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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 102 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 87 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50 STP20NM50
Produktcode: 2175
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ST STP20NM50.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 83 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.46 EUR
10+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20N02LS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20N06
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NK60Z
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM50
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM50FP
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM50FP(STP20NM50F
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM60 ST 09+
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM60FP
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0402HP-20NXGRW Coilcraft 0402hp-270660.pdf RF Inductors - SMD 1005 20nH Unshld 2% 780mA 155mOhms
auf Bestellung 1963 Stücke:
Lieferzeit 91-95 Tag (e)
1+3.56 EUR
250+2.53 EUR
500+1.74 EUR
2000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0402HP-20NXJRW Coilcraft 0402hp-270660.pdf RF Inductors - SMD 1005 20nH Unshld 5% 780mA 155mOhms
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 53-57 Tag (e)
2+2.78 EUR
250+1.99 EUR
500+1.36 EUR
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DP 20 N PIERGIACOMI PG-DP-20-N Special Pliers
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.05 EUR
4+23.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DP 20 N D PIERGIACOMI PG-DP-20-ND Special Pliers
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+30.03 EUR
10+28.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.75 EUR
11+6.66 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.75 EUR
11+6.66 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 onsemi / Fairchild fcp20n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.69 EUR
10+8.11 EUR
50+5.21 EUR
100+4.80 EUR
250+4.79 EUR
500+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDP20N50F ONSEMI ONSM-S-A0003584205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDP20N50F onsemi / Fairchild ONSM-S-A0003584205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 500V N-Channel
auf Bestellung 12702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.04 EUR
10+4.54 EUR
50+2.76 EUR
100+2.59 EUR
250+2.55 EUR
500+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP20N06L Fairchild fqp20n06l-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55°C ~ 175°C; FQP20N06L TFQP20n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3 IGP20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGP20N60H3_DS_v02_02_en-3360251.pdf IGBTs IGBT 600V
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.06 EUR
100+1.88 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.40 EUR
5000+1.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
43+1.70 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
43+1.70 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65F5 IGP20N65F5 Infineon Technologies Infineon_IGP20N65F5_DS_v02_01_EN-3360252.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.28 EUR
10+2.36 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.59 EUR
32+2.30 EUR
35+2.06 EUR
36+1.99 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.59 EUR
32+2.30 EUR
35+2.06 EUR
36+1.99 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65H5 IGP20N65H5 Infineon Technologies Infineon_IGP20N65H5_DS_v02_01_EN-1226669.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.70 EUR
10+2.36 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3 IKP20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en-3360246.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.56 EUR
10+3.80 EUR
100+3.03 EUR
250+2.78 EUR
500+2.34 EUR
1000+1.94 EUR
10000+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T Infineon INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T IKP20N60T Infineon Technologies Infineon_IKP20N60T_DS_v02_08_EN-1226893.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.58 EUR
10+2.68 EUR
100+2.48 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.40 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.40 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65H5 IKP20N65H5 Infineon Technologies Infineon_IKP20N65H5_DS_v02_01_EN-3360258.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.00 EUR
10+3.06 EUR
100+2.85 EUR
500+2.46 EUR
1000+1.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Power dissipation: 125W
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Mounting: THT
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.92 EUR
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Power dissipation: 125W
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Mounting: THT
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X IXFP20N85X IXYS IXFH(P)20N85X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.42 EUR
11+6.71 EUR
12+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X IXFP20N85X IXYS IXFH(P)20N85X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.42 EUR
11+6.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X IXFP20N85X IXYS media-3323285.pdf MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.55 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.79 EUR
12+6.11 EUR
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16+4.60 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.79 EUR
12+6.11 EUR
15+4.88 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS media-3319032.pdf IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 430-434 Tag (e)
1+11.72 EUR
10+11.70 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS IXGA(P)20N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.79 EUR
12+6.11 EUR
15+4.88 EUR
16+4.60 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS IXGA(P)20N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.79 EUR
12+6.11 EUR
15+4.88 EUR
16+4.60 EUR
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IXTP20N65XM IXTP20N65XM IXYS media-3319445.pdf MOSFETs 650V/9A Power MOSFET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.73 EUR
10+12.97 EUR
50+11.02 EUR
100+10.51 EUR
250+9.87 EUR
500+9.26 EUR
1000+8.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C3 IXYP20N120C3 IXYS media-3320567.pdf IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.93 EUR
50+7.87 EUR
100+6.76 EUR
250+6.37 EUR
500+6.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.22 EUR
27+2.70 EUR
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.22 EUR
27+2.70 EUR
28+2.56 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS media-3319979.pdf IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.67 EUR
10+5.37 EUR
50+3.70 EUR
100+3.40 EUR
500+3.04 EUR
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LMV1012UP-20/NOPB LMV1012UP-20/NOPB Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flmv1012 Microphone Preamplifiers Analog input microph one preamplifier for
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.13 EUR
100+0.94 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.83 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ0603P20NHT000 MHQ0603P20NHT000 TDK inductor_commercial_high-frequency_mhq0603p_en.pdf RF Inductors - SMD IND 0201 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.20 EUR
21+0.14 EUR
100+0.10 EUR
1000+0.07 EUR
2500+0.06 EUR
10000+0.06 EUR
15000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ0603P20NHTD25 MHQ0603P20NHTD25 TDK inductor_commercial_high-frequency_mhq0603p_en.pdf RF Inductors - SMD 0201 20nH Tol 3% AEC-Q200
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.27 EUR
13+0.22 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
10000+0.08 EUR
15000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ0603P20NJT000 MHQ0603P20NJT000 TDK inductor_commercial_high-frequency_mhq0603p_en.pdf RF Inductors - SMD IND 0201 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.20 EUR
23+0.13 EUR
100+0.10 EUR
15000+0.04 EUR
45000+0.04 EUR
90000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ1005P20NGT000 MHQ1005P20NGT000 TDK inductor_commercial_high-frequency_mhq1005p_en.pdf RF Inductors - SMD IND 0402 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 9400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.30 EUR
12+0.25 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.12 EUR
10000+0.10 EUR
20000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ1005P20NHT000 MHQ1005P20NHT000 TDK inductor_commercial_high-frequency_mhq1005p_en.pdf RF Inductors - SMD IND 0402 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 6076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.20 EUR
25+0.12 EUR
100+0.11 EUR
2500+0.09 EUR
10000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 102 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 87 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM50
Produktcode: 2175
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STP20NM50.pdf
STP20NM50
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1480/40
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 83 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.46 EUR
10+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20N02LS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20N06
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NK60Z
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM50
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM50FP
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM50FP(STP20NM50F
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM60
Hersteller: ST
09+
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P20NM60FP
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0402HP-20NXGRW 0402hp-270660.pdf
Hersteller: Coilcraft
RF Inductors - SMD 1005 20nH Unshld 2% 780mA 155mOhms
auf Bestellung 1963 Stücke:
Lieferzeit 91-95 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.56 EUR
250+2.53 EUR
500+1.74 EUR
2000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0402HP-20NXJRW 0402hp-270660.pdf
Hersteller: Coilcraft
RF Inductors - SMD 1005 20nH Unshld 5% 780mA 155mOhms
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 53-57 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.78 EUR
250+1.99 EUR
500+1.36 EUR
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DP 20 N
Hersteller: PIERGIACOMI
PG-DP-20-N Special Pliers
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.05 EUR
4+23.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DP 20 N D
Hersteller: PIERGIACOMI
PG-DP-20-ND Special Pliers
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+30.03 EUR
10+28.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.75 EUR
11+6.66 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.75 EUR
11+6.66 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 fcp20n60-d.pdf
FCP20N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.69 EUR
10+8.11 EUR
50+5.21 EUR
100+4.80 EUR
250+4.79 EUR
500+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F ONSM-S-A0003584205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDP20N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F ONSM-S-A0003584205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDP20N50F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V N-Channel
auf Bestellung 12702 Stücke:
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1+6.04 EUR
10+4.54 EUR
50+2.76 EUR
100+2.59 EUR
250+2.55 EUR
500+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP20N06L fqp20n06l-d.pdf
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55°C ~ 175°C; FQP20N06L TFQP20n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Hersteller: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Anzahl Preis
5+7.84 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3 Infineon_IGP20N60H3_DS_v02_02_en-3360251.pdf
IGP20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT 600V
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Anzahl Preis
1+4.49 EUR
10+2.06 EUR
100+1.88 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.40 EUR
5000+1.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
43+1.70 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 393 Stücke:
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Anzahl Preis
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
43+1.70 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65F5 Infineon_IGP20N65F5_DS_v02_01_EN-3360252.pdf
IGP20N65F5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.28 EUR
10+2.36 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5-DTE.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
32+2.30 EUR
35+2.06 EUR
36+1.99 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5-DTE.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
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Anzahl Preis
28+2.59 EUR
32+2.30 EUR
35+2.06 EUR
36+1.99 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N65H5 Infineon_IGP20N65H5_DS_v02_01_EN-1226669.pdf
IGP20N65H5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 389 Stücke:
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Anzahl Preis
1+4.70 EUR
10+2.36 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3 Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en-3360246.pdf
IKP20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.56 EUR
10+3.80 EUR
100+3.03 EUR
250+2.78 EUR
500+2.34 EUR
1000+1.94 EUR
10000+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
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Anzahl Preis
5+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T Infineon_IKP20N60T_DS_v02_08_EN-1226893.pdf
IKP20N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.58 EUR
10+2.68 EUR
100+2.48 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.40 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.40 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65H5 Infineon_IKP20N65H5_DS_v02_01_EN-3360258.pdf
IKP20N65H5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.00 EUR
10+3.06 EUR
100+2.85 EUR
500+2.46 EUR
1000+1.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5-DTE.pdf
IKP20N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Power dissipation: 125W
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Mounting: THT
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5-DTE.pdf
IKP20N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Power dissipation: 125W
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Mounting: THT
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X IXFH(P)20N85X.pdf
IXFP20N85X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.42 EUR
11+6.71 EUR
12+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X IXFH(P)20N85X.pdf
IXFP20N85X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.42 EUR
11+6.71 EUR
12+6.33 EUR
50+6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP20N85X media-3323285.pdf
IXFP20N85X
Hersteller: IXYS
MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.55 EUR
10+10.74 EUR
50+9.68 EUR
100+8.55 EUR
250+7.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGP20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.79 EUR
12+6.11 EUR
15+4.88 EUR
16+4.60 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGP20N120A3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.79 EUR
12+6.11 EUR
15+4.88 EUR
16+4.60 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3 media-3319032.pdf
IXGP20N120A3
Hersteller: IXYS
IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 430-434 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.72 EUR
10+11.70 EUR
50+8.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120B3 IXGA(P)20N120B3.pdf
IXGP20N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.79 EUR
12+6.11 EUR
15+4.88 EUR
16+4.60 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120B3 IXGA(P)20N120B3.pdf
IXGP20N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.79 EUR
12+6.11 EUR
15+4.88 EUR
16+4.60 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XM media-3319445.pdf
IXTP20N65XM
Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V/9A Power MOSFET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.73 EUR
10+12.97 EUR
50+11.02 EUR
100+10.51 EUR
250+9.87 EUR
500+9.26 EUR
1000+8.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C3 media-3320567.pdf
IXYP20N120C3
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.93 EUR
50+7.87 EUR
100+6.76 EUR
250+6.37 EUR
500+6.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYP20N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.22 EUR
27+2.70 EUR
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYP20N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.22 EUR
27+2.70 EUR
28+2.56 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N65C3D1 media-3319979.pdf
IXYP20N65C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.67 EUR
10+5.37 EUR
50+3.70 EUR
100+3.40 EUR
500+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LMV1012UP-20/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flmv1012
LMV1012UP-20/NOPB
Hersteller: Texas Instruments
Microphone Preamplifiers Analog input microph one preamplifier for
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.74 EUR
10+1.13 EUR
100+0.94 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.83 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ0603P20NHT000 inductor_commercial_high-frequency_mhq0603p_en.pdf
MHQ0603P20NHT000
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD IND 0201 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 2050 Stücke:
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Anzahl Preis
15+0.20 EUR
21+0.14 EUR
100+0.10 EUR
1000+0.07 EUR
2500+0.06 EUR
10000+0.06 EUR
15000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ0603P20NHTD25 inductor_commercial_high-frequency_mhq0603p_en.pdf
MHQ0603P20NHTD25
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD 0201 20nH Tol 3% AEC-Q200
auf Bestellung 2240 Stücke:
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11+0.27 EUR
13+0.22 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
10000+0.08 EUR
15000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ0603P20NJT000 inductor_commercial_high-frequency_mhq0603p_en.pdf
MHQ0603P20NJT000
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD IND 0201 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Anzahl Preis
15+0.20 EUR
23+0.13 EUR
100+0.10 EUR
15000+0.04 EUR
45000+0.04 EUR
90000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ1005P20NGT000 inductor_commercial_high-frequency_mhq1005p_en.pdf
MHQ1005P20NGT000
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD IND 0402 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 9400 Stücke:
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10+0.30 EUR
12+0.25 EUR
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1000+0.12 EUR
10000+0.10 EUR
20000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MHQ1005P20NHT000 inductor_commercial_high-frequency_mhq1005p_en.pdf
MHQ1005P20NHT000
Hersteller: TDK
RF Inductors - SMD IND 0402 20nH S-HQ SMD RF IND
auf Bestellung 6076 Stücke:
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15+0.20 EUR
25+0.12 EUR
100+0.11 EUR
2500+0.09 EUR
10000+0.08 EUR
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