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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXYP24N100A4IXYSDescription: IGBT PT 1000V 85A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/216ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 800V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 145 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP24N100C4IXYSIGBTs TO220 1KV 24A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP24N100C4IXYSDescription: IGBT PT 1000V 76A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/147ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 800V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 132 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N120A4IXYSDescription: IGBT 1200V 106A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A
Power - Max: 500 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N120A4IXYSIGBTs TO220 1KV 30A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N120B4IXYSIGBTs TO220 1200V 30A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N120B4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 75A TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 500 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 69 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N120C4IXYSIGBTs TO220 1200V 30A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N120C4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N65C3IXYSIGBTs TO220 650V 30A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N65C3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
Power - Max: 270 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 44 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP35N65C5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 90A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/122ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A
Power - Max: 326 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP35N65C5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 326W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 326W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Collector current: 35A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 190A
Collector-emitter voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP35N65C5IXYSIGBTs 650V, 35A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP48N65A5IXYSIGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.79 EUR
10+6.26 EUR
100+5.71 EUR
500+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP48N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 130A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/205ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 236 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.75 EUR
50+6.22 EUR
100+5.7 EUR
500+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP50N65C3IXYSIGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.92 EUR
10+9.47 EUR
100+8.69 EUR
500+8.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP50N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP50N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 130A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.55 EUR
50+9.64 EUR
100+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP60N65A5IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.92 EUR
10+6.89 EUR
500+5.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP60N65A5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 134A; 395W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 395W
Gate charge: 128nC
Pulsed collector current: 260A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 134A
Collector-emitter voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP60N65A5IXYSDescription: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP60N65A5LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYP60N65A5 - IGBT, 134 A, 1.23 V, 395 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.23
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.23
Verlustleistung Pd: 395
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 134
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 134
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+14.61 EUR
17+12.8 EUR
50+11.72 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP8N90C3IXYSIGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.71 EUR
10+5.07 EUR
100+3.53 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP8N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP8N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 20A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP8N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 20A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP8N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP8N90C3D1IXYSIGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP8N90C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.38 EUR
18+4.83 EUR
20+4.27 EUR
50+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYQ30N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-3P (3)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYQ40N65B3D1IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYQ40N65C3D1IXYSDescription: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYQ40N65C3D1IXYSIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYR100N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247
Power - Max: 484 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Part Status: Active
Gate Charge: 270 nC
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYR100N120C3IXYSIGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYR100N65A3V1IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYR100N65A3V1IXYSIGBT Modules Disc IGBT PT-Low Frequency ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYR50N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 56A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 290 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYR50N120C3D1IXYSIGBTs ISOPLUS 1200V 32A DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYR50N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 32A; 290W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 290W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 32A
Pulsed collector current: 210A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT120N65A5HVIXYSIGBTs 650V, 120A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-268HV
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.11 EUR
10+14.55 EUR
120+14.53 EUR
510+13.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT120N65A5HVIXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 290A TO268HV
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/390ns
Switching Energy: 2.46mJ (on), 3.55mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.56 EUR
30+14.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT12N250CV1HVIXYSDescription: IGBT 2500V 28A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/167ns
Switching Energy: 3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 310 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYT12N250CV1HVIXYSIGBTs TO268 2500V 12A DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYT20N120C3D1HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 17A
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT20N120C3D1HVIXYSDescription: IGBT 1200V 36A TO-268HV
Power - Max: 230 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYT20N120C3D1HVIXYSIGBTs TO268 1200V 17A DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYT25N250CHVIXYSDescription: IGBT 2500V 95A TO-268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-268
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/230ns
Switching Energy: 8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
Test Condition: 1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 235 A
Power - Max: 937 W
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.51 EUR
30+40.51 EUR
120+39.98 EUR
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IXYT25N250CHVIXYSIGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.26 EUR
10+46.29 EUR
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IXYT30N450HVIXYSDescription: IGBT 4500V 60A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/168ns
Test Condition: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 430 W
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+94.02 EUR
30+67.93 EUR
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IXYT30N450HVIXYSIGBTs TO268 4500V 30A XPT
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+113.26 EUR
10+92.09 EUR
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IXYT30N450HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYT30N450HV - IGBT, 60 A, 3.2 V, 430 W, 4.5 kV, TO-268HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
MSL: -
Verlustleistung: 430W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-268HV
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+144.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXYT30N450HVIGBT 4500V 60A 430W Surface Mount TO-268HV Транзистори
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IXYT30N450HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 4.5kV; 30A; 430W; TO268HV
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: XPT™
Gate charge: 88nC
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 1542ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Power dissipation: 430W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 4.5kV
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYT30N450HVLittelfuseHigh Voltage XPTTMIGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXYT30N65C3H1HVIXYSDescription: IGBT 650V 60A 270W TO268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYT30N65C3H1HVIXYSIGBTs 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYT40N120A4HVIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 275A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYT40N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 140A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/204ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 3.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 275 A
Power - Max: 600 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYT40N120A4HVIXYSIGBTs TO268 1200V 40A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYT40N120A4HV-TRLLittelfuse Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO268HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IXYT40N120A4HV-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IXYT55N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 175A TO-268HV
Power - Max: 650 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Part Status: Active
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/300ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.63 EUR
30+15.65 EUR
120+13.46 EUR
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IXYT55N120A4HVIXYSIGBTs Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO268HV
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.56 EUR
10+18.83 EUR
120+17.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT80N90C3IXYSIGBTs TO268 900V 80A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT80N90C3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO268
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 80A
Power dissipation: 830W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: SMD
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 201ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT80N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 165A TO-268AA
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Gate Charge: 145 nC
Test Condition: 450V, 80A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 4.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/90ns
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT85N120A4HVIXYSDescription: IGBT PT 1200V 300A TO-268HV
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Part Status: Active
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 600V, 60A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 4.9mJ (on), 8.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/400ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 85A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 520 A
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.19 EUR
30+30.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT85N120A4HVIXYSIGBTs TO268 1200V 85A XPT
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.75 EUR
10+34.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT90N65A5HVIXYSIGBTs 650V, 90A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-268HV
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.4 EUR
10+13.48 EUR
120+11.29 EUR
510+9.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT90N65A5HVIXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 220A TO268HV
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/436ns
Switching Energy: 1mJ (on), 3mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 650 W
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.93 EUR
30+11.19 EUR
120+9.5 EUR
510+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX100N120B3IXYSIGBTs PLUS247 1200V 100A GENX3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX100N120B3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 225A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/153ns
Switching Energy: 7.7mJ (on), 7.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 530 A
Power - Max: 1150 W
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.9 EUR
30+25.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX100N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 188A PLUS247
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 490 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 188 A
Part Status: Active
Gate Charge: 270 nC
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Input Type: Standard
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.43 EUR
30+35.45 EUR
120+34.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX100N120C3IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.2 EUR
10+39.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX100N65B3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX100N65B3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 225A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 156 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/150ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 1.37mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 830 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX110N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX110N120A4 - IGBT, 375 A, 1.45 V, 1.36 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 1.36
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36
Bauform - Transistor: PLUS247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 375
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 375
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+93.89 EUR
5+83.79 EUR
10+74.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX110N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 375A TO-247
Power - Max: 1360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 375 A
Part Status: Active
Gate Charge: 305 nC
Test Condition: 600V, 50A, 1.5Ohm, 15V
Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.03 EUR
30+36.38 EUR
120+34.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX110N120A4IXYSIGBTs PLUS247 1200V 110A GENX4
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.7 EUR
10+30.68 EUR
120+30.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX110N120B4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.62 EUR
10+37.87 EUR
120+33.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX110N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 340A PLUS247
Power - Max: 1360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Part Status: Active
Gate Charge: 340 nC
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 3.6mJ (on), 3.85mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/390ns
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX110N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.4 EUR
10+32.55 EUR
120+26.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX110N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 310A PLUS247
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Power - Max: 1360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 740 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Part Status: Active
Gate Charge: 330 nC
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX110N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX110N120C4 - IGBT, 310 A, 1.9 V, 1.36 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.25 EUR
6+40.23 EUR
10+31.19 EUR
50+25.25 EUR
100+24.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+47.92 EUR
3+43.15 EUR
10+38.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120B3IXYSDescription: IGBT 1200V 320A PLUS247
Power - Max: 1500 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Part Status: Active
Gate Charge: 400 nC
Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 9.7mJ (on), 21.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/340ns
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120B3IXYSIGBTs PLUS247 1200V 120A GENX3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 220A 1500W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120C3IXYSIGBTs PLUS247 1200V 120A GENX3
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.48 EUR
10+55.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 220A 1500W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+46.3 EUR
3+43.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 240A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/176ns
Switching Energy: 6.75mJ (on), 5.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 412 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Power - Max: 1500 W
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.79 EUR
30+47.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 220A 1500W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX140N120A4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYX140N120A4 - IGBT, 480 A, 1.34 V, 1.5 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.34V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 480A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+119.27 EUR
5+101.78 EUR
10+85.66 EUR
50+79.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX140N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 480A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/590ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 12mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1500 W
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+99.4 EUR
30+67.82 EUR
120+67.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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