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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RGW60TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65CHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 178W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.55 EUR
11+21.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/91ns
Switching Energy: 70µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.81 EUR
30+14.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.15 EUR
30+5.81 EUR
50+5.46 EUR
100+5.15 EUR
250+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.91 EUR
50+5.53 EUR
100+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.12 EUR
30+5.72 EUR
120+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.15 EUR
30+5.81 EUR
50+5.46 EUR
100+5.15 EUR
250+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.31 EUR
10+5.84 EUR
100+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 178
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 30A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DGC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 178W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.04 EUR
35+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 178W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DHRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 64A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.1 EUR
25+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 64A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.91 EUR
10+9.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DHRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 64A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+13.61 EUR
50+9.14 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.14 EUR
10+9.64 EUR
100+6.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Power - Max: 178 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Gate Charge: 84 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/101ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 146 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.86 EUR
10+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.29 EUR
10+7.96 EUR
450+7.94 EUR
900+7.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65EHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 178W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.52 EUR
10+5.99 EUR
100+4.96 EUR
450+4.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Power - Max: 178 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 84 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.79 EUR
30+4.41 EUR
120+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.32 EUR
10+7.47 EUR
25+7.07 EUR
120+6.12 EUR
360+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.92 EUR
10+6.53 EUR
100+5.3 EUR
600+4.69 EUR
1200+4.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65GC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.82 EUR
29+8.06 EUR
100+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 178 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Part Status: Active
Gate Charge: 84 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.11 EUR
10+8.85 EUR
450+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.82 EUR
10+9.92 EUR
25+9.34 EUR
250+8.98 EUR
450+6.81 EUR
900+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW60TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65HRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 178W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.13 EUR
500+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.77 EUR
10+7.91 EUR
100+5.71 EUR
500+5.34 EUR
1000+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.79 EUR
29+8.26 EUR
100+5.51 EUR
500+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.18 EUR
500+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.06 EUR
10+6.7 EUR
100+4.8 EUR
500+4.33 EUR
1000+4.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.2 EUR
37+6.31 EUR
100+4.18 EUR
500+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.84 EUR
10+8.04 EUR
100+7.25 EUR
450+7.22 EUR
900+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Power - Max: 81 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Part Status: Active
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.48 EUR
30+6.77 EUR
120+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TK65EGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.61 EUR
30+10.86 EUR
120+9.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TK65EGVC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.1 EUR
10+8.85 EUR
100+7.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.16 EUR
10+7.64 EUR
100+6.39 EUR
450+6.37 EUR
900+5.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Power - Max: 81 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Part Status: Active
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.25 EUR
30+3.96 EUR
120+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 81A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.58 EUR
12+19.88 EUR
16+13.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 81A TO247N
Power - Max: 214 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 81 A
Part Status: Active
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.74 EUR
30+20.02 EUR
120+18.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.1 EUR
10+15.93 EUR
100+13.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Power - Max: 214 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.39 EUR
30+7.7 EUR
120+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.73 EUR
10+7.31 EUR
100+6.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.25 EUR
10+8.6 EUR
100+6.97 EUR
600+6.2 EUR
1200+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.77 EUR
27+8.89 EUR
100+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.87 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.42 EUR
10+7.88 EUR
100+7.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.13 EUR
10+7.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.47 EUR
19+12.88 EUR
23+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBTs Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.12 EUR
10+11.02 EUR
100+8.4 EUR
450+7.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Power - Max: 214 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/148ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.77 EUR
10+12.66 EUR
450+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11 EUR
10+6.33 EUR
100+5.28 EUR
450+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Power - Max: 214 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.23 EUR
30+4.66 EUR
120+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65GC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.32 EUR
34+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.5 EUR
10+7.33 EUR
100+5.93 EUR
600+5.28 EUR
1200+4.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247N
Power - Max: 214 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Active
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.95 EUR
10+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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RGW80TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
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RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 88A 245W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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21+8.33 EUR
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RGWS00TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 50A TRNCH
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RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 88A 245W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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25+7.49 EUR
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RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.65 EUR
30+7.28 EUR
120+6.1 EUR
510+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RGWS00TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 50A TRNCH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWS00TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS00TS65GC13 - IGBT, 88 A, 2 V, 245 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 88A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
47+4.96 EUR
100+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWS00TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.39 EUR
30+6.51 EUR
120+5.43 EUR
510+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWS60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.38 EUR
30+7.07 EUR
120+5.9 EUR
510+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWS60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 30A TRNCH
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.81 EUR
10+6.37 EUR
100+5.32 EUR
600+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWS60TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS60TS65GC13 - IGBT, 51 A, 1.6 V, 156 W, 30 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 156W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 51A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
58+4.03 EUR
100+3.67 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWS60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 30A TRNCH
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+4.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWS60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 51A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
30+3.4 EUR
120+2.81 EUR
510+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWS80TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Input Type: Standard
Power - Max: 202 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Gate Charge: 83 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.38 EUR
30+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWS80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 40A TRNCH
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.73 EUR
10+6.91 EUR
100+5.78 EUR
600+5.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWS80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 40A TRNCH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWS80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS80TS65GC13 - IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 71A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
53+4.45 EUR
100+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWS80TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 83 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 202 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.91 EUR
30+6.79 EUR
120+5.65 EUR
510+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWSX2TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 60A TRNCH
auf Bestellung 2387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.64 EUR
10+7.96 EUR
100+6.68 EUR
600+6.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWSX2TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G
Power - Max: 288 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Gate Charge: 140 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.7 EUR
30+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWSX2TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO-247G
Power - Max: 288 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Gate Charge: 140 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.46 EUR
30+7.15 EUR
120+5.97 EUR
510+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWSX2TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWSX2TS65GC13 - IGBT, 104 A, 2 V, 288 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 104A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.67 EUR
25+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWSX2TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 60A TRNCH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO247NNP 650V TRNCH 75A
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.77 EUR
25+8.6 EUR
100+8.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Gate Charge: 213 nC
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 348 W
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.17 EUR
30+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.31 EUR
19+12.58 EUR
24+9.23 EUR
50+9.04 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 75A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.18 EUR
10+11.77 EUR
100+9.82 EUR
600+8.76 EUR
1200+8.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.96 EUR
10+10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.24 EUR
10+9.73 EUR
100+6.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.91 EUR
10+15.37 EUR
100+11.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Power - Max: 348 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Gate Charge: 213 nC
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.61 EUR
10+16.4 EUR
450+11.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO247NP 650V TRNCH 75A
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.7 EUR
10+11.71 EUR
25+9.56 EUR
100+9.04 EUR
250+8.48 EUR
450+8.46 EUR
900+7.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.76 EUR
10+9.72 EUR
100+8.08 EUR
600+7.22 EUR
1200+6.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65GC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.52 EUR
23+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 132A TO-247N
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 348 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Part Status: Active
Gate Charge: 213 nC
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.76 EUR
10+5.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGWX5TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs Transistor IGBT, 650V 75A, TO-247N
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.17 EUR
10+8.54 EUR
100+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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