Produkte > IXT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IXTY01N100D-TRL | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY01N100D-TRL | IXYS | MOSFET Modules IXTY01N100D TRL | auf Bestellung 1474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY01N100D-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY01N100D-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | auf Bestellung 8270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY01N100D-TRL | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY01N100D-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY01N100D-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY01N100TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY01N80 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 100MA TO252AA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY01N80 | IXYS | MOSFETs 0.1 Amps 800V 50 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY02N120P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO252; 1.6us Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W Case: TO252 Mounting: SMD Reverse recovery time: 1.6µs Drain current: 0.2A On-state resistance: 75Ω Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of package: tube Polarisation: unipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY02N120P | IXYS | MOSFETs 0.2Amps 1200V | auf Bestellung 2448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY02N120P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V | auf Bestellung 6975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY02N120P-TRL | IXYS | MOSFET Modules IXTY02N120P TRL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY02N120P-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY02N120P. | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTY02N120P. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.2A, TO-252 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm directShipCharge: 25 | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY02N50D | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 200MA TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY02N50D | IXYS | MOSFETs 0.2 Amps 500V 30 Rds | auf Bestellung 3666 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY02N50D_TRL | IXYS | MOSFET 0.2 A 500V 30 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY03N90PHV | IXYS | Description: MOSFET N-CH TO252AA Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY06N120P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 90A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY08N100D2 | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY08N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY08N100D2 | IXYS | MOSFETs 8mAmps 1000V | auf Bestellung 4417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY08N100D2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V | auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY08N100D2 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTY08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY08N100D2 TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY08N100D2-TRL | IXYS | MOSFET Modules IXTY08N100D2 TRL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY08N100D2-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY08N100D2-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY08N100D2. | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTY08N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-252 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 0V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm directShipCharge: 25 | auf Bestellung 341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY08N100P | IXYS | MOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds | auf Bestellung 2303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY08N100P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V | auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY08N100P-TRL | IXYS | MOSFET Modules IXTY08N100P TRL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY08N100P-TRL | IXYS | Description: IXTY08N100P TRL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY08N120P | IXYS | MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY08N120P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY08N50D2 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTY08N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY08N50D2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO252 On-state resistance: 4.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 11ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY08N50D2 | IXYS | MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA | auf Bestellung 21506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY08N50D2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V | auf Bestellung 2130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY08N50D2-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY08N50D2-TRL | IXYS | MOSFET Modules DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES | auf Bestellung 2234 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY08N50D2-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY10P15T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY10P15T | IXYS | MOSFETs TrenchP Power MOSFET | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY12N06T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 60V 12A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY12N06T | IXYS | MOSFETs 12 Amps 6V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY12N06TTRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 60V 12A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY12N06TTRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 60V 12A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY14N60X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V | auf Bestellung 1923 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY14N60X2 | IXYS | MOSFETs TO252 600V 14A N-CH X2CLASS | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY14N60X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 180W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 18A Gate charge: 16.7nC | auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY14N60X2 | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY14N60X2-TRL | Littelfuse | MOSFETs Discrete MOSFET 14A 600V X2 TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY15N20T | IXYS | MOSFETs 15 Amps 200V 180 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY15N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY15P15T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO252 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) | auf Bestellung 2774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY15P15T | IXYS | MOSFET TrenchP Power MOSFET | auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY18P10T | IXYS | MOSFETs -100V -18A | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY18P10T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252 Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | auf Bestellung 2581 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY18P10T-TRL | IXYS | Discrete Semiconductor Modules DISCRETE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY18P10T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1N100P | IXYS | MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1N100P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1N120P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1N120P | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: TO252 Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 1A Reverse recovery time: 900ns On-state resistance: 20Ω Power dissipation: 63W | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY1N120PTRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1N80 | IXYS | MOSFETs 1 Amps 800 V 11 W Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1N80 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1N80P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 1A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1N80P | IXYS | MOSFETs POLAR MOSFET WITH REDUCED RDS 800V 1A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1N80P-TRL | IXYS | MOSFET Modules IXTY1N80P TRL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1N80P-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 1A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1R4N100P | IXYS | MOSFETs 1.4 Amps 1000V 11 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1R4N100P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1R4N120P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1R4N120P | IXYS | MOSFETs 1.4 Amps 1200V 15 Rds | auf Bestellung 1191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY1R4N120P-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1R4N120PHV | IXYS | MOSFETs TO252 1.2KV 1.4A N-CH POLAR | auf Bestellung 1016 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY1R4N120PHV | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1R4N60P | IXYS | MOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds | auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1R4N60P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1R4N60P TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1R6N100D2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V | auf Bestellung 3405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY1R6N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY1R6N100D2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns Mounting: SMD Drain current: 1.6A Kind of channel: depletion Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO252 On-state resistance: 10Ω Reverse recovery time: 11ns Power dissipation: 100W Gate charge: 645nC Polarisation: unipolar | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY1R6N100D2 | IXYS | MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A | auf Bestellung 4852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY1R6N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1R6N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY1R6N100D2-TRL | IXYS | MOSFET Modules IXTY1R6N100D2 TRL | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 423-427 Tag (e) |
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| IXTY1R6N100D2-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1R6N50D2 | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY1R6N50D2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY1R6N50D2 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTY1R6N50D2 | IXYS | MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY1R6N50D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1R6N50D2-TRL | IXYS | MOSFET Modules TO252 500V 1.6A N-CH DEPL | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTY1R6N50D2-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IXTY1R6N50D2-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V | auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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