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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
G3R160MT17JGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.81 EUR
10+19.44 EUR
25+18.17 EUR
100+16.64 EUR
250+15.65 EUR
500+14.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17JGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17JGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TRGeneSiC SemiconductorDescription: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+19.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TRGeneSiC SemiconductorSiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
10+22.9 EUR
25+22.02 EUR
100+20.73 EUR
250+19.92 EUR
500+19.33 EUR
800+19.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R160MT17J-TRGeneSiC SemiconductorDescription: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.07 EUR
10+22.72 EUR
25+21.82 EUR
100+20.58 EUR
250+19.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12KGeneSiC SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+40.39 EUR
120+38.94 EUR
270+37.65 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12KNavitas Semiconductor, Inc.Description: SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 542W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.63 EUR
30+53.38 EUR
120+50.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12KGENESICDescription: GENESIC - G3R20MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 128 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 542W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12KGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Gate charge: 219nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+39.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12KGeneSiC SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+40.39 EUR
120+38.09 EUR
270+36.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12KGeneSiC SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.99 EUR
10+59.75 EUR
30+58.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12NGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 20mΩ
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 365W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12NGeneSiC SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12NGeneSiC SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+108.86 EUR
10+93.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12NGeneSiC SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+72.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12NNavitas Semiconductor, Inc.Description: SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+109.16 EUR
10+83.54 EUR
100+81.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT12NGENESICDescription: GENESIC - G3R20MT12N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+107 EUR
5+93.84 EUR
10+81.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17KGeneSiC SemiconductorSiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+193.08 EUR
10+179.1 EUR
30+173.81 EUR
120+170.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17KNavitas Semiconductor, Inc.Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 809W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+209.39 EUR
30+164.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17NNavitas Semiconductor, Inc.Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 523W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+241.88 EUR
10+211.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17NGENESICDescription: GENESIC - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 523W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+287.43 EUR
5+240.21 EUR
10+202.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17NGeneSiC SemiconductorSiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+269.51 EUR
10+251.38 EUR
30+244.52 EUR
100+241.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12JGeneSiC SemiconductorMOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.43 EUR
10+44.95 EUR
25+43.24 EUR
100+41.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12JNavitas Semiconductor, Inc.Description: SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12JGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+65.8 EUR
5+62.4 EUR
10+59.37 EUR
20+57.06 EUR
50+54.98 EUR
100+52.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J-TRNavitas Semiconductor, Inc.Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J-TRNavitas Semiconductor, Inc.Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.36 EUR
10+40.45 EUR
100+32.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12J-TRGeneSiC SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.11 EUR
10+37.37 EUR
25+35.96 EUR
100+33.95 EUR
250+32.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12KGENESICDescription: GENESIC - G3R30MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 281W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+47.87 EUR
10+42.3 EUR
50+41.64 EUR
100+40.97 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12KGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+51.42 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12KNavitas Semiconductor, Inc.Description: SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.73 EUR
30+35.4 EUR
120+31.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12KGeneSiC SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.59 EUR
10+37.28 EUR
30+36.05 EUR
120+35.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12KGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12KGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12DGeneSiC SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.54 EUR
10+7.22 EUR
30+6.72 EUR
120+6.41 EUR
270+6.18 EUR
510+5.97 EUR
1020+5.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12DGeneSiC SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12DGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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G3R350MT12D
Produktcode: 199077
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Transistoren > MOSFET N-CH
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G3R350MT12DGENESICDescription: GENESIC - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12DGeneSiC SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.2 EUR
120+5.71 EUR
270+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12DGeneSiC SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.2 EUR
120+5.84 EUR
270+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12DNavitas Semiconductor, Inc.Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
auf Bestellung 6258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.11 EUR
30+7.57 EUR
120+6.35 EUR
510+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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G3R350MT12JGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.64 EUR
22+7.91 EUR
25+7.44 EUR
100+6.87 EUR
250+6.27 EUR
500+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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G3R350MT12JGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G3R350MT12JGENESICDescription: GENESIC - G3R350MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12JGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G3R350MT12JNavitas Semiconductor, Inc.Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Produkt ist nicht verfügbar
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G3R350MT12JGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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G3R350MT12JGeneSiC SemiconductorMOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+9.57 EUR
25+9.13 EUR
100+8.52 EUR
250+8.15 EUR
500+7.88 EUR
1000+7.6 EUR
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G3R350MT12JGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.64 EUR
22+7.74 EUR
25+7.16 EUR
100+6.5 EUR
250+5.78 EUR
500+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J-TRNavitas Semiconductor, Inc.Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J-TRGeneSiC SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R350MT12J-TRNavitas Semiconductor, Inc.Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12D
Produktcode: 177790
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Transistoren > MOSFET N-CH
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G3R40MT12DGeneSiC SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.73 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12DNavitas Semiconductor, Inc.Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.52 EUR
30+25.07 EUR
120+23.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12DGeneSiC SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+38.29 EUR
10+36.32 EUR
20+34.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12DGeneSiC SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12DGeneSiC SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.36 EUR
10+28.63 EUR
30+27.61 EUR
120+26.13 EUR
270+25.19 EUR
510+24.53 EUR
1020+24.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12DGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+112.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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G3R40MT12DGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+24.22 EUR
10+21.77 EUR
30+20.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12DGeneSiC SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.73 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12JGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12JGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+30.26 EUR
7+26.57 EUR
10+22.81 EUR
200+19.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12JGeneSiC SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.25 EUR
10+29.24 EUR
25+28.06 EUR
100+27.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12JGENESICDescription: GENESIC - G3R40MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 374W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12JGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+26.54 EUR
100+23.93 EUR
250+21.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12JGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+26.54 EUR
100+24.47 EUR
250+22.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12JNavitas Semiconductor, Inc.Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.11 EUR
50+27.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12JGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+39.64 EUR
10+37.59 EUR
20+35.77 EUR
50+34.39 EUR
100+33.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J-TRNavitas Semiconductor, Inc.Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.11 EUR
10+32.56 EUR
100+25.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J-TRNavitas Semiconductor, Inc.Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J-TRGeneSiC Semiconductor1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12J-TRGeneSiC SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12KGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+28.18 EUR
8+24 EUR
10+22.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12KGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12KGeneSiC SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12KNavitas Semiconductor, Inc.Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
auf Bestellung 1248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.46 EUR
30+28.24 EUR
120+24.69 EUR
510+24.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12KGENESICDescription: GENESIC - G3R40MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.33 EUR
7+36.96 EUR
10+31.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17DGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17DGeneSiC SemiconductorMOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 3133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.05 EUR
10+12.63 EUR
30+12.1 EUR
120+11.33 EUR
270+10.86 EUR
510+10.52 EUR
1020+10.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17DGeneSiC SemiconductorDescription: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.92 EUR
10+12.52 EUR
25+12 EUR
100+11.26 EUR
250+10.79 EUR
500+10.45 EUR
1000+10.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17DGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17DGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
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14+12.45 EUR
17+10.36 EUR
30+9.38 EUR
120+8.65 EUR
270+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17DGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17JGeneSiC SemiconductorMOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2991 Stücke:
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1+17.42 EUR
10+15.71 EUR
25+15.08 EUR
100+14.16 EUR
250+13.59 EUR
500+13.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17JGeneSiC SemiconductorDescription: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 5835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.65 EUR
10+14.11 EUR
25+13.55 EUR
100+12.73 EUR
250+12.22 EUR
500+11.84 EUR
1000+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J-TRNavitas Semiconductor, Inc.Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.33 EUR
10+10.46 EUR
100+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J-TRNavitas Semiconductor, Inc.Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17DGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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5+42.88 EUR
10+39.6 EUR
30+37.62 EUR
120+36.06 EUR
270+35.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17DGeneSiC SemiconductorMOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.74 EUR
10+58.48 EUR
30+56.49 EUR
120+53.62 EUR
270+52.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17DGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17DGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17DGeneSiC SemiconductorDescription: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.43 EUR
10+53.59 EUR
25+51.79 EUR
100+49.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17DGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+42.88 EUR
10+38.75 EUR
30+36.22 EUR
120+34.15 EUR
270+32.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17KGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17KGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+49.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17KGENESICDescription: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+84.85 EUR
5+78.75 EUR
10+72.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R45MT17KGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+111.22 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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