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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTX20N150IXYSMOSFETs 1500 V High Voltage Power MOSFET
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.41 EUR
10+41.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX20N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 20A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX20N150.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTX20N150. - MOSFET, N-CH, 1.5KV, 20A, PLUS247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+73.47 EUR
5+62.28 EUR
10+52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX210P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+38.02 EUR
10+34.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX210P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67 EUR
30+44.14 EUR
120+40.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX210P10TIXYSMOSFETs P-Channel: Standard MOSFET
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.75 EUR
10+48.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX22N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX22N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX22N100LIXYSMOSFETs LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.32 EUR
10+79.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX240N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 240A PLUS247-3
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.99 EUR
10+71.02 EUR
100+60.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX240N075L2IXYSMOSFETs Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.22 EUR
10+65.87 EUR
120+57.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX24N100IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 850ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX24N100IXYSMOSFETs 24 Amps 1000V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX32P60PIXYSMOSFETs -32 Amps -600V 0.350 Rds
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.73 EUR
10+37.28 EUR
30+32.96 EUR
60+32.38 EUR
120+30.87 EUR
270+29.71 EUR
510+26.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX32P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX32P60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 890W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+46.85 EUR
10+37.7 EUR
50+32.18 EUR
100+31.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX32P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.05 EUR
30+31.8 EUR
120+27.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX3N250LIXYSMOSFET MOSFET DISCRETE TO-247P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX400N15X4IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX400N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+85.62 EUR
30+58.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX400N20X4IXYSMOSFETs 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.8 EUR
10+35.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX40P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 1159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.44 EUR
30+32.7 EUR
120+30.67 EUR
510+26.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX40P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX40P50PIXYSMOSFETs -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.57 EUR
10+32.49 EUR
30+31.29 EUR
60+30.56 EUR
120+29.85 EUR
270+28.46 EUR
510+27.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX40P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX40P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTX40P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 40A, PLUS247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+53.41 EUR
6+45.27 EUR
10+37.78 EUR
25+33.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX46N50LIXYSMOSFETs 44 Amps 500V
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.32 EUR
10+80.28 EUR
30+67.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX46N50LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 46A; 700W; PLUS247™; 600ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 46A
Power dissipation: 700W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.6µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX46N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+104.01 EUR
30+70.82 EUR
60+69.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX4N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+140.77 EUR
30+113.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX4N300P3HVIXYSMOSFETs PLUS247 300V 4A N-CH POLAR
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+131.17 EUR
10+124.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX4N300P3HV.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTX4N300P3HV. - MOSFET, N-CH, 3KV, 4A, TO-247PLUS-HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 3kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12.5ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+171.88 EUR
5+151.97 EUR
10+133.21 EUR
25+126.14 EUR
50+119.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX550N055T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX550N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX5N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8560 pF @ 25 V
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+238.89 EUR
30+204.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX5N250IXYSMOSFET 2500V 5A HV Power MOSFET
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+259.6 EUR
10+246.2 EUR
30+239.51 EUR
120+236.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX5N250High Voltage Power MOSFET w/ Extended FBSOA PLUS247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX600N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX600N04T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX60N50L2IXYSMOSFETs 60 Amps 500V
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.62 EUR
10+54.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX60N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; PLUS247™; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX60N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.63 EUR
30+55.89 EUR
60+52.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX660N04T4IXYSDescription: DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX660N04T4IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX6N200P3HVIXYSMOSFETs PLUS247 2KV 6A N-CH HIVOLT
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+129.81 EUR
10+117.64 EUR
30+113.6 EUR
60+109.49 EUR
120+109.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX6N200P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+126 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX8N150LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX8N150LIXYSMOSFETs Standard Linear Power MOSFET
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+94.75 EUR
10+80.82 EUR
120+70.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX8N150LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 1.5kV
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+48.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.92 EUR
30+52.73 EUR
60+49.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90N25L2IXYSMOSFETs 90 Amps 250V
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.62 EUR
10+56.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90N25L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
Power dissipation: 960W
Gate charge: 640nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Reverse recovery time: 266ns
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+47.81 EUR
10+42.36 EUR
25+39.1 EUR
100+28.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90P20PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.44 EUR
10+34.69 EUR
120+30.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Mounting: THT
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+26.19 EUR
5+22.94 EUR
10+21.09 EUR
30+20.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 25 V
auf Bestellung 12684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.75 EUR
70+3.75 EUR
140+3.42 EUR
560+2.88 EUR
1050+2.7 EUR
2030+2.53 EUR
5040+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.37 EUR
55+3.06 EUR
56+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100IXYSMOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+3.03 EUR
70+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.61 EUR
110+1.51 EUR
111+1.45 EUR
116+1.32 EUR
117+1.26 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY01N100 TRL
auf Bestellung 2461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.5 EUR
100+3.28 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY01N100. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.1A, TO-252
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Startech Laptop Privacy Filter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 60ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.9 EUR
50+4.74 EUR
100+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 12950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+4.09 EUR
560+3.51 EUR
1050+3.26 EUR
2030+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.57 EUR
37+6.31 EUR
100+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 11196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.3 EUR
10+7.54 EUR
70+5.66 EUR
140+5.18 EUR
560+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 12950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+4.08 EUR
560+3.42 EUR
1050+3.12 EUR
2030+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100DIXYSMOSFETs MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.08 EUR
10+5.26 EUR
70+4.8 EUR
560+4.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100D TRIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100D TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100D-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100D-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100D-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY01N100D TRL
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.5 EUR
10+7.02 EUR
100+5.02 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100D-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100D-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.69 EUR
10+7.12 EUR
50+5.59 EUR
100+5.09 EUR
500+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100D-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.75 EUR
35+6.82 EUR
100+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N80IXYSMOSFETs 0.1 Amps 800V 50 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 100MA TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO252; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Case: TO252
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 75Ω
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N120PIXYSMOSFETs 0.2Amps 1200V
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.56 EUR
10+3.25 EUR
70+2.93 EUR
560+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
auf Bestellung 1882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.89 EUR
10+4.49 EUR
70+3.3 EUR
140+2.99 EUR
560+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N120P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY02N120P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N120P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY02N120P. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.2A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.27 EUR
41+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 200MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.38 EUR
70+2.55 EUR
140+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N50DIXYSMOSFETs 0.2 Amps 500V 30 Rds
auf Bestellung 3265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.51 EUR
10+3.12 EUR
70+2.67 EUR
560+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N50D_TRLIXYSMOSFET 0.2 A 500V 30 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY03N90PHVIXYSDescription: MOSFET N-CH TO252AA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY06N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 90A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2IXYSMOSFETs 8mAmps 1000V
auf Bestellung 4417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.42 EUR
10+5.26 EUR
70+4.65 EUR
560+4.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.2 EUR
55+4.22 EUR
100+3.88 EUR
500+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.99 EUR
28+6.14 EUR
70+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.3 EUR
10+7.54 EUR
70+5.66 EUR
140+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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