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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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HGTP20N60A4 Produktcode: 61820
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Lieblingsprodukt
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Fairchild |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 70 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73 |
auf Bestellung 90 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IKP20N60T Produktcode: 84958
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Lieblingsprodukt
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![]() Gehäuse: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,5 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 166 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199 |
auf Bestellung 19 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 50 Stück: 50 Stück - erwartet 04.10.2025 |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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SPP20N60C3 Produktcode: 25463
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Lieblingsprodukt
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Infineon |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 650 Idd,A: 20.07.2015 Rds(on), Ohm: 3 Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400 JHGF: THT |
auf Bestellung 173 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SPP20N60S5 Produktcode: 32013
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Lieblingsprodukt
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Infineon |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 600 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79 JHGF: THT |
auf Bestellung 16 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STP20NM50 Produktcode: 2175
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Lieblingsprodukt
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ST |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 500 Idd,A: 20 Rds(on), Ohm: 01.02.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40 JHGF: THT ZCODE: 8541290010 |
auf Bestellung 34 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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P20N02LS |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
P20N06 |
auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
P20NK60Z |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
P20NM50 |
auf Bestellung 1556 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
P20NM50FP |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
P20NM50FP(STP20NM50F |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
P20NM60 | ST | 09+ |
auf Bestellung 981 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
P20NM60FP |
auf Bestellung 2080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
0402HP-20NXGRW | Coilcraft |
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auf Bestellung 581 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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0402HP-20NXJRW | Coilcraft |
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auf Bestellung 1255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 32ns Gate charge: 0.12µC Turn-off time: 241ns |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 32ns Gate charge: 0.12µC Turn-off time: 241ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DP 20 N | PIERGIACOMI | PG-DP-20-N Special Pliers |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DP 20 N D | PIERGIACOMI |
![]() ![]() Description: Pliers; cutting,for separation sheet PCB,miniature; ESD; 147mm Type of tool: pliers Kind of pliers: cutting; for separation sheet PCB; miniature Version: ESD Pliers length: 147mm Oblique pliers/knives features: blackened tool; blade thickness 2mm; corrosive protection; max. defining the distance between the holes is 2.5 mm cutting line PCB; opening limiter; return spring; two-component handle grips Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FCP20N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP20N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FCP20N60 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDP20N50F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 80A Gate charge: 65nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FDP20N50F | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 9917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP20N06L | Fairchild |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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HGTP20N60A4 | Fairchild |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGP20N60H3 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGP20N65F5 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGP20N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 42A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Manufacturer series: F5 |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGP20N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 42A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Manufacturer series: F5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGP20N65H5 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP20N60H3 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP20N60T | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKP20N60T | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 36ns Gate charge: 0.12µC Turn-off time: 299ns |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 36ns Gate charge: 0.12µC Turn-off time: 299ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKP20N65F5 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP20N65H5 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP20N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 48nC |
auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKP20N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 48nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP20N85X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 20A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 63nC Reverse recovery time: 190ns |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFP20N85X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 20A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 63nC Reverse recovery time: 190ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP20N85X | IXYS |
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auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGP20N120A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 180W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 66ns Gate charge: 50nC Turn-off time: 1.53µs |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGP20N120A3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 180W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 66ns Gate charge: 50nC Turn-off time: 1.53µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGP20N120A3 | IXYS |
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auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGP20N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 180W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 61ns Gate charge: 51nC Turn-off time: 720ns |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGP20N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 180W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 61ns Gate charge: 51nC Turn-off time: 720ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYP20N120C3 | IXYS |
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auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYP20N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 51ns Gate charge: 30nC Turn-off time: 132ns |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXYP20N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 51ns Gate charge: 30nC Turn-off time: 132ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYP20N65C3D1 | IXYS |
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auf Bestellung 736 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LMV1012UP-20/NOPB | Texas Instruments |
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auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MHQ0603P20NHT000 | TDK |
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auf Bestellung 1767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MHQ0603P20NHTD25 | TDK |
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auf Bestellung 2020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MHQ0603P20NJT000 | TDK |
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auf Bestellung 14940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MHQ1005P20NGT000 | TDK |
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auf Bestellung 7616 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MHQ1005P20NHT000 | TDK |
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auf Bestellung 6076 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HGTP20N60A4 Produktcode: 61820
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 90 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IKP20N60T Produktcode: 84958
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 19 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 50 Stück:
50 Stück - erwartet 04.10.2025Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPP20N60C3 Produktcode: 25463
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 173 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPP20N60S5 Produktcode: 32013
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP20NM50 Produktcode: 2175
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 34 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.46 EUR |
10+ | 2.14 EUR |
P20NM50FP(STP20NM50F |
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
P20NM60 |
Hersteller: ST
09+
09+
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
P20NM60FP |
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
0402HP-20NXGRW |
![]() |
Hersteller: Coilcraft
RF Inductors - SMD 1005 20nH Unshld 2% 780mA 155mOhms
RF Inductors - SMD 1005 20nH Unshld 2% 780mA 155mOhms
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.02 EUR |
10+ | 1.72 EUR |
25+ | 1.57 EUR |
100+ | 1.22 EUR |
250+ | 1.13 EUR |
500+ | 1.06 EUR |
1000+ | 1.03 EUR |
0402HP-20NXJRW |
![]() |
Hersteller: Coilcraft
RF Inductors - SMD 1005 20nH Unshld 5% 780mA 155mOhms
RF Inductors - SMD 1005 20nH Unshld 5% 780mA 155mOhms
auf Bestellung 1255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.59 EUR |
10+ | 1.35 EUR |
25+ | 1.22 EUR |
100+ | 0.96 EUR |
250+ | 0.88 EUR |
500+ | 0.83 EUR |
1000+ | 0.8 EUR |
AIKP20N60CTAKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 32ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 241ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 32ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 241ns
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.29 EUR |
16+ | 4.68 EUR |
18+ | 4.05 EUR |
19+ | 3.83 EUR |
250+ | 3.69 EUR |
AIKP20N60CTAKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 32ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 241ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 32ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 241ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.29 EUR |
16+ | 4.68 EUR |
18+ | 4.05 EUR |
19+ | 3.83 EUR |
250+ | 3.69 EUR |
DP 20 N |
Hersteller: PIERGIACOMI
PG-DP-20-N Special Pliers
PG-DP-20-N Special Pliers
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 25.05 EUR |
4+ | 23.68 EUR |
DP 20 N D |
![]() ![]() |
Hersteller: PIERGIACOMI
Category: Special Pliers
Description: Pliers; cutting,for separation sheet PCB,miniature; ESD; 147mm
Type of tool: pliers
Kind of pliers: cutting; for separation sheet PCB; miniature
Version: ESD
Pliers length: 147mm
Oblique pliers/knives features: blackened tool; blade thickness 2mm; corrosive protection; max. defining the distance between the holes is 2.5 mm cutting line PCB; opening limiter; return spring; two-component handle grips
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Special Pliers
Description: Pliers; cutting,for separation sheet PCB,miniature; ESD; 147mm
Type of tool: pliers
Kind of pliers: cutting; for separation sheet PCB; miniature
Version: ESD
Pliers length: 147mm
Oblique pliers/knives features: blackened tool; blade thickness 2mm; corrosive protection; max. defining the distance between the holes is 2.5 mm cutting line PCB; opening limiter; return spring; two-component handle grips
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 26.84 EUR |
FCP20N60 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.35 EUR |
15+ | 5.02 EUR |
16+ | 4.65 EUR |
17+ | 4.39 EUR |
50+ | 4.38 EUR |
FCP20N60 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.35 EUR |
15+ | 5.02 EUR |
16+ | 4.65 EUR |
17+ | 4.39 EUR |
50+ | 4.38 EUR |
FCP20N60 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.08 EUR |
10+ | 4.59 EUR |
100+ | 4.26 EUR |
FDP20N50F |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 65nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 65nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDP20N50F |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V N-Channel
MOSFETs 500V N-Channel
auf Bestellung 9917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.72 EUR |
10+ | 2.62 EUR |
100+ | 2.57 EUR |
500+ | 2.43 EUR |
FQP20N06L |
![]() |
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55°C ~ 175°C; FQP20N06L TFQP20n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55°C ~ 175°C; FQP20N06L TFQP20n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 1.32 EUR |
HGTP20N60A4 | ![]() |
![]() |
Hersteller: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C; HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C; HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 7.27 EUR |
IGP20N60H3 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT 600V
IGBTs IGBT 600V
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.19 EUR |
10+ | 1.54 EUR |
100+ | 1.37 EUR |
500+ | 1.1 EUR |
1000+ | 0.93 EUR |
5000+ | 0.89 EUR |
IGP20N60H3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.93 EUR |
29+ | 2.5 EUR |
44+ | 1.63 EUR |
47+ | 1.54 EUR |
50+ | 1.5 EUR |
100+ | 1.49 EUR |
IGP20N60H3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.93 EUR |
29+ | 2.5 EUR |
44+ | 1.63 EUR |
47+ | 1.54 EUR |
50+ | 1.5 EUR |
100+ | 1.49 EUR |
IGP20N65F5 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.48 EUR |
10+ | 1.71 EUR |
100+ | 1.53 EUR |
500+ | 1.22 EUR |
1000+ | 1.03 EUR |
5000+ | 1 EUR |
IGP20N65F5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.52 EUR |
35+ | 2.07 EUR |
37+ | 1.96 EUR |
100+ | 1.9 EUR |
IGP20N65F5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.52 EUR |
35+ | 2.07 EUR |
37+ | 1.96 EUR |
100+ | 1.9 EUR |
IGP20N65H5 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.48 EUR |
10+ | 1.71 EUR |
100+ | 1.53 EUR |
500+ | 1.27 EUR |
1000+ | 1.03 EUR |
5000+ | 1 EUR |
IKP20N60H3 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.1 EUR |
10+ | 2.32 EUR |
100+ | 1.78 EUR |
500+ | 1.49 EUR |
1000+ | 1.42 EUR |
2500+ | 1.19 EUR |
5000+ | 1.18 EUR |
IKP20N60T |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 5.81 EUR |
IKP20N60T |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.07 EUR |
10+ | 2.02 EUR |
100+ | 1.83 EUR |
500+ | 1.47 EUR |
1000+ | 1.26 EUR |
IKP20N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 299ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 299ns
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.73 EUR |
32+ | 2.23 EUR |
IKP20N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 299ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 299ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.73 EUR |
32+ | 2.23 EUR |
50+ | 2.04 EUR |
IKP20N65F5 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.33 EUR |
10+ | 2.15 EUR |
100+ | 1.94 EUR |
500+ | 1.54 EUR |
1000+ | 1.35 EUR |
IKP20N65H5 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.31 EUR |
10+ | 2.15 EUR |
100+ | 1.94 EUR |
500+ | 1.69 EUR |
1000+ | 1.34 EUR |
IKP20N65H5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.88 EUR |
32+ | 2.25 EUR |
34+ | 2.12 EUR |
50+ | 2.1 EUR |
100+ | 2.04 EUR |
IKP20N65H5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.88 EUR |
32+ | 2.25 EUR |
34+ | 2.12 EUR |
50+ | 2.1 EUR |
100+ | 2.04 EUR |
IXFP20N85X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.13 EUR |
IXFP20N85X |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.13 EUR |
IXFP20N85X |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 14.24 EUR |
10+ | 8.54 EUR |
100+ | 7.76 EUR |
IXGP20N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 10.05 EUR |
15+ | 4.88 EUR |
16+ | 4.6 EUR |
IXGP20N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 10.05 EUR |
15+ | 4.88 EUR |
16+ | 4.6 EUR |
500+ | 4.43 EUR |
IXGP20N120A3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.58 EUR |
10+ | 6.32 EUR |
100+ | 5.86 EUR |
500+ | 5.77 EUR |
1000+ | 5.76 EUR |
IXGP20N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.88 EUR |
15+ | 4.88 EUR |
16+ | 4.6 EUR |
IXGP20N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.88 EUR |
15+ | 4.88 EUR |
16+ | 4.6 EUR |
500+ | 4.42 EUR |
IXYP20N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.36 EUR |
10+ | 4.96 EUR |
100+ | 4.77 EUR |
500+ | 4.68 EUR |
1000+ | 4.29 EUR |
IXYP20N65C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.36 EUR |
27+ | 2.7 EUR |
28+ | 2.56 EUR |
IXYP20N65C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.36 EUR |
27+ | 2.7 EUR |
28+ | 2.56 EUR |
500+ | 2.46 EUR |
IXYP20N65C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.2 EUR |
10+ | 3.73 EUR |
100+ | 3.1 EUR |
500+ | 2.69 EUR |
LMV1012UP-20/NOPB |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Microphone Preamplifiers Analog input microph one preamplifier for
Microphone Preamplifiers Analog input microph one preamplifier for
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.57 EUR |
10+ | 1.12 EUR |
25+ | 1.01 EUR |
100+ | 0.89 EUR |
250+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.8 EUR |
1000+ | 0.75 EUR |
MHQ0603P20NHT000 |
![]() |
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD IND 0201 20nH S-HQ SMD RF IND
RF Inductors - SMD IND 0201 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 1767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 0.21 EUR |
23+ | 0.12 EUR |
25+ | 0.11 EUR |
100+ | 0.095 EUR |
250+ | 0.086 EUR |
1000+ | 0.074 EUR |
2500+ | 0.067 EUR |
MHQ0603P20NHTD25 |
![]() |
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD 0201 20nH Tol 3% AEC-Q200
RF Inductors - SMD 0201 20nH Tol 3% AEC-Q200
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 0.26 EUR |
1000+ | 0.22 EUR |
2500+ | 0.097 EUR |
5000+ | 0.084 EUR |
10000+ | 0.07 EUR |
MHQ0603P20NJT000 |
![]() |
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD IND 0201 20nH S-HQ SMD RF IND
RF Inductors - SMD IND 0201 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 14940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 0.32 EUR |
17+ | 0.17 EUR |
25+ | 0.16 EUR |
100+ | 0.14 EUR |
250+ | 0.12 EUR |
1000+ | 0.1 EUR |
2500+ | 0.099 EUR |
MHQ1005P20NGT000 |
![]() |
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD IND 0402 20nH S-HQ SMD RF IND
RF Inductors - SMD IND 0402 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 7616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 0.27 EUR |
13+ | 0.22 EUR |
25+ | 0.2 EUR |
100+ | 0.16 EUR |
250+ | 0.15 EUR |
1000+ | 0.12 EUR |
2500+ | 0.11 EUR |
MHQ1005P20NHT000 |
![]() |
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD IND 0402 20nH S-HQ SMD RF IND
RF Inductors - SMD IND 0402 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 6076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 0.2 EUR |
18+ | 0.16 EUR |
100+ | 0.14 EUR |
1000+ | 0.11 EUR |
5000+ | 0.097 EUR |
10000+ | 0.09 EUR |
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