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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
APT25GP120BDQ1GMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
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APT25GP120BDQ1GMICROSEMITO-247/POWER MOS 7 IGBT APT25GP120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT25GP120BDQ1GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 69A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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APT25GP120BGMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-247, RoHS
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APT25GP120BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 69A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 500µJ (on), 438µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/70ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 417 W
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.3 EUR
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APT25GP120BSC15Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 SiC Combi 1200 V 25 A TO-247
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APT25GP90B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT25GP90BDF1
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT25GP90BDQ1GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 900V 72A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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APT25GP90BDQ1GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 25 A TO-247
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.56 EUR
10+16.54 EUR
25+14.53 EUR
100+14.22 EUR
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APT25GP90BDQ1GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 72A TO247
Power - Max: 417 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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APT25GP90BDQ1GMICROSEMITO247-3/72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT APT25GP90
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT25GP90BDQ1GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 900V 72A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GP90BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 417 W
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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APT25GP90BG
Produktcode: 131306
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Transistoren > MOSFET N-CH
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APT25GP90BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 900V 72A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GP90BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 900 V 25 A TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GR120BMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 25 A TO-247
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.75 EUR
100+9.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GR120BMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 75A TO247
Power - Max: 521 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 203 nC
Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.02 EUR
100+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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APT25GR120BD15MICROSEMITO247/Ultra Fast NPT - IGBT APT25GR120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT25GR120BD15Microchip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 521W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GR120BD15Microchip TechnologyIGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 25 A TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GR120BD15Microchip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns
Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 521 W
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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APT25GR120BSCD10Microsemi CorporationDescription: IGBT 1200V 75A 521W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns
Switching Energy: 434µJ (on), 466µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 521 W
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APT25GR120SMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 75A D3PAK
Power - Max: 521 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 203 nC
Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: D3Pak
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.14 EUR
100+10.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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APT25GR120SMICROSEMID3PAK/Ultra Fast NPT - IGBT APT25
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT25GR120SMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-268
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APT25GR120SD15Microchip TechnologyDescription: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns
Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 521 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GR120SD15Microchip TechnologyIGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 25 A TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GR120SD15Microchip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 521W 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GR120SSCD10Microsemi CorporationDescription: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns
Switching Energy: 434µJ (on), 466µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 521 W
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APT25GR120SSCD10MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT25GT120BRDLGMicrosemi Power Products GroupDescription: IGBT 1200V 54A 347W TO247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT25GT120BRDQ2GMICROSEMITO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT25GT120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT25GT120BRDQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GT120BRDQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 25 A TO-247
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GT120BRDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/150ns
Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 347 W
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GT120BRGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT NPT Medium Frequency Single 1200 V 25 A TO-247
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GT120BRGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/150ns
Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 347 W
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.69 EUR
100+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GT120BRGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GT120BRGMicrochipIGBT 1200V 54A 347W TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25GT120BRGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25M100JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25M100JMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1000V, SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25M100JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 545W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9835 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT25SM120BMicrosemi CorporationDescription: SICFET N-CH 1200V 25A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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APT25SM120SMicrosemi CorporationDescription: SICFET N-CH 1200V 25A D3
Packaging: Bulk
Package / Case: D-3 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT26F120B2Microchip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247 T-MAX
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT26F120B2MICROSEMIT-MAX/27 A, 1200 V, 0.58 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT26F120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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APT26F120B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-MAX™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT26F120LMICROSEMITO264/POWER FREDFET - MOS8 APT26F120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT26F120LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 27A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT26F120LMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-264
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT26M100JCU2Microchip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules CC0014
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT26M100JCU2MICROSEMIISOTOP-4/26 A, 1000 V, 0.396 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT26M100J
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT26M100JCU2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7868 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT26M100JCU3Microchip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules CC0015
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT26M100JCU3Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7868 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT27GA90BD15Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/98ns
Switching Energy: 413µJ (on), 287µJ (off)
Test Condition: 600V, 14A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 79 A
Power - Max: 223 W
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT27GA90BD15MICROSEMITO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT27GA90BD15Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 27 A TO-247
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT27GA90KMicrosemi Power Products GroupDescription: IGBT 900V 48A 223W TO-220
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT27HZDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT27HZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 0.8A TO92
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT27HZTR-G1Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 450V 0.8A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT27HZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.65 EUR
100+0.37 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT27HZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 0.8A TO92
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
35+0.61 EUR
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT27ZDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT27ZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.62 EUR
100+0.35 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT27ZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 0.8A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT27ZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 0.8A TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
36+0.58 EUR
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT28F60BMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT28F60BMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT28F60BAPTMICROS10+ SOT23-5
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT28F60SMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT28F60SMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT28GA60BD15APTSOP8
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT28GA60KMicrosemi Power Products GroupDescription: IGBT 600V 50A 223W TO-220
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT28M120B2Microchip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS8 1200 V 28 A TO-247 MAX
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.91 EUR
100+33.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT28M120B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670 pF @ 25 V
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT28M120B2Microchip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 1200V, TO-247 T-MAX
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT28M120LMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 1200V, TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT28M120LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT28M120LMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 1200V, TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT29F100B2Microchip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 1000 V 29 A TO-247 MAX
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT29F100B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT29F100LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT29F100LMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT29F100LMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 1000 V 29 A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT29F80JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT29F80JMicrochip TechnologyMOSFET Modules FREDFET MOS8 800 V 29 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT2X100D100JMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FRED D 1000 V 100 A Dual Anti-Parallel SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT2X100D100JMicrochip TechnologyDiode Switching 1KV 95A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT2X100D100JMicrosemi Power Products GroupDescription: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT2X100D100JMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FRED, 1000V, 100A, SOT-227
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT2X100D120JMicrosemi Power Products GroupDescription: DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT2X100D120J
Produktcode: 54426
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT2X100D120JMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FRED D 1200 V 100 A Dual Anti-Parallel SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT2X100D20JMicrochip TechnologyRectifiers FRED D 200 V 100 A Dual Anti-Parallel SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT2X100D20JMicrosemi Power Products GroupDescription: DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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