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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/360ns
Switching Energy: 3.26mJ (on), 2.33mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 453 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 535 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.67 EUR
30+7.24 EUR
120+6.05 EUR
510+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.9 EUR
10+8.44 EUR
100+6.24 EUR
600+5.28 EUR
1200+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 469W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA8M120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA8M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA8M120DF3 - IGBT, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA8M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns
Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off)
Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.79 EUR
10+5.12 EUR
100+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWF20NC60VSTMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWF30NC60SSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 35A 79W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 21.5ns/180ns
Switching Energy: 300µJ (on), 1.28mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 79 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWF30NC60SSTMicroelectronicsIGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.61 EUR
10+6.97 EUR
100+4.38 EUR
600+4.06 EUR
1200+3.92 EUR
2700+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWF40V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT BIPO 600V 40A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWS38IH130DSTMicroelectronicsIGBT Transistors 33 A 1300V fast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWS38IH130DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1300V 55A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/284ns
Switching Energy: 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 127 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A
Power - Max: 180 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT15H60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors PTD IGBT & IPM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT15H60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-3P
Packaging: Tube
Power - Max: 115 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20H60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 115 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 168W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.82 EUR
10+3.8 EUR
100+2.89 EUR
600+2.4 EUR
1200+2.07 EUR
2700+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/139ns
Switching Energy: 77µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 168 W
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.7 EUR
30+3.64 EUR
120+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 168W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 168W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20HP65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/139ns
Switching Energy: 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 168 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20HP65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+4.8 EUR
25+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsIGBTs 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
10+4.41 EUR
100+3.09 EUR
600+2.45 EUR
1200+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+2.73 EUR
600+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/106ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 259 W
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.34 EUR
10+4.15 EUR
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.1 EUR
10+4.08 EUR
100+3.01 EUR
600+2.53 EUR
1200+2.51 EUR
2700+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.24 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 116 nC
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsIGBTs 1250V 25A trench gte field-stop IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1250V 60A TO-3P
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/128ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
30+4.03 EUR
120+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H60DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
49+4.81 EUR
100+3.8 EUR
500+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+2.88 EUR
510+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+3.56 EUR
100+3.01 EUR
600+2.64 EUR
1200+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 151µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30HP65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 149 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30HP65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30HP65FBSTMIGBT TRENCH 650V 60A TO3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30HP65FBSTMicroelectronicsRF Bipolar Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.85 EUR
10+3.8 EUR
100+3.61 EUR
600+3.37 EUR
1200+3.25 EUR
2700+3.17 EUR
5100+2.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT30V60F - IGBT, 60 A, 1.85 V, 260 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7 EUR
65+3.62 EUR
100+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 163 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 260 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30V60FSTMicroelectronics
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT38IH130STMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT38IH130DSTMicroelectronicsIGBT Transistors 33A 1300V VF IGBT PowerMESH IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT38IH130DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1300V 63A TO-3P
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Gate Charge: 127 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/284ns
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H60DLFBSTMicroelectronicsIGBTs 600V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.89 EUR
16+5.47 EUR
19+4.58 EUR
30+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.62 EUR
47+4.96 EUR
100+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Power - Max: 283 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 498mJ (on), 363mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FBSTMIGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT40HP65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.5 EUR
61+3.83 EUR
100+3.43 EUR
500+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
30+3.44 EUR
120+2.8 EUR
510+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+3.45 EUR
100+2.83 EUR
600+2.31 EUR
1200+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FB
Produktcode: 148933
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 650 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: /142
Produkt ist nicht verfügbar
1+5.6 EUR
10+5.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.77 EUR
29+5.89 EUR
31+5.34 EUR
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DFSTMicroelectronics
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40V60DLFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STGWT40V60DLFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/208ns
Switching Energy: 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
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STGWT40V60DLFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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STGWT40V60DLFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
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STGWT50HF60SDSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60 A, 600 V, very low drop IGBT with soft and fast, IGBT & Power Bipolar
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STGWT60H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGWT60H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 306 nC
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 626µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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STGWT60H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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16+5.39 EUR
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STGWT60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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300+3.17 EUR
510+3.09 EUR
600+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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STGWT60H65DFBSTMIGBT 650V 80A 375W TO3P-3L Транзистори
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STGWT60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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300+3.2 EUR
510+3.06 EUR
600+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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STGWT60H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
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