUR
13+0.22 EUR
25+0.2 EUR
100+0.16 EUR
250+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MHQ1005P20NHT000 MHQ1005P20NHT000 TDK inductor_commercial_high-frequency_mhq1005p_en.pdf RF Inductors - SMD IND 0402 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 6076 Stücke:
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15+0.2 EUR
18+0.16 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.097 EUR
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Mindestbestellmenge: 15
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MLG0603P20NHT000 MLG0603P20NHT000 TDK inductor_commercial_high-frequency_mlg0603p_en.pdf RF Inductors - SMD IND 0201 20nH Hi-Q SMD RF IND
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19+0.15 EUR
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54+0.053 EUR
100+0.042 EUR
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1000+0.033 EUR
2500+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 83 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 164 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP20NM50
Produktcode: 2175
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STP20NM50.pdf
STP20NM50
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 32 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.46 EUR
10+2.14 EUR
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P20N02LS
auf Bestellung 1000 Stücke:
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P20N06
auf Bestellung 5750 Stücke:
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P20NK60Z
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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P20NM50
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM50FP
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM50FP(STP20NM50F
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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P20NM60
Hersteller: ST
09+
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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P20NM60FP
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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0402HP-20NXGRW 0402hp.pdf
Hersteller: Coilcraft
RF Inductors - SMD 1005 20nH Unshld 2% 780mA 155mOhms
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+1.72 EUR
25+1.57 EUR
100+1.22 EUR
250+1.13 EUR
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1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0402HP-20NXJRW 0402hp.pdf
Hersteller: Coilcraft
RF Inductors - SMD 1005 20nH Unshld 5% 780mA 155mOhms
auf Bestellung 1255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.59 EUR
10+1.35 EUR
25+1.22 EUR
100+0.96 EUR
250+0.88 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 32ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 241ns
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5 EUR
17+4.43 EUR
18+3.98 EUR
50+3.7 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 32ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 241ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5 EUR
17+4.43 EUR
18+3.98 EUR
50+3.7 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DP 20 N
Hersteller: PIERGIACOMI
PG-DP-20-N Special Pliers
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.15 EUR
4+23.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.96 EUR
16+4.65 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.96 EUR
16+4.65 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 3B10EF980FCEF77A9F6DE91565C6C400E1F61CD71A63844A2451F8C432B505F0.pdf
FCP20N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.44 EUR
10+4.38 EUR
100+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 65nC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
23+3.12 EUR
50+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F F088C4037C4435EBED33506CF6152B29A56D76EA9FF6FC50D1DE27030A90E18F.pdf
FDP20N50F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V N-Channel
auf Bestellung 9221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.72 EUR
10+2.6 EUR
100+2.55 EUR
500+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP20N06L fqp20n06l-d.pdf
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55°C ~ 175°C; FQP20N06L TFQP20n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Hersteller: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3 Infineon-IGP20N60H3-DS-v02_02-en.pdf
IGP20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT 600V
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+1.5 EUR
100+1.24 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
31+2.37 EUR
36+2.02 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
31+2.37 EUR
36+2.02 EUR
50+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65F5 Infineon-IGP20N65F5-DS-v02_01-EN.pdf
IGP20N65F5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.48 EUR
10+1.71 EUR
100+1.53 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.19 EUR
5000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF45CC1373491CC&compId=IGP20N65F5-DTE.pdf?ci_sign=3da43c893a5e6f0f6715adc8e1d051dfed694190
IGP20N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.33 EUR
31+2.37 EUR
50+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF45CC1373491CC&compId=IGP20N65F5-DTE.pdf?ci_sign=3da43c893a5e6f0f6715adc8e1d051dfed694190
IGP20N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.33 EUR
31+2.37 EUR
50+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65H5 Infineon-IGP20N65H5-DS-v02_01-EN.pdf
IGP20N65H5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.48 EUR
10+1.71 EUR
100+1.53 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.03 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3 Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en.pdf
IKP20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.01 EUR
10+2.11 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.27 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T Infineon-IKP20N60T-DS-v02_08-EN.pdf
IKP20N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.05 EUR
10+2.34 EUR
100+1.87 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 299ns
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
25+2.97 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 299ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
25+2.97 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65F5 Infineon-IKP20N65F5-DS-v02_01-EN.pdf
IKP20N65F5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.7 EUR
10+2.34 EUR
100+2.11 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.85 EUR
2500+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65H5 Infineon-IKP20N65H5-DS-v02_01-EN.pdf
IKP20N65H5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.45 EUR
10+2.22 EUR
100+2.02 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718
IKP20N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
23+3.13 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718
IKP20N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
23+3.13 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f
IXFP20N85X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD263488393820&compId=IXFH(P)20N85X.pdf?ci_sign=7c12a971503592693c6f40300c433ab581bc443f
IXFP20N85X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_20N85X_Datasheet.PDF
IXFP20N85X
Hersteller: IXYS
MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.32 EUR
10+7.83 EUR
100+7.76 EUR
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IXGP20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGP20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.52 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXGP20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGP20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.52 EUR
50+5.29 EUR
100+4.86 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_20N120A3_Datasheet.PDF
IXGP20N120A3
Hersteller: IXYS
IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.58 EUR
10+5.9 EUR
100+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f
IXGP20N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f
IXGP20N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.35 EUR
50+5.19 EUR
100+4.76 EUR
500+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_20N120C3_Datasheet.PDF
IXYP20N120C3
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.73 EUR
10+5.24 EUR
100+4.75 EUR
500+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f
IXYP20N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
21+3.43 EUR
50+2.69 EUR
100+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f
IXYP20N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
21+3.43 EUR
50+2.69 EUR
100+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N65C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_20N65C3D1_Datasheet.PDF
IXYP20N65C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.2 EUR
10+3.73 EUR
100+3.12 EUR
500+2.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LMV1012UP-20/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flmv1012
LMV1012UP-20/NOPB
Hersteller: Texas Instruments
Microphone Preamplifiers Analog input microph one preamplifier for
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.57 EUR
10+1.12 EUR
25+1.01 EUR
100+0.89 EUR
250+0.83 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ0603P20NHT000 inductor_commercial_high-frequency_mhq0603p_en.pdf
MHQ0603P20NHT000
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD IND 0201 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 1767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+0.26 EUR
20+0.14 EUR
25+0.13 EUR
100+0.11 EUR
250+0.1 EUR
1000+0.086 EUR
2500+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ0603P20NHTD25 inductor_commercial_high-frequency_mhq0603p_en.pdf
MHQ0603P20NHTD25
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD 0201 20nH Tol 3% AEC-Q200
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.099 EUR
10000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ0603P20NJT000 inductor_commercial_high-frequency_mhq0603p_en.pdf
MHQ0603P20NJT000
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD IND 0201 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 14940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.42 EUR
13+0.23 EUR
25+0.21 EUR
100+0.18 EUR
250+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ1005P20NGT000 inductor_commercial_high-frequency_mhq1005p_en.pdf
MHQ1005P20NGT000
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD IND 0402 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 7571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+0.27 EUR
13+0.22 EUR
25+0.2 EUR
100+0.16 EUR
250+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ1005P20NHT000 inductor_commercial_high-frequency_mhq1005p_en.pdf
MHQ1005P20NHT000
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD IND 0402 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 6076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+0.2 EUR
18+0.16 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.097 EUR
10000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MLG0603P20NHT000 inductor_commercial_high-frequency_mlg0603p_en.pdf
MLG0603P20NHT000
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD IND 0201 20nH Hi-Q SMD RF IND
auf Bestellung 26104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.15 EUR
52+0.055 EUR
54+0.053 EUR
100+0.042 EUR
250+0.039 EUR
1000+0.033 EUR
2500+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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