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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PCDH2065CCG1_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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PCDH2065CCG1_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.64kA
Leakage current: 70µA
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 98W
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.79 EUR
14+6.13 EUR
30+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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PCDH2065CCG1_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE ARR SIC 650V 10A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
auf Bestellung 1466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.28 EUR
10+7.46 EUR
100+7.04 EUR
500+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PCDH2065CCGB-T0PanjitArray
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PCDH2065CCGB-T0-006Panjit SMA/SKY/SMD/SBM-20AH
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PCDH2065CCGB_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 138W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 48A
Max. forward impulse current: 704A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.4V
Power dissipation: 138W
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PCDH2065CCGB_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE ARR SIC 650V 10A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.85 EUR
30+6.78 EUR
120+5.66 EUR
510+4.84 EUR
1020+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PCDH2065CCGB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PCDH2065CCGC-T0PanjitArray
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PCDH2065CCGC-T0-006Panjit SMA/SKY/SMD/SBM-20AH
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PCDH2065CCGC_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE ARR SIC 650V 10A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.17 EUR
30+5.76 EUR
120+4.78 EUR
510+4.07 EUR
1020+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PCDH2065CCGC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 90W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 28A
Max. forward impulse current: 384A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 90W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH2065CCGC_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH30120CCG1_T0_00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers 1200V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.94 EUR
10+33.03 EUR
30+31.67 EUR
60+30.62 EUR
120+27.89 EUR
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PCDH30120CCG1_T0_00601Panjit International Inc.Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.64 EUR
10+34.05 EUR
100+29.44 EUR
500+26.68 EUR
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PCDH3065CCG1-AU-T0PanjitArray
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PCDH3065CCG1-T0PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-247AD-3LD/SIC/SIC-300CTUWH
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PCDH3065CCG1_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.11 EUR
10+11.65 EUR
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PCDH3065CCG1_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE ARR SIC 650V 15A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.42 EUR
10+9.81 EUR
100+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PCDH3065CCGB-T0PanjitArray
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PCDH3065CCGB-T0-006Panjit SMA/SKY/SMD/SBM-20AH
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PCDH3065CCGB_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE ARR SIC 650V 15A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.92 EUR
30+9.33 EUR
120+7.88 EUR
510+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PCDH3065CCGB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PCDH3065CCGC-T0PanjitArray
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PCDH3065CCGC-T0-006Panjit SMA/SKY/SMD/SBM-20AH
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PCDH3065CCGC_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE ARR SIC 650V 15A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.91 EUR
30+8.06 EUR
120+6.77 EUR
510+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH3065CCGC_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH40120CCG1_T0_00601Panjit International Inc.Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.72 EUR
10+40.63 EUR
100+35.53 EUR
500+30.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH40120CCG1_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.26 EUR
10+33.56 EUR
30+33.53 EUR
60+28.38 EUR
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PCDH40120CCGB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH4065CCG1_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.54 EUR
10+13.66 EUR
120+13.64 EUR
1020+13.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH4065CCG1_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.44 EUR
10+21.53 EUR
100+18.61 EUR
500+16.87 EUR
1000+15.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH4065CCGB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH4065CCGC_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDK4-01P-11-00AH
Produktcode: 151693
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDK4-01P-11-00AHDEGSONPCDK4-01P-11-00AH Клеммник на дин-рейку Клемники
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDK4-01P-11-00L(H)DegsonDescription: DIN Rail Terminal Block
Packaging: Bulk
Color: Gray
Type: Feed Through
Termination Style: Screw
Number of Levels: 2
Terminal - Width: 6.2mm
Voltage - IEC: 630V
Voltage - UL: 300V
Wire Gauge or Range - AWG: 10-24 AWG
Wire Gauge or Range - mm²: 0.2-4mm²
Current - UL: 30 A
Current - IEC: 32 A
Number of Positions: 4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDK4-01P-11-00Z(H)DEGSON ELECTRONICSCategory: Rail mounted connectors
Description: Splice terminal: rail; 32A; 630V; for DIN rail mounting; grey
Type of splice terminal: rail
Current rating: 32A
Rated voltage: 0.63kV
Mechanical mounting: for DIN rail mounting
Colour: grey
Wire size: 24AWG...10AWG
Wire cross-section: 0.2mm2
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.87 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDK4-PE-01P-1Y-00A(H)
Produktcode: 151695
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDN004Y
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0465G1_T0_00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+5.34 EUR
100+4.25 EUR
500+3.5 EUR
1000+2.87 EUR
2000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0465G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 146pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+4.12 EUR
100+3.28 EUR
500+2.77 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0465GB-T0-00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0465GB_T0_00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.9 EUR
10+4.96 EUR
100+4 EUR
250+3.77 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.03 EUR
2500+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP05120G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7 EUR
10+4.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP05120G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 252pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.1 EUR
50+3.61 EUR
100+3.27 EUR
500+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP05120G1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220AC; Ufmax: 2V
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2V
Power dissipation: 129.3W
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50µA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 520A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0665G1-T0-00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-60WH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0665G1_T0_00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0665G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 228pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
50+4.57 EUR
100+3.93 EUR
500+3.49 EUR
1000+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0665GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.36 EUR
50+5.4 EUR
100+4.93 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0665GB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP08120G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 418pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.85 EUR
50+6.49 EUR
100+6.26 EUR
500+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP08120G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.89 EUR
10+6.51 EUR
100+6.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP08120GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: SIC DIODE 1200V/8A IN TO-220AC P
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP08120GB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes SiC Diode 1200V/8A in TO-220AC package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0865G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 296pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.7 EUR
50+2.84 EUR
100+2.56 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0865G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+3.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0865GB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.46 EUR
10+4.96 EUR
100+4.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0865GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 372pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.44 EUR
50+4.91 EUR
100+4.83 EUR
500+4.2 EUR
1000+4.11 EUR
2000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0865GC-T0-00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0865GC_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0865GC_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.21 EUR
50+2.58 EUR
100+2.33 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP10120G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.07 EUR
50+6.63 EUR
100+6.38 EUR
500+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP10120G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.46 EUR
10+7.22 EUR
100+7.16 EUR
500+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1065G1-T0-00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-100WH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1065G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.26 EUR
10+4.82 EUR
100+4.4 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1065G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.28 EUR
50+4.25 EUR
100+4.09 EUR
500+3.46 EUR
1000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1065GB-T0-00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1065GB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10 EUR
10+5.49 EUR
100+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1065GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 446pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.38 EUR
50+5.74 EUR
100+5.57 EUR
500+5.11 EUR
1000+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1065GC-T0-00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1065GC_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1065GC_T0_00601Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.89 EUR
50+5.76 EUR
100+5.26 EUR
500+4.39 EUR
1000+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1265G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.19 EUR
10+4.13 EUR
500+4.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1265G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 452pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.03 EUR
10+7.58 EUR
100+6.13 EUR
500+5.45 EUR
1000+4.66 EUR
2000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1265GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.23 EUR
10+10.48 EUR
100+8.73 EUR
500+7.71 EUR
1000+6.94 EUR
2000+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1265GC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 372pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.21 EUR
10+10.25 EUR
100+8.29 EUR
500+7.37 EUR
1000+6.31 EUR
2000+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP15120G1-T0-00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-150WH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP15120G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.86 EUR
10+10.09 EUR
100+9.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP15120G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: TO-220AC, SIC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 815pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.05 EUR
50+12.35 EUR
100+11.42 EUR
500+10.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP15120G1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 880A
Max. forward voltage: 2V
Power dissipation: 223.9W
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Max. load current: 120A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 140µA
Case: TO220AC
Type of diode: Schottky rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP15120GB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes SiC Diode 1200V/15A in TO-220AC package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP15120GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: SIC DIODE 1200V/15A IN TO-220AC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1665G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.6 EUR
10+5.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1665G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 618pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.29 EUR
50+8.94 EUR
100+7.66 EUR
500+6.81 EUR
1000+5.83 EUR
2000+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1665GB_T0_00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1665GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 995pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.6 EUR
50+12.46 EUR
100+11.15 EUR
500+9.83 EUR
1000+8.85 EUR
2000+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1665GC_T0_00601PanjitSchottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1665GC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 446pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.07 EUR
50+10.44 EUR
100+9.34 EUR
500+8.23 EUR
1000+7.41 EUR
2000+6.95 EUR
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PCDP20120G1-T0-00001PanjitSchottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-200WH
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PCDP20120G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1993 Stücke:
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PCDP20120G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
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PCDP20120GB_T0_00601PanjitSiC Schottky Diodes SiC Diode 1200V/20A in TO-220AC package
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PCDP20120GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: SIC DIODE 1200V/20A IN TO-220AC
Packaging: Tube
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PCDP2065G1_T0_00001PanjitSiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
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100+6.24 EUR
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PCDP2065G1_T0_00001Panjit International Inc.Description: TO-220AC, SIC
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PCDP2065GB_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1211pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
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10+16.91 EUR
100+14.09 EUR
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PCDP2065GC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
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100+11.3 EUR
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PCDR0745MT3R3
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