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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGWA50IH65DF2
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 162 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/130ns
Switching Energy: 880µJ (on), 1.57mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.45 EUR
30+5.89 EUR
120+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50M65DF2
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.28 EUR
10+5.81 EUR
100+4.82 EUR
600+4.71 EUR
1200+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50M65DF2AGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 119A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29.8ns/143ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 119 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 207 A
Power - Max: 576 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.58 EUR
10+7.76 EUR
100+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA50M65DF2AGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.2 EUR
10+7.71 EUR
100+6.24 EUR
600+5.53 EUR
1200+4.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/210ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.01 EUR
30+5 EUR
120+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60H65DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.2 EUR
45+5.25 EUR
100+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.54 EUR
10+4.74 EUR
100+3.92 EUR
600+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60NC60WDRSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 130A 340W TO247
Power - Max: 340 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Gate Charge: 195 nC
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 743µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.52 EUR
10+13.32 EUR
100+11.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60NC60WDRSTMicroelectronicsIGBT Transistors 60A 600V UF IGBT PowerMESH High Freq
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.46 EUR
10+4.71 EUR
100+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 334nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns
Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 334 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.51 EUR
30+4.74 EUR
120+3.9 EUR
510+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DWFAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/190ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.84 EUR
10+13.67 EUR
100+10.19 EUR
600+9.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DWFAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA60V60DWFAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT fea
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.99 EUR
64+2.67 EUR
65+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/100ns
Switching Energy: 1.428mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 357 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.58 EUR
16+5.43 EUR
30+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.43 EUR
43+3.74 EUR
60+3.25 EUR
120+3.08 EUR
270+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.39 EUR
10+6.81 EUR
100+5.02 EUR
600+3.89 EUR
1200+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.96 EUR
65+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75H65DFB2
Produktcode: 199290
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.11 EUR
26+9.23 EUR
100+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.27 EUR
31+5.63 EUR
35+4.87 EUR
60+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 468 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.38 EUR
19+8.91 EUR
27+6.09 EUR
100+5.14 EUR
250+4.47 EUR
600+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.11 EUR
10+11.02 EUR
100+8.92 EUR
600+7.91 EUR
1200+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.71 EUR
10+7.27 EUR
120+6.06 EUR
510+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 453nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 535W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65DFBAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/360ns
Switching Energy: 3.26mJ (on), 2.33mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 453 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 535 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.79 EUR
30+7.32 EUR
120+6.12 EUR
510+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.9 EUR
10+8.44 EUR
100+6.24 EUR
600+5.28 EUR
1200+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 469W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA8M120DF3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns
Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off)
Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.79 EUR
10+5.12 EUR
100+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA8M120DF3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA8M120DF3 - IGBT, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWA8M120DF3STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWF20NC60VSTMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWF30NC60SSTMicroelectronicsIGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.61 EUR
10+6.97 EUR
100+5.19 EUR
600+4.06 EUR
1200+3.96 EUR
2700+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWF30NC60SSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 35A 79W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 21.5ns/180ns
Switching Energy: 300µJ (on), 1.28mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 79 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWF40V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT BIPO 600V 40A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWS38IH130DSTMicroelectronicsIGBT Transistors 33 A 1300V fast IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWS38IH130DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 1300V 55A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: -/284ns
Switching Energy: 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 127 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A
Power - Max: 180 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT15H60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-3P
Packaging: Tube
Power - Max: 115 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT15H60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors PTD IGBT & IPM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 115 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20H60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 168W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 168W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/139ns
Switching Energy: 77µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 168 W
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.68 EUR
30+3.64 EUR
120+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+3.58 EUR
100+2.89 EUR
500+2.31 EUR
900+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 168W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20HP65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/139ns
Switching Energy: 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 168 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20HP65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+4.8 EUR
25+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+2.7 EUR
600+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/106ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 259 W
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.34 EUR
10+4.15 EUR
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsIGBTs 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.1 EUR
10+4.08 EUR
100+3.01 EUR
600+2.53 EUR
1200+2.51 EUR
2700+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.2 EUR
500+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 116 nC
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT20V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1250V 60A TO-3P
Power - Max: 375 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/128ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsIGBTs 1250V 25A trench gte field-stop IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 149nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+2.86 EUR
510+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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STGWT30H60DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 504 Stücke:
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41+6.18 EUR
47+4.99 EUR
100+3.9 EUR
500+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
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300+5.41 EUR
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STGWT30H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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STGWT30H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 518 Stücke:
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67+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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STGWT30H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 151µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
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STGWT30H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STGWT30HP65FBSTMIGBT TRENCH 650V 60A TO3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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STGWT30HP65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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STGWT30HP65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 149 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 260 W
Produkt ist nicht verfügbar
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STGWT30HP65FBSTMicroelectronicsRF Bipolar Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STGWT30V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.85 EUR
10+3.8 EUR
100+3.61 EUR
600+3.37 EUR
1200+3.25 EUR
2700+3.17 EUR
5100+2.95 EUR
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STGWT30V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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STGWT30V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT30V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
Produkt ist nicht verfügbar
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STGWT30V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWT30V60F - IGBT, 60 A, 1.85 V, 260 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7 EUR
65+3.62 EUR
100+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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